JPH1074667A

JPH1074667A - Ｌｃ回路及びその容量調整方法

Info

Publication number: JPH1074667A
Application number: JP8229939A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Kita; 弘幸北; Yasuyuki Tanaka; 康行田中
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1996-08-30
Filing date: 1996-08-30
Publication date: 1998-03-17

Abstract

(57)【要約】【課題】単一の容量発生電極で、２種類の切断を行
い、容量成分の粗調整と微調整を可能にしたＬＣ回路の
ＬＣ回路及びその容量調整方法を提供する。【解決手段】前記基板１０の表面にインダクタンス導体
膜１と、これと接続したインダクタンス側櫛歯電極指２
１ａ、２２ａ・・・及びグランド側櫛歯電極指２１ｂ、
２２ｂ、・・・とから成る容量発生電極２とを形成し、
誘電体基板１０の裏面に該容量発生電極２と対向するよ
うにグランド側導体膜３を形成するとともに、前記グラ
ンド側櫛歯電極指２１ｂ、２２ｂ・・・の所定数の電極
指を切断し、次いで、前記インダクタンス側櫛歯電極２
１ａ、２２ａ・・・の所定数の電極指を切断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、ＬＣ回路及びその
ＬＣ回路の容量調整方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣ回路は、電子回路の共振部やフィル
タ部などにに多用されている回路構成であり、このＬＣ
回路の回路定数を変化させることになり、電子回路全体
の特性を調整することがある。その例として、圧制御発
振器（以下、単にＶＣＯという）などがある。

【０００３】従来のＶＣＯは、主に共振回路部、負性抵
抗回路部、増幅回路部から構成されている。この共振回
路部にＬＣ回路が使用されている。ここで、ＬＣ回路の
回路定数、調整に容易な容量成分を調整して、共振周波
数の調整を行っている。

【０００４】一般に、ＬＣ回路は、図７に示すように、
誘電体基板１０上に、インダクスタンス成分を発生する
インダクタンス導体膜１と、２つの櫛歯電極５Ａ、５Ｂ
から成る容量発生電極５とから構成されている。

【０００５】容量発生電極５を構成する一方の櫛歯電極
５Ａは、共通電極５０Ａと、該共通電極５０Ａから所定
間隔で複数延出された櫛歯電極指５１ａ、５２ａ、５３
ａ・・・とから成っており、また、他方の櫛歯電極５Ｂ
も、共通電極５０Ｂと、所定間隔で複数延出された櫛歯
電極指５１ｂ、５２ｂ、５３ｂ・・・とからなってい
る。そして、この一対の櫛歯電極５Ａ、５Ｂは、櫛歯電
極指５１ａ、５２ａ、５３ａ・・・、５１ｂ、５２ｂ、
５３ｂ・・・とが互い噛み合うように夫々配置されてい
る。

【０００６】これにより、櫛歯電極指５１ａと櫛歯電極
指５１ｂとの対向部分で、櫛歯電極指５１ｂと櫛歯電極
指５２ａとの噛み合い部分で、櫛歯電極指５２ａと櫛歯
電極指５２ｂとの噛み合い部分で、また同様にして夫々
所定容量が発生し、結果として、共通電極５０Ａと５０
Ｂとの間で容量成分が発生することになる。

【０００７】このような容量発生電極の一方の櫛歯電極
５Ａは、例えばインダクタンス導体膜１に接続されて、
ＬＣ回路となっていた。

【０００８】このような構成のＬＣ回路において、例え
ば共振周波数を調整する方法として、ＬＣ回路の容量成
分を調整することが一般的に行われている。具体的に
は、容量発生電極５の噛み合う櫛歯電極指５１ａ、５１
ｂ、５２ａ、５２ｂ、５３ａ、５３ｂ・・・を矢印Ｗの
ようにレーザー光線の照射によって順次切断して、容量
成分を徐々に減少させることによって、容量成分の調整
をおこない、もって共振周波数の調整をおこなってい
た。

