JPH1074927A - マイクロレンズパターン用マスク - Google Patents
マイクロレンズパターン用マスクInfo
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- JPH1074927A JPH1074927A JP13580297A JP13580297A JPH1074927A JP H1074927 A JPH1074927 A JP H1074927A JP 13580297 A JP13580297 A JP 13580297A JP 13580297 A JP13580297 A JP 13580297A JP H1074927 A JPH1074927 A JP H1074927A
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 9
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
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- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
- G02B3/0018—Reflow, i.e. characterized by the step of melting microstructures to form curved surfaces, e.g. manufacturing of moulds and surfaces for transfer etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 曲率半径を大きくすることができるととも
に、長方形のレンズの場合横方向と縦方向の曲率半径を
同一にすることができるマイクロレンズパターン用マス
クを提供すること。 【解決手段】 本発明のマイクロレンズパターン用マス
クは、透明基板上の所定の領域にメイン遮光領域を形成
させ、そのメイン遮光層の周囲または周囲の一部に、メ
イン遮光層から遠くなるほど光の透過度が高くなるよう
に補助遮光領域を形成させた。
に、長方形のレンズの場合横方向と縦方向の曲率半径を
同一にすることができるマイクロレンズパターン用マス
クを提供すること。 【解決手段】 本発明のマイクロレンズパターン用マス
クは、透明基板上の所定の領域にメイン遮光領域を形成
させ、そのメイン遮光層の周囲または周囲の一部に、メ
イン遮光層から遠くなるほど光の透過度が高くなるよう
に補助遮光領域を形成させた。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は半導体素子に係り、
特にマイクロレンズを製造するためのマイクロレンズパ
ターン用マスクに関する。
特にマイクロレンズを製造するためのマイクロレンズパ
ターン用マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、マイクロレンズは半導体素子で光
を集束させるために用いられている。その中でも、被写
体の光を受光して電気信号として出力する固体撮像素子
ではフォトダイオードに光を集束させるために各フォト
ダイオードごとにマイクロレンズを設置する。
を集束させるために用いられている。その中でも、被写
体の光を受光して電気信号として出力する固体撮像素子
ではフォトダイオードに光を集束させるために各フォト
ダイオードごとにマイクロレンズを設置する。
【０００３】即ち、固体撮像素子は図１に示すように、
マトリックス状に配列され、光の信号を電気信号に光電
変換して映像信号電荷を生成する複数個のフォトダイオ
ード領域と、このように配列されたフォトダイオードＰ
Ｄの間に各列方向に形成され、前記フォトダイオードＰ
Ｄから生成された映像信号電荷を垂直方向に転送する複
数の垂直電荷転送領域ＶＣＣＤと、垂直電荷転送領域Ｖ
ＣＣＤの各終端側で行方向に形成され、垂直電荷転送領
域ＶＣＣＤからの映像信号電荷を水平方向に転送する水
平電荷転送領域ＨＣＣＤと、前記水平電荷転送領域ＨＣ
ＣＤの終端から転送された映像信号を感知して電気信号
として出力するセンスアンプＳＡとを有している。図１
には示していないが、前記各フォトダイオード領域上に
はカラーフィルタ層及びマイクロレンズが形成される。
マトリックス状に配列され、光の信号を電気信号に光電
変換して映像信号電荷を生成する複数個のフォトダイオ
ード領域と、このように配列されたフォトダイオードＰ
Ｄの間に各列方向に形成され、前記フォトダイオードＰ
Ｄから生成された映像信号電荷を垂直方向に転送する複
数の垂直電荷転送領域ＶＣＣＤと、垂直電荷転送領域Ｖ
ＣＣＤの各終端側で行方向に形成され、垂直電荷転送領
域ＶＣＣＤからの映像信号電荷を水平方向に転送する水
平電荷転送領域ＨＣＣＤと、前記水平電荷転送領域ＨＣ
ＣＤの終端から転送された映像信号を感知して電気信号
として出力するセンスアンプＳＡとを有している。図１
には示していないが、前記各フォトダイオード領域上に
はカラーフィルタ層及びマイクロレンズが形成される。
【０００４】次に、前記一般的な固体撮像素子の構造を
説明する。図２は図１のＡ−Ａ′線に沿った一般的な固
体撮像素子の構造断面図である。通常、固体撮像素子
は、半導体基板１に光の信号を電気信号に変換するフォ
トダイオード領域２が一定の間隔を置いてマトリックス
状に配列される。そして、マトリックス状に配列された
フォトダイオード領域２の間の各列には垂直電荷転送領
域３が形成される。フォトダイオード領域２と垂直電荷
転送領域３の形成された半導体基板１の全面に第１平坦
層４が形成され、その第１平坦層４上にはカラーフィル
タ層５が形成される。カラーフィルタ層５上には第２平
坦層６が形成され、その第２平坦層６上には各フォトダ
イオード領域２に対応してマイクロレンズ７が形成され
る。ここで、マイクロレンズ７は被写体の光を最大限に
該当フォトダイオード領域に集束させるためのものであ
る。
説明する。図２は図１のＡ−Ａ′線に沿った一般的な固
体撮像素子の構造断面図である。通常、固体撮像素子
は、半導体基板１に光の信号を電気信号に変換するフォ
トダイオード領域２が一定の間隔を置いてマトリックス
状に配列される。そして、マトリックス状に配列された
フォトダイオード領域２の間の各列には垂直電荷転送領
域３が形成される。フォトダイオード領域２と垂直電荷
転送領域３の形成された半導体基板１の全面に第１平坦
