JPH1060633A - スパッタリングターゲットならびに半導体素子及びそれらの製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットならびに半導体素子及びそれらの製造方法Info
- Publication number
- JPH1060633A JPH1060633A JP21635196A JP21635196A JPH1060633A JP H1060633 A JPH1060633 A JP H1060633A JP 21635196 A JP21635196 A JP 21635196A JP 21635196 A JP21635196 A JP 21635196A JP H1060633 A JPH1060633 A JP H1060633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- wiring
- sputtering target
- semiconductor device
- crystal grains
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
スパッタリングターゲット、及び銅を用いたスパッタリ
ングターゲットを用いて配線された、耐酸化性、耐エレ
クトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーショ
ン性に優れた銅配線を持つ半導体素子を提供する。 【解決手段】 ガス成分を除いた純度99.9999重
量%以上の銅からスパッタリングターゲットを作成し
て、このスパッタリングターゲットを用いて成膜された
配線を、真空中又は不活性ガス雰囲気で450゜C未満
の温度の熱処理を行うことにより、配線の結晶粒を粗大
化して、粗大化した配線の結晶粒の大きさが2μm以上
にして、粗大化した配線の結晶粒の幅と長さの比を6倍
以上、厚さと長さの比を2.5倍以上にする。
Description
ーゲット、及び銅からなるスパッタリングターゲットを
用いて成膜された配線を有する半導体素子に関する。
く、配線幅の微細化の実現によってLSIから超LSI
へ、さらに超々LSIへと急速に発展して、高集積化の
ために配線幅の微細化が進んでいる。64メガビット以
上のDRAM等の、線幅0.3μm以下の微細加工を必
要とする次世代LSIの配線材料として、とりわけ銅
(Cu)が有力視されている。
SIの配線材料としては、Al合金の薄膜が広く利用さ
れているが、Al合金による配線は純金属Alと比較し
て比抵抗が高く、さらにエレクトロマイグレーションや
ストレスマイグレーションによる断線、コンタクト部で
のSiの析出、熱処理によるヒロックの発生等がおこっ
ている。このようなAl合金に代わる配線材料として銅
が検討されており、銅はAlに比べて電気抵抗が低いの
で電流密度を大きくとることができ、かつ融点が400
゜C以上高いことからエレクトロマイグレーション性が
高いが、銅配線は耐酸化性が低いので層間絶縁膜堆積時
に配線の内部まで酸化が進行し電気抵抗が増大する傾向
がある。
87173号では、銅の酸化温度より低い温度で、銅配
線膜を覆うように酸素含有絶縁膜を付着させて、銅の高
温処理時の酸化を防ぐ方法が示されている。また、特開
平3−166731号には、銅膜を被着後熱処理するこ
とで結晶粒径を巨大化して銅の耐酸化性を向上させる技
術が開示されている。さらに、特開平5−47760号
には、電気陰性度の異なる元素を添加した銅合金を用い
て成膜する技術が示されている。
れているように、銅にTi、Znを微量元素として添加
することも有効であり、例えば、Tiの添加には、耐食
性、素子基板への付着強度増、耐エレクトロマイグレー
ション性増の効果がある。
術においては、添加金属を均一に分散させることが必要
であり、そのために例えば純度99.9999重量%の
銅にTiを添加したスパッタリングターゲットを作成す
る場合では、鋳塊を急冷して添加元素の析出を防止しな
ければならない。このためには急冷可能な連続鋳造装置
等を必要とした。またTiの純度が99.99重量%と
低いために意図しない不純物の混入を招き、薄膜の特性
制御が難しいという問題があった。
の技術改良がなされているが多くの課題が残されており
十分満足できるものではなかった。
れたものであり、純度99.9999重量%以上の銅か
らなるスパッタリングターゲット、及び銅を用いたスパ
ッタリングターゲットを用いて配線された、耐酸化性、
耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレ
ーション性に優れた銅配線を持つ半導体素子を提供する
ことを目的とする。
タリングターゲットは、銅からなるスパッタリングター
ゲットであって、酸素(O)、窒素(N)、及び炭素
(C)と水素(H)のガス成分を除いた純度99.99
99重量%以上の銅からなることを特徴とする。
に記載のスパッタリングターゲットを用いて成膜された
配線を有することを特徴とする。
るスパッタリングターゲットを用いて成膜された配線を
有する半導体素子であって、真空中又は不活性ガス雰囲
気で450゜C未満の温度の熱処理で配線の結晶粒を粗
大化したことを特徴とする。
と請求項3の双方の特徴を同時に兼ね備えたことを特徴
とする。
の半導体素子において、粗大化した配線の結晶粒の大き
さが2μm以上であることを特徴とする。
に記載の半導体素子において、粗大化した配線の結晶粒
の長さ/幅の値が6以上であり、長さ/厚さの値が2.
