JP2003105470A - Al−Si系粉末合金材料及びその製造方法 - Google Patents
Al−Si系粉末合金材料及びその製造方法Info
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- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
い熱伝導率と低い熱膨張係数とを兼ね備え、かつ、より
軽量な材料を提供する。 【解決手段】ガスアトマイズ等の公知の方法で製造され
たSi:15〜50質量%、Mg:0〜0.5質量%、
Cu:0〜0.5質量%、Fe:0〜0.3質量%であ
り、残部が実質的にAlからなる粉末を固化成形して得
られるAl−Si系粉末合金材料に係る。特に、該成形
体を冷間成形後、熱間押出により固化させた製品が好ま
しい。
Description
系粉末合金材料及びその製造方法に関する。
を含むサブストレート(基材)から発生する熱を放熱し
て冷却するために種々の放熱板がその要求性能に応じて
選択使用されている。この放熱板に要求される特性は、
効率良く発生熱を放散させる高い熱伝導率と、基材と放
熱板との熱膨張差を抑えるために低い熱膨張係数とをも
つことである。例えば、図1に示すようにICパッケー
ジに使用されている放熱板は銅(Cu)が使用されてい
る。デバイス全体の軽量化の要求に伴い、放熱板の軽量
化も求められている。
Cuの約1/3のアルミニウムの使用が検討されてい
る。ところが、アルミニウムは、Cuと比べて熱膨張係
数が大きく、そのままCuの代替材料として使用するこ
とは困難である。
合粉末の焼結体も提案されている。しかし、かかる焼結
体では、高い寸法精度とサブストレートとの密着性を高
めるための表層平坦性の要求に応えるために、焼結体の
切削等の機械加工が必要となる。すなわち、SiC相を
含む焼結体は、機械加工性が極端に悪いため、生産性の
点からみて現実的でない。
の代替材料として高熱伝導率・低熱膨張係数を有する新
しい材料の開発が待たれているのが現状である。
率と低い熱膨張係数とを兼ね備え、かつ、より軽量な材
料を提供することにある。
問題点に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、特定組成のアル
ミニウム系粉末合金が上記目的を達成できることを見出
し、本発明を完成するに至った。
粉末合金材料及びその製造方法に係るものである。
0.5質量%、Cu:0〜0.5質量%、Fe:0〜
0.3質量%であり、残部が実質的にAlからなる粉末
を固化成形して得られるAl−Si系粉末合金材料。
数が12〜20ppmであり、かつ、熱伝導率k(W/
mK)が下記式: k≧0.993X2−9.0586X+312.27 (ただし、Xは合金材料中のSi含有量(質量%)を示
す。)を満たす前記項1記載のAl−Si系粉末合金材
料。
放熱用部材。
0.5質量%、Cu:0〜0.5質量%、Fe:0〜
0.3質量%であり、残部が実質的にAlからなる粉末
を冷間予備成形し、得られた予備成形体を熱間押出した
後、冷間鍛造することを特徴とするAl−Si系粉末合
金材料の製造方法。
性ガス雰囲気中又は真空中450〜575℃で熱処理す
る前記項4記載の製造方法。
製造されるAl−Si系粉末合金材料。
て、プラスチックスに接触又は接合して使用される放熱
用部材。
製造されるAl−Si系粉末合金材料であって、プラス
チックスに接触又は接合して使用される放熱用部材。
0質量%、Mg:0〜0.5質量%、Cu:0〜0.5
質量%、Fe:0〜0.3質量%であり、残部が実質的
にAlからなる粉末(以下「本発明粉末」ともいう。)
を固化成形して得られるものである。各成分及び特性に
ついて説明する。 (1)Si Siは、通常15〜50質量%程度、好ましくは20〜
40質量%とする。Siが15質量%未満の場合は、熱
膨張係数が高くなりすぎることがある。また、Siが5
0質量%を超える場合は、加工性が低下するとともに、
所望の熱伝導性が得られなくなるおそれがある。 (2)Mg、Cu及びFe Mg、Cu及びFeは、Mg:0〜0.5質量%(好ま
しくは0〜0.3質量%)、Cu:0〜0.5質量%
(好ましくは0〜0.3質量%)、Fe:0〜0.3質
量%(好ましくは0〜0.2質量%)である。これらの
範囲に設定することによって、優れた熱伝導性及び冷間
鍛造性を付与することができる。また、パッケージとし
ての耐腐食性も向上させることができる。Mg、Cu又
はFeは、含有量が0質量%の場合も本発明に包含され
るが、一般的に下限値はいずれも1質量ppm程度であ