層４が形成され、その第１平坦層４上にはカラーフィル
タ層５が形成される。カラーフィルタ層５上には第２平
坦層６が形成され、その第２平坦層６上には各フォトダ
イオード領域２に対応してマイクロレンズ７が形成され
る。ここで、マイクロレンズ７は被写体の光を最大限に
該当フォトダイオード領域に集束させるためのものであ
る。
【０００５】以下、このようなマイクロレンズを形成す
るための従来のパターンマスクと、これを用いた従来の
マイクロレンズの製造方法を添付図面を参照して説明す
る。図３は従来のマイクロレンズパターン用マスクの平
面図であり、図４は図３のＢ−Ｂ′線に沿った断面図で
あり、図５は従来のマイクロレンズパターン用マスクの
透光特性図である。従来のマイクロレンズパターン用マ
スクは、図３及び図４に示すように、透明基板８上にマ
イクロレンズが形成されるべき部分だけを遮光できるよ
うに、正方形または長方形に遮光膜９が形成されてい
る。このような従来のマイクロレンズパターン用マスク
の透光特性は図５に示すように、遮光層９の形成された
部分は光を透過させず、その他の部分は光を透過させ
る。
るための従来のパターンマスクと、これを用いた従来の
マイクロレンズの製造方法を添付図面を参照して説明す
る。図３は従来のマイクロレンズパターン用マスクの平
面図であり、図４は図３のＢ−Ｂ′線に沿った断面図で
あり、図５は従来のマイクロレンズパターン用マスクの
透光特性図である。従来のマイクロレンズパターン用マ
スクは、図３及び図４に示すように、透明基板８上にマ
イクロレンズが形成されるべき部分だけを遮光できるよ
うに、正方形または長方形に遮光膜９が形成されてい
る。このような従来のマイクロレンズパターン用マスク
の透光特性は図５に示すように、遮光層９の形成された
部分は光を透過させず、その他の部分は光を透過させ
る。
【０００６】次に、このようなパターン用マスクを用い
た従来のマイクロレンズの製造方法について説明する。
図６は従来のマイクロレンズの製造方法を示す工程断面
図である。図６（ａ）に示すように、平坦層６上にポジ
ティブ感光膜７ａを塗布する。図６（ｂ）に示すよう
に、図３のようなマスクを用いた露光及び現像工程でフ
ォトダイオード領域の上側に一定の間隔で感光膜パター
ン７ｂを形成する。感光膜パターン７ｂはセルの形状に
応じて正方形または長方形に形成される。図６（ｃ）に
示すように、熱処理して前記感光膜パターン７ｂをリフ
ローさせてマイクロレンズ７を形成する。場合によって
は円形に形成する。
た従来のマイクロレンズの製造方法について説明する。
図６は従来のマイクロレンズの製造方法を示す工程断面
図である。図６（ａ）に示すように、平坦層６上にポジ
ティブ感光膜７ａを塗布する。図６（ｂ）に示すよう
に、図３のようなマスクを用いた露光及び現像工程でフ
ォトダイオード領域の上側に一定の間隔で感光膜パター
ン７ｂを形成する。感光膜パターン７ｂはセルの形状に
応じて正方形または長方形に形成される。図６（ｃ）に
示すように、熱処理して前記感光膜パターン７ｂをリフ
ローさせてマイクロレンズ７を形成する。場合によって
は円形に形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来のマイクロレンズパターン用マスクを用いて製造した
従来のマイクロレンズでは次の問題点があった。一般
に、マイクロレンズはマイクロレンズの曲率半径が小さ
ければ小さいほどマイクロレンズから近い距離に集束す
る。従って、従来のマイクロレンズの製造方法は、遮光
領域と透光領域に区分されたマスクを用いて露光及び現
像工程で感光膜をセルの模様によって正方形又は長方形
にパターニングして、それを熱処理してマイクロレンズ
を形成するので、マイクロレンズの曲率半径が小さくな
り、かつ一定にならない。特に、長方形に形成されたマ
イクロレンズは、横方向と縦方向の曲率半径の差がひど
く、受光した光を該当フォトダイオード領域に集束させ
ることができず、受光した光の一部をフォトダイオード
領域とマイクロレンズとの間の平坦層、またはカラーフ
ィルタ層に集束させることになり、光の損失が大きく且
つ解像度が低下する。
来のマイクロレンズパターン用マスクを用いて製造した
従来のマイクロレンズでは次の問題点があった。一般
に、マイクロレンズはマイクロレンズの曲率半径が小さ
ければ小さいほどマイクロレンズから近い距離に集束す
る。従って、従来のマイクロレンズの製造方法は、遮光
領域と透光領域に区分されたマスクを用いて露光及び現
像工程で感光膜をセルの模様によって正方形又は長方形
にパターニングして、それを熱処理してマイクロレンズ
を形成するので、マイクロレンズの曲率半径が小さくな
り、かつ一定にならない。特に、長方形に形成されたマ
イクロレンズは、横方向と縦方向の曲率半径の差がひど
く、受光した光を該当フォトダイオード領域に集束させ
ることができず、受光した光の一部をフォトダイオード
領域とマイクロレンズとの間の平坦層、またはカラーフ
ィルタ層に集束させることになり、光の損失が大きく且
つ解像度が低下する。
【０００８】本発明の目的は、作成されたレンズの曲率
半径を大きくすることができ、長方形の形状であっても
横方向と縦方向の曲率半径を同一にすることができるマ
イクロレンズパターン用マスクを提供することにある。
半径を大きくすることができ、長方形の形状であっても
横方向と縦方向の曲率半径を同一にすることができるマ
イクロレンズパターン用マスクを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のマイクロレンズパターン用マスクは、透明基板上の
所定の領域にメイン遮光領域を形成するとともに、その
メイン遮光層の周囲または周囲の一部に補助遮光領域を
形成させたものであり、その補助遮光領域はメイン遮光
層から離れるほど光の透過度が順次大きくなるように形
成されている。
明のマイクロレンズパターン用マスクは、透明基板上の
所定の領域にメイン遮光領域を形成するとともに、その
メイン遮光層の周囲または周囲の一部に補助遮光領域を
形成させたものであり、その補助遮光領域はメイン遮光
層から離れるほど光の透過度が順次大きくなるように形
成されている。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、前記本発明のマイクロレン
ズパターン用マスクを添付図面を参照してより詳細に説
明する。第１実施形態 図７は本発明の第１実施形態によるマイクロレンズパタ