5以上であることを特徴とする。
トの製造方法は、酸素(O)、窒素(N)、及び炭素
(C)と水素(H)のガス成分を除いた純度99.99
99重量%以上の銅を真空中又は不活性ガス雰囲気中で
溶解する溶解工程と、溶解した銅を真空中又は不活性ガ
ス雰囲気中で鋳造する鋳造工程とを有することを特徴と
する。
は、請求項1に記載のスパッタリングターゲットを用い
て配線を成膜する配線工程を有することを特徴とする。
は、銅からなるスパッタリングターゲットを用いて配線
を成膜する配線工程を有する半導体素子の製造方法であ
って、真空中又は不活性ガス雰囲気中で、450゜C未
満の温度で配線の結晶粒を粗大化する熱処理工程を有す
ることを特徴とする。
は、請求項8と請求項9の双方の特徴を同時に兼ね備え
たことを特徴とする。
記載の半導体素子の製造方法において、配線の結晶粒の
大きさが2μm以上になるまで粗大化を行うことを特徴
とする。
れかに記載の半導体素子の製造方法において、配線の結
晶粒の長さ/幅の値が6以上、且つ、長さ/厚さの値が
2.5以上になるまで粗大化を行うことを特徴とする。
配線膜の酸化進行メカニズムを調査した結果、結晶粒界
より酸化が進行していくこと、及び高純度銅の特徴の一
つである低い再結晶温度と結晶粒の粗大化効果を利用し
た擬似的な単結晶もしくは結晶粒の粗大化した結晶を有
する配線は耐酸化性が高いことが分かった。
99.9999重量%以上の銅からなるスパッタリング
ターゲットをスパッタ法により素子に成膜された銅配線
は、真空もしくは不活性ガス中で450゜C未満の温度
で熱処理すことで配線中の結晶粒を成長させることによ
り、耐酸化性、耐エレクトロマイグレーション性、及び
耐ストレスマイグレーション性に優れた特性を示すよう
になる。
法により作成する。
純度99.9999重量%以上のものを用いる。この理
由はこの純度より低いものを用いると、微量不純物が作
用して所定の効果が得られなくなるからである。また、
これらに微量不純物として含まれるものは溶解以降の処
理では除去することができないからである。
H)を除くのは、通常の純度を示すファイブナインすな
わち99.999重量%やシックスナイン99.999
9重量%と表示される純度には、金属中に含有されるガ
ス成分、例えばOであれば酸素ガス、酸化物を構成する
O分、Cであれば炭化物、ガス、炭化水素、Sであれば
S硫化物、亜硫酸過物、ガス、Hであれば水、ガス、ア
ンモニアガス、水素化物等が挙げられるがこれらのガス
成分は通常分析されず、金属成分の分析結果から純度が
表示されるため、実際の純度は不明となっている。従っ
て、本明細書においては、ガス成分(O,N,C,H)
を除いた純度で表すことにした。
1424号に記載の連続鋳造方法が利用できるが、溶解
を単独で行ってから鋳造を後で行うバッチ方式を用いて
もよく、溶解時の不純物の混入を避けるために不純物の
混入対策を講じた溶解炉や鋳造炉であれば使用できる。
は真空中とする。これは銅中に存在する微量不純物の一
部が揮発除去できること、また大気中で溶解した場合雰
囲気中の酸素と反応し銅の酸化物が生成して銅を汚染す
るためである。
ス雰囲気もしくは真空中で行う必要がある。この雰囲気
は金属が凝固・冷却するまで継続させるが、冷却は急冷
や徐冷のどちらでもよいが、急冷のほうが好ましい。
必要に応じて圧延や鍛造・切削加工等の機械加工を実施
してスパッタリングターゲットとする。
膜形成処理を行う。
性ガス中で450゜C未満の温度において熱処理する。
き込みを避けるために真空中で行うか、不活性ガス中で
行うことが望ましい。
高純度アルゴンを使用した。この高純度アルゴンには、