る。 (3)Al 前記(1)及び(2)の成分のほか、残部が実質的にA
lからなる。また、その他の成分として、不可避不純物
が含まれていても良い。 (4)熱膨張係数及び熱伝導率 本発明材料は、熱膨張係数が25〜200℃の間で平均
12〜20ppm程度、特に14〜19ppmの範囲に
あることが望ましい。この範囲内に設定すれば、熱膨張
が効果的に抑制できる結果、例えばプラスチック製のサ
ブストレートとの接合状態をより効果的に維持すること
ができる。
下記式: k≧0.993X2−9.0586X+312.27 (ただし、Xは合金材料中のSi含有量(質量%)を示
す。)を満たすことが望ましい。
張係数及び熱伝導率との関係を示す。すなわち、本発明
材料では、熱膨張係数を低く抑えるためにはできるだけ
Si含有量を多くすれば良いが、それだけ熱伝導率が下
がることになる。このため、放熱板として使用するため
には、Si含有量と熱伝導率の関係を求め、放熱板とし
てより好適に使用できる範囲を規定したのが上記式であ
る。これを図示すると図2のような曲線となる。熱膨張
係数はSiの含有量でほぼ決まることから、例えば所望
の熱膨張係数を得るためにSi含有量を25質量%と設
定した場合において、曲線よりも下側の熱伝導率をもつ
材料よりも、曲線よりも上側の熱伝導率をもつ材料が放
熱板としてより有効であることが示される。一定のSi
含有量で熱伝導率を制御する方法としては、例えば製造
条件、Mg、Cu又はFeの含有量等の調整により適宜
実施することができる。
伝導率、低い熱膨張係数等を有し、また比較的軽量であ
ることから、これらの特性が活かされる各用途に使用す
ることができる。特に、放熱用部材(アルミニウム基軽
量放熱板)として有効である。例えば、電子機器放熱用
部材(放熱板)として好適に用いることができる。とり
わけ、プラスチックスに接触又は接合して使用される放
熱用部材として最適である。なお、放熱板として使用す
る場合には、公知の放熱板と同様の方法で使用すること
ができる。 2.Al−Si系粉末合金材料の製造方法 本発明材料は、原料として本発明粉末を使用するほか
は、公知の粉末合金の製法に従って固化成形して製造す
ることができる。特に、本発明材料は、Si:15〜5
0質量%、Mg:0〜0.5質量%、Cu:0〜0.5
質量%、Fe:0〜0.3質量%であり、残部が実質的
にAlからなる粉末を冷間予備成形し、得られた予備成
形体を熱間押出した後、冷間鍛造することを特徴とする
方法によって好適に得ることができる。
り、どのような形態をとることもできる。すなわち、各
成分の単体金属の粉末を含むものであっても良いし、あ
るいは各成分のいずれかを含む合金粉末を含むものであ
っても良い。
得られるものも使用することができる。例えば、空気、
窒素、アルゴン等を噴霧媒とするガスアトマイズ法、回
転円盤法等の公知の方法により製造された粉末を好適に
使用できる。
は目開き355μmのスクリーンを通過したもの、好ま
しくは目開き150μmのスクリーンを通過したものが
使用できる。この粒度範囲内に設定すれば、より優れた
冷間鍛造性等を達成することができる。
い。予備成形は、公知の合金粉末の冷間での成形法に従
えば良い。例えば、プレス法、CIP法等を採用するこ
とができる。予備成形の成形圧は、本発明粉末の組成、
所望の合金特性等に応じて適宜設定すれば良い。
ことが好ましい。熱処理することによって、粉末表面に
吸着した水分を除去し、押出後のブリスターの発生をよ
り効果的に抑制するとともに、押出後の成形体の熱伝導
性をいっそう高めることができる。さらに、押出後の成
形体強度をある程度抑える一方で伸びを高めることがで
きる。熱処理条件は、一般に窒素ガス、アルゴンガス等
の不活性ガス雰囲気中又は真空中(通常1torr以下
の真空中)450〜575℃で30分〜10時間程度と
すれば良い。
(操作条件)は、公知の熱間押出方法に従って実施する
ことができる。熱間押出の温度は通常400〜500℃
程度に設定すれば良い。
板(例えば、純アルミニウム系、A5000系Al−M
g合金等)を押出材料である上記成形体の前に配置する
ことが好ましい。これにより、押出材表面に金属板組成
の薄い皮膜を形成することができ、Al−Si材料が最
表面にある場合に起こり得るSiとAlの界面における
経時的な孔食又は全面腐食をより確実に防止することが
できる。
与するために冷間鍛造を行う。本発明では、必要に応じ
て、冷間鍛造に先立って、成形体の熱処理を実施しても
良い。熱処理によって冷間鍛造性をより高めることがで
きる。熱処理条件は、通常200〜400℃程度で0.
