JPH1060033A - 低い分子量を有するポリオレフイン類の製造方法および触媒 - Google Patents
低い分子量を有するポリオレフイン類の製造方法および触媒Info
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- JPH1060033A JPH1060033A JP9114224A JP11422497A JPH1060033A JP H1060033 A JPH1060033 A JP H1060033A JP 9114224 A JP9114224 A JP 9114224A JP 11422497 A JP11422497 A JP 11422497A JP H1060033 A JPH1060033 A JP H1060033A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 低い分子量を有するポリオレフィン類を製造
する時に用いるに適したメタロセン触媒を提供する。 【解決手段】 シクロペンタジエニル環の１つがもう１
つの環とは異なる様式で置換されている橋状メタロセン
で，一般に式Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）Ｍｅ
Ｑp［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル
環であり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニル環もし
くは置換インデニル環であり；Ｒ，Ｒ’は、Ｈ、Ｃ1-20
ヒドロカルビル基、ハロゲン等、；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位
に、少なくともｔ−ブチル基と同じぐらいかさ高いＲ置
換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ
4Ｒ’4）環の間に位置していて立体剛性を与える構造ブ
リッジであり；Ｑは、Ｃ１〜２０ヒドロカルビル基、か
或はハロゲンであり；Ｍｅは、ＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢ
またはＶＩＢ族の金属であり；そしてｐは、Ｍｅの原子
価から２を引いた数である］で表されるメタロセン化合
物である。
する時に用いるに適したメタロセン触媒を提供する。 【解決手段】 シクロペンタジエニル環の１つがもう１
つの環とは異なる様式で置換されている橋状メタロセン
で，一般に式Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）Ｍｅ
Ｑp［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル
環であり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニル環もし
くは置換インデニル環であり；Ｒ，Ｒ’は、Ｈ、Ｃ1-20
ヒドロカルビル基、ハロゲン等、；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位
に、少なくともｔ−ブチル基と同じぐらいかさ高いＲ置
換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ
4Ｒ’4）環の間に位置していて立体剛性を与える構造ブ
リッジであり；Ｑは、Ｃ１〜２０ヒドロカルビル基、か
或はハロゲンであり；Ｍｅは、ＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢ
またはＶＩＢ族の金属であり；そしてｐは、Ｍｅの原子
価から２を引いた数である］で表されるメタロセン化合
物である。
Description
【０００１】
【発明の分野】本発明は、低い分子量を有しかつ狭い分
子量分布を示すポリオレフィン類を製造する時に用いる
に有用なメタロセン触媒に関する。この触媒に、シクロ
ペンタジエニル環を２つ有する橋状メタロセンを含め、
ここでは、そのシクロペンタジエニル環の１つを、遠位
（ｄｉｓｔａｌ ｐｏｓｉｔｉｏｎ）において、かさ高
い基で置換し、そして１つを、縮合環が生じるように置
換する。本発明は、更に、この開示する触媒を用いて低
い分子量を有しかつ狭い分子量分布を示すポリオレフィ
ン類を製造する方法も包含する。このポリマー生成物は
結晶性ワックスとしてか或はオレフィン末端鎖で構成さ
せた官能化可能マクロマー（ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚ
ａｂｌｅ ｍａｃｒｏｍｅｒ）として使用可能である。
子量分布を示すポリオレフィン類を製造する時に用いる
に有用なメタロセン触媒に関する。この触媒に、シクロ
ペンタジエニル環を２つ有する橋状メタロセンを含め、
ここでは、そのシクロペンタジエニル環の１つを、遠位
（ｄｉｓｔａｌ ｐｏｓｉｔｉｏｎ）において、かさ高
い基で置換し、そして１つを、縮合環が生じるように置
換する。本発明は、更に、この開示する触媒を用いて低
い分子量を有しかつ狭い分子量分布を示すポリオレフィ
ン類を製造する方法も包含する。このポリマー生成物は
結晶性ワックスとしてか或はオレフィン末端鎖で構成さ
せた官能化可能マクロマー（ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚ
ａｂｌｅ ｍａｃｒｏｍｅｒ）として使用可能である。
【０００２】
【従来技術の説明】本発明は、オレフィン類を重合させ
て低い分子量を有しかつ狭い分子量分布を示すポリマー
を製造する方法を提供するものである。この触媒および
方法は、エチレンおよびプロピレンを重合させて低い分
子量を有しかつ狭い分子量分布を示す結晶性ワックス類
または官能化可能マクロマー類を製造する時に用いるに
特に有用である。
て低い分子量を有しかつ狭い分子量分布を示すポリマー
を製造する方法を提供するものである。この触媒および
方法は、エチレンおよびプロピレンを重合させて低い分
子量を有しかつ狭い分子量分布を示す結晶性ワックス類
または官能化可能マクロマー類を製造する時に用いるに
特に有用である。
【０００３】ポリプロピレンは立体化学構造を通して多
