JP2000193807A - 拡散反射板とその製造方法および反射型表示素子 - Google Patents
拡散反射板とその製造方法および反射型表示素子Info
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Abstract
く工業的に製造でき、均一な拡散反射性能に優れた拡散
反射板、特に拡散反射電極に好適に適用できる拡散反射
板を提供する。 【解決手段】表面に凹凸形状を有する塗膜3を基板1上
に形成し、金属薄膜を当該塗膜3上に形成し金属薄膜表
面を凹凸形状として入射光を拡散反射させるように構成
し電極を兼ね備えると反射電極4が得られる。
Description
組み合わせて用いられる拡散反射板、その製造方法およ
びそれを使用した反射型表示素子に関する。この拡散反
射板は内面拡散用の反射板で、特に反射型液晶表示素子
等の表示素子の金属薄膜電極(拡散反射電極)にも適用
可能である。
を拡散反射させ、明るい白色表示を可能とし、また反射
板を液晶表示素子の内面に配置すると高精細な表示を可
能にする。
搬型の電子機器に液晶表示素子が多く使われるようにな
った。これらの用途では電池駆動であるため、従来の透
過型液晶表示素子と比べ、より消費電力の低い反射型の
液晶表示素子が必要となり、その開発が進められてい
る。反射型の液晶表示素子においては、明るく見える視
野角を広げ、また金属光沢ではない「白」表示を実現す
るため、入射光を散乱させるための層が素子のどこかに
必要となる。従来から、液晶表示素子のセルの外側に拡
散反射板を設ける方式によって反射型の液晶表示素子が
製造されている(従来例1)。
るようになってきた。従来例1では、基板に使用するガ
ラスの板厚による視差があるため画素間で反射光が混合
しコントラストの低下等を招き十分な画像品位が得られ
ない。
板の外側に光を散乱させるフィルム等を設ける方式も提
案されているが、さらなる高精細化の要求に対しては十
分ではない(従来例2)。
トマスクを用いたフォトリソグラフィーにより凹凸パタ
ーンを電極に形成し拡散反射電極を設けた反射型の液晶
表示素子が提案されている。例えば、月刊LCD In
telligence 1998年1月号36頁参照
(従来例3)。この従来例3によれば、高精細な反射型
液晶表示素子を実現することができる。
凸パターンを平面方向に単純なくり返しパターンとする
と反射電極が回折格子として作用することになり、表示
を視認した際に虹色に発色したり、配線やブラックマト
リクス等の他のくり返しパターンとの位置関係の微妙な
ずれによりいわゆるモアレ縞が見えたりといった表示上
の不良を発生する恐れがある。そのため、凹凸パターン
形成に用いるフォトマスクの設計においては通常の画素
パターン形成のような単純なくり返しを用いることはで
きず、極めて煩雑で困難な設計を行なう必要がある。し
かし、くり返しパターンとなることは避けられない。
のくり返しパターンとの位置関係の微妙なずれや、ステ
ッパーを用いて分割露光をする場合には継ぎ目の微妙な
位置ずれが表示素子として完成後視認される恐れがあ
る。そのため製造においても厳しい精度管理が必要とな
る。このように、通常のフォトリソグラフィーにより適
当な拡散能を持った反射電極を形成することは容易なこ
とではない。そこで、高い生産性を維持しながらセル内
面に何らかの光拡散機能を有する光拡散層を設けること
が課題となっている。
光してランダムな凹凸パターンを形成し、その上に金属
薄膜を成膜し、拡散反射電極を形成する方法(特開平1
0−253977号公報参照。)が提案されているが、
フォトリソグラフィーの工程を必要とし、しかも特殊な
フォトリソグラフィーとなる。そのため、コスト的に不
利であり、さらに分割露光の継ぎ目の問題はより強調さ
れるものと考えられ、課題が残されている。従って、均
一な拡散反射性能に優れた凹凸形状を有し、しかも工業
的に容易に製造が可能で拡散反射電極にも適用できる拡
散反射板の開発が求められている。
保し、反射型液晶表示素子等の表示素子に使用するのに
適した優れた拡散反射板、特に拡散反射電極にも適用可
能な拡散反射板、その製造方法およびそれを使用した表
示素子を提供することにある。
形状を有する塗膜を基板上に形成するが、そのためには
塗膜をガラス等の基板上に各種の塗布方法を用いて設け
ることができ、この場合、凹凸形状を有する塗膜として
は有機および無機の塗膜が採用可能であるが、樹脂塗布