太陽東洋酸素社製のUグレード(6N=99.9999
%、不純物0.1ppm以下)を用いた。またアルゴン
中の、O,N,C,Hの濃度をは以下の通りである。
にわずかに存在する残存酸素により、薄膜配線が酸化し
て酸化膜層を自己形成する場合がある。
とが本発明の特徴の1つである。
膨張の差に起因して配線部の剥離が生じたり、残留応力
が原因でストレスマイグレーションを引き起こしたりす
る。
下げることができるが、高純度銅を用いて成膜した配線
は銅の再結晶化が進む。
の粗大化した結晶を有する配線が得られる。
面を参照しながら詳述する。
N,C,H)を除いた純度99.9999重量%の銅か
らバッチ式鋳造炉を用いてスパッタリングターゲットを
作成して、このスパッタリングターゲットを用いて配線
した銅配線に高純度アルゴン中で100゜Cで1時間の
熱処理を行ったときの例を示すものである。
ーゲットの製造方法の処理の流れを示したフローチャー
トである。
鋳造炉の概略断面図である。以下の説明において図2の
概略断面図を参照しながら説明する。
に、ガス成分を除いた純度99.9999重量%の銅2
2を約10Kg充填した。なお、るつぼ21はあらかじ
め超高純度アルゴン雰囲気中で1500゜Cで5時間カ
ラ焼きを行ったものを使用した。
置換を数回繰り返した後、昇温・溶解を開始した。そし
て、原料の銅22が完全に溶解してから、るつぼ21の
底部から徐冷して凝固させた。得られた鋳塊は直径10
cm、厚さ14cmの円筒形をしていて、鋳塊には鋳造
欠陥がなく、鋳塊は単結晶に近いものであった。これを
原料として鍛造により厚さ3cmに加工した。
てスパッタリングターゲットに適した微細多結晶になっ
た。
した後、高純度アルゴン雰囲気中で135゜Cで30分
間焼鈍し加工歪を除去した。焼鈍後の鋳塊の結晶粒径は
1mm以下であった。次にクロス圧延をおこなって厚さ
7mmの板に加工した。得られた圧延板の表面研削及び
外形加工を行って、直径6インチ、厚さ5mmの円盤に
した。次に有機溶剤による円盤の洗浄後、希硝酸を用い
て円盤にエッチングを行いスパッタリングターゲットと
した。
グロー放電質量分析法により行った。その結果不純物金
属成分は原料の分析値と同じであり、その分析結果を図
3の表に示した。
ターゲットを用いてRFスパッタ法により幅0.3μ
m、厚さ0.8μmの銅配線を形成した。このときの成
膜条件はアルゴンガス圧力3×10-3Torr、放電電
力500Wとして、Si基板上に堆積させた。次に高純
度アルゴンガス雰囲気中で100゜Cで1時間の熱処理
を行った。この処理により銅配線の結晶粒は熱処理の前
後で0.1μmから2.1μmに変化した。
8μmのSiN膜を堆積させた。この試料について電流
密度1×106 A/cm2 、 雰囲気温度200゜Cで2
000時間の加速試験を行い断線不良率を測定した。そ
の結果試料の断線不良率は0.3%であり、その結果を
図3の表に併せて示した。
N,C,H)を除いた純度99.9999重量%の銅か
らバッチ式鋳造炉を用いてスパッタリングターゲットを
作成して、このスパッタリングターゲットを用いて配線
した銅配線に熱処理を行わなっかたときの例を示すもの
である。
ットを用いてRFスパッタ法により幅0.3μm、厚さ
0.8μmの銅配線を形成した。なお、成膜条件は実施
例1と同じである。なお、その詳細な方法は、実施例1
と同じであるので省略する。
ないままでCVD法により厚さ0.8μmのSiN保護
膜を堆積させた。この試料について電流密度1×106
A/cm2 、雰囲気温度200゜Cにて2000時間の
加速試験を行った。その結果試料の断線不良率は1.0