ーン用マスクの平面図であり、図８は図７のＡ−Ａ′線
に沿った構造断面図である。本発明の第１実施形態によ
るマイクロレンズパターン用マスクはセルの形状すなわ
ち模様が正方形の場合である。透明基板１１上のマイク
ロレンズの中央部分に相当する位置には光を完全に遮断
するメイン遮光層（Ｃｒ）１２が形成されている。その
メイン遮光層１２の周りに前記メイン遮光層１２を囲む
ように一定の間隔で補助遮光層１３が複数個形成され
る。この複数個の補助遮光層１３は、メイン遮光層１２
から遠くなるほどマスクを通る光の透過量（光の強度）
を多くするために、補助遮光層１３の幅を一定とし、補
助遮光層１３と補助遮光層１３との間隔をメイン遮光層
１２から遠くなるほど徐々に広くなるように形成してい
る。他の方法としては、補助遮光層１３とその隣の補助
遮光層１３との間隔は一定にし、補助遮光層１３の幅を
メイン遮光層１２から遠くなるほど狭く形成することも
できる。いずれにしても、補助遮光層はメイン遮光層１
３から離れるほどマスクを通る光の透過度が多くなるよ
うにする。
ズパターン用マスクを添付図面を参照してより詳細に説
明する。第１実施形態 図７は本発明の第１実施形態によるマイクロレンズパタ
ーン用マスクの平面図であり、図８は図７のＡ−Ａ′線
に沿った構造断面図である。本発明の第１実施形態によ
るマイクロレンズパターン用マスクはセルの形状すなわ
ち模様が正方形の場合である。透明基板１１上のマイク
ロレンズの中央部分に相当する位置には光を完全に遮断
するメイン遮光層（Ｃｒ）１２が形成されている。その
メイン遮光層１２の周りに前記メイン遮光層１２を囲む
ように一定の間隔で補助遮光層１３が複数個形成され
る。この複数個の補助遮光層１３は、メイン遮光層１２
から遠くなるほどマスクを通る光の透過量（光の強度）
を多くするために、補助遮光層１３の幅を一定とし、補
助遮光層１３と補助遮光層１３との間隔をメイン遮光層
１２から遠くなるほど徐々に広くなるように形成してい
る。他の方法としては、補助遮光層１３とその隣の補助
遮光層１３との間隔は一定にし、補助遮光層１３の幅を
メイン遮光層１２から遠くなるほど狭く形成することも
できる。いずれにしても、補助遮光層はメイン遮光層１
３から離れるほどマスクを通る光の透過度が多くなるよ
うにする。
【００１１】この実施形態のマイクロレンズパターン用
マスクの透光特性を図９に示す。図９は第１実施形態に
よるマイクロレンズパターン用マスク及び透光特性図を
示すもので、マイクロレンズパターン用マスクを透過し
た光は次のような特性をもつ。即ち、メイン遮光層１２
に相当する範囲における光の強度は小さく、メイン遮光
層１２から離れるほど光の強度が大きくなる強度分布と
なる。すなわち、隣のメイン遮光層との中間部分が最も
強く光を透過することになる。従って、このような本発
明のマスクを用いて感光膜に露光すると、図６ｂに示す
従来のような角張ったパターンではなく、透過光パター
ンに応じた図１２ｂに示すように上端の角の部分が丸く
なったパターンが形成される。
マスクの透光特性を図９に示す。図９は第１実施形態に
よるマイクロレンズパターン用マスク及び透光特性図を
示すもので、マイクロレンズパターン用マスクを透過し
た光は次のような特性をもつ。即ち、メイン遮光層１２
に相当する範囲における光の強度は小さく、メイン遮光
層１２から離れるほど光の強度が大きくなる強度分布と
なる。すなわち、隣のメイン遮光層との中間部分が最も
強く光を透過することになる。従って、このような本発
明のマスクを用いて感光膜に露光すると、図６ｂに示す
従来のような角張ったパターンではなく、透過光パター
ンに応じた図１２ｂに示すように上端の角の部分が丸く
なったパターンが形成される。
【００１２】第２実施形態 一方、図１０は本発明の第２実施形態によるマイクロレ
ンズパターン用マスクの平面図であり、図１１は図１０
のＢ−Ｂ′線に沿ったマイクロレンズパターン用マスク
の構造断面図である。本発明の第２実施形態によるマイ
クロレンズパターン用マスクは、第１実施形態のように
セルの模様が正方形の場合であって、ハーフトーンマス
クを用いたものである。即ち、本発明の第２実施形態に
よるマイクロレンズパターン用マスクは、マイクロレン
ズの中央部分に相当する位置には光を完全に遮光するメ
イン遮光層（Ｃｒ）１２が正方形に形成され、メイン遮
光層１２の周りにはそれぞれ光透過率の異なるハーフト
ーン遮光層１４が複数個形成される。この複数個のハー
フトーン遮光層１４は、前記メイン遮光層１２により近
い部分では光透過率の小さい物質で形成し、メイン遮光
層１２から遠くなるにしたがって光透過率の大きい物質
で形成する。このように形成された本発明の第２実施形
態によるマイクロレンズパターン用マスクの透光特性は
上述した本発明の第１実施形態によるマイクロレンズパ
ターン用マスクと同様の特性をもつ。
ンズパターン用マスクの平面図であり、図１１は図１０
のＢ−Ｂ′線に沿ったマイクロレンズパターン用マスク
の構造断面図である。本発明の第２実施形態によるマイ
クロレンズパターン用マスクは、第１実施形態のように
セルの模様が正方形の場合であって、ハーフトーンマス
クを用いたものである。即ち、本発明の第２実施形態に
よるマイクロレンズパターン用マスクは、マイクロレン
ズの中央部分に相当する位置には光を完全に遮光するメ
イン遮光層（Ｃｒ）１２が正方形に形成され、メイン遮
光層１２の周りにはそれぞれ光透過率の異なるハーフト
ーン遮光層１４が複数個形成される。この複数個のハー
フトーン遮光層１４は、前記メイン遮光層１２により近
い部分では光透過率の小さい物質で形成し、メイン遮光
層１２から遠くなるにしたがって光透過率の大きい物質
で形成する。このように形成された本発明の第２実施形
態によるマイクロレンズパターン用マスクの透光特性は
上述した本発明の第１実施形態によるマイクロレンズパ
ターン用マスクと同様の特性をもつ。
【００１３】第３実施形態 一方、図１３は本発明の第３実施形態によるマイクロレ
ンズパターン用マスクの平面図であり、図１４（ａ）は
図１３のマイクロレンズパターン用マスクによる長軸方
向の感光膜パターンの断面図であり、図１４（ｂ）は図
１３のマイクロレンズパターン用マスクによる短軸方向
の感光膜パターンの断面図である。そして、図１５
（ａ）は完成したレンズの長軸方向のレンズ形態及びそ
れによる曲率半径を示すものであり、図１５（ｂ）は完
成したレンズの短軸方向のレンズ形態及びそれによる曲
率半径を示すものであり、図１６は図１３のマイクロレ