【０００９】即ち、調整前の容量成分は、互いに噛み合
うように配置された櫛歯電極指５１ａ、５１ｂ、５２
ａ、５２ｂ、５３ａ、５３ｂ・・・の噛み合い距離、噛
み合い間隔、噛み合い数によって決定され、調整後の容
量成分は、切断によって残存し、容量の発生に寄与する
櫛歯電極指によって決まることになる。また、１本の櫛
歯電極指の切断による容量の変化量も、１本の櫛歯電極
指とそれと噛み合う櫛歯電極指との間で発生する容量に
相当することになる。

【００１０】このようなＬＣ回路において、容量調整可
能な容量を範囲を広くし、また、微調整を可能にするこ
とが求められている。このため、従来より、２種類の容
量発生電極を形成し、１つを粗調整用容量発生電極に用
い、もう１つを微調整用容量発生電極に用いていた。粗
調整用容量発生電極では、櫛歯電極指の噛み合い距離、
間隔、噛み合い数などを所定に設定し、容量を大きくし
ていた。

【００１１】この２種類の容量発生電極により、容量調
整可能な範囲を広くし、粗調整用容量発生電極で補えな
い細かな容量調整を行い、微調整用容量発生電極で行
い、全体として、所期の容量値に極めて近似した容量値
を得ていた。

【００１２】例えば、ＶＣＯにおいては、発振周波数特
性を共振回路部を構成するＬＣ回路の容量成分調整によ
り、所期の発振周波数特性に近似させていた。これは、
回路を構成する全ての発振周波数の変動要因（回路を形
成する体の導体膜のパターンズレなど）を、この容量成
分の調整によって補っていた。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のＬＣ回
路では、容量成分の調整に、粗調整と微調整を行う場合
には、少なくとも２種類以上の容量発生電極が必要とな
り、単一容量発生電極で粗調整及び微調整などの２種類
の容量調整を行うことができなかった。

【００１４】また、単純に容量発生電極の数が増大して
も、回路の大型化を招いてしまうという問題点があっ
た。

【００１５】本発明は、上述の問題点を鑑みて案出され
たものであり、その目的は、単一の容量発生電極で、粗
調整、微調整等の２種類の調整が可能なＬＣ回路および
そのの容量調整方法を提供するものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】第１の発明によれば、誘
電体材料から成る基板と、前記基板の裏面に形成され、
グランド電位となる導体膜と、前記基板の表面に形成さ
れ、インダクタンス成分を発生する導体と、前記基板裏
面の導体膜が形成された領域に対応する表面に、前記イ
ンダクタンス成分を発生する導体と接続し、且つ切断さ
れ得る複数の櫛歯電極指を有する第１櫛歯電極と、グラ
ンド電位となり、且つ切断され得る複数の櫛歯電極指を
有する第２櫛歯電極とを、その櫛歯電極指どうしが噛み
合うように配置させて形成される容量発生電極とを設け
て成るＬＣ回路である。

【００１７】また、第２の発明は、上述の第１の発明の
ＬＣ回路の容量調整方法であって、前記第２櫛歯電極の
櫛歯電極指の所定数のみを切断する第１の切断工程と、
該第１の切断工程によって切断された第２櫛歯電極の櫛
歯電極指と隣接する第１櫛歯電極の所定櫛歯電極指を切
断する第２の切断工程とから成ることを特徴とするＬＣ
回路の容量調整方法である。

【００１８】

【作用】以上のように、第１の発明によれば、容量発生
電極は、誘電体基板の裏面のグランド側導体膜に基板の
厚み方向に対向するように形成されている。

【００１９】そして、容量発生電極は、互いに噛み合う
インダクタンス側の第１櫛歯電極とグランド電位側の第
２櫛歯電極指とから構成されている。

【００２０】このため、調整対象となる容量発生電極で
発生する容量成分は、従来のように、第１櫛歯電極を構
成する櫛歯電極指と第２櫛歯電極を構成する櫛歯電極指
との間に発生する第１の容量と、第１櫛歯電極と誘電体
基板の裏面のグランド側導体膜との間に発生する第２の
容量とがある。この第１櫛歯電極の櫛歯電極指の一本あ
たりの第１の容量と第２の容量とでは、その構成から当
然、第１の容量が大きくなる。