5〜2時間程度とすれば良い。
膨張係数とを兼ね備えた軽量な材料を提供することがで
きる。また、冷間鍛造性にも優れており、最終製品の平
坦性、寸法安定性等にも優れた効果を発揮できる。
れらの特性が要求される箇所・部位に使用することがで
きる。特に、放熱性に優れており、放熱用部材として好
適に使用できる。例えば、電子機器放熱用部材、電機製
品の放熱用部材、自動車の放熱部材等として好適に用い
ることができる。電子機器放熱用部材として用いる場
合、コンピューターのCPU、MPU等からの発生熱を
効率的に放散することができる。特に、本発明の材料
は、プラスチックス等の有機質材料を材質とするサブス
トレートと接触又は接合して使用される電子機器放熱用
部材として好適である。
徴を一層明確にする。但し、本発明の範囲は、実施例の
態様に制限されない。
するアルミニウム合金粉末を調製し、355μmの目開
きの篩を通過させた。得られた粉末100gを面圧2ト
ン/cm2で冷間静水圧形成することにより、丸棒(直
径約30mm×長さ約70mm)を得た。この丸棒を熱
間押出用ビレットとして使用した。
570℃×2時間の熱処理に供した後、真空炉内で20
0℃まで冷却してから炉外に取り出した。次いで、この
ビレットを空気雰囲気の炉に入れ、400℃まで昇温
し、その温度で0.5時間保持した。次に、ビレットを
最大荷重100トンの押出機のコンテナ(内径32m
m)に挿入し、押出成形によって直径10mmの丸棒
(熱膨張係数及び熱伝導率測定用試験体)及び2mm×
20mmのフラットバー(冷間鍛造試験用試験体)を作
製した。
率の測定ならびに冷間鍛造試験を実施した。その結果を
表1に示す。なお、各試験方法はそれぞれ下記の要領で
実施した。 (1)熱膨張係数及び熱伝導率 熱膨張係数(平均熱膨張係数)は、JIS/R1618
−1994に規定された方法に従って測定した。熱伝導
率(熱伝導度)は、JIS/R1611−1991に規
定された方法に従って測定した。 (2)冷間鍛造試験 冷間鍛造性の評価を文献「塑性と加工 vol.22,
no.241(1981−2)」(塑性加工学会 冷間
鍛造分科会)の「金属材料の冷間据込み性試験方法」に
従い、試験体側面にクラックが出始める「限界据込み
率」を求めることによって実施した。鍛造サンプルは、
直径8.5mm、高さ10.5mmの円柱状材料を用い
た。鍛造条件は、鍛造速度:20mm/秒、温度:室温
とした。鍛造試験後、目視によりクラックの有無を確認
し、クラックがない最大の据込み率を「限界据込み率」
とし、これが40%以上のものを「○」、30%以上の
ものを「△」、30%未満のものを「×」とした。
が15質量%未満では熱膨張係数が高すぎ、また50質
量%を超えると熱伝導率が低くなるとともに冷間鍛造性
が悪くなる。また、Feが0.3質量%を超えたり、C
u又はMgが0.5質量%を超えると熱伝導率が大幅に
低下するとともに冷間鍛造性も低くなる。これらに対
し、本発明品(成分3〜6)は、熱膨張係数が16〜2
0ppmと低く、熱伝導率が120〜215W/mKと
高い水準を維持できることがわかる。これにより、軽量
な放熱用部材として有効であることが明らかである。
出用ビレットを作製した。このビレットを用い、表2に
示す熱処理条件及び押出温度としたほかは、実施例1と
同様にして2種類の試験体(サンプル1〜13)を作製
した。押出温度での保持時間はいずれも0.5時間とし
た。得られた試験体について、実施例1と同様に熱膨張
係数及び熱伝導率の測定ならびに冷間鍛造試験を実施し
た。その結果を表2に示す。また、Si含有量と熱伝導
率との関係を上記式による曲線とともに図2に示す。
に、Si含有量が同じであれば熱処理条件による熱膨張
係数の差はあまり認められなかった。一方、熱伝導率
は、高温・長時間の処理により上昇することが確認され
た。
概略断面図である。
る。
Claims (6)
- 【請求項1】Si:15〜50質量%、Mg:0〜0.