ンズパターン用マスクの構造を説明するための平面図で
ある。
ンズパターン用マスクの平面図であり、図１４（ａ）は
図１３のマイクロレンズパターン用マスクによる長軸方
向の感光膜パターンの断面図であり、図１４（ｂ）は図
１３のマイクロレンズパターン用マスクによる短軸方向
の感光膜パターンの断面図である。そして、図１５
（ａ）は完成したレンズの長軸方向のレンズ形態及びそ
れによる曲率半径を示すものであり、図１５（ｂ）は完
成したレンズの短軸方向のレンズ形態及びそれによる曲
率半径を示すものであり、図１６は図１３のマイクロレ
ンズパターン用マスクの構造を説明するための平面図で
ある。
【００１４】セル領域が長方形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄであると
き、その領域を縦、横方向に４等分したときの等分され
た小長方形の中央部分の４つ分の長方形ａ、ｂ、ｃ、ｄ
領域を第１メイン遮光層とし、長方形ａ、ｂ、ｃ、ｄの
辺ａｃと長方形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの辺ＡＣとで形成される
台形部分ａｃＡＣと、長方形ａ、ｂ、ｃ、ｄの辺ｂｄと
長方形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの辺ＢＤとで形成される台形部分
ｂｄＢＤとを第２メイン領域としたものである。そして
残りの透光部分ＡａｂＢと透光部分ＣｃｄＤとを補助遮
光領域とする。この補助遮光領域が遮光領域から離れる
につれ透過光量が大きくなるように、図１３に示すよう
に形成されるのはいうまでもない。即ち、本発明の第３
実施形態によるマイクロレンズパターン用マスクは、本
発明の第１実施形態によるマイクロレンズパターン用マ
スクでセルの模様が長方形の場合に相当し、補助遮光層
１３が短軸方向にのみ形成された構造である。
き、その領域を縦、横方向に４等分したときの等分され
た小長方形の中央部分の４つ分の長方形ａ、ｂ、ｃ、ｄ
領域を第１メイン遮光層とし、長方形ａ、ｂ、ｃ、ｄの
辺ａｃと長方形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの辺ＡＣとで形成される
台形部分ａｃＡＣと、長方形ａ、ｂ、ｃ、ｄの辺ｂｄと
長方形Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの辺ＢＤとで形成される台形部分
ｂｄＢＤとを第２メイン領域としたものである。そして
残りの透光部分ＡａｂＢと透光部分ＣｃｄＤとを補助遮
光領域とする。この補助遮光領域が遮光領域から離れる
につれ透過光量が大きくなるように、図１３に示すよう
に形成されるのはいうまでもない。即ち、本発明の第３
実施形態によるマイクロレンズパターン用マスクは、本
発明の第１実施形態によるマイクロレンズパターン用マ
スクでセルの模様が長方形の場合に相当し、補助遮光層
１３が短軸方向にのみ形成された構造である。
【００１５】従って、本発明の第３実施形態のようなマ
イクロレンズパターン用マスクを用いて感光膜をパター
ニングすると、図１４（ａ）、（ｂ）のようにパターニ
ングされる。即ち、補助遮光層１３が形成されていない
長軸方向の感光膜パターン７ｂの断面は、図１４（ａ）
のように角部分が丸くならずほぼ直角に形成される。現
実には感光膜層が薄いので、図示のように端部は若干傾
斜する。そして、補助遮光層１３が形成された短軸方向
の感光膜パターン７ｂの断面は図１４（ｂ）のように角
部分が丸くなる。このような感光膜パターン７ｂを強い
熱で熱処理すると、図１５のようなマイクロレンズが形
成される。単軸方向では補助遮光膜によって最初から角
が丸くなっているので曲率半径が小さくなり、一方、長
軸方向においては補助遮光膜がないので従来同様の長い
曲率半径となるが、全体の長さが長いので、結局両者の
レンズ曲率がほぼ同一となる。
イクロレンズパターン用マスクを用いて感光膜をパター
ニングすると、図１４（ａ）、（ｂ）のようにパターニ
ングされる。即ち、補助遮光層１３が形成されていない
長軸方向の感光膜パターン７ｂの断面は、図１４（ａ）
のように角部分が丸くならずほぼ直角に形成される。現
実には感光膜層が薄いので、図示のように端部は若干傾
斜する。そして、補助遮光層１３が形成された短軸方向
の感光膜パターン７ｂの断面は図１４（ｂ）のように角
部分が丸くなる。このような感光膜パターン７ｂを強い
熱で熱処理すると、図１５のようなマイクロレンズが形
成される。単軸方向では補助遮光膜によって最初から角
が丸くなっているので曲率半径が小さくなり、一方、長
軸方向においては補助遮光膜がないので従来同様の長い
曲率半径となるが、全体の長さが長いので、結局両者の
レンズ曲率がほぼ同一となる。
【００１６】第４実施形態 本発明の第４実施形態は本発明の第３実施形態のように
セルの模様が長方形の場合であって、補助遮光層として
本発明の第３実施形態のようにハーフトーン遮光層を形
成したものである。
セルの模様が長方形の場合であって、補助遮光層として
本発明の第３実施形態のようにハーフトーン遮光層を形
成したものである。
【００１７】第５実施形態 第５実施形態は本発明の第１、第２、第３、第４実施形
態のような構造のマイクロレンズパターン用マスクをネ
ガティブ形に形成したものである。ネガティブ形の感光
膜を用いてマイクロレンズを製造する場合には、前記第
１、第２、第３、第４実施形態で遮光領域と透光領域が
互いに反対に形成されなければならない。つまり、本発
明の第１実施形態によるマイクロレンズパターン用マス
クにおいて、メイン遮光層１２を透光領域とし、複数個
の補助遮光層１３の配列を第１実施形態と反対に形成し
たものである。言い換えれば、複数側の補助遮光層１３
はメイン遮光層１２から遠くなるほど光の透過量（光の
強度）を小さくするために、補助遮光層１３の幅を一定
にし、補助遮光層１３と補助遮光層１３との間隔をメイ
ン遮光層１２から遠くなるほど狭く形成するか、或いは
補助遮光層１３と補助遮光層１３との間隔を一定とし、
補助遮光層１３の幅をメイン遮光層１２から遠くなるほ
ど段々広く形成することができる。
態のような構造のマイクロレンズパターン用マスクをネ
ガティブ形に形成したものである。ネガティブ形の感光
膜を用いてマイクロレンズを製造する場合には、前記第
１、第２、第３、第４実施形態で遮光領域と透光領域が
互いに反対に形成されなければならない。つまり、本発
明の第１実施形態によるマイクロレンズパターン用マス