により塗膜を形成するのが好ましい。その上に金属薄膜
を成膜すると、容易にその金属薄膜表面を凹凸形状と
し、入射光を拡散反射させるように構成することができ
る。その場合、樹脂塗膜には下記組成物を使用するのが
好ましい。
塗膜表面の凹凸形状を利用して金属薄膜表面を凹凸形状
に構成するものであり、当該凹凸形状を利用する限りに
おいて凹凸形状を有する塗膜層と金属薄膜層との間に当
該凹凸形状を維持する層や、当該凹凸形状の微調整を行
うための層等を必要により設けることができる。
とも(a)および(b)の二成分と溶剤を必須成分とす
る組成物を挙げることができ、(a)、(b)は同一の
溶剤に溶解可能な互いに基本骨格の異なるポリマーまた
はオリゴマーが好ましい。
を塗布して硬化させることにより、溶剤の揮発と(b)
成分の硬化と共に(a)成分−(b)成分の硬化物間の
相分離が発生し、その結果拡散反射板として特性の優れ
た凹凸形状を有する塗膜を形成することができるので、
特に好ましい。
ては下記が例示できる。 (a)主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹
脂;および(b)式R1 mR2 nSi(OR3)4-(m+n)(式
中、R1 およびR2 は炭素数1〜14の有機基であり、
互いに同じであっても異なっていてもよく、R3 は炭素
数1〜8のアルキル基であり、mおよびnはm+n≦3
を満たす0〜3の整数である。)で示されるアルコキシ
シランの部分加水分解縮合物。
脂肪族環構造を有するフッ素樹脂としては、2つ以上の
重合性二重結合を有する含フッ素モノマーを環化重合し
て得られる主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素
樹脂、含フッ素脂肪族環構造を有するモノマーを重合し
て得られる主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素
樹脂、これら2種のモノマーを共重合させて得られるフ
ッ素樹脂、これら2種のモノマーの少なくとも1種とそ
れら以外のモノマーとを共重合させて得られるフッ素樹
脂等が挙げられる。
は、脂肪族環を構成する炭素原子の1以上が主鎖を構成
する炭素連鎖中の炭素原子であり、かつ脂肪族環を構成
する炭素原子の少なくとも一部にフッ素原子またはフッ
素含有基が結合している構造を有していることを意味す
る。
素モノマーとしては、下記の式(e)、式(f)、式
(g)または式(h)で示されるものが例示される。但
し、式(e)〜式(h)中のT1〜T12、Y1〜Y10、Z
1〜Z8およびW1〜W8 は、それぞれ独立にFまたはC
F3である。
しては、下記の式(i)、式(j)または式(k)で示
されるものが例示される。但し、式(i)〜式(k)中
のX 1〜X6はそれぞれ独立にFまたはCF3 であり、R
4 〜R9 はそれぞれ独立にF、CnF2n+1、またはCnF
2n+1-pHpOqであり、ここでnは1〜5の整数、pは0
〜5の整数、qは0〜2の整数であり、または、R4〜
R9はそれぞれ独立してアルキレン基またはフルオロア
ルキレン基であって、かつR4とR5、R6 とR7、R8
とR9 が連結して環を形成していてもよい。
CT8T9CT10=CT11T12; (f)CY1Y2=CY3OCY4Y5CY6Y7CY8=CY
9Y10; (g)CZ1Z2=CZ3OCZ4Z5CZ6=CZ7Z8; (h)CW1W2=CW3OCW4W5OCW6=CW7W8;
素モノマーを環化重合して得られる主鎖に脂肪族環構造
を有するフッ素樹脂は、特開昭63−238111号、
特開昭63−238115号、特開平7−316235
号公報等において公知である。例えば、ペルフルオロ
(アリルビニルエーテル)、ペルフルオロ(ブテニルビ
ニルエーテル)、ペルフルオロ(ビス(ビニルオキシ)
メタン)等のモノマーを単独重合、またはこれらのモノ
マーとラジカル重合性モノマーを共重合して得られるフ
ッ素樹脂を使用することができる。
くはエチレン等のオレフィン類、テトラフルオロエチレ
ン、ヘキサフルオロプロピレン等のペルフルオロオレフ
ィン類およびペルフルオロ(ブチルビニルエーテル)等
のペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)類等の中か
ら、例えは1種または2種以上を選択することができ
る。
マーを重合して得られる主鎖に脂肪族環構造を有するフ