様であり得る。イソタクティック構造は、典型的に、連
続するモノマー単位の第三炭素原子に結合しているメチ
ル基がポリマーの主要鎖を通る仮想面に関して同じ側に
存在するとして、例えばメチル基が全部上記面の上方か
下方に存在するとして説明される。フィッシャー投射式
を用いると、イソタクティックポリプロピレンの立体化
学配列は下記の如く描写される：
様であり得る。イソタクティック構造は、典型的に、連
続するモノマー単位の第三炭素原子に結合しているメチ
ル基がポリマーの主要鎖を通る仮想面に関して同じ側に
存在するとして、例えばメチル基が全部上記面の上方か
下方に存在するとして説明される。フィッシャー投射式
を用いると、イソタクティックポリプロピレンの立体化
学配列は下記の如く描写される：
【０００４】
【化１】
【０００５】この構造を記述する別の方法はＮＭＲを用
いることによる方法である。イソタクティックペンタド
（ｉｓｏｔａｃｔｉｃ ｐｅｎｔａｄ）に関するＢｏｖ
ｅｙのＮＭＲ命名法は、．．．ｍｍｍｍ．．．［ここ
で、各「ｍ」は、該平面に関して同じ側に位置する「メ
ソ」ダイヤド（ｄｙａｄ）または連続メチル基を表す］
である。本技術分野で知られるように、鎖の構造に何ら
かの偏りまたは反転が起こると、ポリマーのイソタクテ
ィック度および結晶度が低下する。
いることによる方法である。イソタクティックペンタド
（ｉｓｏｔａｃｔｉｃ ｐｅｎｔａｄ）に関するＢｏｖ
ｅｙのＮＭＲ命名法は、．．．ｍｍｍｍ．．．［ここ
で、各「ｍ」は、該平面に関して同じ側に位置する「メ
ソ」ダイヤド（ｄｙａｄ）または連続メチル基を表す］
である。本技術分野で知られるように、鎖の構造に何ら
かの偏りまたは反転が起こると、ポリマーのイソタクテ
ィック度および結晶度が低下する。
【０００６】シンジオタクティックポリマー類は、イソ
タクティック構造とは対照的に、連続するモノマー単位
の第三炭素原子に結合しているメチル基がその鎖内でポ
リマー面に関して交互側に存在するポリマー類である。
フィッシャー投射式を用いると、シンジオタクティック
ポリマーの構造は下記の如く表示される：
タクティック構造とは対照的に、連続するモノマー単位
の第三炭素原子に結合しているメチル基がその鎖内でポ
リマー面に関して交互側に存在するポリマー類である。
フィッシャー投射式を用いると、シンジオタクティック
ポリマーの構造は下記の如く表示される：
【０００７】
【化２】
【０００８】ＮＭＲ命名法の場合、このペンタド
は．．．ｒｒｒｒ．．．［ここで、各「ｒ」は「ラセミ
型」ダイヤドを表す、即ち連続するメチル基が該平面に
関して交互側に位置することを表す］として記述され
る。鎖内のｒダイヤドのパーセントによってポリマーの
シンジオタクティック度が決定される。シンジオタクテ
ィックポリマー類は結晶性であり、そしてイソタクティ
ックポリマー類と同様にキシレンに不溶である。
は．．．ｒｒｒｒ．．．［ここで、各「ｒ」は「ラセミ
型」ダイヤドを表す、即ち連続するメチル基が該平面に
関して交互側に位置することを表す］として記述され
る。鎖内のｒダイヤドのパーセントによってポリマーの
シンジオタクティック度が決定される。シンジオタクテ
ィックポリマー類は結晶性であり、そしてイソタクティ
ックポリマー類と同様にキシレンに不溶である。
【０００９】アタクティックポリマーが示す繰り返し単
位構造配置はそのポリマー鎖内で規則的でなく、このよ
うなポリマーは本質的にワックス状生成物を形成する。
位構造配置はそのポリマー鎖内で規則的でなく、このよ
うなポリマーは本質的にワックス状生成物を形成する。
【００１０】イソタクティックポリオレフィン類をもた
らす触媒がヨーロッパ特許出願公開第２８４，７０８号
（これは１９８７年４月３日付けで提出し、ここに放棄
した米国特許連続番号０３４，４７２に相当する）；米
国特許第４，７９４，０９６号；およびヨーロッパ特許
出願公開第３１０，７３４号（これは１９８７年９月１
１日付けで提出し、ここに放棄した米国特許連続番号０
９５，７５５に相当する）に開示されている。上記出願
には、オレフィン類を重合させてイソタクティックポリ
マー類をもたらす高度にイソタクティックなポリプロピ
レンの重合で用いるに特に有用なキラリテーを持つ立体
剛性（ｓｔｅｒｅｏｒｉｇｉｄ）メタロセン触媒が開示
されている。しかしながら、本発明では、オレフィン
類、より詳細にはエチレンおよびプロピレンを重合させ
て結晶性ワックスを製造する時に用いるに有用な異なる
種類のメタロセン触媒を提供する。
らす触媒がヨーロッパ特許出願公開第２８４，７０８号
（これは１９８７年４月３日付けで提出し、ここに放棄
した米国特許連続番号０３４，４７２に相当する）；米
国特許第４，７９４，０９６号；およびヨーロッパ特許
出願公開第３１０，７３４号（これは１９８７年９月１
１日付けで提出し、ここに放棄した米国特許連続番号０
９５，７５５に相当する）に開示されている。上記出願
には、オレフィン類を重合させてイソタクティックポリ
マー類をもたらす高度にイソタクティックなポリプロピ
レンの重合で用いるに特に有用なキラリテーを持つ立体
剛性（ｓｔｅｒｅｏｒｉｇｉｄ）メタロセン触媒が開示
されている。しかしながら、本発明では、オレフィン
類、より詳細にはエチレンおよびプロピレンを重合させ
て結晶性ワックスを製造する時に用いるに有用な異なる
種類のメタロセン触媒を提供する。
【００１１】
【発明の要約】本発明は、低い分子量を有する結晶性ポ
リオレフィン類、より詳細には低い分子量を有するポリ
エチレンおよびポリプロピレンを製造するに適した触媒
および方法を提供するものである。
リオレフィン類、より詳細には低い分子量を有するポリ
エチレンおよびポリプロピレンを製造するに適した触媒
および方法を提供するものである。
【００１２】この触媒に、メタロセン、即ちシクロペン
タジエンの金属誘導体と、イオン化剤（ｉｏｎｉｚｉｎ
ｇ ａｇｅｎｔ）を含める。このメタロセン化合物にシ
クロペンタジエニル環を２つ含めるべきであり、これ
は、一般式： Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’n）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり、好適にはこのブ
リッジを形成する炭素もしくはケイ素の原子を１個有す
