JPH07297637A

JPH07297637A - 共振回路基板

Info

Publication number: JPH07297637A
Application number: JP9017294A
Authority: JP
Inventors: Koichiro Kanai; 幸一郎金井
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1994-04-27
Filing date: 1994-04-27
Publication date: 1995-11-10

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は基板が小型化し、且つ周波数の調整
範囲が広く、さらに粗調整・微調整も任意に行うことが
できる共振回路基板を提供することになる。【構成】複数の誘電体層１ａ〜１ｄと、該誘電体層の第
１の層間（１ａと１ｂ）に配置したアース導体層５と、
該誘電体層の第２の層（１ｂと１ｃ）間に該アース導体
層５と対向するように配置した容量電極パターン６ａ〜
６ｃとから成る多層回路基板１の表面に、インダクタン
ス発生導体であるマイクロストリップ導体２と、該マイ
クロストリップ導体２の線路長を調整するための複数の
スタブ導体３ａ〜３ｅと、前記マイクロストリップ導体
２及び前記容量電極パターン６ａ〜６ｃに接続するトリ
ミング導体４ａ〜４ｃとを形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電圧制御型発振回路な
どに用いられるマイクロストリップ線路、コイルパター
ンなどのインダクタンス成分を発生する導体を含むＬ−
Ｃ共振回路基板に関し、特に共振周波数調整において、
調整幅が広く、且つ粗調整及び微調整が可能な共振回路
基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、移動体通信機などに用いられ
る電圧制御型発振回路（ＶＣＯ）は、図５に示すよう
に、主に共振回路部Ｘ、負性抵抗回路部Ｙ、増幅回路部
Ｚとから構成されている。

【０００３】図５において、共振回路部Ｘはマイクロス
トリップ線路ＳＬ₁、ＳＬ₂、可変容量ダイオードＣ
ｖ、コンデンサＣ₁〜Ｃ₅、抵抗Ｒ₁〜Ｒ₂から成る共
振回路部であり、ＹはトランジスタＱ₁、抵抗Ｒ₅〜Ｒ
₆、コンデンサＣ₆〜Ｃ₈から成る負性抵抗回路部であ
り、ＺはトランジスタＱ₂、マイクロストリップ線路Ｓ
Ｌ₃、抵抗Ｒ₃〜Ｒ₄、コンデンサＣ₉〜Ｃ₁₁から成る
増幅回路部である。

【０００４】このようなＶＣＯの回路において、共振回
路部Ｘのコントロール端子Ｖｔより所定電圧（以下、制
御電圧という）が印加されると、可変容量ダイオードＣ
ｖの両端の電圧が変化し、この電圧に応じた所定容量が
発生する。これにより、マイクロストリップ線路ＳＬ₁
のインダクタンス成分と、可変容量ダイオードＣｖの制
御電圧によって変動する容量、コンデンサＣ₂〜Ｃ₄の
容量の合成容量とによって、所定周波数で共振して、そ
の共振信号がコンデンサＣ₅を介して負性抵抗回路部Ｙ
に出力される。そして、負性抵抗回路部Ｙ及び増幅回路
Ｚの動作して、出力端子ＲＦ−ＯＵＴより所定周波数の
発振信号が導出される。

【０００５】上述のＶＣＯの回路において、制御電圧に
よって発振信号の発振周波数が概略直線的に変化する
が、実際には、マイクロストリップ線路ＳＬ₁は誘電体
基板上に厚膜手法でマイクロストリップ導体として形成
されること、共振回路部Ｘを構成する各電子部品に特性
上のばらつきがあることなどから、制御電圧−発振周波
数特性の傾きがばらついてしまう。このため、特共振回
路部Ｘにおいける共振周波数の調整が必要となる。

【０００６】この共振周波数を調整するためには、Ｌ−
Ｃの共振回路におけるインダクタンス成分（Ｌ成分）と
可変容量ダイオードＣｖ以外のコンデンサＣ₂〜Ｃ₄の
容量成分（Ｃ成分）を調整して、制御電圧−発振周波数
特性の傾きがばらつきを調整する。