ッ素樹脂は、特公昭63−18964号、特開平7−7
0107号公報等において公知である。例えば、ペルフ
ルオロ(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソール)、
2,2,4−トリフルオロ−5−トリフルオロメトキシ
−1,3−ジオキソール等の含フッ素環構造を有するモ
ノマーを単独重合、または、これらのモノマーと上記ラ
ジカル重合性モノマーを共重合して得られるフッ素樹脂
を使用することができる。
1,3−ジオキソール)、2,2,4−トリフルオロ−
5−トリフルオロメトキシ−1,3−ジオキソール等の
含フッ素脂肪族環構造を有するモノマーとペルフルオロ
(アリルビニルエーテル)、ペルフルオロ(ブテニルビ
ニルエーテル)、ペルフルオロ(ビスビニルオキシメタ
ン)等の2つ以上の重合性二重結合を有する含フッ素モ
ノマーを共重合して得られるフッ素樹脂を使用すること
もできる。
素樹脂としては、フッ素樹脂の繰り返し単位中に含フッ
素脂肪族環構造を20〜100モル%程度含有するもの
が機械的特性等の面から好ましく、重量平均分子量につ
いては、特に限定されないが、3,000〜1000,
000程度が好ましく、5,000〜500,000程
度がより好ましい。
は、前述の通り式R1 mR2 nSi(OR3)4-(m+n)で示さ
れるアルコキシシランの部分加水分解縮合物を使用する
ことができる。
1〜14の有機基であり、互いに同じであっても異なっ
ていてもよく、R3は炭素数1〜8のアルキル基、mお
よびnはm+n≦3を満たす0〜3の整数である。R1
およびR2としてはそれぞれ独立していて、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基等の脂肪族アルキル
基、フェニル基、トリル基等のアリール基、トリフルオ
ロメチル基、トリフルオロプロピル基、ペンタフルオロ
ブチル基、ノナフルオロヘキシル基、トリデカフルオロ
オクチル基、ヘプタデカフルオロデシル基、ヘプタデカ
フルオロウンデシル基等の含フッ素アルキル基等が好ま
しい。
基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基が好ましい。
としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、テトラプロポキシシラン等のテトラアルコキシシラ
ン類、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシ
シラン等のモノアルキルトリアルコキシシラン類、フェ
ニルトリメトキシシラン等のモノアリールトリアルコキ
シシラン類、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、
トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ペンタフル
オロブチルトリメトキシシラン、ノナフルオロヘキシル
トリメトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリメ
トキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシ
シラン、ヘプタデカフルオロデシルメチルジメトキシシ
ラン、ヘプタデカフルオロウンデシルトリメトキシシラ
ン等のフルオロアルキルアルコキシシラン類を挙げるこ
とができる。
してもよく、2種以上を併用してもよい。2種以上を併
用する場合には、フルオロアルキルアルコキシシラン類
とフッ素を含まないアルコキシシラン(特に、テトラア
ルコキシシランが好ましい。)との併用が好ましい。ま
た、フルオロアルキルアルコキシシラン類は後述するフ
ッ素溶剤への溶解性が高いため好適に用いられる。
周知、公知の方法により行うことができる。例えば、ア
ルコキシシランを溶媒および触媒の存在下に水を添加し
て加水分解縮合反応させる方法がある。この場合、必要
に応じて加熱を行ってもよい。触媒としては塩酸、硝
酸、硫酸等の無機酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸等の有機酸
が使用できる。通常、生成物の分子量をポリスチレン換
算重量平均分子量で500〜10000程度の範囲に設
定するのが、後述する溶剤への溶解性の観点から好まし
い。次いで必要に応じて系内に存在する水を蒸留等によ
り除去し、さらに触媒をイオン交換樹脂等で除去しても
