JPH1060553A - 半導体素子の放熱板用のＣｕ−Ｗ合金基板の製造方法 - Google Patents
半導体素子の放熱板用のＣｕ−Ｗ合金基板の製造方法Info
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- JPH1060553A JPH1060553A JP8245260A JP24526096A JPH1060553A JP H1060553 A JPH1060553 A JP H1060553A JP 8245260 A JP8245260 A JP 8245260A JP 24526096 A JP24526096 A JP 24526096A JP H1060553 A JPH1060553 A JP H1060553A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱基板と半導体素子の熱膨張係数を類似に
すると共に製造コストを節減させ、特に焼結理論密度に
近接させるに好適な放熱板用Ｃｕ−Ｗ合金基板の製造方
法を提供すること。 【解決手段】 Ｗ酸化物（ＷＯｘ、ｘ＝２．０〜３．
０）とＣｕ酸化物（ＣｕｘＯ、ｘ＝１．０〜２．０）と
を機械的に高速混合する工程と、高速混合によって得ら
れた混合物を還元する工程と、還元された混合物を成型
及び焼結する工程とからなる。出発原料としてＷ酸化物
及びＣｕ酸化物を直接使用することによりコストを節減
できる。また、Ｗ酸化物及びＣｕ酸化物が機械的な高速
混合を行うことにより粉砕され、また、得られた混合物
を還元処理することによりＷとＣｕとが容易に化学的に
結合される。従って、成型及び焼結後の物性値が焼結理
論密度に近接すると共に、熱膨張係数及び熱伝導率が半
導体素子であるＳｉ、ＧａＡｓに類似して、放熱板とし
て使う際に優れた特性を有する。
すると共に製造コストを節減させ、特に焼結理論密度に
近接させるに好適な放熱板用Ｃｕ−Ｗ合金基板の製造方
法を提供すること。 【解決手段】 Ｗ酸化物（ＷＯｘ、ｘ＝２．０〜３．
０）とＣｕ酸化物（ＣｕｘＯ、ｘ＝１．０〜２．０）と
を機械的に高速混合する工程と、高速混合によって得ら
れた混合物を還元する工程と、還元された混合物を成型
及び焼結する工程とからなる。出発原料としてＷ酸化物
及びＣｕ酸化物を直接使用することによりコストを節減
できる。また、Ｗ酸化物及びＣｕ酸化物が機械的な高速
混合を行うことにより粉砕され、また、得られた混合物
を還元処理することによりＷとＣｕとが容易に化学的に
結合される。従って、成型及び焼結後の物性値が焼結理
論密度に近接すると共に、熱膨張係数及び熱伝導率が半
導体素子であるＳｉ、ＧａＡｓに類似して、放熱板とし
て使う際に優れた特性を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の放熱板
用のＣｕ−Ｗ合金基板の製造方法に係り、さらに詳しく
は半導体素子から発生する熱を放熱基板を用いて効率よ
く放熱させ、放熱基板と半導体素子との熱膨張係数を類
似にすると共に、製造コストを節減させ、特に焼結理論
密度に近接させるに好適な放熱基板の製造方法に関す
る。
用のＣｕ−Ｗ合金基板の製造方法に係り、さらに詳しく
は半導体素子から発生する熱を放熱基板を用いて効率よ
く放熱させ、放熱基板と半導体素子との熱膨張係数を類
似にすると共に、製造コストを節減させ、特に焼結理論
密度に近接させるに好適な放熱基板の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年では、ＩＣ等の半導体素子の高密度
化技術及び信号応答速度の向上に伴い、セラミックスパ
ッケ−ジに高集積、高速、大容量の半導体素子が搭載可
能になっている。このため、半導体素子の動作時にその
素子から発生する熱が増加するので、素子を正常に動作
させるためには発生する熱を容易に取り除くのが重要な
問題となっている。
化技術及び信号応答速度の向上に伴い、セラミックスパ
ッケ−ジに高集積、高速、大容量の半導体素子が搭載可
能になっている。このため、半導体素子の動作時にその
素子から発生する熱が増加するので、素子を正常に動作
させるためには発生する熱を容易に取り除くのが重要な