【００２１】従って、上述のＬＣ回路では、切断され得
る櫛歯電極指によって、２種類の容量変化率を有する容
量調整が可能となる。

【００２２】第２の発明によれば、第１の発明による回
路の調整方法、即ち、第１及び第２の櫛歯電極の櫛歯電
極指の切断順次を規定している。

【００２３】先ず、第１の切断工程でグランド側の櫛歯
電極指を順次切断して、第１の容量を減少させて、容量
変化率の大きい粗調整を行う。

【００２４】次に、第２の切断工程を行い、第１の容量
を発生していないインダクタンス側櫛歯電極指を切断し
て、第２の容量を減少させて、所期の容量特性に合致さ
せるようにする。

【００２５】即ち、本発明によれば、単一の容量発生電
極を用い、さらに、この容量発生電極と対向する誘電体
基板の裏面側にグランド側導体膜を形成しておき、切断
方法として、まず、誘電体基板の裏面側の導体膜と同電
位の櫛歯電極指を順次切断し、次いで、もう一方の櫛歯
電極指を切断することによって、ＬＣ回路の専有面積を
極小化した状態で、容量成分の粗調整、微調整を可能す
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明のＬＣ回路及びその
容量調整方法を図面に基づいて説明する。尚、説明上、
ＬＣ回路は電圧制御発振回路（ＶＣＯ）の共振回路部に
用いられる場合を例に説明する。

【００２７】図１は、ＬＣ回路が形成された回路基板の
部分平面図であり、図２はその断面図である。

【００２８】回路基板は、誘電体基板１０と、誘電体基
板１０の表面に形成されたインダクタンス成分を発生す
る導体（以下、インダクタンス導体膜という）１、容量
成分を発生する容量発生電極２と、誘電体基板１０の裏
面に形成されたグランド側導体膜３とから成っている。

【００２９】また、誘電体基板１０の表面及び裏面に
は、上述の構成部材以外に、電圧制御発振回路（ＶＣ
Ｏ）を構成する他の回路部、例えば、共振回路部、負性
抵抗回路部や増幅回路部なども必要に応じて形成しても
構わない。即ち、共振回路部、負性抵抗回路部、増幅回
路部を構成するために、所定配線導体が形成され、さら
に、マイクロストリップ線路、可変容量ダイオード、コ
ンデンサ、抵抗、トランジスタなども搭載しても構わな
い。

【００３０】インダクタンス導体膜１は、集中定数型、
分布定数型のインダクタンス成分を発生するものであ
り、例えば、所定形状のコイル導体膜、誘電体基板１０
の裏面に形成されたグランド側導体膜３を利用したスト
リップ線路、マイクロストリップ線路などが例示でき
る。

【００３１】このようなインダクタンス導体膜１は、誘
電体基板１の表面に、銅などの導電性ペーストを用い
て、所定形状に印刷され、焼きつけられて形成される。

【００３２】容量発生電極２は、インダクタンス導体膜
１と接続する第１櫛歯電極（以下、インダクタンス側櫛
歯電極という）２Ａとグランド電位に接続する第２櫛歯
電極（以下、グランド側櫛歯電極という）２Ｂとから構
成されている。インダクタンス側櫛歯電極２Ａは、イン
ダクタンス導体膜１の一部と電気的に接続する帯状の共
通電極２０Ａと、該共通電極２０Ａから所定間隔で複数
延出されたインダクタンス側櫛歯電極指２１ａ、２２
ａ、２３ａ・・・とから成っている。グランド側櫛歯電
極２Ｂは、グランド側導体膜３と電気的に接続する帯状
の共通電極２０Ｂと、該共通電極２０Ｂから所定間隔で
複数延出されたグランド側櫛歯電極指２１ｂ、２２ｂ、
２３ｂ・・・とから成っている。

【００３３】インダクタンス側櫛歯電極２Ａとグランド
側櫛歯電極２Ｂとの配置構造は、両帯状の共通電極２０
Ａ、２０Ｂが夫々所定距離をおいて並設されており、両
共通電極２０Ａ、２０Ｂの上述の所定距離部分に、両共
通電極２０Ａ、２０Ｂから延びるインダクタンス側櫛歯
電極指２１ａ、２２ａ、２３ａ・・・、グランド側櫛歯
電極指２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ・・・が配置されてい
る。特に、インダクタンス側櫛歯電極指２１ａ、２２
ａ、２３ａ・・・とグランド側櫛歯電極指２１ｂ、２２
ｂ、２３ｂ・・・と互いに噛み合うように配置されてい
る。例えば、両共通電極２０Ａ、２０Ｂの上述の所定距
離部分の一方の開口側から、インダクタンス側櫛歯電極
指２１ａ、グランド側櫛歯電極指２１ｂ、インダクタン
ス側櫛歯電極指２２ａ、グランド側櫛歯電極指２２ｂ、
インダクタンス側櫛歯電極指２３ａ、グランド側櫛歯電
極指２３ｂ・・・・と配列されている。