よい。
合溶液を調製するに当たり、溶剤としてこれらを同時に
溶解せしめるものを選択することが重要である。
載のような、非プロトン性含フッ素溶剤とプロトン性含
フッ素溶剤の混合物が例示される。ここで特徴的なの
は、主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂
(a)は非プロトン性フッ素溶剤には溶解するが、プロ
トン性含フッ素溶剤には溶解せず、逆に部分加水分解縮
合物(b)は、プロトン性含フッ素溶剤には溶解する
が、非プロトン性含フッ素溶剤には溶解しない場合があ
り、従って混合溶剤にすることにより両者を同時に溶解
するという点である。
応条件下では解離せずプロトンを生じない含フッ素溶剤
であり、公知、周知のものが使用できる。ペルフルオロ
デカリン、ペルフルオロシクロヘキサン、ペルフルオロ
ヘキサン、ペルフルオロオクタン、1H,1H,1H,
2H,2H−ペルフルオロオクタン、1H,1H,1
H,2H,2H−ペルフルオロデカン等の含フッ素脂肪
族炭化水素類、ペルフルオロトリペンチルアミン、ペル
フルオロトリブチルアミン、ペルフルオロトリプロピル
アミン等の含フッ素アルキルアミン類、ペルフルオロ
(2−ブチルテトラヒドロフラン)等の含フッ素環状エ
ーテルが例示される。これらを2種以上混合して使用し
てもよい。
トンを生じやすい含フッ素溶剤であり、公知、周知のも
のが使用できる。CF3CH2OH、CF3CF2CH2O
H、CF3(CF2)3CH2CH2OH、CF3(CF2)5
CH2CH2OH、CF3CF2CH2CH2CH2OH、C
F3(CF2)3CH2CH2CH2OH等の含フッ素アルコ
ールが好適に例示される。これらを2種以上併用しても
よい。
のことながら主鎖に脂肪族環構造を有するフッ素樹脂と
アルコキシシランの部分加水分解縮合物両者の溶解性を
損なわない範囲に設定する必要がある。この観点より、
通常、非プロトン性含フッ素溶剤:プロトン性含フッ素
溶剤=99:1〜60:40(重量比)、さらには9
8:2〜70:30(重量比)の範囲に設定するのが好
ましい。
合物がフルオロアルキルアルコキシシラン類を含有する
場合、その組成によっては非プロトン性含フッ素溶剤に
溶解するので、その場合プロトン性含フッ素溶剤の添加
は必要ないか、或いは1重量%以下の極少量の添加で均
一な混合溶液を調製できることがある。
必要とされる塗膜の凹凸形状に応じて任意の割合に設定
することができるが、成分(a)100重量部に対し
て、好ましくは成分(b)を100重量部以上、より好
ましくは100〜900重量部程度、さらに好ましくは
150〜400重量部配合するとよい。
分濃度は、それが溶解する範囲で、所望の溶液粘度また
は塗膜の膜厚等の観点から適宜選択すればよい。例え
ば、膜厚0.1〜5μmの塗膜をスピンコート法にて得
ようとする場合、一般には固形分濃度を1〜15重量%
に設定すればよい。
(b)以外の成分として、目的に応じて接着性向上剤、
界面活性剤等の添加剤を配合できる。
膜を作成する方法としては、溶剤を含む前記の組成物を
基板に塗布した後に、加熱乾燥して溶剤を揮発させる方
法が好ましく採用される。この際、下地との十分な密着
性を確保するために、下地表面をシランカップリング剤
等のカップリング剤で処理してもよい。
ート法、ディッピング法、ポッティング法、ダイコート
法、スプレーコート法等が例示され、塗布の対象である
基板の形状、必要膜厚等から適宜選択すればよい。膜厚
の面内分布の均一性からスピンコート法およびダイコー
ト法が好ましい。
せ、(a)成分−(b)成分間の相分離による凹凸形状
を形成するために塗布後のベーク工程を要する。ベーク
条件は、塗膜厚等により適宜選択すればよいが、通常2
00〜350℃程度の最終ベークが必要である。アルコ
キシシランの部分加水分解縮合物(b)を十分に硬化さ
せるという観点からもベークが必要であり、未反応のア
ルコキシシリル基或いはシラノール基が残存しないよう
にするには、好ましくは200℃、より好ましくは25
0℃以上の最終ベークが必要である。未反応のアルコキ
シシリル基或いはシラノール基は、それ自体が塗膜の絶
縁特性を低下させる原因となり、さらには吸水部位とな
り得るために、水による電気特性の劣化を防止する意味
でも塗膜中にできるだけ残存しないことが望ましい。
の断差平坦化性を向上させる等の目的で、50〜150
℃程度のプリベーク工程を追加したり、ベーク工程を何