るヒドロカルビルまたはヒドロシリル基であり；Ｑは、
炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基、例えばアル
キル、アリール、アルケニル、アルキルアリールまたは
アリールアルキル基などであるか或はハロゲンであり；
Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩＩＢ、Ｉ
ＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そしてｐは、
Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表されるであ
ろう。
タジエンの金属誘導体と、イオン化剤（ｉｏｎｉｚｉｎ
ｇ ａｇｅｎｔ）を含める。このメタロセン化合物にシ
クロペンタジエニル環を２つ含めるべきであり、これ
は、一般式： Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’n）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり、好適にはこのブ
リッジを形成する炭素もしくはケイ素の原子を１個有す
るヒドロカルビルまたはヒドロシリル基であり；Ｑは、
炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル基、例えばアル
キル、アリール、アルケニル、アルキルアリールまたは
アリールアルキル基などであるか或はハロゲンであり；
Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩＩＢ、Ｉ
ＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そしてｐは、
Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表されるであ
ろう。
【００１３】本発明では更にポリオレフィン類、特に低
い分子量と狭い分子量分布を有していて低いタクティッ
ク性を示す、即ち主にイソタクティックでもシンジオタ
クティックでもないアタクティックポリプロピレンを製
造する方法も提供する。この方法は、この上に示した式
で表される触媒を少なくとも１つ利用してこの触媒をオ
レフィンモノマーを含有する重合反応ゾーンの中に導入
することを含む。加うるに、イオン化剤または共触媒、
例えばアルモキサンなどを反応ゾーンに導入することも
可能である。更にまた、この触媒を反応ゾーンの中に導
入する前および／または反応槽内の反応条件が安定化す
る前に、この触媒を前以て重合させておくことも可能で
ある。
い分子量と狭い分子量分布を有していて低いタクティッ
ク性を示す、即ち主にイソタクティックでもシンジオタ
クティックでもないアタクティックポリプロピレンを製
造する方法も提供する。この方法は、この上に示した式
で表される触媒を少なくとも１つ利用してこの触媒をオ
レフィンモノマーを含有する重合反応ゾーンの中に導入
することを含む。加うるに、イオン化剤または共触媒、
例えばアルモキサンなどを反応ゾーンに導入することも
可能である。更にまた、この触媒を反応ゾーンの中に導
入する前および／または反応槽内の反応条件が安定化す
る前に、この触媒を前以て重合させておくことも可能で
ある。
【００１４】以下に示す詳細な記述を参考にして添付図
に関連させて考慮することで本発明のより完全な評価お
よびそれに付随する利点の多くを容易に理解することが
できるであろう。
に関連させて考慮することで本発明のより完全な評価お
よびそれに付随する利点の多くを容易に理解することが
できるであろう。
【００１５】
【発明の詳細な記述】本発明は、低い分子量を有するポ
リオレフィン類、特にポリエチレンおよびポリプロピレ
ンを製造するに適した触媒および方法を提供するもので
ある。
リオレフィン類、特にポリエチレンおよびポリプロピレ
ンを製造するに適した触媒および方法を提供するもので
ある。
【００１６】通常のチーグラー・ナタ（Ｚｉｅｇｌｅｒ
−Ｎａｔｔａ）遷移金属触媒から成る触媒を用いてプロ
ピレンまたは他のアルファ−オレフィン類を重合させる
と、典型的に、そのポリマー生成物は非晶質のアタクテ
ィック画分とキシレンに不溶な結晶性画分の混合物を含
む。この結晶性画分はイソタクティックとジンジオタク
ティック両方の鎖の混合物を含有し得る。高度にイソ特
異的な（ｉｓｏｓｐｅｃｉｆｉｃ）メタロセン触媒がヨ
ーロッパ特許出願公開第２８４，７０８号（これは１９
８７年４月３日付けで提出し、ここに放棄した米国特許
連続番号０３４，４７２に相当する）；米国特許第４，
７９４，０９６号；およびヨーロッパ特許出願公開第３
１０，７３４号（これは１９８７年９月１１日付けで提
出し、ここに放棄した米国特許連続番号０９５，７５５
に相当する）に開示されている。
−Ｎａｔｔａ）遷移金属触媒から成る触媒を用いてプロ
ピレンまたは他のアルファ−オレフィン類を重合させる
と、典型的に、そのポリマー生成物は非晶質のアタクテ
ィック画分とキシレンに不溶な結晶性画分の混合物を含
む。この結晶性画分はイソタクティックとジンジオタク
ティック両方の鎖の混合物を含有し得る。高度にイソ特
異的な（ｉｓｏｓｐｅｃｉｆｉｃ）メタロセン触媒がヨ
ーロッパ特許出願公開第２８４，７０８号（これは１９
８７年４月３日付けで提出し、ここに放棄した米国特許
連続番号０３４，４７２に相当する）；米国特許第４，
７９４，０９６号；およびヨーロッパ特許出願公開第３
１０，７３４号（これは１９８７年９月１１日付けで提
出し、ここに放棄した米国特許連続番号０９５，７５５
に相当する）に開示されている。
【００１７】また、所定メタロセンの異なる立体異性体
を用いると立体化学が異なるポリマーが生じることも文
献で公知である。従って、例えば、エチレンビスインデ
ニルジルコニウムジクロライドのメソ異性体を用いると
アタクティックポリプロピレンが生じる一方、同じメタ
ロセンのラセミ型異性体を用いるとイソタクティックポ
リマーが生じる（W. Kaminsky, K. Kulper, H. H. Brin
tzinger, F. R. Wild.Angew. Chem., Int. Ed. Engl.,
1985, 24, 507；を参照、チタン同族体に関してはJ. A.