問題となっている。
【０００３】かかる問題点を解決するために、セラミッ
クスパッケージの半導体搭載部には放熱基板が設けられ
ているが、放熱基板は放熱効率がよく、しかも熱膨張率
が半導体素子の熱膨張率と類似でなければならない。
クスパッケージの半導体搭載部には放熱基板が設けられ
ているが、放熱基板は放熱効率がよく、しかも熱膨張率
が半導体素子の熱膨張率と類似でなければならない。
【０００４】図１は、放熱基板を備えた従来のＩＣ用の
代表的なセラミックスパッケ−ジの断面図である。この
セラミックスパッケージは、放熱基板１、アルミナより
なる多層セラミックス基板２、放熱基板１上に搭載した
ＳｉまたはＧａＡｓ半導体素子３、ピン４、ボンディン
グワイヤ５、アルミナまたはコバー(covar）よりなるリ
ッド６より構成されている。
代表的なセラミックスパッケ−ジの断面図である。この
セラミックスパッケージは、放熱基板１、アルミナより
なる多層セラミックス基板２、放熱基板１上に搭載した
ＳｉまたはＧａＡｓ半導体素子３、ピン４、ボンディン
グワイヤ５、アルミナまたはコバー(covar）よりなるリ
ッド６より構成されている。
【０００５】前述した構造において、パッケージに用い
られる放熱基板１は、平面状に形成されたり、半導体素
子３の搭載部分を高くした形状に形成されたりする。か
かる放熱基板１の材料としてはＣｕ−Ｗ合金が知られて
いるが、Ｃｕ（銅）とＷ（タングステン）とは互いに固
溶度がないので、Ｃｕ−Ｗ合金を微細な孔を有する気孔
体の毛細管現象を用いた溶浸法(Infiltration)や含浸法
(Impregnation)で製造することが、日本国特開平５−３
２６５号公報や日本国特開昭５９−１４３３４６号公報
などに開示されている。
られる放熱基板１は、平面状に形成されたり、半導体素
子３の搭載部分を高くした形状に形成されたりする。か
かる放熱基板１の材料としてはＣｕ−Ｗ合金が知られて
いるが、Ｃｕ（銅）とＷ（タングステン）とは互いに固
溶度がないので、Ｃｕ−Ｗ合金を微細な孔を有する気孔
体の毛細管現象を用いた溶浸法(Infiltration)や含浸法
(Impregnation)で製造することが、日本国特開平５−３
２６５号公報や日本国特開昭５９−１４３３４６号公報
などに開示されている。
【０００６】これらの製造方法は、Ｗ粉末を成型した後
に１次予備焼結して多空隙を有する焼結体を形成し、こ
の多空隙にＣｕを１〜５０重量％溶浸したり含浸させた
りする方法である。
に１次予備焼結して多空隙を有する焼結体を形成し、こ
の多空隙にＣｕを１〜５０重量％溶浸したり含浸させた
りする方法である。
【０００７】しかし、前述した製造方法では、正確な空
隙率を有するＷ焼結体を形成し難い。従って、合金の組
成比を正確にし難く、また製造後の合金の表面が粗く
て、後の加工が難しいという問題点がある。
隙率を有するＷ焼結体を形成し難い。従って、合金の組
成比を正確にし難く、また製造後の合金の表面が粗く
て、後の加工が難しいという問題点がある。
【０００８】一方、金属状態のＷ粉末及びＣｕ粉末を単
純混合して成型、焼結する方法が、日本国特開昭５９−
１３６９３８号公報に開示されている。
純混合して成型、焼結する方法が、日本国特開昭５９−
１３６９３８号公報に開示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】粉末冶金の液状焼結時
には、液状と固状との間に部分的に溶解度が要求され
る。
には、液状と固状との間に部分的に溶解度が要求され
る。
【００１０】しかし、前述した従来のように金属状態の
ＷとＣｕとを混合して焼結する場合は、相互溶解度が殆
どないことにより焼結理論密度が得られない。すなわ
ち、液状と固状との間の接触角が０°となるべきである
が、Ｃｕ／Ｗでは１２００℃の焼結温度で接触角が約８
°であるからである。
ＷとＣｕとを混合して焼結する場合は、相互溶解度が殆
どないことにより焼結理論密度が得られない。すなわ
ち、液状と固状との間の接触角が０°となるべきである
が、Ｃｕ／Ｗでは１２００℃の焼結温度で接触角が約８
°であるからである。
【００１１】本発明は前述した問題点を解決するために