【０００７】例えば、裏面にアース導体膜が形成された
誘電体基板上に、例えば図６（ａ）に示すようにインダ
クタンス成分を発生するマイクロストリップ線路ＳＬ₁
に相当するマイクロストリップ導体６１及び該マイクロ
ストリップ導体６１の一端に接続する複数のスタブ導体
６２ａ〜６２ｄを形成しておき、選択的にスタブ導体６
２ａ〜６２ｄを順次切断することにより、マイクロスト
リップ線路ＳＬ₁の線路長を変化させて周波数の調整を
行っていた。尚、６３、６４はアース導体膜に接続する
ビアホール導体である。

【０００８】別の手段としては、誘電体基板上に、図６
（ｂ）に示すように、インダクタンス成分を発生するコ
イルパターン導体６５及び該コイルパターン導体６５の
一端に接続するコンデンサＣ₄に相当する互いに噛み合
う１対の櫛歯電極パターン６６、６４を形成しておく。
尚、櫛歯電極パターン６６、６４には夫々互いに対向し
あう櫛歯電極指６６ａ〜６６ｅ、６７ａ〜６７ｄが形成
されている。そして、この櫛歯電極指６６ａ〜６６ｅ、
６７ａ〜６７ｄを選択的に除去切断して、コンデンサＣ
₄の容量成分を変化させて周波数の調整を行っていた。
尚、６８、６９はアース導体膜に接続するビアホール導
体である。

【０００９】しかし、上述のいずれの構造であっても、
スタブ導体６２ａ〜６２ｂの選択的な切断又は櫛歯電極
指６６ａ〜６６ｅ、６７ａ〜６７ｄの選択的な切断にお
いては、周波数の変動幅は均一幅であり、直線的な調整
しかできなかった。

【００１０】さらに、調整可能な周波数幅を広くするた
めには、この調整手段を非常に多く形成しなければなら
ない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、実際には、イ
ンダクタンス成分を発生するマイクロストリップ体６
１、コイルパターン導体６５が形成された基板上に、非
常に多くのスタブ導体や櫛歯電極パターンを形成するこ
とは実際に基板の占有面積を増加させることになる。

【００１２】また、誘電体基板上に、周波数の変化率の
大きい粗調整用のスタブ導体又は櫛歯電極パターンと、
周波数の変化率の小さい微調整用のスタブ導体又は櫛歯
電極パターンとを形成することも考えられるが、この場
合であっても周波数の変化率の大きい粗調整用のスタブ
導体又は櫛歯電極パターンは、基板上での占有面積が比
較的大きなものとなってしまう。

【００１３】尚、容量の調整によって粗調整を行うため
に、その容量が大きな容量で変動することが重要とな
る。そこで、図６（ａ）において、基板の厚み方向を利
用して、基板表面の電極パターンと基板裏面とのアース
導体パターン（コンデンサＣ₄の一端がアース導体に接
地しているため）を形成することも考えられる。この場
合、占有面積に限度があるため、基板の厚みを薄くし
て、容量を大きくするが、基板の厚みを薄くすること
は、マイクロストリップ線路ＳＬ₁のＱ値の劣化を発生
させることになる。

【００１４】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、占有面積が極小化され、且つ
周波数の調整範囲が広く、さらに粗調整・微調整も任意
に行うことができる共振回路基板を提供することにな
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上述の目的は、何れの手
段によっても達成される。

【００１６】第１の発明は、複数の誘電体層と、該誘電
体層の第１の層間に配置したアース導体層と、該誘電体
層の第２の層間に該アース導体層と対向するように配置
した容量電極パターンとから成る多層回路基板の表面
に、インダクタンス発生導体と、該インダクタンス発生
導体の線路長を調整するための複数のスタブ導体と、前
記インダクタンス発生導体及び前記容量電極パターンに
接続するトリミング導体を形成した共振回路基板であ
る。

【００１７】第２の発明は、複数の誘電体層と、該誘電
体層の第１の層間に配置したアース導体層と、該誘電体
層の第２の層間に該アース導体層と対向するように配置
した容量電極パターンとから成る多層回路基板の表面
に、インダクタンス発生導体と、容量の調整が可能な可
変容量手段と、前記可変容量手段及び前記容量電極パタ
ーンに接続するトリミング導体を形成した共振回路基板
である。

【００１８】第３の発明は、複数の誘電体層から成る多
層回路基板内に、アース導体層を配置し、該アース導体
層と対向して、異なる容量を発生する複数の容量電極パ
ターンを配置するとともに、前記多層回路基板の表面
に、インダクタンス発生導体と該インダクタンス発生導
体及び複数の容量電極パターンに接続するトリミング導
体を形成した共振回路基板である。