Ewen. J. Am. Chem. Soc. 1984, 106, 6355を参照）。
また、所定メタロセンの異なるレジオ異性体（ｒｅｇｉ
ｏｉｓｏｍｅｒｓ）を用いるとまた立体化学が異なるポ
リマーが生じ得ることも文献で公知である。従って、例
えば、ラセミ型の橋状ビス（３−メチルインデニル）ジ
ルコニウムジクロライドを用いるとアタクティックポリ
プロピレンが生じる（J. A. Ewen, L. Haspeslagh, M.
J. Elder, J. L. Atwood, H. Zhang, H. N. Cheng, 「Tr
ansition Metals and Organometallics as catalysts f
or Olefin Polymerization.」, 編集, W. Kaminsky, H.
Sinn., Springer, Berlin, 1988., p281およびW. Spale
ck, F. Kuber, A.Winter, J. Rohrmann, B. Bachmann,
M. Antberg, V. Dolle, E. F. Paulus, Organometallic
s. 1994, 13, 954を参照）。また、橋状でないメタロセ
ンの回転異性体を鎖成長反応中に生じさせると立体化学
が異なるポリマーが生成することが最近示された（G.
W. Coates, R. M. Waymouth. Science. 1995, 267, 21
7）。本発明の触媒は２つまたは４つの立体異性体（よ
り適切にはジアステレオマーと呼ぶ）として存在し、こ
れらを分離して用いてプロピレンを重合させると、以下
により詳細に示すように、低い分子量を有するアタクテ
ィックまたはイソタクティックのポリプロピレンが生じ
る。本発明ではまた両方のジアステレオイソマーがキラ
リティーを持つ。
を用いると立体化学が異なるポリマーが生じることも文
献で公知である。従って、例えば、エチレンビスインデ
ニルジルコニウムジクロライドのメソ異性体を用いると
アタクティックポリプロピレンが生じる一方、同じメタ
ロセンのラセミ型異性体を用いるとイソタクティックポ
リマーが生じる（W. Kaminsky, K. Kulper, H. H. Brin
tzinger, F. R. Wild.Angew. Chem., Int. Ed. Engl.,
1985, 24, 507；を参照、チタン同族体に関してはJ. A.
Ewen. J. Am. Chem. Soc. 1984, 106, 6355を参照）。
また、所定メタロセンの異なるレジオ異性体（ｒｅｇｉ
ｏｉｓｏｍｅｒｓ）を用いるとまた立体化学が異なるポ
リマーが生じ得ることも文献で公知である。従って、例
えば、ラセミ型の橋状ビス（３−メチルインデニル）ジ
ルコニウムジクロライドを用いるとアタクティックポリ
プロピレンが生じる（J. A. Ewen, L. Haspeslagh, M.
J. Elder, J. L. Atwood, H. Zhang, H. N. Cheng, 「Tr
ansition Metals and Organometallics as catalysts f
or Olefin Polymerization.」, 編集, W. Kaminsky, H.
Sinn., Springer, Berlin, 1988., p281およびW. Spale
ck, F. Kuber, A.Winter, J. Rohrmann, B. Bachmann,
M. Antberg, V. Dolle, E. F. Paulus, Organometallic
s. 1994, 13, 954を参照）。また、橋状でないメタロセ
ンの回転異性体を鎖成長反応中に生じさせると立体化学
が異なるポリマーが生成することが最近示された（G.
W. Coates, R. M. Waymouth. Science. 1995, 267, 21
7）。本発明の触媒は２つまたは４つの立体異性体（よ
り適切にはジアステレオマーと呼ぶ）として存在し、こ
れらを分離して用いてプロピレンを重合させると、以下
により詳細に示すように、低い分子量を有するアタクテ
ィックまたはイソタクティックのポリプロピレンが生じ
る。本発明ではまた両方のジアステレオイソマーがキラ
リティーを持つ。
【００１８】本発明のメタロセン触媒は、式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、置換もしくは未置換の
インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素原
子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アルコ
キシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基で、
各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよく；
（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と同じ
ぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり、好適にはこのブ
リッジを形成する炭素またはケイ素原子を１個有するヒ
ドロカルビルもしくはヒドロシリル基であり；Ｑは、炭
素原子数が１−２０のヒドロカルビル基、例えばアルキ
ル、アリール、アルケニル、アルキルアリールまたはア
リールアルキル基などであるか或はハロゲンであり；Ｍ
ｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩＩＢ、ＩＶ
Ｂ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そしてｐは、Ｍ
ｅの原子価から２を引いた数である］で描写可能であ
る。このメタロセン化合物または触媒前駆体に関するこ