%であり、図3の表に併せて示した。
N,C,H)を除いた純度99.99999重量%の銅
からバッチ式鋳造炉を用いてスパッタリングターゲット
を作成して、このスパッタリングターゲットを用いて配
線した銅配線に高純度アルゴン中で100゜Cで1時間
の熱処理を行ったときの例を示すものである。
こと以外は実施例1に記載の方法と同様に行った。スパ
ッタリングターゲットの作成方法及び銅の配線方法、不
純物金属の分析方法、及び断線不良率の測定法法は、実
施例1と同じであるので省略する。
結果を図3の表に併せて示した。なお、このときのは断
線不良率は0.15%であった。
N,C,H)を除いた純度99.99999重量%の銅
から連続式鋳造炉を用いてスパッタリングターゲットを
作成して、このスパッタリングターゲットを用いて配線
した銅配線に高純度アルゴン中で100゜Cで1時間の
熱処理を行ったときの例を示すものである。
ーゲットの製造方法の処理の流れを示したフローチャー
トである。
造炉の概略断面図である。以下の説明において図4の概
略断面図を参照しながら説明する。
装置とは異なり、カーボン製るつぼ41内で溶解された
銅を整形・凝固させるための鋳型43(以下ダイスと呼
ぶ)を備えてる。
で行った。超高純度アルゴン雰囲気中で1500゜Cに
て5時間のカラ焼きを行ったるつぼ41及びダイス43
にガス成分を除いた純度99.9999重量%の銅42
を約8Kg充填した。
純度アルゴンガス置換を数回繰り返した後で行った。な
お、ダイス43内には溶湯を導く目的であらかじめダイ
ス43の寸法と同一の銅塊44(以下スターターバーと
呼ぶ)を挿入しておいた。また、スターターバーには母
材と同一のガス成分を除いた純度99.9999重量%
の無酸素銅を使用した。溶解時には水冷ジャケット45
によりスターターバー44を冷却し、溶解を防止した。
溶解した銅はダイス44内に溶湯圧(自重)により流入
し、スターターバー44に溶着する。このスターターバ
ーに溶着した銅を、引き出しロール46により、ダイス
44内で溶湯を急冷凝固させながら引き抜いた。なおこ
の時の鋳造速度は45mm/分とした。
じで厚さ15mm、幅150mm、長さ400mmであ
った。また、得られた鋳塊の結晶粒径は約1mmであ
り、実施例1〜3に示した鍛造後の加工組織と同程度で
あった。
クロス圧延により厚さ約7mmの圧延板に加工した。得
られた圧延板の表面研削及び外形加工を行って、直径6
インチ、厚さ5mmの円盤にした。次に有機溶剤による
円盤の洗浄後、希硝酸を用いて円盤にエッチングを行い
スパッタリングターゲットとした。
グロー放電質量分析法により行った。その結果不純物金
属成分の分析値は実施例1に記載したものと同じであっ
た。なお、その分析結果を図3の表に併せて示した。
ターゲットを用いてRFスパッタ法により幅0.3μ
m、厚さ0.8μmの銅配線を形成した。このときの成
膜条件はアルゴンガス圧力3×10-3Torr、放電電
力500WとしてSi基板上に堆積させた。次に高純度
アルゴンガス雰囲気中で100゜Cにて1時間の熱処理
を行った。この処理により銅配線の結晶粒は熱処理の前
後で0.1μmから2.2μmに変化した。
8μmのSiN膜を堆積させた。この試料について電流
密度1×106 A/cm2 、 雰囲気温度200゜Cにて
2000時間の加速試験を行い断線不良率を測定した。
その結果試料の断線不良率は0.3%であり、その結果
を図3の表に併せて示した。
N,C,H)を除いた純度99.99重量%の銅からバ
ッチ式鋳造炉を用いてスパッタリングターゲットを作成
して、このスパッタリングターゲットを用いて配線した