段階かに分けて実施することもできる。
金属薄膜の成膜については、従来から反射板として採用
される金属薄膜用の材料を用いてその成膜方法として知
られている方法により成膜するとよい。金属薄膜による
拡散反射電極を構成する場合には、金属薄膜電極として
使用できる材料を用いて、金属薄膜の成膜法として知ら
れている方法により成膜するとよい。特に、前記組成物
を使用して形成された凹凸形状を有する前記塗膜の上に
金属薄膜を成膜すると、金属薄膜表面を凹凸形状にして
入射光を均一に拡散反射させるように構成することがで
きる。
を塗布し、この塗布された材料の状態を変えることで、
凹凸形状を有する塗膜を形成し、その上方に金属薄膜を
形成し、金属薄膜表面を凹凸形状として入射光を拡散反
射させるように構成することにより製造することがで
き、この方法も本発明に含まれる。
すると、形成される塗膜の材料の状態が変化して前記凹
凸形状を有する塗膜を形成することができる。その上方
に金属薄膜を成膜すると、この金属薄膜表面に目的とす
る凹凸形状を形成することができる。
具体的な例に基づき本発明を説明するが、本発明はこれ
に限定されるものではない。
述の組成物のような樹脂を塗布することにより表面に凹
凸形状を有する塗膜を基板上に形成し、その上に反射膜
兼電極として金属薄膜を成膜すると、前記拡散反射性能
に優れた凹凸形状を有する拡散反射電極を構成すること
ができる。一方、反射膜兼電極を構成する代わりに別途
電極を設けて、内面拡散反射板専用として金属薄膜を成
膜することにより、同様に反射性能に優れた拡散反射板
を構成することもできる。
方向にくり返しのないランダムなパターンの反射面を構
成するものである。この反射板を数10cm離して視認
した場合に、面内に均一な散乱性を呈すればよい。
を有する表面において、平面内の一方向における凹凸の
ピッチp´が0.5〜10.0μmで、凹凸の段差の高
さの平均h´が1.0〜5.0μmであることが好まし
い。前述のように本発明に使用する組成物による塗布方
法によれば容易にこの凹凸形状を形成することができ
る。凹凸のピッチの測定については、例えば走査型電子
顕微鏡により表面、断面を観察すればよいし、簡易的に
は触針式段差計でも凹凸の様子を知ることができるし、
その他の適当な方法で測定すればよい。
クス型表示素子に形成した例の反射電極側基板の断面図
である。基板1上に凹凸形状を有する塗膜3を樹脂の塗
布により形成し、その上に金属薄膜による反射電極4を
形成しその金属薄膜表面を凹凸形状として入射光を拡散
反射させるように構成する。
成した例の断面図である。薄膜トランジスタ(TFT)
を能動素子2として配置した基板を用いて、図1の場合
と同様に凹凸形状を有する塗膜3形成後、能動素子2へ
のコンタクトホールを形成、金属薄膜による反射電極4
を形成する。
2)必要に応じ反射電極上に透明樹脂等を塗布し表面を
平坦化してもよい。
薄膜を単に拡散反射板として用い、透明絶縁膜により平
坦化した上に、透明導電膜による画素電極を形成しても
よい。このような拡散反射板を単純マトリクス用反射側
基板に適用した例を図3に、アクティブマトリクス用反
射側基板に適用した例を図4に、それぞれ示す。
状が拡散反射性能に優れ、従来から求められている凹凸
パターンが平面方向にくり返しのないランダムなパター
ンを実質的に取得することができるため、例えば反射型
液晶表示素子に使用したときには容易に画面内均一な表
示の表示素子を形成することができる。
型液晶表示素子の内面拡散反射板として、特に拡散反射
電極用の反射板として使用することができる。
素子については反射型であれば特に制限されず、液晶表
示素子以外にもエレクトロクロミック表示素子等の受光
型表示素子等への使用が可能である。
型表示素子を使用した携帯情報端末、携帯通信端末等は
視認性に優れている。
する。
の合成 ペルフルオロ(ブテニルビニルエーテル)35g、イオ
ン交換水150g、メタノール20gおよび重合開始剤
として((CH3 )2CHOCOO)2 90mgを、内
容積200ccの耐圧ガラス製オートクレーブに入れ、
系内を3回窒素で置換した後、40℃で22時間懸濁重
合を行ってポリマーAを28g得た。ポリマーAの固有
粘度[η]は、ペルフルオロ(2−ブチルテトラヒドロ
フラン)中30℃で0.2dl/gであった。
F2)5CH2CH2Si(OCH3)3をモル比1:0.5
の割合でメタノール中に溶解させ、さらに硝酸と水を加