【００３４】例えば、例えば、グランド側櫛歯電極指２
１ｂに着目するは、このグランド側櫛歯電極指２１ｂ
は、間隔Δｄをおいてインダクタンス側櫛歯電極指２２
ａとインダクタンス側櫛歯電極指２３ａと対向隣接しあ
っており、インダクタンス側櫛歯電極指２２ａ、インダ
クタンス側櫛歯電極指２３ａと、長さΔｌの交差長を有
している。

【００３５】尚、帯状のグランド側共通電極２０Ｂとイ
ンダクタンス側櫛歯電極指２１ａ、２２ａ、２３ａ・・
・の先端部分との間には、グランド側櫛歯電極指２１
ｂ、２２ｂ、２３ｂ・・・の根本部分のみが存在する領
域が形成される。この領域を、本発明では、グランド側
櫛歯電極指切断領域Ｘという。同時に、帯状のインダク
タンス側共通電極２０Ａとグランド側櫛歯電極指２１
ｂ、２２ｂ、２３ｂ・・・の先端部分との間には、イン
ダクタンス側櫛歯電極指２１ａ、２２ａ、２３ａ・・・
の根本部分のみが存在する領域が形成される。この領域
を、本発明では、インダクタンス側櫛歯電極指切断領域
Ｙという。

【００３６】この容量発生電極２は、誘電体基板１０の
表面に、上述のインダクタンス導体膜１と同様に、銅な
どの導電性ペーストを用いて、所定形状に印刷して焼き
つけすることによって形成される。

【００３７】グランド側導体膜３は、誘電体基板１０の
裏面に、少なくとも容量発生電極２に対向するように形
成されいる。同時に、このグランド側導体膜３は、誘電
体基板１０の厚み方向を通じて、容量発生電極２のグラ
ンド側共通電極２０Ｂに電気的に接続されている。その
接続方法は、例えば誘電体基板１０の端面を利用して接
続用導体膜が形成されて達成されたり、また、誘電体基
板１０の厚みを貫通する導通スルーホールや導通ビアホ
ールなどによって達成されたりする。

【００３８】このグランド側導体膜３は、容量発生電極
２は、インダクタンス側導体膜１の動作によっては、イ
ンダクタンス側導体膜１が形成された領域にも渡って形
成されることもある。

【００３９】このようなグランド側導体膜３は、誘電体
基板１０の裏面に、銅などの導電性ペーストを用いて所
定形状に印刷され、焼きつけによって形成される。

【００４０】以上のように形成されたＬＣ回路におい
て、容量発生電極２で発生する容量を図３を用いて説明
すると、インダクタンス側櫛歯電極指２１ａとこれに隣
接配置されたグランド側櫛歯電極指２１ｂとの間（誘電
体基板１０の表面の平面方向）に第１の容量Ｃ₁₁が発生
する。同様に、グランド側櫛歯電極指２１ｂとこれに隣
接するインダクタンス側櫛歯電極指２２ａとの間に第１
の容量Ｃ₁₂が発生し、インダクタンス側櫛歯電極指２２
ａとこれに隣接配置されたグランド側櫛歯電極指２２ｂ
との間に第１の容量Ｃ₂₂が発生し、グランド側櫛歯電極
指２２ｂとこれに隣接するインダクタンス側櫛歯電極指
２３ａとの間に第１の容量Ｃ₂₃が発生する。即ち、イン
ダクタンス側櫛歯電極指２２ａ、２２ｂ・・・・とグラ
ンド側櫛歯電極指２２ａ、２２ｂ・・・との間に第１の
容量が発生することになる。