銅配線に高純度アルゴン中で100゜Cで1時間の熱処
理を行ったときの例を示すものである。
て鋳塊を作成する方法は、原料の銅の純度以外は全て実
施例1と同じであるので省略する。
工した。次に硝酸により鋳塊の表面の汚染層を除去した
後、高純度アルゴン雰囲気中で、350゜Cで30分間
焼鈍し加工歪を除去した。焼鈍後の鋳塊の結晶粒径は1
mm以下であった。(次にクロス圧延をおこなって厚さ
7mmの板に加工した。)得られた圧延板の表面研削及
び外形加工を行って、直径6インチ、厚さ5mmの円盤
にした。次に有機溶剤による円盤の洗浄後、希硝酸を用
いて円盤にエッチングを行いスパッタリングターゲット
とした。
グロー放電質量分析法により行った。その結果不純物金
属成分は原料の分析値と同じであった。なお、その分析
結果を図3の表に併せて示した。
ターゲットを用いてRFスパッタ法により幅0.3μ
m、厚さ0.8μmの銅配線を形成した。このときの成
膜条件は実施例1と同じにし、アルゴンガス圧力3×1
0-3Torr、放電電力500WとしてSi基板上に堆
積させた。次に高純度アルゴンガス雰囲気中で100゜
Cにて1時間の熱処理を行った。この熱処理前後により
銅配線の結晶粒径の変化は認められず、0.1μmから
0.2μmのままであった。
8μmのSiN膜を堆積させた。この試料について電流
密度1×106 A/cm2 、 雰囲気温度200゜Cにて
2000時間の加速試験を行い断線不良率を測定した。
その結果試料の断線不良率は3.0%であり、その結果
を図3の表に併せて示した。
したスパッタリングターゲットを用いて配線した銅配線
に高純度アルゴン雰囲気中で400゜Cで1時間の熱処
理を行ったときの例を示すものである。
ットを用いてRFスパッタ法により幅0.3μm、厚さ
0.8μmの銅配線を形成した。なお、成膜条件は実施
例1と同じである。
゜Cで1時間熱処理を行った。ここで熱処理温度を40
0゜Cにしたのは、99.99重量%の純度の銅の再結
晶温度350゜C以上での熱処理効果を確認するためで
ある。この熱処理により、銅配線の結晶粒は0.06μ
mから0.8μmに変化した。
8μmのSiN膜を堆積させた。この試料について電流
密度1×106 A/cm2 、雰囲気温度200゜Cにて
2000時間の加速試験を行い断線不良率を測定した。
その結果試料の断線不良率は2.0%であり、その結果
を図3の表に併せて示した。
N,C,H)を除いた純度99.99重量%の銅から連
続式鋳造炉を用いてスパッタリングターゲットを作成し
て、このスパッタリングターゲットを用いて配線した銅
配線に真空中で400゜Cで1時間の熱処理を行ったと
きの例を示すものである。
鋳塊を作成する方法は、原料の銅とスターターバーの銅
の純度以外は全て実施例4と同じであるので省略する。
また、スターターバーには母材と同一の99.99重量
%の無酸素銅を使用した。
ングして付着したカーボンを除去した後、クロス圧延に
より厚さ約7mmの圧延板に加工した。得られた圧延板
の表面研削及び外形加工を行って、直径6インチ、厚さ
5mmの円盤にした。次に有機溶剤による円盤の洗浄
後、希硝酸を用いて円盤にエッチングを行いスパッタリ
ングターゲットとした。
グロー放電質量分析法により行った。その測定結果を図
3の表に併せて示した。
ターゲットを用いてRFスパッタ法により幅0.3μ
m、厚さ0.8μmの銅配線を形成した。このときの成
膜条件はアルゴンガス圧力3×10-3Torr、放電電
力500WとしてSi基板上に堆積させた。次に真空中
で400゜Cで1時間の熱処理を行った。この処理によ
り銅配線の結晶粒は熱処理の前後で0.1μmから1.