クにおいて、メイン遮光層１２を透光領域とし、複数個
の補助遮光層１３の配列を第１実施形態と反対に形成し
たものである。言い換えれば、複数側の補助遮光層１３
はメイン遮光層１２から遠くなるほど光の透過量（光の
強度）を小さくするために、補助遮光層１３の幅を一定
にし、補助遮光層１３と補助遮光層１３との間隔をメイ
ン遮光層１２から遠くなるほど狭く形成するか、或いは
補助遮光層１３と補助遮光層１３との間隔を一定とし、
補助遮光層１３の幅をメイン遮光層１２から遠くなるほ
ど段々広く形成することができる。
【００１８】なお、前記と同様に、本発明の第２実施形
態によるマイクロレンズパターン用マスクの遮光領域と
透光領域を替えて形成することができる。即ち、メイン
遮光層１２を透光領域とし、複数個のハーフトーン遮光
層１４は、前記メイン遮光層１２に隣接した部分では光
透過率の大きい物質で形成し、メイン遮光層１２から遠
くなるほど光透過率の小さい物質で形成したものであ
る。そして、第３、第４実施形態も前記のように遮光領
域と透光領域を替えて形成することができる。
態によるマイクロレンズパターン用マスクの遮光領域と
透光領域を替えて形成することができる。即ち、メイン
遮光層１２を透光領域とし、複数個のハーフトーン遮光
層１４は、前記メイン遮光層１２に隣接した部分では光
透過率の大きい物質で形成し、メイン遮光層１２から遠
くなるほど光透過率の小さい物質で形成したものであ
る。そして、第３、第４実施形態も前記のように遮光領
域と透光領域を替えて形成することができる。
【００１９】従って、本発明の第５実施形態によるマイ
クロレンズパターン用マスクの透光特性は前記図９と反
対の特性をもつ。しかし、ネガティブ感光膜を用いた場
合、感光膜パターンは本発明の第１及び第２実施形態と
同じになる。
クロレンズパターン用マスクの透光特性は前記図９と反
対の特性をもつ。しかし、ネガティブ感光膜を用いた場
合、感光膜パターンは本発明の第１及び第２実施形態と
同じになる。
【００２０】以上説明した本発明のマイクロレンズパタ
ーン用マスクを用いた本発明のマイクロレンズの形成方
法を図１２に示す。図１２は本発明のマイクロレンズの
工程断面図である。図１２（ａ）に示すように、平坦層
６上に感光膜７ａを堆積する。この際、本発明の第１、
２、３、４実施形態のマスクを用いる場合にはポジティ
ブ感光膜を堆積し、本発明の第５実施形態のマスクを用
いる場合にはネガティブ感光膜を堆積する。図１２
（ｂ）に示すように、本発明の第１、第２、第３、第４
実施形態のようなマイクロレンズパターン用マスクを用
いた露光及び現像工程でフォトダイオード領域の上側に
一定間隔で感光膜パターン７ｂを形成する。この際、前
記マイクロレンズパターン用マスクが前記図９またはこ
れの反対の透光特性をもつために、感光膜パターン７ｂ
の角部分が丸くなる。図１２（ｃ）に示す容易、熱処理
して前記感光膜パターン７ｂをリフローさせてマイクロ
レンズ７を形成する。この時、作られたマイクロレンズ
は従来のマイクロレンズに比べて曲率半径が小さくな
り、安定に均一になる。
ーン用マスクを用いた本発明のマイクロレンズの形成方
法を図１２に示す。図１２は本発明のマイクロレンズの
工程断面図である。図１２（ａ）に示すように、平坦層
６上に感光膜７ａを堆積する。この際、本発明の第１、
２、３、４実施形態のマスクを用いる場合にはポジティ
ブ感光膜を堆積し、本発明の第５実施形態のマスクを用
いる場合にはネガティブ感光膜を堆積する。図１２
（ｂ）に示すように、本発明の第１、第２、第３、第４
実施形態のようなマイクロレンズパターン用マスクを用
いた露光及び現像工程でフォトダイオード領域の上側に
一定間隔で感光膜パターン７ｂを形成する。この際、前
記マイクロレンズパターン用マスクが前記図９またはこ
れの反対の透光特性をもつために、感光膜パターン７ｂ
の角部分が丸くなる。図１２（ｃ）に示す容易、熱処理
して前記感光膜パターン７ｂをリフローさせてマイクロ
レンズ７を形成する。この時、作られたマイクロレンズ
は従来のマイクロレンズに比べて曲率半径が小さくな
り、安定に均一になる。
【００２１】
【発明の効果】上述した本発明のマイクロレンズパター
ン用マスクとこれを用いたマイクロレンズの製造方法で
は次の効果がある。第１に、セルの模様が正方形の場合
には、マスクがメイン遮光層の周辺にメイン遮光層から
遠くなるほど光透過率の大きい補助遮光層が形成されて
いる。従って、これを用いて露光及び現像すると、感光
膜パターンの角が丸くなるので、前記感光膜パターンを
リフローさせると、マイクロレンズの曲率が従来に比べ
て大きくなる。図１７（ａ）は従来のマスクを用いたマ
イクロレンズの曲率半径を示すものであり、図１７
（ｂ）は本発明のマスクを用いたマイクロレンズの曲率
半径を示すものである。図１７で比較したように、従来
のマスクを用いて形成したマイクロレンズより本発明の
マスクを用いて形成したマイクロレンズの曲率半径がよ
り大きい。従って、本発明のマスクを用いたマイクロレ
ンズは受光された光を該当フォトダイオード領域に正確
に集束させることができる。
ン用マスクとこれを用いたマイクロレンズの製造方法で
は次の効果がある。第１に、セルの模様が正方形の場合
には、マスクがメイン遮光層の周辺にメイン遮光層から
遠くなるほど光透過率の大きい補助遮光層が形成されて
いる。従って、これを用いて露光及び現像すると、感光
膜パターンの角が丸くなるので、前記感光膜パターンを
リフローさせると、マイクロレンズの曲率が従来に比べ
て大きくなる。図１７（ａ）は従来のマスクを用いたマ
イクロレンズの曲率半径を示すものであり、図１７
（ｂ）は本発明のマスクを用いたマイクロレンズの曲率
半径を示すものである。図１７で比較したように、従来
のマスクを用いて形成したマイクロレンズより本発明の
マスクを用いて形成したマイクロレンズの曲率半径がよ
り大きい。従って、本発明のマスクを用いたマイクロレ
ンズは受光された光を該当フォトダイオード領域に正確
に集束させることができる。
【００２２】第２に、セルの模様が長方形の場合にも、
従来のマイクロレンズは長軸方向と短軸方向で互いに異
なる曲率半径を有し、受光された光を該当フォトダイオ
ード領域に正確に集束させることができなかったが、本
発明によるマイクロレンズは長軸方向と短軸方向のレン
ズの曲率半径がほぼ同様になるので、光の損失を防止す
ることができる。従って、感度の向上と解像度を良く
し、固体撮像素子におけるスミア現象を減少させる。