えた後に室温で72時間反応させることにより部分加水
分解縮合物を合成した。この部分加水分解縮合物の重量
平均分子量は1,050(GPCにより求めた標準ポリ
スチレン換算値)であった。次いで、反応液をイオン交
換樹脂塔内を通過させることにより硝酸を除去した後、
溶剤置換を行い、部分加水分解縮合物(以下縮合物Bと
いう)のペルフルオロトリブチルアミンとCF3CF2C
H 2OHの混合溶剤(重量比95:5)溶液を得た。縮
合物Bの溶液中での固形分濃度は9重量%であった。
Bより、A対Bの組成比が異なる溶液を調製した。この
とき、溶液の固形分濃度および溶剤組成を下記とした。
%。 ペルフルオロトリブチルアミン:CF3CF2CH2OH
=90:10(重量比)。
0RPMでガラス基板上に塗布し、その後、ホットプレ
ート上80℃で90秒間、さらに電気炉にて350℃で
1時間加熱して完全に硬化させた。硬化後の樹脂膜の膜
厚は約2〜4μmのランダムな凹凸形状になった。基板
の平面内の一方向における凹凸のピッチp´は、走査型
電子顕微鏡による表面観察の結果、2〜3μmであり、
凹凸の段差の高さの平均h´は、触針式段差計で測定し
た結果、3〜4μmであった。
m厚のAl膜を形成し、正規反射率を測定すると、例え
ば、A対Bが80対20の場合、集光角8°で31%、
集光角2°で11%であった。A対Bが40対60の場
合は、集光角8°で23%、集光角2°で0.4%であ
った。ポリマーAに対して縮合物Bの割合を大きくする
ことでより大きな凹凸形状を形成する方向に膜表面の形
状を制御することができた。
すような構成の単純マトリクス型表示素子用の反射電極
側基板を製造した。ガラス基板(基板1)上に、例3で
得られた成分A対Bが40対60の溶液を、スピンコー
トにて回転数600RPMで全面に塗布した。その後、
ホットプレート上80℃で90秒間、さらに電気炉にて
350℃で1時間加熱して完全に硬化させた。硬化後の
樹脂膜(塗膜3)の膜厚は約2〜4μmのランダムな凹
凸形状になった。次いで、スパッタリング法により12
0nm厚のA1膜を形成し、パターニングし反射電極4
とした。A1膜のエッチングは硝酸、酢酸および燐酸の
混合液により行った。良好な拡散反射性能を持った拡散
反射電極が得られた。
すような構成のアクティブマトリクス型表示用の反射電
極側基板を製造した。オフセットゲートコプレーナ構造
多結晶シリコンTFTを画素駆動素子(能動素子2)と
して用いたアクティブマトリクス基板(基板1)上に、
例3で得られたA対Bが40対60の溶液を、スピンコ
ートにて回転数600RPMで全面に塗布した。その
後、ホットプレート上80℃で90秒間、さらに電気炉
にて350℃で1時間加熱して完全に硬化させた。硬化
後の樹脂膜(塗膜3)の膜厚は約2〜4μmのランダム
な凹凸形状になった。次いで、30秒間の窒素プラズマ
処理後、フォトレジスト(東京応化製OFPR800)
を塗布、露光、現像しコンタクトホールのパターンを形
成する。 CF4/O2プラズマにより塗布膜をドライエ
ッチし、フォトレジストを剥離液(東京応化製502
A)により剥離した。TMAH2.4%水溶液でポリマ
ー残滓を洗浄後、スパッタリング法により120nm厚
のAl膜を形成し、パターニングし反射電極4とした。
Al膜のエッチングは硝酸、酢酸および燐酸の混合液に
より行った。良好な拡散反射性能を持った拡散反射電極
が得られた。
用反射側基板の製造]図3に示すような構成の内面拡散
反射板付単純マトリクス用反射側基板を製造した。ガラ
ス基板(基板1)上に、前記例3の実施例に従い調合し
て得られたA対Bが30対70の溶液を、スピンコート
にて回転数600RPMで全面に塗布した。その後、ホ
ットプレート上80℃で90秒間、さらに電気炉にて3
50℃で1時間加熱して完全に硬化させた。硬化後の樹
脂膜(塗膜3)の膜厚は約2〜4μmのランダムな凹凸
形状になった。次いで、スパッタリング法により120
nm厚のA1膜を形成し、拡散反射板5とした。エポキ
シ系平坦化膜6(新日鐵化学(株)製V259EH)を
塗布、加熱硬化させた。硬化後の平坦化膜の膜厚は約3
〜5μmであり、表面の凹凸は±0.2μm程度、凹凸
のピッチは2〜3μmであった。その上に、スパッタリ
ング法により50nm厚のITO膜を形成し、パターニ
ングし、透明電極7を形成した。良好な拡散反射性能と
平坦性を兼ね備えた内面拡散反射板付単純マトリクス用
反射側基板が得られた。
リクス基板の製造]図4に基づいて、内面拡散反射板付