0μmに変化した。
8μmのSiN膜を堆積させた。この試料について電流
密度1×106 A/cm2 、 雰囲気温度200゜Cにて
2000時間の加速試験を行い断線不良率を測定した。
その結果試料の断線不良率は2.0%であり、その結果
を図3の表に併せて示した。
限定される物ではなく、種々の変形を許容するものであ
る。
99.9999重量%と99.99999重量%の2種
の銅を使用したものを示したが、ガス成分を除いた純度
が99.9999重量%以上であれば他の純度の銅を用
いてもよい。
高純度アルゴンガスを用いたものを示したが、他の不活
性ガスを用いても同様に実施できる。
00゜Cの温度の熱処理で配線の結晶粒を粗大化したも
のを示したが、450゜C以下の温度であれば他の温度
でも同様に適用できる。
ス成分を除いた純度99.9999重量%以上の銅を原
料にすることにより、低不純物、低温での高い熱伝導
率、低抵抗等の特性を持つスパッタリングターゲットを
作成することができる。
トを用いて成膜された配線を、真空中又は不活性ガス雰
囲気で450゜C未満の温度の熱処理で配線の結晶粒を
粗大化することにより、有する半導体素子の配線の耐酸
化性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマ
イグレーション性を優れたものにすることができる。
である。
製造方法の処理の流れを示すフローチャートである。
である。
不純物金属成分の分析値及び銅配線の断線不良率を表で
示した図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 銅からなるスパッタリングターゲットで
あって、 酸素(O)、窒素(N)、及び炭素(C)と水素(H)
のガス成分を除いた純度99.9999重量%以上の銅
からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項2】 請求項1に記載のスパッタリングターゲ
ットを用いて成膜された配線を有することを特徴とする
半導体素子。 - 【請求項3】 銅からなるスパッタリングターゲットを
用いて成膜された配線を有する半導体素子であって、 真空中又は不活性ガス雰囲気で450゜C未満の温度の
熱処理で配線の結晶粒を粗大化したことを特徴とする半
導体素子。 - 【請求項4】 請求項2と請求項3の双方の特徴を同時
に兼ね備えたことを特徴とする半導体素子。 - 【請求項5】 粗大化した配線の結晶粒の大きさが2μ
m以上であることを特徴とする請求項3又は4に記載の
半導体素子。 - 【請求項6】 粗大化した配線の結晶粒の長さ/幅の値
が6以上であり、 長さ/厚さの値が2.5以上であることを特徴とする請
求項3〜5の何れかに記載の半導体素子。 - 【請求項7】 酸素(O)、窒素(N)、及び炭素
(C)と水素(H)のガス成分を除いた純度99.99
99重量%以上の銅を真空中又は不活性ガス雰囲気中で
溶解する溶解工程と、 溶解した銅を真空中又は不活性ガス雰囲気中で鋳造する
鋳造工程とを有することを特徴とするスパッタリングタ
ーゲットの製造方法。 - 【請求項8】 請求項1に記載のスパッタリングターゲ
ットを用いて配線を成膜する配線工程を有することを特
徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項9】 銅からなるスパッタリングターゲットを
用いて配線を成膜する配線工程を有する半導体素子の製
造方法であって、 真空中又は不活性ガス雰囲気中で、450゜C未満の温
度で配線の結晶粒を粗大化する熱処理工程を有すること
を特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項10】 請求項8と請求項9の双方の特徴を同
時に兼ね備えたことを特徴とする半導体素子の製造方
法。 - 【請求項11】 配線の結晶粒の大きさが2μm以上に
なるまで粗大化を行うことを特徴とする請求項9又は1
0に記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項12】 配線の結晶粒の長さ/幅の値が6以
上、 且つ、長さ/厚さの値が2.5以上になるまで粗大化を
行うことを特徴とする請求項9〜11の何れかに記載の
半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21635196A JP3819487B2 (ja) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21635196A JP3819487B2 (ja) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | 半導体素子の製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005223346A Division JP2006057178A (ja) | 2005-08-01 | 2005-08-01 | スパッタリングターゲット |
JP2006119924A Division JP4555797B2 (ja) | 2006-04-24 | 2006-04-24 | 半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1060633A true JPH1060633A (ja) | 1998-03-03 |
JP3819487B2 JP3819487B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=16687200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21635196A Expired - Fee Related JP3819487B2 (ja) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3819487B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000004203A1 (fr) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Japan Energy Corporation | Cible de pulverisation cathodique et piece pour appareil de formation de couches minces |
US6139701A (en) * | 1997-11-26 | 2000-10-31 | Applied Materials, Inc. | Copper target for sputter deposition |