従来のマイクロレンズは長軸方向と短軸方向で互いに異
なる曲率半径を有し、受光された光を該当フォトダイオ
ード領域に正確に集束させることができなかったが、本
発明によるマイクロレンズは長軸方向と短軸方向のレン
ズの曲率半径がほぼ同様になるので、光の損失を防止す
ることができる。従って、感度の向上と解像度を良く
し、固体撮像素子におけるスミア現象を減少させる。
【図１】 一般的な固体撮像素子のレイアウト図であ
る。
る。
【図２】 図１のＡ−Ａ′線に沿った一般的な固体撮像
素子の構造断面図である。
素子の構造断面図である。
【図３】 従来のマイクロレンズパターン用マスクの平
面図である。
面図である。
【図４】 図３のＢ−Ｂ′線上の構造断面図である。
【図５】 従来のマイクロレンズパターン用マスクの透
光特性図である。
光特性図である。
【図６】 従来のマイクロレンズパターン用マスクを用
いたマイクロレンズの工程断面図である。
いたマイクロレンズの工程断面図である。
【図７】 本発明の第１実施形態によるマイクロレンズ
パターン用マスクの平面図である。
パターン用マスクの平面図である。
【図８】 図７のＡ−Ａ′線上の構造断面図である。
【図９】 本発明の第１実施形態によるマイクロレンズ
パターン用マスクの透光特性図である。
パターン用マスクの透光特性図である。
【図１０】 本発明の第２実施形態によるマイクロレン
ズパターン用マスクの透光特性図である。
ズパターン用マスクの透光特性図である。
【図１１】 図１０のＢ−Ｂ′線上の構造断面図であ
る。
る。
【図１２】 本発明の第１実施形態によるマイクロレン
ズの工程断面図である。
ズの工程断面図である。
【図１３】 本発明の第３実施形態によるマイクロレン
ズパターン用マスクの平面図である。
ズパターン用マスクの平面図である。
【図１４】 本発明の第３実施形態のマスクによる感光
膜パターンの断面図である。
膜パターンの断面図である。
【図１５】 本発明の第３実施形態のマスクによるマイ
クロレンズの断面図である。
クロレンズの断面図である。
【図１６】 本発明の第３実施形態のマスク構造の詳細
平面図である。
平面図である。
【図１７】 従来の技術と本発明によるマイクロレンズ
の曲率半径の比較図である。
の曲率半径の比較図である。
６…平坦層、７…マイクロレンズ、７ａ…感光膜、７ｂ
…感光膜パターン、１１…透明基板、１２，１２ａ，１
２ｂ…メイン遮光層、１３…補助遮光層、１４…ハーフ
トーン遮光層。
…感光膜パターン、１１…透明基板、１２，１２ａ，１
２ｂ…メイン遮光層、１３…補助遮光層、１４…ハーフ
トーン遮光層。
Claims (12)
- 【請求項１】 透明基板と、 前記透明基板上の所定の領域に形成されるメイン遮光領
域と、 前記メイン遮光層の周辺または周辺の一部に、メイン遮
光層から遠くなるほど光の透過度が高くなるように形成
される補助遮光領域とを有することを特徴とするマイク
ロレンズパターン用マスク。 - 【請求項２】 ネガティブ形マイクロレンズパターン用
マスクであって、 基板上の所定の領域に形成される透光領域と、 前記透光領域の周辺又は周辺の一部に、前記透光領域か
ら遠くなるほど光の透過度が小さくなるように形成され
る補助遮光領域と、を有することを特徴とするマイクロ
レンズパターン用マスク。 - 【請求項３】 透明基板と、 前記透明基板上の所定の領域に形成されるメイン遮光層
と、 前記メイン遮光層を囲むように前記メイン遮光層の周囲
に形成される複数個の補助遮光層とを有することを特徴
とするマイクロレンズパターン用マスク。 - 【請求項４】 前記複数個の補助遮光層は幅が一定であ
り、補助遮光層と補助遮光層との間隔が前記メイン遮光
層から遠くなるほど広くなるように形成されることを特
徴とする請求項３記載のマイクロレンズパターン用マス
ク。 - 【請求項５】 前記複数個の補助遮光層は、補助遮光層
と補助遮光層の間隔が一定であり、前記メイン遮光層か
ら遠くなるほど補助遮光層の幅が狭くなるように形成さ
れることを特徴とする請求項３記載のマイクロレンズパ
ターン用マスク。 - 【請求項６】 メイン透光領域と、その透光領域の周囲
に複数の補助遮光層を形成することを特徴とする請求項
２記載のマイクロレンズパターン用マスク。 - 【請求項７】 前記複数の補助遮光層は幅が一定であ
り、補助遮光層と補助遮光層との間隔が前記透光層から
遠くなるほど狭くなるように形成されることを特徴とす
る請求項６記載のマイクロレンズパターン用マスク。 - 【請求項８】 前記複数個の補助遮光層は補助遮光層と
補助遮光層との間隔が一定であり、前記透光層から遠く
なるほど補助遮光層の幅が広くなるように形成されるこ
とを特徴とする請求項６記載のマイクロレンズパターン
用マスク。 - 【請求項９】 透明基板と、 前記透明基板上の所定の領域に形成されるメイン遮光層
と、 前記メイン遮光層を囲むように前記メイン遮光層の周囲
に形成される複数個のハーフトーン遮光層とを有するこ
とを特徴とするマイクロレンズパターン用マスク。 - 【請求項１０】 前記複数個のハーフトーン遮光層は幅
が一定であり、各ハーフトーン遮光層はメイン遮光層か
ら遠くなるほどより高い透過特性をもつことを特徴とす
る請求項９記載のマイクロレンズパターン用マスク。 - 【請求項１１】 メイン遮光層を透光層とし、複数個の
ハーフトーン遮光層は前記透光層から遠くなるほど小さ
い透過特性をもつことを特徴とする請求項１０記載のマ
イクロレンズパターン用マスク。 - 【請求項１２】 長方形のセル領域にマイクロレンズを
形成するためのマスクにおいて、 透明基板と、 前記透明基板のセル領域の中央部分の位置にセル領域よ
り小さく、セル模様と同様の形状に形成される第１メイ
ン遮光層と、 前記第１メイン遮光層に長軸方向に連結され、セル領域
の終端に行くほど拡張されて終端ではセル領域の短軸方
向の幅と同一に形成される台形状の第２メイン遮光層
と、 前記第１、第２メイン遮光層を除いたセル領域に形成さ
れる複数個の補助遮光層と、を有することを特徴とする
マイクロレンズパターン用マスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960016465A KR100209752B1 (ko) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 마이크로 렌즈 패턴용 마스크 |