【００１９】

【作用】いずれの発明においても、調整可能な周波数幅
に広くし、且つ粗調整を行うための手段は容量成分で行
われ、この容量は多層回路基板の内部に形成されてい
る。従って、多層回路基板の表面には、インダクタンス
発生導体、インダクタンス発生導体に接続する周波数の
調整のための切断対象導体（スタブ導体、トリミング導
体）が形成されている。

【００２０】第１の発明においては、周波数の微調整用
の手段がインダクタンス発生導体の線路長を変化させる
ためのスタブ導体であり、周波数の粗調整用の手段が多
層基板の内部に形成された容量成分であり、基板の表面
には、インダクタンス発生導体、スタブ導体及び容量成
分と接続し、選択的に切断されるトリミング導体であ
る。

【００２１】第２の発明においては、周波数の微調整用
の手段が一対の櫛歯電極パターンで発生する容量であ
り、周波数の粗調整用の手段が多層基板の内部に形成さ
れた容量成分であり、基板の表面にはインダクタンス発
生導体、占有面積が小さい一対の櫛歯電極パターン及び
容量成分と接続し且つ選択的に切断されるトリミング導
体である。

【００２２】第３の発明においては、周波数の微調整用
の手段及び粗調整の手段が何れも多層基板の内部に形成
された容量成分（異なる容量の得られる第１の容量成分
と第２の容量成分）であり、基板の表面には、インダク
タンス発生導体及び第１の容量成分、第２の容量成分と
接続し、選択的に切断される第１のトリミング導体、第
２のトリミング導体である。

【００２３】従って、何れの発明においては、共振周波
数の粗調整はＣ成分の変化によって行っていること、粗
調整を行うこの比較的大きな容量を多層回路基板を構成
する所定の誘電体層を挟むようにして配置された容量電
極パターンとアース導体層間で発生させていることであ
り、これにより、大きな占有面積を必要とする粗調整用
容量手段を多層回路基板内に配置しており、基板表面に
は、インダクタンス発生導体や占有面積が小さい微調整
用のスタブ導体や微調整用可変容量手段や大容量成分と
接続して選択的に切断されるトリミング導体のみである
ため、基板の平面面積が小さくなる。

【００２４】また、粗調整用手段と微調整用手段を併用
しているため、周波数の調整可変幅が広く、且つ細かな
調整を行うことができる。

【００２５】結局、このような共振回路基板を用いて例
えば電圧制御発振器を構成した場合、共振特性のばらつ
きがなく、小型で高性能の電圧制御発振器となる。

【００２６】

【実施例】以下、本発明の共振回路を図面に基づいて説
明する。尚、実施例では、図５に示した電圧制御発振回
路に使用する共振回路を用いて説明する。

【００２７】図１は、本発明の第１の発明に相当する共
振回路基板の分解斜視図であり、図５中の点線Ｗで囲ま
れたマイクロストリップ線路ＳＬ₁とコンデンサＣ₄と
に相当する。

【００２８】共振回路基板１は、複数、例えば４層の誘
電体層１ａ〜１ｄから構成され、基板１の表面及び内部
に各種導体膜が形成されて構成されている。

【００２９】基板１の表面には、インダクタンス発生導
体であるマイクロストリップ線路ＳＬ₁に相当するマイ
クロストリップ導体膜２、該マイクロストリップ導体膜
２の一端に被着形成した複数のスタブ導体３ａ〜３ｅ、
マイクロストリップ導体膜２の一端とコンデンサＣ₄と
を接続する例えば３つのトリミング導体膜４ａ〜４ｃが
夫々形成されている。

【００３０】また、誘電体層１ａと誘電体層１ｂとの間
には第１のアース導体膜５が形成されている。誘電体層
１ｂと誘電体層１ｃとの間にはコンデンサＣ₄に相当す
る容量を発生するための例えば３つの容量電極パターン
６ａ〜６ｃが形成されている。誘電体層１ｃと誘電体層
１ｄとの間には第２のアース導体膜７が形成されてい
る。