アクティブマトリクス基板を製造した。ガラス基板(基
板1)上に、例6と同様に凹凸膜、内面拡散反射A1膜
および平坦化膜を積層した。その上に、逆スタガー型ア
モルファスシリコンTFT8を画素駆動素子としたアク
ティブマトリクスを形成、画素電極9はITO膜により
形成した。良好な拡散反射性能と平坦性を兼ね備えた内
面拡散反射板付アクティブマトリクス基板が得られた。
な優れた反射性能を有する凹凸形状を有し、しかもその
凹凸形状が単なる塗膜形成で得られるため、例えば容易
に画面内均一な表示の反射型液晶表示素子を形成するこ
とができる。特に、本発明に使用する組成物の塗布によ
り形成される樹脂塗膜はその組成比の調整により凹凸の
大小を制御することができ、また1回の塗布で基板面内
に優れた凹凸形状面を形成することができるため、素子
設計も製造も容易であり、高い生産性でこれらを製造す
ることができる。
セルの内面にあるため、基板の厚みによる視差の影響を
受けることがなく、例えば高精細な反射型液晶表示素子
を実現することができ、表示素子用の拡散反射板、特に
拡散反射電極に好適に適用できる拡散反射板として極め
て優れている。
ス型表示素子に形成した例の反射電極側基板の断面図。
ティブマトリクスの例)の例の断面図。
基板に適用した例の断面図。
反射側基板に適用した例の断面図。
5:拡散反射板;6:平坦化膜;7:透明電極;8:T
FT;9:画素電極
Claims (7)
- 【請求項1】表面に凹凸形状を有する塗膜を基板上に形
成し、金属薄膜を当該塗膜上に形成し金属薄膜表面を凹
凸形状として入射光を拡散反射させるように構成した拡
散反射板。 - 【請求項2】拡散反射電極である請求項1に記載の拡散
反射板。 - 【請求項3】当該塗膜が下記の(a)および(b)を含
む組成物により形成されてなる請求項1または2に記載
の拡散反射板: (a)主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹
脂;および(b)式R1 mR2 nSi(OR3)4-(m+n)(式
中R1およびR2は炭素数1〜14の有機基であり、互い
に同じであっても異なっていてもよく、R3は炭素数1
〜8のアルキル基であり、mおよびnはm+n≦3を満
たす0〜3の整数である。)で示されるアルコキシシラ
ンの部分加水分解縮合物。 - 【請求項4】当該組成物中の(a)と(b)の比率が
(a)100重量部に対して(b)100重量部以上で
ある請求項3に記載の拡散反射板。 - 【請求項5】当該塗膜の表面において、平面内の一方向
における凹凸のピッチp´が0.5〜10.0μmで、
凹凸の段差の高さの平均h´が1.0〜5.0μmであ
る請求項1,2,3または4に記載の拡散反射板。 - 【請求項6】塗膜材料を基板上に塗布し、この塗膜材料
の状態を変えることで凹凸形状を有する塗膜を形成し、
その上方に成膜により金属薄膜を形成し、金属薄膜表面
を凹凸形状として入射光を拡散反射させるように構成し
た拡散反射板の製造方法。 - 【請求項7】請求項1、2、3、4または5に記載の拡
散反射板を使用した反射型表示素子。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP10370968A JP2000193807A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 拡散反射板とその製造方法および反射型表示素子 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2000193807A true JP2000193807A (ja) | 2000-07-14 |
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ID=18497909
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JP (1) | JP2000193807A (ja) |
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1998
- 1998-12-25 JP JP10370968A patent/JP2000193807A/ja active Pending
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