JPH1067575A - Ａｌｃの製造方法 - Google Patents
Ａｌｃの製造方法Info
- Publication number
- JPH1067575A JPH1067575A JP22231996A JP22231996A JPH1067575A JP H1067575 A JPH1067575 A JP H1067575A JP 22231996 A JP22231996 A JP 22231996A JP 22231996 A JP22231996 A JP 22231996A JP H1067575 A JPH1067575 A JP H1067575A
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B28/00—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements
- C04B28/18—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing mixtures of the silica-lime type
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡＬＣパネルの亀裂発生を減少させ、製品歩
留まりを向上する原料石膏の選択条件を提供する。 【解決手段】 珪酸質原料と石灰質原料と石膏と発泡剤
に水を加えた原料スラリーを型枠に注入した後、形成さ
れた半硬化体を切断し、高温高圧水蒸気養生を行う方法
に於いて、上記石膏が粒径２５〜２００μｍであるもの
を使用する。
留まりを向上する原料石膏の選択条件を提供する。 【解決手段】 珪酸質原料と石灰質原料と石膏と発泡剤
に水を加えた原料スラリーを型枠に注入した後、形成さ
れた半硬化体を切断し、高温高圧水蒸気養生を行う方法
に於いて、上記石膏が粒径２５〜２００μｍであるもの
を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＡＬＣの製造方法に
関し、より詳しくは使用原料の石膏の選択条件に関す
る。
関し、より詳しくは使用原料の石膏の選択条件に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＡＬＣは以下の方法で製造されている。
珪石などの珪酸質原料粉末とセメント、生石灰などの石
灰質原料粉末と、石膏および発泡剤とに水を加えた原料
スラリーを平型の型枠内に注入し、発泡、半硬化させ、
さらに、半硬化体を脱型し所定の形に切断した後、オー
トクレーブに移して高温高圧水蒸気養生を行う方法であ
る。ところでオートクレーブでの高温高圧水蒸気養生に
より、半硬化体が硬化し、ＡＬＣとなるが、その過程に
おいて半硬化体の側面に水平方向の亀裂が発生する。
珪石などの珪酸質原料粉末とセメント、生石灰などの石
灰質原料粉末と、石膏および発泡剤とに水を加えた原料
スラリーを平型の型枠内に注入し、発泡、半硬化させ、
さらに、半硬化体を脱型し所定の形に切断した後、オー
トクレーブに移して高温高圧水蒸気養生を行う方法であ
る。ところでオートクレーブでの高温高圧水蒸気養生に
より、半硬化体が硬化し、ＡＬＣとなるが、その過程に
おいて半硬化体の側面に水平方向の亀裂が発生する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】いままでは原料スラリ
ーが発泡、半硬化する時の温度、脱型までの時間などの
操業条件のコントロールによって亀裂の発生を減少させ
る対策が実施されてきたが、オートクレーブでの高温高
圧水蒸気養生中に発生する亀裂を原料面での石膏に主眼
をおいて、ＡＬＣの亀裂を減少させる対策はほとんど見
いだされていない。そこで本発明の目的はＡＬＣの原料
と亀裂との関係を調査し、この亀裂を減少させることで
ある。
ーが発泡、半硬化する時の温度、脱型までの時間などの
操業条件のコントロールによって亀裂の発生を減少させ
る対策が実施されてきたが、オートクレーブでの高温高
圧水蒸気養生中に発生する亀裂を原料面での石膏に主眼
をおいて、ＡＬＣの亀裂を減少させる対策はほとんど見
いだされていない。そこで本発明の目的はＡＬＣの原料
と亀裂との関係を調査し、この亀裂を減少させることで
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的のた
め、珪酸質原料と石灰質原料と石膏と発泡剤に水を加え
た原料スラリーを型枠に注入した後、形成された半硬化