【００３１】マイクロストリップ導体膜２の他端には、
誘電体層１ａの厚みを貫通して第１のアース導体膜５と
接続するするようにビアホール導体２ｚ（図では点線で
示す）が形成されている。また、スタブ導体３ａ〜３ｅ
の中でマイクロストリップ導体膜２の他端（アースに接
地）に遠いスタブ導体（図では３ｅ）には、誘電体層１
ａの厚みを貫通して第１のアース導体膜５と接続するす
るようにビアホール導体３ｚが形成されている。さら
に、各トリミング導体膜４ａ〜４ｃの一端には、誘電体
層１ａの厚み、第１のアース導体膜５、誘電体層１ｂの
厚みを貫通して各容量電極パターン６ａ〜６ｃと一対一
に接続するビアホール導体６ｚ・・・が形成されてい
る。尚、ビアホール導体６ｚ・・・は、第１のアース導
体膜５と短絡しないように、その一部５ａ〜５ｃが除去
されている。

【００３２】また、図１には示していないが、第１のア
ース導体膜５と第２のアース導体膜７とは、ビアホール
導体や多層基板の端面を利用して互いに電気的に接続さ
れている。

【００３３】以上の構成によって、各容量電極パターン
６ａ〜６ｃと第１、第２のアース導体膜５、７との間
（誘電体層１ｂ、１ｃの厚み）で比較的大きな容量が発
生し、マイクロストリップ導体２及びスタブ導体３ａ〜
３ｅでインダクタンス成分が発生し、これによりＬ−Ｃ
共振回路が達成される。実際には容量成分はコンデンサ
Ｃ₄に相当する容量電極パターン６ａ〜６ｃで発生する
容量以外に、コンデンサＣ₂〜Ｃ₃、Ｃｖの各容量とが
合成され、共振回路のＣ成分となる。

【００３４】次に、共振周波数の調整について説明す
る。共振周波数の調整方法としては、粗調整方法、微調
整方法のを単独または併用して行う。

【００３５】粗調整方法は、トリミング導体４ａ〜４ｃ
を順次切断することによって達成される。例えば、トリ
ミング導体を何れも切断しない場合は、図２の特性図の
点Ａ₄の周波数の変化の状態である。

【００３６】次に、容量電極パターン６ａ〜６ｃと接続
するトリミング導体４ａ〜４ｃの１つ、例えば４ａのみ
を切断すると、周波数が９ＭＨｚ上昇して、点Ｂ₄のよ
うになる。同様に、トリミング導体４ａ〜４ｃをさらに
１つのトリミング導体４ｂを切断する（切断したトリミ
ング導体は４ａ、４ｂ）と、さらに周波数が９ＭＨｚ上
昇して点Ｃ₄となり、全てのトリミング導体４ａ〜４ｃ
を切断すると、点Ｄ₄となる。

【００３７】これは、共振周波数の変化に大きく影響を
及ぼす、基板１の内部に形成した比較的大きな容量が順
次減少するためである。

【００３８】微調整方法は、マイクロストリップ導体２
の一端に形成した複数のスタブ導体３ａ〜３ｄの中心部
分を順次切断することによって行われる。これによっ
て、Ｌ−Ｃ共振回路のＬ成分が変化して共振周波数が減
少する。尚、スタブ導体３ｅはビアーホール導体３ｚが
形成されており、このスタブ導体３ｅを切断することに
よって、このビアーホール導体３ｚに影響を与え、マイ
クロストリップ導体２とアース導体５との接続が断線し
てしまうことを考慮して、スタブ導体３ｅを切断の対象
としていないが、ビアーホール導体３ｚの形成位置など
をよって、スタブ導体３ｅを切断の対象としてもよい。

【００３９】例えば、トリミング導体４ａ〜４ｃのいず
れも切断していない状態（点Ａ_Oの共振周波数に相当）
で、スタブ導体３ａ〜３ｄを順次切断すると、図２にお
ける点Ａ_Oから点Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃、Ａ₄と周波数が約
２．２ＭＨｚづつ減少する。

【００４０】同様に、トリミング導体４ａ〜４ｃの１つ
のみが切断された状態（点Ｂ_Oの共振周波数に相当）
で、スタブ導体３ａ〜３ｄを順次切断すると、図２にお
ける点Ｂ_Oから点Ｂ₁、Ｂ₂、Ｂ₃、Ｂ₄と周波数が徐
々に減少する。同様に、トリミング導体４ａ〜４ｃの２
つのみが切断された状態（点Ｃ_Oの共振周波数に相当）
で、スタブ導体３ａ〜３ｄを順次切断すると、点Ｃ_Oか
ら点Ｃ₁、Ｃ₂、Ｃ₃、Ｃ₄と周波数が徐々に減少し、
トリミング導体４ａ〜４ｃが全て切断された状態で、ス
タブ導体３ａ〜３ｄを順次切断すると、点Ｄ_Oから点Ｄ
₁、Ｄ₂、Ｄ₃、Ｄ₄と周波数が徐々に減少することに
なる。

【００４１】即ち、予め共振回路を設計する場合、制御
電圧−発振周波数のばらつきを想定して、共振周波数を
例えば、点Ａ₄〜点Ｄ_Oの範囲に設定しておき、任意の
スタブ導体３ａ〜３ｄの切断、任意のトリミング導体４
ａ〜４ｃの切断、また両者の組み合わせによって、所望
の周波数に調整することができる。

【００４２】また、粗調整用の調整は周波数調整幅を広
くすることに大きく寄与でき、目的とする周波数に迅速
に到達することができ、しかも、スタブ導体３ａ〜３ｄ
との組み合わせによって精度の高い調整が可能となる。

【００４３】尚、スタブ導体３ａ〜３ｄを全て切断した
時の周波数変化量を、トリミング導体４ａ〜４ｃの１つ
を切断した時の変化量とすれば、スタブ導体３ａ〜３ｄ
の切断による変化量分に対応する精度高い調整が、周波
数調整の全ての領域で行うことができる。

【００４４】また、構造的には、誘電体多層回路基板１
の表面には、マイクロストリップ導体２及び切断の対象
となるスタブ導体３ａ〜３ｅとトリミング導体４ａ〜４
ｃが形成されており、基板における専有面積が比較的大
きなＬ−Ｃ共振回路の共振周波数に大きな変化率をもた
らす手段、即ち容量成分が多層回路基板１の内部に形成
されている。

【００４５】このため、スタブ導体３ａ〜３ｅとトリミ
ング導体４ａ〜４ｃなどの切断処理、具体的にはレーザ
ー照射などの光学的な処理、サンドブラスト、罫欠きな
どの機械的な処理を多層回路基板１の表面のみで行える
ため、実際の調整が非常に簡単となり、Ｌ−Ｃ共振回路
の共振周波数に大きな変化率をもたらす手段が多層回路
基板１の内部に形成されていることから、この必要面積
が基板１の表面になんら影響を与えず、共振回路全体を
小型化することができる。

【００４６】次に、上述の共振回路の製造方法を簡単に
説明する。

【００４７】まず、各誘電体層１ａ〜１ｄとなる誘電体
セラミックグリーンシートを用意する。次に、各グリー
ンシートのビアホール導体となる位置にパンチング加工
によりスルーホールを形成する。

【００４８】次に、各誘電体層１ａ〜１ｃのスルーホー
ル内に、Ａｇ、Ｃｕなどの低抵抗導体材料を主成分とす
る導電性ペーストを充填を行う。さらに、各誘電体層１
ｂ〜１ｄ上に、Ａｇ、Ｃｕなどの低抵抗導体材料を主成
分とする導電性ペーストをスクリーン印刷によって第１
のアース導体５となる導体膜、容量電極パターン６ａ〜
６ｃに相当する導体膜、第２のアース導体７となる導体
膜を形成する。

【００４９】次に、各グリーンシートを順次積層し、熱
圧着を行い、所定形状に分割するための分割溝を形成す
る。

【００５０】次に、このグリーンシートの積層体を焼成
する。尚、上述の導電性ペーストにＡｇ系導体を用いた
場合、大気雰囲気や中性雰囲気で、Ｃｕ系導体を用いた
場合、還元性雰囲気や中性雰囲気で焼成処理を行う。

【００５１】次に、焼成された積層体の表面に、マイク
ロストリップ導体２となる導体膜、スタブ導体３ａ〜３
ｅとなる導体膜、トリミング導体４ａ〜４ｃとなる導体
膜を上述の導電性ペーストを用いて被着形成し、焼きつ
け処理を行う。

【００５２】最後に、分割溝に沿って所定形状に分割処
理して、多層回路基板が達成する。

【００５３】尚、表面の各導体膜の被着形成を、グリー
ンシートの積層後に行い、グリーンシートの積層体と一
括的に焼成処理しても構わない。また、この基板上に他
の電子部品を搭載させる場合、マイクロストリップ導体
２となる導体膜、スタブ導体３ａ〜３ｅとなる導体膜、
トリミング導体４ａ〜４ｃとなる導体膜を形成すると同
時に所定配線パターンを形成して、分割処理する前後に
各種電子部品を半田接合することもできる。

【００５４】尚、上述の実施例において、コンデンサＣ
₄に相当する容量は、容量電極パターン６ａ〜６ｃと対
向する第１のアース導体５及び第２のアース導体７との
間で発生する容量の合成であるが、容量電極パターン６
ａ〜６ｃと対向するアース導体として、容量電極パター
ン６ａ〜６ｃの形状を大きくする必要があるが、一方の
みのアース導体としても構わない。特に、第１のアース
導体５は、マイクロストリップ導体２と容量電極パター
ン６ａ〜６ｃとが直に対向することを遮断することにも
作用しているので、第１のアース導体５を省略する場合
には、マイクロストリップ導体２と容量電極パターン６
ａ〜６とが対向しないようするため、基板形状が大きく
なること、また、マイクロストリップ導体２と第２のア
ース導体７との間隔が増加することによる特性の変化し
てしまうことなどを考慮すれば、省略することのできる
アース導体は、第２のアース導体７が望ましい。

【００５５】次に、第２の発明を図３に基づいて説明す
る。

【００５６】第１の発明は、周波数の微調整をスタブ導
体による主にＬ成分で、周波数の粗調整をＣ成分で行っ
ているが、本実施例では、両調整をＣ成分で行うもので
ある。

【００５７】その構造は、図３に示すように、マイクロ
ストリップ導体２の一端に互いに噛み合う一対の櫛歯状
の容量電極パターン３１、３２が形成されている。ま
た、マイクロストリップ導体２の一端に接続する容量電
極パターン３１から延びるようにトリミク電極４ａ〜４
ｃが形成されている。尚、トリミク電極４ａ〜４ｃは、
第１の発明と同様に、内部に形成された容量電極パター
ン６ａ〜６ｃにビアホール導体６ｚ・・を介して接続さ
れている。

【００５８】一対の櫛歯状の容量電極パターン３１、３
２は、夫々の容量電極パターン３１、３２から延びる櫛
歯電極指３１ａ、３１ｂ・・・、３２ａ、３２ｂ・・・
どうしが対向して、その対向距離、対向間隔に対応して
所定容量が発生する。この容量は、多層回路基板１の内
部で発生する容量、即ち容量電極パターン６ａ、６ｂ、
６ｃと第１及び第２のアース導体５、７に誘電体層１
ｂ、１ｃを介して発生する容量に比較して、非常に小さ
い容量となる。

【００５９】従って、各櫛歯電極指３１ａ、３１ｂ・・
・、３２ａ、３２ｂ・・・やその基部をレーザー照射な
どの光学的的な切断処理、サンドブラスト、罫欠き処理
などの機械的な切断処理によって、順次切断することに
より、容量成分の微小な変化が達成できる。

【００６０】尚、この実施例では、粗調整及び微調整の
両方をＣ成分の変化によっておこなっているため、粗調
整及び微調整では、共振周波数が上昇する方向となる。

【００６１】従って、粗調整において、トリミング導体
４ａ〜４ｃを全く切断していない場合は、図２の点Ａ₄
に相当して、１つのトリミング導体例えば４ａを切断す
ることにより、点Ｂ₄に共振周波数が上昇し、２つのト
リミング導体例えば４ａ、４ｂを切断することにより、
点Ｃ₄に共振周波数が上昇し、全てのトリミング導体例
えば４ａ〜４ｃを切断することにより、点Ｄ₄に共振周
波数が上昇する。

【００６２】また、微調整において、点Ａ₄、点Ｂ₄、
点Ｃ₄、点Ｄ₄を切片として、櫛歯電極指３１ａ、３１
ｂ・・・、３２ａ、３２ｂ・・・を順次切断することに
より、微調整用の容量成分が減少して、合成容量が順次
減少していく。即ち、例えば粗調整終了後、点Ａ₄の共
振周波数が、点Ａ₃、点Ａ₂、点Ａ₁、点Ａ_Oと共振周
波数を順次上昇させることができ、同様に、点Ｂ₄の共
振周波数を点Ｂ₃、点Ｂ₂、点Ｂ₁、点Ｂ_Oと、点Ｃ₄
の共振周波数を点Ｃ₃、点Ｃ₂、点Ｃ₁、点Ｃ_Oと、点
Ｄ₄の共振周波数を点Ｄ₃、点Ｄ₂、点Ｄ₁、点Ｄ_Oと
共振周波数を順次上昇させることができる。

【００６３】従って、この各櫛歯電極指３１ａ、３１ｂ
・・・、３２ａ、３２ｂ・・・のみの切断、トリミング
導体４ａ〜４ｃのみの切断、さらに両者の切断によって
周波数の可変幅を広くして、且つ精度の高い、迅速な調
整が達成される。

【００６４】また、構造的には、第１の発明と同様に、
誘電体多層回路基板１の表面には、マイクロストリップ
導体２及び切断の対象となる一対の櫛歯状の容量電極パ
ターン３１、３２とトリミング導体４ａ〜４ｃが形成さ
れており、粗調整用容量成分が多層回路基板１の内部に
形成されている。このため、櫛歯状の容量電極パターン
３１、３２とトリミング導体４ａ〜４ｃなどの切断処理
などを多層回路基板１の表面のみで行えるため、実際の
調整が非常に簡単となる。

【００６５】また、共振回路全体を小型化することがで
きる。

【００６６】次に、第３の発明を図４に基づいて説明す
る。

【００６７】第１、第２の発明において、周波数の微調
整のための手段が基板１の表面に形成されており、周波
数の粗調整のための手段が基板１の内部に形成されてい
るが、本実施例では、両調整をＣ成分で、且つその容量
を全て基板１の内部で発生している。

【００６８】その構造は、図４に示すように、誘電体層
１ｃ上には、比較的大きな容量を発生させるための大き
い面積の容量電極パターン６ａ〜６ｃ（便宜的に第１の
容量電極パターンという）が形成されているとともに、
比較的小さな容量を発生させるための小さな面積の第２
の容量電極パターン３３ａ〜３３ｄが形成されている。
尚、第２の容量電極パターン３３ａ〜３３ｄの面積は、
夫々の面積の合計が１つの第１の容量電極パターンと略
等しく、個々の第２の容量電極パターン３３ａ〜３３ｃ
の面積は、その合成した面積を第２の容量電極パターン
３３ａ〜３３ｄの数、例えば４つで均等に分割した面積
に相当する。

【００６９】また、基板１の表面には、マイクロストリ
ップ導体２、該マイクロストリップ導体２の一端に接続
し、第１のトリミング導体４ａ〜４ｃ、第２のトリミン
グ導体３４ａ〜３４ｄが形成されている。尚、第１のト
リミング導体４ａ〜４ｃはビアホール導体６ｚを介して
第１の容量電極パターン６ａ〜６ｃに接続し、第２のト
リミング導体３４ａ〜３４ｄは、ビアホール導体３４ｚ
・・・を介して第２の容量電極パターン３３ａ〜３３ｄ
に接続する。

【００７０】即ち、第２のトリミング導体３４ａ〜３４
ｄを順次切断することにより、周波数の微調整が可能と
なり、第１のトリミング導体４ａ〜４ｃを順次切断する
ことにより、周波数の粗調整が可能となり、結果とし
て、第１の発明や第２の発明同様に、周波数の可変幅を
広くして、且つ精度の高い、迅速な調整が達成される。

【００７１】また、構造的には、第１の発明、第２の発
明と同様に、多層回路基板１の表面には、マイクロスト
リップ導体２及び切断の対象となる第１のトリミング導
体４ａ〜４ｃと第２のトリミング導体３４ａ〜３４ｄと
が形成されており、特に、Ｌ−Ｃ共振回路の共振周波数
に大きな変化率をもたらす手段、即ち容量成分が多層回
路基板１の内部に形成されている。このため、第１のト
リミング導体４ａ〜４ｃ、第２のトリミング導体３４ａ
〜３４ｄなどの切断処理などを多層回路基板１の表面の
みで行えるため、実際の調整が非常に簡単となる。ま
た、Ｌ−Ｃ共振回路の共振周波数に大きな変化率をもた
らす手段、即ち大きな面積を必要とする手段が多層回路
基板１の内部に形成されていることから、この必要面積
が基板１の表面になんら影響を与えず、共振回路全体を
小型化することができる。