| KR16465/1996 | 1996-05-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074927A true JPH1074927A (ja) | 1998-03-17 |
| JP3227561B2 JP3227561B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=19458921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13580297A Expired - Fee Related JP3227561B2 (ja) | 1996-05-16 | 1997-05-12 | マイクロレンズパターン用マスク |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5835274A (ja) |
| JP (1) | JP3227561B2 (ja) |
| KR (1) | KR100209752B1 (ja) |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186203A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置とその製造方法およびカメラ |
| JP2007041094A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Sony Corp | 露光用マスク、露光用マスクの設計方法および露光用マスクの設計プログラム |
| JP2008097044A (ja) * | 2008-01-04 | 2008-04-24 | Ritsumeikan | 紫外線または紫外線より波長の短い光を用いた材料の加工装置および加工方法 |
| US7659929B2 (en) | 2004-08-24 | 2010-02-09 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor and method of manufacturing thereof |
| JP2010282120A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Toppan Printing Co Ltd | 濃度分布マスク |
| US8470501B2 (en) | 2010-06-17 | 2013-06-25 | Renesas Electronics Corporation | Mask used for fabrication of microlens, and fabrication method for microlens using the mask |
| JP2016071280A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクブランク、それを用いたフォトマスクの製造方法とフォトマスク、それを用いて作製したマイクロレンズ |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020045105A1 (en) * | 2000-07-05 | 2002-04-18 | Brown David R. | High quality lithographic processing |
| US20030207212A1 (en) * | 2002-05-02 | 2003-11-06 | Law Benjamin Pain-Fong | Micro-optics device and method for fabricating |
| US20060038966A1 (en) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Long Michael D | Apodizing filter |
| KR101097915B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2011-12-23 | 삼성전자주식회사 | 레이저 장치 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법 |
| KR100685906B1 (ko) * | 2005-10-11 | 2007-02-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| US7297473B2 (en) * | 2005-11-08 | 2007-11-20 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of forming a microlens array having a high fill factor |
| KR100731100B1 (ko) | 2005-12-28 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 제조용 마스크 및 이를 이용한 씨모스이미지 센서의 제조방법 |
| KR100776168B1 (ko) * | 2006-08-03 | 2007-11-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조에 이용되는 마스크 |
| KR100873275B1 (ko) * | 2007-03-19 | 2008-12-11 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서의 제조 방법 |
| US7732244B2 (en) * | 2007-12-20 | 2010-06-08 | Visera Technologies Company Limited | Method for forming light-transmitting regions |
| CN102929097A (zh) * | 2012-10-17 | 2013-02-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光罩、tft玻璃基板及其制造方法 |
| CN104375315B (zh) * | 2014-11-18 | 2017-06-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩膜基板、彩色滤光片、显示面板及显示装置 |