5質量%、Cu:0〜0.5質量%、Fe:0〜0.3
質量%であり、残部が実質的にAlからなる粉末を固化
成形して得られるAl−Si系粉末合金材料。 - 【請求項2】25〜200℃における平均熱膨張係数が
12〜20ppmであり、かつ、熱伝導率k(W/m
K)が下記式: k≧0.993X2−9.0586X+312.27 (ただし、Xは合金材料中のSi含有量(質量%)を示
す。)を満たす請求項1記載のAl−Si系粉末合金材
料。 - 【請求項3】請求項1又は2に記載の材料からなる放熱
用部材。 - 【請求項4】Si:15〜50質量%、Mg:0〜0.
5質量%、Cu:0〜0.5質量%、Fe:0〜0.3
質量%であり、残部が実質的にAlからなる粉末を冷間
予備成形し、得られた予備成形体を熱間押出した後、冷
間鍛造することを特徴とするAl−Si系粉末合金材料
の製造方法。 - 【請求項5】熱間押出に先立って予備成形体を不活性ガ
ス雰囲気中又は真空中450〜575℃で熱処理する請
求項4記載の製造方法。 - 【請求項6】請求項4又は5に記載の方法によって製造
されるAl−Si系粉末合金材料。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101456122B (zh) * | 2008-12-15 | 2013-05-01 | 同济大学 | 高导电率高硅铝基合金及其制备方法 |
JP2016027595A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-02-18 | 住友電工焼結合金株式会社 | ヒートシンクおよびその製法 |
JP2016194118A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 三菱マテリアル株式会社 | 多孔質アルミニウム焼結体、多孔質アルミニウム複合部材、多孔質アルミニウム焼結体の製造方法、多孔質アルミニウム複合部材の製造方法 |
CN109317685A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-02-12 | 江苏豪然喷射成形合金有限公司 | 一种利用AlSi50合金粉末制备锭坯的制备方法 |
CN111020308A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-04-17 | 苏州先准电子科技有限公司 | 一种新型电子封装高硅铝合金及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6187843A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用基板材料およびその製造方法 |
JPS61104043A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-22 | Honda Motor Co Ltd | 耐熱高強度アルミニウム合金粉末焼成品 |
JPS63243245A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Toyota Motor Corp | 鍛造性に優れたアルミニウム合金部材 |
JPH0641667A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-15 | Sky Alum Co Ltd | Al基プリント配線板 |
JPH0955460A (ja) * | 1994-11-15 | 1997-02-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板材料とその製造方法及び該基板を用いた半導体装置 |
JP2000109944A (ja) * | 1998-10-02 | 2000-04-18 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 耐摩耗性、高強度アルミニウム合金成形体、その製造方法及びその成形体からなるシリンダライナー |
-
2001
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6187843A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用基板材料およびその製造方法 |
JPS61104043A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-22 | Honda Motor Co Ltd | 耐熱高強度アルミニウム合金粉末焼成品 |
JPS63243245A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Toyota Motor Corp | 鍛造性に優れたアルミニウム合金部材 |
JPH0641667A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-15 | Sky Alum Co Ltd | Al基プリント配線板 |
JPH0955460A (ja) * | 1994-11-15 | 1997-02-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板材料とその製造方法及び該基板を用いた半導体装置 |
JP2000109944A (ja) * | 1998-10-02 | 2000-04-18 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 耐摩耗性、高強度アルミニウム合金成形体、その製造方法及びその成形体からなるシリンダライナー |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101456122B (zh) * | 2008-12-15 | 2013-05-01 | 同济大学 | 高导电率高硅铝基合金及其制备方法 |
JP2016027595A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-02-18 | 住友電工焼結合金株式会社 | ヒートシンクおよびその製法 |
JP2016194118A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 三菱マテリアル株式会社 | 多孔質アルミニウム焼結体、多孔質アルミニウム複合部材、多孔質アルミニウム焼結体の製造方法、多孔質アルミニウム複合部材の製造方法 |
CN109317685A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-02-12 | 江苏豪然喷射成形合金有限公司 | 一种利用AlSi50合金粉末制备锭坯的制备方法 |
CN111020308A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-04-17 | 苏州先准电子科技有限公司 | 一种新型电子封装高硅铝合金及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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