US6228186B1 (en) | 1997-11-26 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Method for manufacturing metal sputtering target for use in DC magnetron so that target has reduced number of conduction anomalies |
US6315872B1 (en) | 1997-11-26 | 2001-11-13 | Applied Materials, Inc. | Coil for sputter deposition |
WO2004046415A1 (ja) | 2002-11-21 | 2004-06-03 | Nikko Materials Co., Ltd. | 銅合金スパッタリングターゲット及び半導体素子配線 |
JP2006073863A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Nikko Materials Co Ltd | 半導体用銅合金配線及びスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法 |
JP2008163373A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Digital Powder Systems Inc | 活性金属マイクロボールの製造方法及びマイクロボール |
US7740721B2 (en) | 2003-03-17 | 2010-06-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Copper alloy sputtering target process for producing the same and semiconductor element wiring |
EP2465969A2 (en) | 2002-01-30 | 2012-06-20 | JX Nippon Mining & Metals Corp. | Copper alloy sputtering target and manufacturing method of said target |
JP2014112692A (ja) * | 2013-12-27 | 2014-06-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 半導体用銅合金配線及びスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法 |
KR20180111994A (ko) | 2016-03-09 | 2018-10-11 | 제이엑스금속주식회사 | 아르곤 또는 수소를 포함하는 구리 및 구리 합금 타깃 |
-
1996
- 1996-08-16 JP JP21635196A patent/JP3819487B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6139701A (en) * | 1997-11-26 | 2000-10-31 | Applied Materials, Inc. | Copper target for sputter deposition |
US6228186B1 (en) | 1997-11-26 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Method for manufacturing metal sputtering target for use in DC magnetron so that target has reduced number of conduction anomalies |
US6315872B1 (en) | 1997-11-26 | 2001-11-13 | Applied Materials, Inc. | Coil for sputter deposition |
WO2000004203A1 (fr) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Japan Energy Corporation | Cible de pulverisation cathodique et piece pour appareil de formation de couches minces |
US9896745B2 (en) | 2002-01-30 | 2018-02-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target and method for manufacturing the target |
EP2465969A2 (en) | 2002-01-30 | 2012-06-20 | JX Nippon Mining & Metals Corp. | Copper alloy sputtering target and manufacturing method of said target |
EP1584706A4 (en) * | 2002-11-21 | 2008-08-27 | Nippon Mining Co | COPPER ALLOY SPRAY TARGET AND WIRING FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT |
US7507304B2 (en) | 2002-11-21 | 2009-03-24 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Copper alloy sputtering target and semiconductor element wiring |
EP1584706A1 (en) * | 2002-11-21 | 2005-10-12 | Nikko Materials Company, Limited | Copper alloy sputtering target and semiconductor element wiring |
US8246764B2 (en) | 2002-11-21 | 2012-08-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target and semiconductor element wiring |
WO2004046415A1 (ja) | 2002-11-21 | 2004-06-03 | Nikko Materials Co., Ltd. | 銅合金スパッタリングターゲット及び半導体素子配線 |