体を切断し、高温高圧水蒸気養生を行う方法において、
上記の石膏が粒径２５〜２００μｍであるものを使用す
ることを特徴とする。望ましくは粒径７５〜２００μｍ
の石膏を使用する。石膏の２５μｍ、７５μｍの粒径の
範囲は、篩いにより分級すれば良い。
め、珪酸質原料と石灰質原料と石膏と発泡剤に水を加え
た原料スラリーを型枠に注入した後、形成された半硬化
体を切断し、高温高圧水蒸気養生を行う方法において、
上記の石膏が粒径２５〜２００μｍであるものを使用す
ることを特徴とする。望ましくは粒径７５〜２００μｍ
の石膏を使用する。石膏の２５μｍ、７５μｍの粒径の
範囲は、篩いにより分級すれば良い。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の方法によれば、石膏の結
晶粒径が２５μｍ未満の細粒であると、オートクレーブ
での高温高圧水蒸気養生での半硬化体の膨張収縮の挙動
が大きくなり、さらに半硬化体の上面と内部に温度差が
生じることによって、上面と内部の膨張収縮の挙動が異
なるようになる。そして半硬化体内部に歪が生じ、その
側面に亀裂が発生する。そこで２５μｍ以上の粒径の石
膏を使用することにより、半硬化体の膨張収縮挙動を小
さくし半硬化体内部に生じる歪を小さくさせ、亀裂の発
生を防ぎ正常な半硬化体を形成させる。２００μｍ以上
の粒径の石膏を使用する場合は、原料スラリー中で石膏
が沈降し均一な半硬化体が形成されないので、ＡＬＣの
製造には適していない。
晶粒径が２５μｍ未満の細粒であると、オートクレーブ
での高温高圧水蒸気養生での半硬化体の膨張収縮の挙動
が大きくなり、さらに半硬化体の上面と内部に温度差が
生じることによって、上面と内部の膨張収縮の挙動が異
なるようになる。そして半硬化体内部に歪が生じ、その
側面に亀裂が発生する。そこで２５μｍ以上の粒径の石
膏を使用することにより、半硬化体の膨張収縮挙動を小
さくし半硬化体内部に生じる歪を小さくさせ、亀裂の発
生を防ぎ正常な半硬化体を形成させる。２００μｍ以上
の粒径の石膏を使用する場合は、原料スラリー中で石膏
が沈降し均一な半硬化体が形成されないので、ＡＬＣの
製造には適していない。
【０００６】
【実施例】結晶粒径が７５〜２００μｍ以上の石膏Ａ、
結晶粒径が２５〜７５μｍの石膏Ｂ、２５μｍ未満の石
膏Ｃについて、原料配合あたり８％で珪酸質原料、石灰
質原料との混合スラリーにして半硬化体を形成させ、オ
ートクレーブでの高温高圧水蒸気養生をした。その際、
それぞれの半硬化体に埋め込み型歪センサー（東京測器
研究所（株）製ＫＭ−１００ＨＢ）を設置しオートクレ
ーブでの高温高圧水蒸気養生中の半硬化体の膨張収縮挙
動を測定した。その結果を図１に示す。これは水蒸気養
生中の常温から１８０℃の半硬化体の膨張収縮挙動であ
る。半硬化体はおよそ８０℃あたりから大きく膨張しは
じめ、およそ１２５℃付近で最大値を示し、その後急激
に収縮して１４０℃付近で最小値を有し、そして再度膨
張する。半硬化体の温度が１８０℃でトバモライトが発
生するまでに前記の亀裂の発生機構において半硬化体内
部に歪が生じることが推測される。よってオートクレー
ブでの高温高圧水蒸気養生中に半硬化体に亀裂が発生す
ることがわかる。表１に石膏Ａ、石膏Ｂ、石膏Ｃをそれ
ぞれ使用した半硬化体の膨張収縮率を、常温から１２５
℃付近までの初期の膨張率、その後の１２５〜１４０℃
付近までの収縮率、１４０〜１８０℃付近までの２度目
の膨張率として示す。
結晶粒径が２５〜７５μｍの石膏Ｂ、２５μｍ未満の石
膏Ｃについて、原料配合あたり８％で珪酸質原料、石灰
質原料との混合スラリーにして半硬化体を形成させ、オ
ートクレーブでの高温高圧水蒸気養生をした。その際、
それぞれの半硬化体に埋め込み型歪センサー（東京測器
研究所（株）製ＫＭ−１００ＨＢ）を設置しオートクレ
ーブでの高温高圧水蒸気養生中の半硬化体の膨張収縮挙
動を測定した。その結果を図１に示す。これは水蒸気養
生中の常温から１８０℃の半硬化体の膨張収縮挙動であ
る。半硬化体はおよそ８０℃あたりから大きく膨張しは
じめ、およそ１２５℃付近で最大値を示し、その後急激
に収縮して１４０℃付近で最小値を有し、そして再度膨
張する。半硬化体の温度が１８０℃でトバモライトが発
生するまでに前記の亀裂の発生機構において半硬化体内
部に歪が生じることが推測される。よってオートクレー
ブでの高温高圧水蒸気養生中に半硬化体に亀裂が発生す
ることがわかる。表１に石膏Ａ、石膏Ｂ、石膏Ｃをそれ
ぞれ使用した半硬化体の膨張収縮率を、常温から１２５