案出されたもので、その目的は、従来とは異なり、出発
原料として酸化物を使用することによりコストダウンで
き、機械的な高速混合と還元工程を通してＣｕとＷとの
化学的な結合により焼結理論密度を得られると共に、熱
膨張率が半導体素子の熱膨張率と類似した放熱板特性を
有する基板の製造方法を提供することである。
案出されたもので、その目的は、従来とは異なり、出発
原料として酸化物を使用することによりコストダウンで
き、機械的な高速混合と還元工程を通してＣｕとＷとの
化学的な結合により焼結理論密度を得られると共に、熱
膨張率が半導体素子の熱膨張率と類似した放熱板特性を
有する基板の製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために本発明は、Ｗ酸化物（ＷＯｘ、ｘ＝２．０〜３．
０）とＣｕ酸化物（ＣｕｘＯ、ｘ＝１．０〜２．０）と
を機械的に高速混合する工程と、高速混合によって得ら
れた混合物を還元する工程と、還元された混合物を成型
及び焼結する工程とからなり、これによって半導体素子
の放熱板用のＣｕ−Ｗ合金基板を得るようにしている。
ために本発明は、Ｗ酸化物（ＷＯｘ、ｘ＝２．０〜３．
０）とＣｕ酸化物（ＣｕｘＯ、ｘ＝１．０〜２．０）と
を機械的に高速混合する工程と、高速混合によって得ら
れた混合物を還元する工程と、還元された混合物を成型
及び焼結する工程とからなり、これによって半導体素子
の放熱板用のＣｕ−Ｗ合金基板を得るようにしている。
【００１３】
【発明の実施の形態】本実施形態で用いられる出発原料
は、最終焼結体の組成比にかかわらず、Ｃｕ−Ｗ混合状
態になることのできる酸化物形態ならいずれも使用可能
であるが、最終組成比が、Ｗが５０〜９５重量％、Ｃｕ
が５〜５０重量％となるようにＷ酸化物とＣｕ酸化物と
を定量混合（必要に応じてＮｉが０．１〜１０重量％添
加されるようにＮｉ酸化物を混合できる）して使うのが
望ましい。
は、最終焼結体の組成比にかかわらず、Ｃｕ−Ｗ混合状
態になることのできる酸化物形態ならいずれも使用可能
であるが、最終組成比が、Ｗが５０〜９５重量％、Ｃｕ
が５〜５０重量％となるようにＷ酸化物とＣｕ酸化物と
を定量混合（必要に応じてＮｉが０．１〜１０重量％添
加されるようにＮｉ酸化物を混合できる）して使うのが
望ましい。
【００１４】このように本実施形態では、原料として酸
化物を使うことにより、原料費が節減される。この際、
酸化物の平均粒径は、Ｗ酸化物を１〜２０μｍ、Ｃｕ酸
化物を３２５メッシュ以下にして使うのが望ましく、そ
れらの酸化物を機械的に高速混合するためには、１００
〜１０００ｒｐｍの速度で３０分〜１０時間混合するの
が望ましい。
化物を使うことにより、原料費が節減される。この際、
酸化物の平均粒径は、Ｗ酸化物を１〜２０μｍ、Ｃｕ酸
化物を３２５メッシュ以下にして使うのが望ましく、そ
れらの酸化物を機械的に高速混合するためには、１００
〜１０００ｒｐｍの速度で３０分〜１０時間混合するの
が望ましい。
【００１５】Ｃｕ酸化物及びＷ酸化物の粒子構造は多孔
性なので、機械的な高速混合時、混合と共に酸化物粒子
の粉砕が可能である。１００ｒｐｍ以下では粉砕効果が
低く、１０００ｒｐｍ以上では高速回転による摩擦によ
り、高速ミルを構成しているチャンバ−（ステンレス
製）の内部が摩耗され、よってＦｅがＷ酸化物及びＣｕ
酸化物に混入されることにより物性を低下させるおそれ
があって望ましくない。
性なので、機械的な高速混合時、混合と共に酸化物粒子
の粉砕が可能である。１００ｒｐｍ以下では粉砕効果が
低く、１０００ｒｐｍ以上では高速回転による摩擦によ
り、高速ミルを構成しているチャンバ−（ステンレス
製）の内部が摩耗され、よってＦｅがＷ酸化物及びＣｕ
酸化物に混入されることにより物性を低下させるおそれ
があって望ましくない。
【００１６】機械的な混合時間が３０分以下では粉砕の
効果が低く、１０時間以上では時間がかかって製造工程
上効率が下がる。前述した機械的な高速混合により得ら
れた混合物は、還元工程におけるＷ／Ｃｕ間の化学的な
結合を増進させる。
効果が低く、１０時間以上では時間がかかって製造工程
上効率が下がる。前述した機械的な高速混合により得ら
れた混合物は、還元工程におけるＷ／Ｃｕ間の化学的な
結合を増進させる。
【００１７】還元工程において、Ｗ酸化物及びＣｕ酸化
物はＷ／Ｃｕに同時に還元(co-reduction)されるが、こ
れらは蒸発凝縮機構を通した核生成及び成長段階で二元
と多重合金が形成されながら化学的に結合される。
物はＷ／Ｃｕに同時に還元(co-reduction)されるが、こ
れらは蒸発凝縮機構を通した核生成及び成長段階で二元
と多重合金が形成されながら化学的に結合される。
【００１８】還元は３００〜１０００℃の温度及び水素
雰囲気で施すのが望ましい。還元後得られた原料のサイ
ズは０．１〜６．０μｍとなる。この際、原料サイズが
０．１μｍ以下の場合は大気中で発火するおそれがあ
り、６．０μｍ以上の場合は物性を低下させる。
雰囲気で施すのが望ましい。還元後得られた原料のサイ
ズは０．１〜６．０μｍとなる。この際、原料サイズが
０．１μｍ以下の場合は大気中で発火するおそれがあ
り、６．０μｍ以上の場合は物性を低下させる。
【００１９】前記還元工程に次いで、一般に知られてい
る公知の方法に基づき成型、焼結、加工処理を行うこと
により、半導体素子の放熱板用のＣｕ−Ｗ合金基板が完
成される。
る公知の方法に基づき成型、焼結、加工処理を行うこと
により、半導体素子の放熱板用のＣｕ−Ｗ合金基板が完
成される。
【００２０】以上のように本実施形態では、Ｗ酸化物及
びＣｕ酸化物を出発原料として、それらを機械的な高速
混合に次いで還元処理することにより、焼結理論密度に
近接された基板が得られる。
びＣｕ酸化物を出発原料として、それらを機械的な高速
混合に次いで還元処理することにより、焼結理論密度に
近接された基板が得られる。
【００２１】
【実施例】次は実施例により説明する。下記の表１に示
すような最終焼結組成となるように、Ｗ酸化物とＣｕ酸
化物（またはＮｉ）とを機械的に混合して混合粉末を
得、その混合粉末を９００℃の温度及び水素雰囲気で還
元してから２トン／ｃｍ２ の圧力で成型した。
すような最終焼結組成となるように、Ｗ酸化物とＣｕ酸
化物（またはＮｉ）とを機械的に混合して混合粉末を
得、その混合粉末を９００℃の温度及び水素雰囲気で還
元してから２トン／ｃｍ２ の圧力で成型した。
【００２２】そして、得られた成型物を１０００〜１６
００℃の温度及び水素雰囲気で焼結してＣｕ−Ｗ合金を
得た。この方法で製造した素材について密度、熱膨張係
数、熱伝導率を測定した結果を、表１に示す。
００℃の温度及び水素雰囲気で焼結してＣｕ−Ｗ合金を
得た。この方法で製造した素材について密度、熱膨張係
数、熱伝導率を測定した結果を、表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】表２は、本発明の方法で得られたＣｕ−Ｗ
合金の焼結密度（ｇ／ｃｍ３ ）と、従来の方法で得ら
れたＣｕ−Ｗ合金の焼結密度とを比較して示すものであ
る。
合金の焼結密度（ｇ／ｃｍ３ ）と、従来の方法で得ら
れたＣｕ−Ｗ合金の焼結密度とを比較して示すものであ
る。
【００２５】
【表２】
【００２６】表２から明らかなように、本発明の方法で
得られたＣｕ−Ｗ合金の焼結密度は、従来と比較して焼
結理論密度（ｇ／ｃｍ３ ）に非常に近いことがわか
る。このように、本発明の方法で得られたＣｕ−Ｗ合金
は、焼結理論密度に非常に近接し且つ、熱膨張係数及び
熱伝導率が半導体素子であるＳｉ、ＧａＡｓに類似して
いるので、放熱板として優れた特性を有することにな
る。
得られたＣｕ−Ｗ合金の焼結密度は、従来と比較して焼
結理論密度（ｇ／ｃｍ３ ）に非常に近いことがわか
る。このように、本発明の方法で得られたＣｕ−Ｗ合金
は、焼結理論密度に非常に近接し且つ、熱膨張係数及び
熱伝導率が半導体素子であるＳｉ、ＧａＡｓに類似して
いるので、放熱板として優れた特性を有することにな
る。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、従来の焼結法を用い
て放熱基板を製造する場合には、Ｗ酸化物及びＣｕ酸化
物を一次に精製した金属であるＷ及びＣｕを出発原料し
ているので、コスト高となっているが、本発明では出発
原料としてＷ酸化物及びＣｕ酸化物を直接使用している
ので、コストを節減できる。
て放熱基板を製造する場合には、Ｗ酸化物及びＣｕ酸化
物を一次に精製した金属であるＷ及びＣｕを出発原料し
ているので、コスト高となっているが、本発明では出発
原料としてＷ酸化物及びＣｕ酸化物を直接使用している
ので、コストを節減できる。
【００２８】また、従来のように金属ＷとＣｕとを混合
して焼結する場合には、相互溶解度が殆どなくて焼結理
論密度が得られないが、本発明ではＷ酸化物及びＣｕ酸
化物が機械的な高速混合を行うことにより混合されると
共に粉砕され、また、得られた混合物を還元処理するこ
とによりＷとＣｕとが容易に化学的に結合される。従っ
て、本発明では、成型及び焼結後の物性値が焼結理論密
度に近接すると共に、熱膨張係数及び熱伝導率が半導体
素子であるＳｉ、ＧａＡｓに類似して、放熱板として使
う際に優れた特性を有する。
して焼結する場合には、相互溶解度が殆どなくて焼結理
論密度が得られないが、本発明ではＷ酸化物及びＣｕ酸
化物が機械的な高速混合を行うことにより混合されると
共に粉砕され、また、得られた混合物を還元処理するこ
とによりＷとＣｕとが容易に化学的に結合される。従っ
て、本発明では、成型及び焼結後の物性値が焼結理論密
度に近接すると共に、熱膨張係数及び熱伝導率が半導体
素子であるＳｉ、ＧａＡｓに類似して、放熱板として使
う際に優れた特性を有する。
【図１】 放熱基板を備えた半導体素子搭載用のセラミ
ックスパッケ−ジの構造を示した断面図である。
ックスパッケ−ジの構造を示した断面図である。
１…放熱基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チュ キ ヨン 大韓民国 デグガンヨク−シ ダルソン− グ サンイン−ドン 797 ソンヒュン− ジュゴン アパートメント 306−1401
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｗ酸化物（ＷＯｘ、ｘ＝２．０〜３．
０）とＣｕ酸化物（ＣｕｘＯ、ｘ＝１．０〜２．０）と
を機械的に高速混合する工程と、 高速混合によって得られた混合物を還元する工程と、 還元された混合物を成型及び焼結する工程とからなるこ
とを特徴とする半導体素子の放熱板用のＣｕ−Ｗ合金基
板の製造方法。 - 【請求項２】 Ｗ酸化物とＣｕ酸化物とを、最終焼結後
の組成が、Ｗが５０〜９５重量％、Ｃｕが５〜５０重量
％となるように混合することを特徴とする請求項１に記
載の半導体素子の放熱板用のＣｕ−Ｗ合金基板の製造方
法。 - 【請求項３】 Ｗ酸化物とＣｕ酸化物とにＮｉを添加す
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の放熱
板用のＣｕ−Ｗ合金基板の製造方法。 - 【請求項４】 Ｗ酸化物とＣｕ酸化物とＮｉとを、最終
焼結後の組成が、Ｗが５０〜９５重量％、Ｃｕが５〜５
０重量％、Ｎｉが０．１〜１０重量％となるように混合
することを特徴とする請求項３に記載の半導体素子の放
熱板用のＣｕ−Ｗ合金基板の製造方法。 - 【請求項５】 Ｗ酸化物の平均粒径が１〜２０μｍであ
り、Ｃｕ酸化物の平均粒径が３２５メッシュ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の放熱板
用のＣｕ−Ｗ合金基板の製造方法。 - 【請求項６】 高速混合器を用いて１００〜１０００ｒ
ｐｍの速度で３０分〜１０時間混合することを特徴とす
る請求項１に記載の半導体素子の放熱板用のＣｕ−Ｗ合
金基板の製造方法。 - 【請求項７】 ３００〜１０００℃の温度及び水素雰囲
気で還元することを特徴とする請求項１に記載の半導体
素子の放熱板用のＣｕ−Ｗ合金基板の製造方法。 - 【請求項８】 還元後の粒子のサイズが０．１〜６．０
μｍであることを特徴とする請求項１または７に記載の
半導体素子の放熱板用のＣｕ−Ｗ合金基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR34650/1996 | 1996-08-21 | ||
| KR1019960034650A KR19980015355A (ko) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 반도체 소자 발열판용 Cu-W 합금 기판의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1060553A true JPH1060553A (ja) | 1998-03-03 |
| JP2810873B2 JP2810873B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=19470254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8245260A Expired - Lifetime JP2810873B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-09-17 | 半導体素子の放熱板用のＣｕ−Ｗ合金基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2810873B2 (ja) |
| KR (1) | KR19980015355A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001158901A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-06-12 | Osram Sylvania Inc | 電気接点及び電極用の合金並びにその製造方法 |
| FR2839271A1 (fr) * | 2002-05-06 | 2003-11-07 | Agency Defense Dev | Procede de production d'une poudre composite de tungstene et de cuivre revetue de tungstene et son utilisation |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1060570A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-03-03 | Injietsukusu:Kk | 焼結体およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-08-21 KR KR1019960034650A patent/KR19980015355A/ko active IP Right Grant
- 1996-09-17 JP JP8245260A patent/JP2810873B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001158901A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-06-12 | Osram Sylvania Inc | 電気接点及び電極用の合金並びにその製造方法 |
| FR2839271A1 (fr) * | 2002-05-06 | 2003-11-07 | Agency Defense Dev | Procede de production d'une poudre composite de tungstene et de cuivre revetue de tungstene et son utilisation |
| US6863707B2 (en) | 2002-05-06 | 2005-03-08 | Agency For Defense Development | Method of forming tungsten-coated W—Cu composite powder |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2810873B2 (ja) | 1998-10-15 |
| KR19980015355A (ko) | 1998-05-25 |
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