のような記述において、「遠」は、下記の図で位置３お
よび４で示すように、ブリッジヘッド（ｂｒｉｄｇｅｈ
ｅａｄ）炭素から最も離れた位置に位置することを意味
する（１は、ブリッジヘッド炭素の位置である）：
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、置換もしくは未置換の
インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素原
子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アルコ
キシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基で、
各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよく；
（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と同じ
ぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり、好適にはこのブ
リッジを形成する炭素またはケイ素原子を１個有するヒ
ドロカルビルもしくはヒドロシリル基であり；Ｑは、炭
素原子数が１−２０のヒドロカルビル基、例えばアルキ
ル、アリール、アルケニル、アルキルアリールまたはア
リールアルキル基などであるか或はハロゲンであり；Ｍ
ｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩＩＢ、ＩＶ
Ｂ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そしてｐは、Ｍ
ｅの原子価から２を引いた数である］で描写可能であ
る。このメタロセン化合物または触媒前駆体に関するこ
のような記述において、「遠」は、下記の図で位置３お
よび４で示すように、ブリッジヘッド（ｂｒｉｄｇｅｈ
ｅａｄ）炭素から最も離れた位置に位置することを意味
する（１は、ブリッジヘッド炭素の位置である）：
【００１９】
【化３】
【００２０】「かさ高い」は、空間的押しのけ容積に関
係し、本発明では、好適にはｔ−ブチル基［（ＣＨ3）3
Ｃ基］に等しいか或はそれより大きい空間的押しのけ容
積を有することを意味する。
係し、本発明では、好適にはｔ−ブチル基［（ＣＨ3）3
Ｃ基］に等しいか或はそれより大きい空間的押しのけ容
積を有することを意味する。
【００２１】このメタロセン化合物または触媒前駆体
は、立体剛性を有し、キラリティーを持ち、そして左右
対称であってもよいか或は左右対称でなくてもよい。立
体剛性を与えることでシクロペンタジエニル環がそれら
の配位軸の回りを回転しないようにするが、この立体剛
性はいくつかの方法で得ることができる。置換シクロペ
ンタジエニル環［これらの置換基は、置換シクロペンタ
ジエニル環の間の空間的な非結合相互作用によってか、
或は置換基のかさ高さによって、立体障害を与える］を
通して立体剛性を得ることができる。立体剛性は、ま
た、シクロペンタジエニル環を運動エネルギーが低い状
態にすることでも得ることができる。シクロペンタジエ
ニル環の間に位置していてそれらをつないでいる構造ブ
リッジで互いに関する位置を固定することでも立体剛性
を得ることができる。
は、立体剛性を有し、キラリティーを持ち、そして左右
対称であってもよいか或は左右対称でなくてもよい。立
体剛性を与えることでシクロペンタジエニル環がそれら
の配位軸の回りを回転しないようにするが、この立体剛
性はいくつかの方法で得ることができる。置換シクロペ
ンタジエニル環［これらの置換基は、置換シクロペンタ
ジエニル環の間の空間的な非結合相互作用によってか、
或は置換基のかさ高さによって、立体障害を与える］を
通して立体剛性を得ることができる。立体剛性は、ま
た、シクロペンタジエニル環を運動エネルギーが低い状
態にすることでも得ることができる。シクロペンタジエ
ニル環の間に位置していてそれらをつないでいる構造ブ
リッジで互いに関する位置を固定することでも立体剛性
を得ることができる。
【００２２】イソプロピリデン［（３−ｔ−ブチルシク
ロペンタジエニル）（インデニル）］ジルコニウムジク
ロライド［Ｍｅ2Ｃ（ｔ−ｂｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣ
ｌ2］の配位子の例を以下に示す：
ロペンタジエニル）（インデニル）］ジルコニウムジク
ロライド［Ｍｅ2Ｃ（ｔ−ｂｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣ
ｌ2］の配位子の例を以下に示す：
【００２３】
【化４】
【００２４】このシクロペンタジエニル環のα位および
β位は、それぞれ、近位および遠位に位置する可能な置
換基の場所を表す。インデニル環の数字で示す位置はイ
ンデニル環の可能な置換基の位置を表し、ここで、１は
ブリッジの位置である。
β位は、それぞれ、近位および遠位に位置する可能な置
換基の場所を表す。インデニル環の数字で示す位置はイ
ンデニル環の可能な置換基の位置を表し、ここで、１は
ブリッジの位置である。
【００２５】このメタロセンのモデルを検査すると、こ
の上で行った説明で示したように、インデンのフェニル
環に非常に近い所にか或はインデンのフェニル基から離
れた所にｔ−ブチル基が位置し得ることが分かる。前者
の場合のジアステレオマーをエリトロ異性体と呼び、そ
して後者の場合の異性体をトレオ異性体と呼ぶ。
の上で行った説明で示したように、インデンのフェニル
環に非常に近い所にか或はインデンのフェニル基から離
れた所にｔ−ブチル基が位置し得ることが分かる。前者
の場合のジアステレオマーをエリトロ異性体と呼び、そ
して後者の場合の異性体をトレオ異性体と呼ぶ。
【００２６】本発明の好適な触媒において、（Ｃ5Ｒ4）
は、好適には、１つのＲ置換基が遠位に位置していて少
なくともｔ−ブチル基と同じほどかさ高くそしてもう１
つのＲが水素である置換シクロペンタジエニル環であ
り、（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、シクロペンタジエニル環
内の１つの炭素原子と結合しているヒドロカルビル基を
含んでいてもよいばかりでなくこの環内の２つの炭素原
子と結合して縮合環を形成している基を含んでいてもよ
く、好適には未置換のインデニル基であり；Ｍｅは、好
適には、ＩＶＢ族の金属、例えばチタン、ジルコニウム
またはハフニウムなど、より好適にはジルコニウムまた
はハフニウム、最も好適にはジルコニウムであり、Ｑ
は、好適にはハロゲン、最も好適には塩素であり；ｐ
は、金属原子の原子価に伴って変化し得るが、好適には
２であり；そしてＲ”は、好適には、（Ｃ5Ｒ4）および
（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）と連携する原子を１個有していて
２つのシクロペンタジエニル環の間のブリッジとして働
くヒドロカルビル基またはヒドロシリル、例えば未置換
のイソプロピリデンまたはフェニルメチルシリル基など
である。
は、好適には、１つのＲ置換基が遠位に位置していて少
なくともｔ−ブチル基と同じほどかさ高くそしてもう１
つのＲが水素である置換シクロペンタジエニル環であ
り、（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、シクロペンタジエニル環
内の１つの炭素原子と結合しているヒドロカルビル基を
含んでいてもよいばかりでなくこの環内の２つの炭素原
子と結合して縮合環を形成している基を含んでいてもよ
く、好適には未置換のインデニル基であり；Ｍｅは、好
適には、ＩＶＢ族の金属、例えばチタン、ジルコニウム
またはハフニウムなど、より好適にはジルコニウムまた
はハフニウム、最も好適にはジルコニウムであり、Ｑ
は、好適にはハロゲン、最も好適には塩素であり；ｐ
は、金属原子の原子価に伴って変化し得るが、好適には
２であり；そしてＲ”は、好適には、（Ｃ5Ｒ4）および
（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）と連携する原子を１個有していて
２つのシクロペンタジエニル環の間のブリッジとして働
くヒドロカルビル基またはヒドロシリル、例えば未置換
のイソプロピリデンまたはフェニルメチルシリル基など
である。
【００２７】この構造ブリッジに典型的な他のヒドロカ
ルビル基には、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシ
ルなどが含まれ、これらは置換もしくは未置換であって
もよい。本触媒における構造ブリッジとして有用な他の
ヒドロカルビル基には、炭素原子数が１−１０の未置換
（線状）アルキル基または炭素原子数が２−２０の置換
（分枝）アルキル基が含まれる。このブリッジにいろい
ろな置換基（橋わたし構成要素上に）を持たせると、そ
のメタロセン化合物のジアステレオマーは２つのみでな
く４つ存在し得る。
ルビル基には、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペ
ンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシ
ルなどが含まれ、これらは置換もしくは未置換であって
もよい。本触媒における構造ブリッジとして有用な他の
ヒドロカルビル基には、炭素原子数が１−１０の未置換
（線状）アルキル基または炭素原子数が２−２０の置換
（分枝）アルキル基が含まれる。このブリッジにいろい
ろな置換基（橋わたし構成要素上に）を持たせると、そ
のメタロセン化合物のジアステレオマーは２つのみでな
く４つ存在し得る。
【００２８】
【化５】
【００２９】図１および２に、好適な触媒前駆体である
イソプロピリデン［３−ｔ−ブチルシクロペンタジエニ
ル−１−インデニル］ジルコニウムジクロライド［Ｍｅ
2Ｃ（ｔ−ｂｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2］およびメチ
ルフェニルシリリデン［３−ｔ−ブチルシクロペンタジ
エニル−１−インデニル］ジルコニウムジクロライド
［Ｍｅ（Ｐｈ）Ｓｉ（ｔ−ｂｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣ
ｌ2］の構造を示す。
イソプロピリデン［３−ｔ−ブチルシクロペンタジエニ
ル−１−インデニル］ジルコニウムジクロライド［Ｍｅ
2Ｃ（ｔ−ｂｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2］およびメチ
ルフェニルシリリデン［３−ｔ−ブチルシクロペンタジ
エニル−１−インデニル］ジルコニウムジクロライド
［Ｍｅ（Ｐｈ）Ｓｉ（ｔ−ｂｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣ
ｌ2］の構造を示す。
【００３０】この触媒前駆体は本技術分野で知られる如
何なる方法で製造されてもよい。この触媒錯体の製造
は、一般に、Ｃｐもしくは置換Ｃｐ配位子を製造および
単離してそれらをハロゲン化金属と反応させて該錯体を
生じさせることを含む。
何なる方法で製造されてもよい。この触媒錯体の製造
は、一般に、Ｃｐもしくは置換Ｃｐ配位子を製造および
単離してそれらをハロゲン化金属と反応させて該錯体を
生じさせることを含む。
【００３１】本発明のメタロセン触媒は本技術分野で知
られる重合方法の多くで用いるに有用であり、このよう
に方法には、ポリエチレンおよびポリプロピレンの製造
で開示された方法の多くが含まれる。本発明の触媒をそ
のような種類の方法で用いると、その過程で結晶性もし
くはアタクティックポリマー類が生じる。
られる重合方法の多くで用いるに有用であり、このよう
に方法には、ポリエチレンおよびポリプロピレンの製造
で開示された方法の多くが含まれる。本発明の触媒をそ
のような種類の方法で用いると、その過程で結晶性もし
くはアタクティックポリマー類が生じる。
【００３２】ポリマーの分子量調節で水素を用いると、
オレフィン鎖の末端が水添を受けるであろう。その結果
として、このようなポリマーは、完全飽和の結晶性ワッ
クスが必要とされる用途で用いるに有用であろう。しか
しながら、重合温度、メタロセンの構造、または共触媒
の種類、組成および条件などの如き工程条件を通してポ
リマーの分子量を調節すると、その結果として生じるポ
リマーは、化学反応でさらなる官能化を受け得るオレフ
ィン鎖末端を持つであろう。
オレフィン鎖の末端が水添を受けるであろう。その結果
として、このようなポリマーは、完全飽和の結晶性ワッ
クスが必要とされる用途で用いるに有用であろう。しか
しながら、重合温度、メタロセンの構造、または共触媒
の種類、組成および条件などの如き工程条件を通してポ
リマーの分子量を調節すると、その結果として生じるポ
リマーは、化学反応でさらなる官能化を受け得るオレフ
ィン鎖末端を持つであろう。
【００３３】本発明の実施で用いるに有用な重合方法の
さらなる例には、米国特許第４，７６７，７３５号に開
示されている方法およびヨーロッパ特許出願公開第３１
０，７３４号（これは１９８７年９月１１日付けで提出
し、ここに放棄する米国特許出願連続番号０９５，７５
５に相当）に開示されている方法が含まれ、これらの開
示は引用することによって本明細書に組み入れられる。
このような好適な重合手順は、本触媒を反応ゾーンに導
入するに先立って共触媒およびオレフィンモノマーを用
いてこの触媒を前以て重合させそして／またはこの触媒
をそれらに予め接触させる段階を含む。
さらなる例には、米国特許第４，７６７，７３５号に開
示されている方法およびヨーロッパ特許出願公開第３１
０，７３４号（これは１９８７年９月１１日付けで提出
し、ここに放棄する米国特許出願連続番号０９５，７５
５に相当）に開示されている方法が含まれ、これらの開
示は引用することによって本明細書に組み入れられる。
このような好適な重合手順は、本触媒を反応ゾーンに導
入するに先立って共触媒およびオレフィンモノマーを用
いてこの触媒を前以て重合させそして／またはこの触媒
をそれらに予め接触させる段階を含む。
【００３４】上記イオン化剤は、中性のメタロセン化合
物をイオン化してカチオンメタロセン触媒を生じさせる
アルミニウムアルキルと組み合わせたか或は単独のルイ
ス酸またはアルモキサンである。このようなイオン化剤
の例は、メチルアルモキサン（ＭＡＯ）、トリス（ペン
タフルオロフェニル）ホウ素またはトリフェニルカルベ
ニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボロネー
トであり、これらは単独か或はトリエチルアルミニウム
（ＴＥＡｌ）との組み合わせである。他のイオン化剤が
米国特許出願連続番号０７／４１９，０５７および０７
／４１９，２２２、並びにヨーロッパ特許出願公開第０
−２７７−０３３号および０−２７７−００４号（これ
らは引用することによって本明細書に組み入れられる）
に開示されている。
物をイオン化してカチオンメタロセン触媒を生じさせる
アルミニウムアルキルと組み合わせたか或は単独のルイ
ス酸またはアルモキサンである。このようなイオン化剤
の例は、メチルアルモキサン（ＭＡＯ）、トリス（ペン
タフルオロフェニル）ホウ素またはトリフェニルカルベ
ニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボロネー
トであり、これらは単独か或はトリエチルアルミニウム
（ＴＥＡｌ）との組み合わせである。他のイオン化剤が
米国特許出願連続番号０７／４１９，０５７および０７
／４１９，２２２、並びにヨーロッパ特許出願公開第０
−２７７−０３３号および０−２７７−００４号（これ
らは引用することによって本明細書に組み入れられる）
に開示されている。
【００３５】本発明の触媒は、アルミニウム共触媒、好
適にはアルモキサンと組み合わせて用いるに特に有用で
ある。加うるに、１９８７年６月２４日付けで公開され
たヨーロッパ特許出願公開第２２６，４６３号の教示に
従い、本明細書に記述する如きメタロセン触媒とアルミ
ニウム共触媒の間で生じる錯体を単離することも可能で
ある。そこに開示されているように、適切な溶媒の存在
下でメタロセンを過剰量のアルモキサンと反応させる。
このメタロセンとアルモキサンの錯体を単離して本発明
における触媒として用いることも可能である。
適にはアルモキサンと組み合わせて用いるに特に有用で
ある。加うるに、１９８７年６月２４日付けで公開され
たヨーロッパ特許出願公開第２２６，４６３号の教示に
従い、本明細書に記述する如きメタロセン触媒とアルミ
ニウム共触媒の間で生じる錯体を単離することも可能で
ある。そこに開示されているように、適切な溶媒の存在
下でメタロセンを過剰量のアルモキサンと反応させる。
このメタロセンとアルモキサンの錯体を単離して本発明
における触媒として用いることも可能である。
【００３６】重合反応でか或はこの上に開示した錯体の
生成で本発明の触媒と組み合わせて用いるに有用なアル
モキサン類は、環状形態の場合一般式（Ｒ−Ａｌ−Ｏ
−）nそして線状形態の場合Ｒ（Ｒ−Ａｌ−Ｏ−）nＡｌ
Ｒ2［式中、Ｒは炭素原子数が１から５のアルキル基で
あり、そしてｎは１から約２０の整数である］で表示可
能である。最も好適には、Ｒはメチル基であり、好適な
アルモキサンはメチルアルモキサン（ＭＡＯ）である。
このアルモキサン類は構造的に下記の如く表示可能であ
る：
生成で本発明の触媒と組み合わせて用いるに有用なアル
モキサン類は、環状形態の場合一般式（Ｒ−Ａｌ−Ｏ
−）nそして線状形態の場合Ｒ（Ｒ−Ａｌ−Ｏ−）nＡｌ
Ｒ2［式中、Ｒは炭素原子数が１から５のアルキル基で
あり、そしてｎは１から約２０の整数である］で表示可
能である。最も好適には、Ｒはメチル基であり、好適な
アルモキサンはメチルアルモキサン（ＭＡＯ）である。