【００７２】尚、本実施例において、各容量電極パター
ン６ａ〜６ｃ、３３ａ〜３３ｄが同一誘電体層間、即ち
１ｂと１ｃに形成されているが、夫々を異なる層間に形
成してもよい。この時、誘電体層の全体の層数が５層、
６層となることもある。

【００７３】また、上述の各実施例において、共振回路
基板は電圧制御発振器を用いるものとして説明している
が、共振回路を用いる全ての機器、例えばフィルタ部品
などにも広く用いることができる。

【００７４】また、上述の実施例において、Ｌ−Ｃ共振
回路のインダクタンス成分をマイクロストリップ導体に
よって発生しているが、マイクロストリップ導体に替え
てコイルパターン導体としても構わない。

【００７５】

【発明の効果】以上、本発明の第１乃至第３の発明によ
れば、Ｌ−Ｃの共振回路の周波数を調整する手段とし
て、微調整用手段と粗調整用手段が併用されているた
め、周波数の可変範囲が広く、精度の高い、且つ迅速な
調整が可能となる。

【００７６】しかも、特に基板での占有面積が大きくな
る粗調整用手段を多層回路基板の内部、即ち容量電極パ
ターンとアース導体膜との間の容量で発生させているの
で、基板の平面面積が増大することを抑えることがで
き、基板の小型化が達成できる。

【００７７】結局、このような共振回路基板を用いて例
えば電圧制御発振器を構成した場合、共振特性のばらつ
きがなく、小型で高性能の電圧制御発振器となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明の共振回路基板の分解斜視図であ
る。

【図２】第１の発明の共振回路基板による周波数の調整
度合いを示す特性図である。

【図３】第２の発明の共振回路基板の分解斜視図であ
る。

【図４】第３の発明の共振回路基板の分解斜視図であ
る。

【図５】一般的な電圧制御発振器の回路構成を説明する
回路図である。

【図６】（ａ）は従来の共振回路基板の平面図であり、
（ｂ）は従来の他の共振回路基板の平面図である。

【符号の説明】

Ｘ・・・・共振回路部Ｙ・・・・負性抵抗回路部Ｚ・・・・増幅回路部ＳＬ₁、ＳＬ₂、ＳＬ₂・・マイクロストリップ線路Ｃｖ・・・・・・・・・・・可変容量ダイオードＣ₁〜Ｃ₁₁ ・・・・・・・コンデンサＲ₁〜Ｒ₄ ・・・抵抗１・・・・・・多層回路基板１ａ〜１ｃ・・誘電体層２・・・・マイクロストリップ導体３ａ〜３ｅ・・スタブ導体３１〜３２・・櫛歯状の容量電極パターン３３ａ〜３３ｄ・・第２のトリミング導体４ａ〜４ｃ・・・トリミング導体５・・・・第１のアース導体６ａ〜６ｃ・・・容量電極パターン３４ａ〜３４ｄ・・第２の容量電極パターン７・・・・第２の導体パターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の誘電体層と、該誘電体層の第１の
層間に配置したアース導体層と、該誘電体層の第２の層
間に該アース導体層と対向するように配置した容量電極
パターンとから成る多層回路基板の表面に、インダクタ
ンス発生導体と、該インダクタンス発生導体の線路長を
調整するための複数のスタブ導体と、前記インダクタン
ス発生導体及び前記容量電極パターンに接続するトリミ
ング導体を形成したことを特徴とする共振回路基板。
【請求項２】複数の誘電体層と、該誘電体層の第１の
層間に配置したアース導体層と、該誘電体層の第２の層
間に該アース導体層と対向するように配置した容量電極
パターンとから成る多層回路基板の表面に、インダクタ
ンス発生導体と、容量の調整が可能な可変容量手段と、
前記可変容量手段及び前記容量電極パターンに接続する
トリミング導体を形成したことを特徴とする共振回路基
板。
【請求項３】複数の誘電体層から成る多層回路基板内
に、アース導体層を配置し、該アース導体層と対向し
て、異なる容量を発生する複数の容量電極パターンを配
置するとともに、前記多層回路基板の表面に、インダク
タンス発生導体と該インダクタンス発生導体及び複数の
容量電極パターンに接続するトリミング導体を形成した
ことを特徴とする共振回路基板。