【００４１】同時に、インダクタンス側櫛歯電極指２１
ａと誘電体基板１０の裏面に形成されたグランド側導体
膜３との間（誘電体基板の厚み方向に）に第２の容量Ｃ
₁が発生する。同時に、インダクタンス側櫛歯電極指２
２ａ、２３ａ・・・とグランド側導体膜３との間に第２
の容量Ｃ₂、Ｃ₃・・・が発生することになる。

【００４２】従って、容量発生電極２の２つの共通電極
２Ａと２Ｂとの間では、第１の容量と第２の容量とが並
列的に接続された合成容量が、さらに、インダクタンス
側櫛歯電極指２１ａ、２２ａ、２３ａ・・・の数だけ並
列に合成された総容量となる。この総容量を含めた全体
のＬＣ回路の等価回路図は図４のようになる。

【００４３】ここで、インダクタンス側櫛歯電極指とグ
ランド側櫛歯電極指との間で発生する第１の容量とイン
ダクタンス側櫛歯電極指とグランド側導体膜３との間で
発生する第２の容量の比較を行うと、通常、櫛歯電極指
は基板の専有面積を極小化するために、極めて細い形状
であり、交差長さΔｌの割に表面面積が非常に狭い状態
であり、しかも、対向間隔Δｄに対して、誘電体基板１
０の厚みが非常に大きいことから、第１の容量が第２の
容量に比較して大きい値となる。

【００４４】以上のように、切断され得るインダクタン
ス側櫛歯電極の櫛歯電極指、グランドライン側櫛歯電極
の櫛歯電極指によって、第１の容量と第２の容量が同時
に発生し、その容量全体が並列接続されていることから
大きな容量となる。即ち、従来に比較して、容量発生電
極の形状が同一であっても、調整可能な容量範囲は増加
して、また、その範囲内で２種類の調整が可能となる。

【００４５】従って、全体として、小型化のＬＣ回路を
構成でき、しかも、調整が多彩に行うことができるよう
になる。

【００４６】次に、初期の等価回路が図４で示されるＬ
Ｃ回路の容量成分調整方法を説明する。

【００４７】第１の切断工程として、容量成分の粗調整
を行う。具体的には、グランド側櫛歯電極指２１ｂ、２
２ｂ・・の根元部分である切断領域Ｘに矢印Ａ方向にＹ
ＡＧ等のレーザー光線を照射しながら走査してして、グ
ランド側櫛歯電極指２１ｂ、２２ｂ・・・と順次切断す
る。

【００４８】この時、切断によって容量発生電極２部分
の容量成分は減少するが、実際に、これにともなって、
ＶＣＯの発振周波数の変動（周波数の上昇）する。この
発振周波数をモニタリングしながら、ＶＣＯの所期発振
周波数へと調整することによって、容量成分の調整状態
をみて、グランド側櫛歯電極指２１ｂ、２２ｂ・・・の
切断本数の制御を行う。

【００４９】例えば、レーザー光線を照射して、グラン
ド側櫛歯電極指２１ｂを切断することによって、インダ
クタンス側櫛歯電極指２１ａとの間の第１の容量Ｃ₁₁及
びインダクタンス側櫛歯電極指２１ｂとの間の第１の容
量Ｃ₁₂が発生しなくなる。

【００５０】続いて、レーザー光線を照射しながら走査
して、２番目のグランド側櫛歯電極指２２ｂを切断する
ことによって、この２番目のグランド側櫛歯電極指２２
ｂを挟むように隣接するインダクタンス側櫛歯電極指２
１ｂ、２１ｃとの間に発生する第１の容量Ｃ₂₂、Ｃ₂₃が
発生しなくなる。

【００５１】この時、インダクタンス側櫛歯電極指２１
ａ、２１ｂは切断されることがないため、誘電体基板１
０の裏面のグランド側導体膜３との間で発生する第２の
容量の変動がないことは重要である。

【００５２】即ち、容量発生電極２の容量を構成する比
較的大きな容量の第１の容量が順次減少してき、第２の
容量の変動がないことから、大きな変動率の調整、即ち
粗調整が行われていることになる。

【００５３】このグランド側櫛歯電極指２１ｂ、２２
ｂ、２３ｂ・・・の切断による粗調整によって、ＶＣＯ
から出力される発振周波数は、比較的大きな変動率でも
って、周波数が上昇することになる。

【００５４】そして、ＶＣＯの発振周波数のモニタリン
グによって、調整時の発振周波数が所期の発振周波数に
近づいた時点で粗調整工程である第１の切断工程を終了
する。

【００５５】次に、第２の切断工程として、容量成分の
微調整を行う。具体的には、インダクタンス側櫛歯電極
指２１ａ、２２ａの根元部分である切断領域Ｙに矢印Ｂ
方向にＹＡＧ等のレーザー光線を照射しながら走査して
して、インダクタンス側櫛歯電極指２１ａ、２２ａ・・
・と順次切断する。

【００５６】この時、切断対象となるインダクタンス側
櫛歯電極指は、第１の切断工程によって切断されたグラ
ンド側櫛歯電極指の数Ｎと同一数であるＮ番目のインダ
クタンス側櫛歯電極指か、または、Ｎ−１番目のインダ
クタンス側櫛歯電極指となる。これは、切断したインダ
クタンス側櫛歯電極指によって、第１の容量が減少しな
いようにするためである。

【００５７】この切断によって、切断されたインダクタ
ンス側櫛歯電極指２１ａ、２２ａ、２３ａ・・・と誘電
体基板１０の裏面側のグランド側導体膜３との間で発生
する第２の容量Ｃ₁、Ｃ₂、Ｃ₃・・・のみを順次減少
させることができる。

【００５８】例えば、インダクタンス側櫛歯電極指２１
ａの根元部分で切断することによって、第２の容量Ｃ₁
が減少し、続いてインダクタンス側櫛歯電極指２２ａを
切断することによって、第２の容量Ｃ₂が減少する。

【００５９】この第１の容量が発生していないインダク
タンス側櫛歯電極指のみの切断によって、比較的容量値
が小さい第２の容量が順次小さくなり、その結果、変動
率の非常に小さい容量調整、発振周波数の調整が行われ
ることになる。

【００６０】従って、第１の切断工程では、比較的大き
な容量値を有する第１の容量の調整（粗調整）が行わ
れ、この第２の工程では、比較的小さな容量値を有する
第２の容量の調整（微調整）が行われ、全体として、単
一の容量発生電極２でもって、粗調整及び微調整が同時
に可能となる。

【００６１】図５には、第１の切断工程におけるグラン
ド側櫛歯電極指の順次切断数及び第２の切断工程におけ
るインダクタンス側櫛歯電極指の順次切断数の変化によ
るＶＣＯの発振周波数の変化状態を示す。

【００６２】従って、従来のように、粗調整用の容量発
生電極と微調整用の容量発生電極ととを設けて、粗調
整、微調整を達成していたのに対して、単一の容量発生
電極２で同様の機能を達成することができるため、誘電
体基板１０に対する容量発生電極２の専有率が減少し、
小型化を達成することができるなる。

【００６３】〔他の実施例〕上述の実施例では、容量発
生電極２の第１の容量、第２の容量及び切断による各容
量の減少を明確にするために、第１の切断工程及び第２
の切断工程において、各櫛歯電極指を切断する部分を異
なる電位の櫛歯電極指と対向していない各櫛歯電極指の
根元部分で行っているが、第１の切断工程では、インダ
クタンス側櫛歯電極指とグランド側櫛歯電極指との交差
部分で切断して、第１の容量の一部及び第２の容量の一
部を減少させるように調整し、第２の切断工程では、切
断されたインダクタンス側櫛歯電極指を、第１の切断に
よる切断部分と櫛歯電極指の根元部分の間の任意の箇所
で切断してもよい。

【００６４】また、第１の切断工程では、グランド側櫛
歯電極指との交差部分で切断して、第１の容量のみを減
少させるように調整し、所期容量を考慮して、第１の切
断で切断された櫛歯電極指と隣接する第２の容量のみを
発生する櫛歯電極指を任意の部分で、直線上または斜め
に切断してもよい。この第２の切断箇所によっては、所
期の容量値（目標の周波数）に完全に一致させることが
できる。

【００６５】また、上述の実施例では、誘電体基板１０
の裏面のグランド側導体膜３と対向する基板表面側に１
つの容量発生電極２を形成し、また、インダクタンス導
体膜１を形成したが、図６に示すように、容量発生電極
２にインダクタンス側櫛歯電極指、グランド側櫛歯電極
指との交差長の異なる部分２０を形成しても構わない。

【００６６】また同時に、極めて大きい容量値の変化率
を達成するために、切断可能な配線パターンに接続され
たチップコンデンサ２４を付加しても構わない。

【００６７】尚、このようなＬＣ回路は、上述のように
電圧制御型発振回路の共振回路部の一部に用いられてい
るが、その他に各種ノイズフィルタなど各種電子部品の
回路に用いることができる。

【００６８】

【発明の効果】以上のように第１の発明では、１対の櫛
歯電極からなる容量発生電極において、容量発生電極に
対応するように、一方の櫛歯電極と同電位の導体膜を形
成したため、１対の櫛歯電極から発生する容量は、１対
の櫛歯電極の噛み合いから発生する容量と、他方の櫛歯
電極と導体膜との対向部分から成る容量となる。したが
って、広い範囲の容量調整が可能なＬＣ回路となる。

【００６９】また、これらの容量がすべて櫛歯電極によ
って発生するため、この容量の何れか、または両方を切
断除去することになり、２種類の異なる変化率を有する
容量成分の調整が可能なＬＣ回路となる。

【００７０】第２の発明では、１つの容量発生電極に対
して異なる２つの切断を行っている。即ち、主にインダ
クタンス側櫛歯電極指とグランド側櫛歯電極指の対向部
分に発生する第１の容量を削除する粗調整工程と、イン
ダクタンス側櫛歯電極指とグランド側導体膜との間に発
生する第２の容量を削除する微調整工程である。

【００７１】これにより、２種類の容量変動率の調整が
可能となり、しかも、このように２種類の容量調整を達
成する容量発生電極として、基板占有率が減少し、回路
基板の小型化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＬＣ回路が形成された回路基板の
部分平面図である。

【図２】本発明に係るＬＣ回路が形成された回路基板の
断面図である。

【図３】本発明に係るＬＣ回路の容量発生電極で発生す
る容量を説明する概略図である。

【図４】本発明に係るＬＣ回路の等価図である。

【図５】本発明に係るＬＣ回路をＶＣＯに用いた時の各
櫛歯電極指切断による発振周波数の変化状態を示す特性
図である。

【図６】本発明に係る他の実施例の平面図である。

【図７】従来のＬＣ回路の平面図である。

【符号の説明】

１０・・・誘電体基板１・・・・インダクタンス導体膜２・・・・容量発生電極２１ａ、２２ａ、２３ａ・・・・・インダクタンス側櫛
歯電極指２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ・・・・・グランド側櫛歯電極
指３・・・・・・・・・グランド側導体膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体材料から成る基板と、前記基板の裏面に形成され、グランド電位となる導体膜
と、前記基板の表面に形成され、インダクタンス成分を発生
する導体と、前記基板裏面の導体膜が形成された領域に対応する表面
に、前記インダクタンス成分を発生する導体と接続し、
且つ切断され得る複数の櫛歯電極指を有する第１櫛歯電
極と、グランド電位となり、且つ切断され得る複数の櫛
歯電極指を有する第２櫛歯電極とを、その櫛歯電極指ど
うしが噛み合うように配置させて形成される容量発生電
極とを設けて成るＬＣ回路。
【請求項２】誘電体材料から成る基板と、前記基板の裏面に形成され、グランド電位となる導体膜
と、前記基板の表面に形成され、インダクタンス成分を発生
する導体と、前記基板裏面の導体膜が形成された領域に対応する表面
に、前記インダクタンス成分を発生する導体と接続する
第１櫛歯電極と、グランド電位となる第２櫛歯電極と
を、その櫛歯電極指どうしが噛み合うように配置させて
形成される容量発生電極とを設けてなるＬＣ回路の容量
調整方法であって、前記第２櫛歯電極の櫛歯電極指の所定数のみを切断する
第１の切断工程と、該第１の切断工程によって切断された第２櫛歯電極の櫛
歯電極指と隣接する第１櫛歯電極の所定櫛歯電極指を切
断する第２の切断工程とから成ることを特徴とするＬＣ
回路の容量調整方法。