℃付近までの初期の膨張率、その後の１２５〜１４０℃
付近までの収縮率、１４０〜１８０℃付近までの２度目
の膨張率として示す。
【０００７】
【表１】
【０００８】この結果から石膏Ａを使用した半硬化体は
初期の膨張率が小さく、その後の収縮率も小さい。収縮
率は−０．０５％まで収縮している。石膏Ｃを使用した
半硬化体は初期の膨張およびその後の収縮が大きいこと
がわかる。収縮率は大きいが初期の膨張が大きいため
０．０５％まで収縮し、負の値には至らない。石膏Ｂを
使用した半硬化体は初期の膨張率および収縮率ともに石
膏Ａを使用した半硬化体と石膏Ｃを使用した半硬化体の
中間の値を示す。この試験においてオートクレーブでの
高温高圧水蒸気養生後に、製品の側面を観察した結果、
半硬化体Ｃには亀裂が発生していた。
初期の膨張率が小さく、その後の収縮率も小さい。収縮
率は−０．０５％まで収縮している。石膏Ｃを使用した
半硬化体は初期の膨張およびその後の収縮が大きいこと
がわかる。収縮率は大きいが初期の膨張が大きいため
０．０５％まで収縮し、負の値には至らない。石膏Ｂを
使用した半硬化体は初期の膨張率および収縮率ともに石
膏Ａを使用した半硬化体と石膏Ｃを使用した半硬化体の
中間の値を示す。この試験においてオートクレーブでの
高温高圧水蒸気養生後に、製品の側面を観察した結果、
半硬化体Ｃには亀裂が発生していた。
【０００９】
【発明の効果】本発明のＡＬＣの製造方法によれば、粒
径が２５〜２００μｍである石膏を使用すれば、望まし
くは粒径７５〜２００μｍの石膏を使用すれば、オート
クレーブでの高温高圧水蒸気養生中において、半硬化体
の膨張収縮挙動によって歪が発生して半硬化体側面に亀
裂が発生することを防ぐことができるので、ＡＬＣ製品
の生産性を向上させることができ、その効果は極めて大
きい。
径が２５〜２００μｍである石膏を使用すれば、望まし
くは粒径７５〜２００μｍの石膏を使用すれば、オート
クレーブでの高温高圧水蒸気養生中において、半硬化体
の膨張収縮挙動によって歪が発生して半硬化体側面に亀
裂が発生することを防ぐことができるので、ＡＬＣ製品
の生産性を向上させることができ、その効果は極めて大
きい。
【図１】本発明の実施例におけるオートクレーブでの高
温高圧水蒸気養生で半硬化体の温度が常温から１８０℃
に至るまでの半硬化体の膨張収縮率を示す。
温高圧水蒸気養生で半硬化体の温度が常温から１８０℃
に至るまでの半硬化体の膨張収縮率を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 珪酸質原料と石灰質原料と石膏と発泡剤
に水を加えた原料スラリーを型枠に注入した後、形成さ
れた半硬化体を切断し、高温高圧水蒸気養生を行う方法
において、上記の石膏が粒径２５〜２００μｍであるも
のを使用することを特徴とするＡＬＣの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22231996A JPH1067575A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | Ａｌｃの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22231996A JPH1067575A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | Ａｌｃの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1067575A true JPH1067575A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=16780503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22231996A Pending JPH1067575A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | Ａｌｃの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1067575A (ja) |
-
1996
- 1996-08-23 JP JP22231996A patent/JPH1067575A/ja active Pending
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