US10665462B2 (en) | 2002-11-21 | 2020-05-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target and semiconductor element wiring |
US7740721B2 (en) | 2003-03-17 | 2010-06-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Copper alloy sputtering target process for producing the same and semiconductor element wiring |
US9765425B2 (en) | 2003-03-17 | 2017-09-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target, process for producing the same and semiconductor element wiring |
JP2006073863A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Nikko Materials Co Ltd | 半導体用銅合金配線及びスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法 |
JP2008163373A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Digital Powder Systems Inc | 活性金属マイクロボールの製造方法及びマイクロボール |
JP2014112692A (ja) * | 2013-12-27 | 2014-06-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 半導体用銅合金配線及びスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法 |
KR20180111994A (ko) | 2016-03-09 | 2018-10-11 | 제이엑스금속주식회사 | 아르곤 또는 수소를 포함하는 구리 및 구리 합금 타깃 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3819487B2 (ja) | 2006-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3727115B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP3403918B2 (ja) | 高純度銅スパッタリングタ−ゲットおよび薄膜 | |
WO2021060023A1 (ja) | 純銅板 | |
JPH108244A (ja) | 単結晶銅ターゲットおよびその製造法とそれを用いた半導体内部配線 | |
JP7020595B2 (ja) | 純銅板 | |
JP2862727B2 (ja) | 金属薄膜形成用スパッタリング・ターゲット並びにその製造方法 | |
JP6984799B1 (ja) | 純銅板、銅/セラミックス接合体、絶縁回路基板 | |
WO2021177469A1 (ja) | 純銅板 | |
JP2003500546A (ja) | 銅スパッター用ターゲットアセンブリー及びその製造方法 | |
JP3819487B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
WO2021177461A1 (ja) | 純銅板、銅/セラミックス接合体、絶縁回路基板 | |
WO2016186070A1 (ja) | 銅合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2005330591A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP3974945B2 (ja) | チタンスパッタリングターゲット | |
JP2007063621A (ja) | スパッタリングターゲット材、スパッタリングターゲット材用アルミニウム材の製造方法及びスパッタリングターゲット材用アルミニウム材 | |
JPH11293454A (ja) | Al系スパッタリング用ターゲット材及びその製造方法 | |
JP2003243325A (ja) | 銅合金配線膜形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成した熱影響を受けることの少ない銅合金配線膜 | |
WO2020203071A1 (ja) | 銅材及び放熱部材 | |
CN104080943B (zh) | 溅镀靶 | |
WO2022004791A1 (ja) | 銅合金、銅合金塑性加工材、電子・電気機器用部品、端子、バスバー、リードフレーム、放熱基板 | |
JP4555797B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP4206403B2 (ja) | 半導体内部配線の製造方法 | |
JPH1180862A (ja) | 耐熱性に優れたリードフレーム用Cu−Fe系合金材 | |
JP2006057178A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP7205567B2 (ja) | 銅合金塑性加工材、銅合金棒材、電子・電気機器用部品、端子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050502 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050531 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060613 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060615 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060424 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090623 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090623 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130623 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |