JPH1017959A - 複合材及びその製造方法 - Google Patents
複合材及びその製造方法Info
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- JPH1017959A JPH1017959A JP17355496A JP17355496A JPH1017959A JP H1017959 A JPH1017959 A JP H1017959A JP 17355496 A JP17355496 A JP 17355496A JP 17355496 A JP17355496 A JP 17355496A JP H1017959 A JPH1017959 A JP H1017959A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光半導体や半導体を用いた電子機器部品のヒ
ートシンク、基板、パッケージ等に好適な、熱膨張率が
小さく、熱伝達性に優れ、切削加工性に優れ、軽量で、
安価な複合材を提供する。 【解決手段】 アルミニウム、アルミニウム合金、銅、
又は銅合金のマトリックス中に形状記憶合金が分散され
ている複合材。 【効果】 分散材に形状記憶合金を用いるのでその圧縮
残留応力により熱膨張率が小さく抑えられる。又マトリ
ックスにAlやCuを用いるので良好な熱伝達性が得られ
る。しかも従来のW-Cu系の複合材等に比べて切削等の加
工性に優れ、安価、且つ軽量である。
ートシンク、基板、パッケージ等に好適な、熱膨張率が
小さく、熱伝達性に優れ、切削加工性に優れ、軽量で、
安価な複合材を提供する。 【解決手段】 アルミニウム、アルミニウム合金、銅、
又は銅合金のマトリックス中に形状記憶合金が分散され
ている複合材。 【効果】 分散材に形状記憶合金を用いるのでその圧縮
残留応力により熱膨張率が小さく抑えられる。又マトリ
ックスにAlやCuを用いるので良好な熱伝達性が得られ
る。しかも従来のW-Cu系の複合材等に比べて切削等の加
工性に優れ、安価、且つ軽量である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体や半導体
を搭載した電子機器部品のヒートシンク、基板、パッケ
ージ等に好適な、熱膨張率が小さく、熱伝達性と切削加
工性に優れ、軽量で、安価な複合材及びその製造方法に
関する。
を搭載した電子機器部品のヒートシンク、基板、パッケ
ージ等に好適な、熱膨張率が小さく、熱伝達性と切削加
工性に優れ、軽量で、安価な複合材及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光半導体等を搭載した電子機器部品のヒ
ートシンクやパッケージには、使用中の温度上昇で歪み
等が生じないように、熱膨張率が小さく、熱伝達性に優
れるW-Cu系合金や Mo-Cu系合金等が用いられている。こ
の他、前記ヒートシンク等にはFe又はAl製の、メタルベ
ース／メタルコア基板が用いられている。この基板は、
従来の紙フェノール基板やガラスエポキシ基板より放熱
性に優れ、特にAl製のものは約３倍の放熱性を示す為、
その高い放熱性を生かしてハイパワーのハイブリッドＩ
Ｃ用基板への応用が進んでいる。なお、前記ヒートシン
クは、例えば、 Fe-Co系合金（コバール）製パッケージ
にろう付けして用いられている。
ートシンクやパッケージには、使用中の温度上昇で歪み
等が生じないように、熱膨張率が小さく、熱伝達性に優
れるW-Cu系合金や Mo-Cu系合金等が用いられている。こ
の他、前記ヒートシンク等にはFe又はAl製の、メタルベ
ース／メタルコア基板が用いられている。この基板は、
従来の紙フェノール基板やガラスエポキシ基板より放熱
性に優れ、特にAl製のものは約３倍の放熱性を示す為、
その高い放熱性を生かしてハイパワーのハイブリッドＩ
Ｃ用基板への応用が進んでいる。なお、前記ヒートシン
クは、例えば、 Fe-Co系合金（コバール）製パッケージ
にろう付けして用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記W-Cu系合
金には、W が硬質な為切削加工が困難、W が高価等の問
題がある。又前記メタルベース／メタルコア基板には、
パッケージとの熱膨張率差が大きい為、温度上昇の大き
い高出力の電子機器では歪みや反りが生じ採用し難いと
いう問題がある。このようなことから、近年、Alにカー
ボン繊維や SiC繊維等のセラミック繊維を分散させた、
熱膨張率が小さく軽量のAl基複合材が開発された。しか
しこの複合材は、多量のセラミック繊維を用いる為、加
工性に劣り、高価になるという問題がある。本発明は、
光半導体や半導体を構成するシリコンやガラスの熱膨張
率に近い複合材を開発し、電子機器部品のヒートシン
ク、基板、パッケージ等に好適で、しかも熱伝達性に優
れ、切削加工性に優れ、軽量で、安価な複合材を提供す
ることを目的とする。
金には、W が硬質な為切削加工が困難、W が高価等の問
題がある。又前記メタルベース／メタルコア基板には、
パッケージとの熱膨張率差が大きい為、温度上昇の大き
い高出力の電子機器では歪みや反りが生じ採用し難いと
いう問題がある。このようなことから、近年、Alにカー
ボン繊維や SiC繊維等のセラミック繊維を分散させた、
熱膨張率が小さく軽量のAl基複合材が開発された。しか
しこの複合材は、多量のセラミック繊維を用いる為、加
工性に劣り、高価になるという問題がある。本発明は、
光半導体や半導体を構成するシリコンやガラスの熱膨張
率に近い複合材を開発し、電子機器部品のヒートシン
ク、基板、パッケージ等に好適で、しかも熱伝達性に優
れ、切削加工性に優れ、軽量で、安価な複合材を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、又は銅合金のマ
トリックス中に形状記憶合金が分散されていることを特
徴とする複合材である。
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、又は銅合金のマ
トリックス中に形状記憶合金が分散されていることを特
徴とする複合材である。
【０００５】請求項２記載の発明は、形状記憶合金がCu
-Al-Mn系合金又は Ni-Ti系合金であることを特徴とする
請求項１記載の複合材である。
-Al-Mn系合金又は Ni-Ti系合金であることを特徴とする
請求項１記載の複合材である。
【０００６】請求項３記載の発明は、マトリックス中に
占める形状記憶合金の体積充填率が5〜30％であること
を特徴とする請求項１又は２記載の複合材である。
占める形状記憶合金の体積充填率が5〜30％であること
を特徴とする請求項１又は２記載の複合材である。
【０００７】請求項４記載の発明は、アルミニウムマト
リックスの純度が 99.7wt%以上、銅マトリックスの純度
が99.99wt%以上であることを特徴とする請求項１、２、
３のいずれかに記載の複合材である。
リックスの純度が 99.7wt%以上、銅マトリックスの純度
が99.99wt%以上であることを特徴とする請求項１、２、
３のいずれかに記載の複合材である。
【０００８】請求項５記載の発明は、形状記憶合金繊維
の多孔質繊維成形体にアルミニウム、アルミニウム合
金、銅、又は銅合金の溶湯を加圧含浸させる溶湯鍛造法
により製造することを特徴とする請求項１、２、３、４
のいずれかに記載の複合材の製造方法である。
の多孔質繊維成形体にアルミニウム、アルミニウム合
金、銅、又は銅合金の溶湯を加圧含浸させる溶湯鍛造法
により製造することを特徴とする請求項１、２、３、４
のいずれかに記載の複合材の製造方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、高熱伝達性金属のAl、
Al合金、Cu、又はCu合金をマトリックスとし、この中に
分散材として粒子状、繊維状等の形状記憶合金が分散さ
れた複合材で、前記マトリックスと分散材との界面はミ
クロな金属結合により結合され、前記形状記憶合金は超
弾性特性が破壊しない程度に予歪みが付与される。この
ものは使用中の昇温で形状記憶合金に圧縮応力が生じて
複合材全体の熱膨張率が低下する。予歪み付与後、必要
に応じ、復元処理が施される。このように本発明の複合
材は熱膨張率が小さい。又本発明の複合材を形成するA
l、Al合金、Cu、Cu合金、及び形状記憶合金はいずれもW
-Cu系合金等の材料と比較して熱伝達性及び加工性に優
れる。更にW-Cu系合金等に較べて、軽量で、材料費が安
い。この為、光半導体や半導体等を搭載した電子機器用
のヒートシンク、基板、パッケージ等に好適である。
Al合金、Cu、又はCu合金をマトリックスとし、この中に
分散材として粒子状、繊維状等の形状記憶合金が分散さ
れた複合材で、前記マトリックスと分散材との界面はミ
クロな金属結合により結合され、前記形状記憶合金は超
弾性特性が破壊しない程度に予歪みが付与される。この
ものは使用中の昇温で形状記憶合金に圧縮応力が生じて
複合材全体の熱膨張率が低下する。予歪み付与後、必要
に応じ、復元処理が施される。このように本発明の複合
材は熱膨張率が小さい。又本発明の複合材を形成するA
l、Al合金、Cu、Cu合金、及び形状記憶合金はいずれもW
-Cu系合金等の材料と比較して熱伝達性及び加工性に優
れる。更にW-Cu系合金等に較べて、軽量で、材料費が安
い。この為、光半導体や半導体等を搭載した電子機器用
のヒートシンク、基板、パッケージ等に好適である。
【００１０】以下に、本発明の複合材を粉末治金法によ
り製造する方法について説明する。マトリックス金属粉
末と形状記憶合金粉末とを所定量配合し、これを混練
し、圧粉成形し、焼結し、必要に応じて熱間押出する。
次いでオーステナイト相温度で熱処理して分散材に形状
記憶処理を施す。その後マルテンサイト相まで冷却し、
数％冷間加工して予歪みを付与する。この状態では、A
l、Cu等のマトリックスは塑性変形するが、分散材は超
弾性を示す。次にオーステナイト相変態完了温度（Af
点）以上の温度に加熱して復元処理を行い、前記形状記
憶合金を元の記憶形状に復元させる。この処理により形
状記憶合金はその周辺がマトリックスにより拘束されて
いる為形状記憶合金に圧縮残留応力が生じる。その結
果、複合材は、形状記憶温度以下の温度では、分散材に
作用する圧縮残留応力により複合材全体の熱膨張が抑え
られる。
り製造する方法について説明する。マトリックス金属粉
末と形状記憶合金粉末とを所定量配合し、これを混練
し、圧粉成形し、焼結し、必要に応じて熱間押出する。
次いでオーステナイト相温度で熱処理して分散材に形状
記憶処理を施す。その後マルテンサイト相まで冷却し、
数％冷間加工して予歪みを付与する。この状態では、A
l、Cu等のマトリックスは塑性変形するが、分散材は超
弾性を示す。次にオーステナイト相変態完了温度（Af
点）以上の温度に加熱して復元処理を行い、前記形状記
憶合金を元の記憶形状に復元させる。この処理により形
状記憶合金はその周辺がマトリックスにより拘束されて
いる為形状記憶合金に圧縮残留応力が生じる。その結
果、複合材は、形状記憶温度以下の温度では、分散材に
作用する圧縮残留応力により複合材全体の熱膨張が抑え
られる。
【００１１】本発明の複合材を溶湯鍛造法により製造す
る場合は、例えば、形状記憶合金の短繊維をランダム配
向させて形成した多孔質の繊維成形体の中にAlやCu等の
溶湯を加圧含浸させて複合体を作製し、その後前記粉末
治金法と同様に、形状記憶処理、冷間加工、予歪み付
与、復元処理を施して熱膨張を抑える処理をする。前記
溶湯鍛造法で製造される複合材は、塑性加工により短繊
維を配向させることにより、熱膨張特性等に異方性を持
たせることができる。
る場合は、例えば、形状記憶合金の短繊維をランダム配
向させて形成した多孔質の繊維成形体の中にAlやCu等の
溶湯を加圧含浸させて複合体を作製し、その後前記粉末
治金法と同様に、形状記憶処理、冷間加工、予歪み付
与、復元処理を施して熱膨張を抑える処理をする。前記
溶湯鍛造法で製造される複合材は、塑性加工により短繊
維を配向させることにより、熱膨張特性等に異方性を持
たせることができる。
【００１２】形状記憶合金分散材の体積充填率は 5〜30
％が望ましい。 5％未満では、ヒートシンクとして十分
に小さい熱膨張率が得られず、30％を超えるとその効果
が飽和し、コスト的に不利になる。マトリックス材の純
度は、Alの場合 99.7wt%以上、Cuの場合99.99wt%以上
が、熱伝達性に優れ望ましい。分散材に用いる形状記憶
合金には、形状記憶特性に優れ、低コストのCu-Al-Mn系
合金、又は Ni-Ti系合金が好適である。
％が望ましい。 5％未満では、ヒートシンクとして十分
に小さい熱膨張率が得られず、30％を超えるとその効果
が飽和し、コスト的に不利になる。マトリックス材の純
度は、Alの場合 99.7wt%以上、Cuの場合99.99wt%以上
が、熱伝達性に優れ望ましい。分散材に用いる形状記憶
合金には、形状記憶特性に優れ、低コストのCu-Al-Mn系
合金、又は Ni-Ti系合金が好適である。
【００１３】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明す
る。 （実施例１）Al又はCuマトリックス中に形状記憶合金を
分散させた複合材を粉末治金法により製造した。原料に
は、 500℃で１hr水素焼鈍した、粒径 100メッシュの、
Al粉末(99.7wt%純度) 、Cu粉末（純度99.99wt%）、及び
形状記憶合金(Cu-16.7wt%Al-7.1wt%Mn)粉末を用いた。
前記形状記憶合金粉末と、Al粉末又はCu粉末とを各々所
定量配合し、これをボールミルにて24hr混合し、この混
合粉体を円柱状（高さ30mm、直径88mmφ）に圧粉成形
し、この圧粉成形体を AA-1070製管 (外径 100mm、内径
90mm、長さ118mm)に挿入し、前記管の内部を真空に脱気
しながら、管の両端に管と同じ材質の蓋を電子ビーム溶
接し真空封止して複合ビレットとなし、この複合ビレッ
トを 350℃で30分間加熱後熱間押出により複合板材（厚
さ10mm、幅50mm）に押出し、次いで前記複合板材の外層
(AA-1070被覆材) を除去したのち、内部の熱間押出材を
長さ200mmに切断し、これを押出方向と直角な方向に熱
間圧延して厚さ1.7mm の板状体を得た。次いでこの板状
体に、分散材（形状記憶合金）の形状記憶温度で熱処理
を施したのち、減面率約 0.08%のクロス圧延（予歪み）
を冷間で施して複合材を得た。
る。 （実施例１）Al又はCuマトリックス中に形状記憶合金を
分散させた複合材を粉末治金法により製造した。原料に
は、 500℃で１hr水素焼鈍した、粒径 100メッシュの、
Al粉末(99.7wt%純度) 、Cu粉末（純度99.99wt%）、及び
形状記憶合金(Cu-16.7wt%Al-7.1wt%Mn)粉末を用いた。
前記形状記憶合金粉末と、Al粉末又はCu粉末とを各々所
定量配合し、これをボールミルにて24hr混合し、この混
合粉体を円柱状（高さ30mm、直径88mmφ）に圧粉成形
し、この圧粉成形体を AA-1070製管 (外径 100mm、内径
90mm、長さ118mm)に挿入し、前記管の内部を真空に脱気
しながら、管の両端に管と同じ材質の蓋を電子ビーム溶
接し真空封止して複合ビレットとなし、この複合ビレッ
トを 350℃で30分間加熱後熱間押出により複合板材（厚
さ10mm、幅50mm）に押出し、次いで前記複合板材の外層
(AA-1070被覆材) を除去したのち、内部の熱間押出材を
長さ200mmに切断し、これを押出方向と直角な方向に熱
間圧延して厚さ1.7mm の板状体を得た。次いでこの板状
体に、分散材（形状記憶合金）の形状記憶温度で熱処理
を施したのち、減面率約 0.08%のクロス圧延（予歪み）
を冷間で施して複合材を得た。
【００１４】得られた複合材からサンプルを切出し熱膨
張係数と熱伝達率を測定した。熱膨張係数は前記サンプ
ルを50℃/min. の昇温速度で 150℃まで加熱して測定し
た。又熱伝達率についても同様に測定した。比較の為、
W-Cu系合金、Al-30wt%Si合金、Al-60vol%SiC ウイスカー合金
についても同様の測定を行った。結果を、コストを併記
して表１に示す。
張係数と熱伝達率を測定した。熱膨張係数は前記サンプ
ルを50℃/min. の昇温速度で 150℃まで加熱して測定し
た。又熱伝達率についても同様に測定した。比較の為、
W-Cu系合金、Al-30wt%Si合金、Al-60vol%SiC ウイスカー合金
についても同様の測定を行った。結果を、コストを併記
して表１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１より明らかなように、本発明例品 (N
o.1〜8)はいずれも熱膨張係数（熱膨張率）が小さく、
熱伝達率が高く、W-Cu系合金等(No.9,11) より安価であ
る。他方、比較例品のNo.10 は熱膨張係数が大きく、N
o.11 は熱伝達率が低く、No.9,11 は加工性が悪かっ
た。
o.1〜8)はいずれも熱膨張係数（熱膨張率）が小さく、
熱伝達率が高く、W-Cu系合金等(No.9,11) より安価であ
る。他方、比較例品のNo.10 は熱膨張係数が大きく、N
o.11 は熱伝達率が低く、No.9,11 は加工性が悪かっ
た。
【００１７】（実施例２）分散材としてNi-50wt%Ti形状
記憶合金の短繊維（50μｍφ× 200μｍ長さ）を用いて
円柱状の多孔質繊維成形体(100mmφ×100mm 長さ) を作
製し、この成形体を同形状のキャビティを有する加圧鋳
造装置にセットし、この中にAl又はAl-30wt%Si合金溶湯
を加圧含浸させた。このとき多孔質繊維成形体の体積充
填率が5%未満では、溶湯の加圧含浸の際に成形体が潰れ
て良好な複合体が得られず、前記体積充填率が 30%を超
えると溶湯の含浸が困難となり、成形体に割れが生じ
た。得られた加圧含浸材を厚さ２mmに輪切りにし、これ
を分散材である形状記憶合金の形状記憶処理温度で熱処
理し、次いで切断面方向に減面率が約 0.08%のクロス圧
延を冷間で施して複合材を得た。この複合材について熱
膨張係数と熱伝達率を実施例１と同じ方法で測定した。
結果を、コストを併記して表２に示す。
記憶合金の短繊維（50μｍφ× 200μｍ長さ）を用いて
円柱状の多孔質繊維成形体(100mmφ×100mm 長さ) を作
製し、この成形体を同形状のキャビティを有する加圧鋳
造装置にセットし、この中にAl又はAl-30wt%Si合金溶湯
を加圧含浸させた。このとき多孔質繊維成形体の体積充
填率が5%未満では、溶湯の加圧含浸の際に成形体が潰れ
て良好な複合体が得られず、前記体積充填率が 30%を超
えると溶湯の含浸が困難となり、成形体に割れが生じ
た。得られた加圧含浸材を厚さ２mmに輪切りにし、これ
を分散材である形状記憶合金の形状記憶処理温度で熱処
理し、次いで切断面方向に減面率が約 0.08%のクロス圧
延を冷間で施して複合材を得た。この複合材について熱
膨張係数と熱伝達率を実施例１と同じ方法で測定した。
結果を、コストを併記して表２に示す。
【００１８】
【表２】
【００１９】表２より明らかなように、本発明例品(No.
12〜19) はいずれも熱膨張係数が低く、熱伝達率が高
く、安価である。
12〜19) はいずれも熱膨張係数が低く、熱伝達率が高
く、安価である。
【００２０】実施例１、２で得られた本発明の各々の複
合材を、光半導体を搭載した電子機器部品のヒートシン
ク、基板、パッケージ等に適用したが、いずれも反りや
剥離等が生じず長期間良好に使用できた。又切削等の加
工も極めて容易に行えた。又比重もW-Cu系合金等に較べ
て小さく、電子機器の軽量化を阻害するようなことはな
かった。
合材を、光半導体を搭載した電子機器部品のヒートシン
ク、基板、パッケージ等に適用したが、いずれも反りや
剥離等が生じず長期間良好に使用できた。又切削等の加
工も極めて容易に行えた。又比重もW-Cu系合金等に較べ
て小さく、電子機器の軽量化を阻害するようなことはな
かった。
【００２１】以上、純Al又は純Cuのマトリックスに、粉
末又は短繊維の形状記憶合金を複合した複合材について
説明したが、本発明は、マトリックスにAl合金又はCu合
金を用いても、又形状記憶合金に長繊維等を用いても同
様の効果が得られる。
末又は短繊維の形状記憶合金を複合した複合材について
説明したが、本発明は、マトリックスにAl合金又はCu合
金を用いても、又形状記憶合金に長繊維等を用いても同
様の効果が得られる。
【００２２】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明の複合材
は、分散材に形状記憶合金を用いるのでその圧縮残留応
力により熱膨張率が小さく抑えられる。又構成材料がAl
系材料、Cu系材料、形状記憶合金なので、良好な熱伝達
性が得られる。しかも従来のW-Cu系の複合材に較べて軽
量で、加工性に優れ、安価であり、 Al-SiC ファバー 複合
材に較べて切削加工性に優れ、安価である。又本発明の
複合材は粉末治金法や溶湯鍛造法により容易に製造でき
る。依って、今後の半導体素子の大型化及び大電力化に
十分対応できるものであり、工業上顕著な効果を奏す
る。
は、分散材に形状記憶合金を用いるのでその圧縮残留応
力により熱膨張率が小さく抑えられる。又構成材料がAl
系材料、Cu系材料、形状記憶合金なので、良好な熱伝達
性が得られる。しかも従来のW-Cu系の複合材に較べて軽
量で、加工性に優れ、安価であり、 Al-SiC ファバー 複合
材に較べて切削加工性に優れ、安価である。又本発明の
複合材は粉末治金法や溶湯鍛造法により容易に製造でき
る。依って、今後の半導体素子の大型化及び大電力化に
十分対応できるものであり、工業上顕著な効果を奏す
る。
Claims (5)
- 【請求項１】 アルミニウム、アルミニウム合金、銅、
又は銅合金のマトリックス中に形状記憶合金が分散され
ていることを特徴とする複合材。 - 【請求項２】 形状記憶合金がCu-Al-Mn系合金又は Ni-
Ti系合金であることを特徴とする請求項１記載の複合
材。 - 【請求項３】 マトリックス中に占める形状記憶合金の
体積充填率が 5〜30％であることを特徴とする請求項１
又は２記載の複合材。 - 【請求項４】 アルミニウムマトリックスの純度が 99.
7wt%以上、銅マトリックスの純度が99.99wt%以上である
ことを特徴とする請求項１、２、３のいずれかに記載の
複合材。 - 【請求項５】 形状記憶合金繊維の多孔質繊維成形体に
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、又は銅合金の溶
湯を加圧含浸させる溶湯鍛造法により製造することを特
徴とする請求項１、２、３、４のいずれかに記載の複合
材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17355496A JPH1017959A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 複合材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17355496A JPH1017959A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 複合材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1017959A true JPH1017959A (ja) | 1998-01-20 |
Family
ID=15962703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17355496A Pending JPH1017959A (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 複合材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1017959A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5858082A (en) * | 1997-09-15 | 1999-01-12 | Cruz; Hector Gonzalo | Self-interlocking reinforcement fibers |
| JP2002105561A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Kiyohito Ishida | 低熱膨張合金 |
| GB2382819A (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-11 | Qinetiq Ltd | Composite element comprising a shape memory alloy |
| WO2007026039A1 (es) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Universidad Del Pais Vasco Euskal Herriko Unibertsitatea | Un material compuesto de matriz metalica basado en polvos de aleaci n con memoria de forma/ su procedimiento de obtenci n y uso |
-
1996
- 1996-07-03 JP JP17355496A patent/JPH1017959A/ja active Pending
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
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