| WO2018100998A1 (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、撮像装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5542371Y2 (ja) * | 1972-08-24 | 1980-10-03 | ||
| US4157215A (en) * | 1978-04-24 | 1979-06-05 | Rca Corporation | Photodeposition of CRT screen structures using cermet IC filter |
| DE3431250C1 (de) * | 1984-08-24 | 1985-09-19 | Raster-Union Efha Kohinoor, 8190 Wolfratshausen | Kontaktraster zur Kontraststeuerung |
| FR2590376A1 (fr) * | 1985-11-21 | 1987-05-22 | Dumant Jean Marc | Procede de masquage et masque utilise |
| US5016981A (en) * | 1987-04-14 | 1991-05-21 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Mask |
| US4928008A (en) * | 1987-12-11 | 1990-05-22 | The Boeing Company | Variable light transmission filter and optical analog position sensor |
| JPH04252084A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Eastman Kodak Japan Kk | Ｌｅｄレンズアレイの製造方法 |
| GB2277998A (en) * | 1993-05-13 | 1994-11-16 | Marconi Gec Ltd | Mask and apparatus for producing microlenses |
-
1996
- 1996-05-16 KR KR1019960016465A patent/KR100209752B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-11-20 DE DE19648063A patent/DE19648063B4/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-16 US US08/783,901 patent/US5835274A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-12 JP JP13580297A patent/JP3227561B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7659929B2 (en) | 2004-08-24 | 2010-02-09 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor and method of manufacturing thereof |
| JP2006186203A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置とその製造方法およびカメラ |
| JP2007041094A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Sony Corp | 露光用マスク、露光用マスクの設計方法および露光用マスクの設計プログラム |
| JP2008097044A (ja) * | 2008-01-04 | 2008-04-24 | Ritsumeikan | 紫外線または紫外線より波長の短い光を用いた材料の加工装置および加工方法 |
| JP4675385B2 (ja) * | 2008-01-04 | 2011-04-20 | 学校法人立命館 | 紫外線または紫外線より波長の短い光を用いた材料の加工装置および加工方法 |
| JP2010282120A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Toppan Printing Co Ltd | 濃度分布マスク |
| US8470501B2 (en) | 2010-06-17 | 2013-06-25 | Renesas Electronics Corporation | Mask used for fabrication of microlens, and fabrication method for microlens using the mask |
| TWI512387B (zh) * | 2010-06-17 | 2015-12-11 | Renesas Electronics Corp | A microlenses for micro lens manufacturing, a microlens manufacturing method using the same, and an image pickup device |
| JP2016071280A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクブランク、それを用いたフォトマスクの製造方法とフォトマスク、それを用いて作製したマイクロレンズ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19648063A1 (de) | 1997-11-20 |
| KR970077704A (ko) | 1997-12-12 |
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| KR100209752B1 (ko) | 1999-07-15 |
| DE19648063B4 (de) | 2004-08-12 |
| US5835274A (en) | 1998-11-10 |
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