このアルモキサン類は構造的に下記の如く表示可能であ
る：
【００３７】
【化６】
【００３８】このアルモキサン類は本技術分野で知られ
る種々の方法で製造可能である。好適には、適切な溶
媒、例えばベンゼンなどに入っているトリアルキルアル
ミニウム、例えばトリメチルアルミニウムなどの溶液を
水に接触させることでそれらを製造する。別の好適な方
法は、米国特許第４，４０４，３４４号（これの開示は
引用することによって本明細書に組み入れられる）に記
述されているように、水和硫酸銅の存在下でアルモキサ
ンを製造することを含む。このような方法は、トルエン
中の希トリメチルアルミニウム溶液を硫酸銅で処理する
ことを含む。本発明で用いるに有用な他のアルミニウム
共触媒の製造は本分野の技術者に知られる方法で実施可
能である。
る種々の方法で製造可能である。好適には、適切な溶
媒、例えばベンゼンなどに入っているトリアルキルアル
ミニウム、例えばトリメチルアルミニウムなどの溶液を
水に接触させることでそれらを製造する。別の好適な方
法は、米国特許第４，４０４，３４４号（これの開示は
引用することによって本明細書に組み入れられる）に記
述されているように、水和硫酸銅の存在下でアルモキサ
ンを製造することを含む。このような方法は、トルエン
中の希トリメチルアルミニウム溶液を硫酸銅で処理する
ことを含む。本発明で用いるに有用な他のアルミニウム
共触媒の製造は本分野の技術者に知られる方法で実施可
能である。
【００３９】本発明の方法は、メタロセン触媒を使用す
るオレフィン重合で知られる如何なる重合反応条件でも
有効である。重合温度は、好適には−２０℃から９０
℃、より好適には５０℃から８０℃、最も好適には約６
０℃である。重合圧力は、好適には２５ｐｓｉｇから６
００ｐｓｉｇ、より好適には１００ｐｓｉｇから５００
ｐｓｉｇ、最も好適には約３５０ｐｓｉｇである。
るオレフィン重合で知られる如何なる重合反応条件でも
有効である。重合温度は、好適には−２０℃から９０
℃、より好適には５０℃から８０℃、最も好適には約６
０℃である。重合圧力は、好適には２５ｐｓｉｇから６
００ｐｓｉｇ、より好適には１００ｐｓｉｇから５００
ｐｓｉｇ、最も好適には約３５０ｐｓｉｇである。
【００４０】この重合方法はスラリー、塊状または気相
方法であってもよい。有効および最適な反応条件は個々
の工程の選択の影響を受けるであろう。本発明の好適な
方法は塊状もしくはスラリー、より好適には塊状方法で
ある。
方法であってもよい。有効および最適な反応条件は個々
の工程の選択の影響を受けるであろう。本発明の好適な
方法は塊状もしくはスラリー、より好適には塊状方法で
ある。
【００４１】以下に示す実施例で本発明および本発明の
種々の利点および有益さをより詳細に例示する。Ｖａｃ
ｕｕｍ Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅｓのグローブボックスま
たはＳｃｈｌｅｎｋ技術を用いた不活性ガス雰囲気下で
合成手順を実施した。この合成方法は、一般に、（１）
ハロゲン化もしくはアルキル化金属化合物を調製し、
（２）配位子を調製し、（３）錯体を合成し、そして
（４）その錯体を精製する段階を含む。このような方法
で製造した個々の触媒は、イソプロピリデン［３−ｔ−
ブチルシクロペンタジエニル−１−インデニル］ジルコ
ニウムジクロライド［Ｍｅ2Ｃ（ｔ−ｂｕＣｐ）（Ｉｎ
ｄ）ＺｒＣｌ2］およびメチルフェニルシリリデン［３
−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル−１−インデニル］
ジルコニウムジクロライド［Ｍｅ（Ｐｈ）Ｓｉ（ｔ−ｂ
ｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2］である。
種々の利点および有益さをより詳細に例示する。Ｖａｃ
ｕｕｍ Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅｓのグローブボックスま
たはＳｃｈｌｅｎｋ技術を用いた不活性ガス雰囲気下で
合成手順を実施した。この合成方法は、一般に、（１）
ハロゲン化もしくはアルキル化金属化合物を調製し、
（２）配位子を調製し、（３）錯体を合成し、そして
（４）その錯体を精製する段階を含む。このような方法
で製造した個々の触媒は、イソプロピリデン［３−ｔ−
ブチルシクロペンタジエニル−１−インデニル］ジルコ
ニウムジクロライド［Ｍｅ2Ｃ（ｔ−ｂｕＣｐ）（Ｉｎ
ｄ）ＺｒＣｌ2］およびメチルフェニルシリリデン［３
−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル−１−インデニル］
ジルコニウムジクロライド［Ｍｅ（Ｐｈ）Ｓｉ（ｔ−ｂ
ｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2］である。
【００４２】本発明を一般的に記述してきたが、本発明
の実施および利点を示す目的で以下の実施例を本発明の
個々の態様として示す。本実施例は例示として示すもの
であり決して本明細書も請求の範囲も制限することを意
図するものでないと理解する。
の実施および利点を示す目的で以下の実施例を本発明の
個々の態様として示す。本実施例は例示として示すもの
であり決して本明細書も請求の範囲も制限することを意
図するものでないと理解する。
【００４３】
【実施例】触媒の合成 イソプロピリデン（ｔ−ブチルシクロペンタジエニル）
（インデニル）ＺｒＣｌ2の合成を以下に示す段階で達
成した。
（インデニル）ＺｒＣｌ2の合成を以下に示す段階で達
成した。
【００４４】３−ｔ−ブチル−６，６−ジメチルフルベ
ン 還流コンデンサ、気体導入管および磁気撹拌棒を取り付
けた２００ｍｌの３つ口フラスコに、窒素下、ｔ−ブチ
ルシクロペンタジエニルリチウムを２グラムおよび無水
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を２５ｍｌ仕込んだ。そ
の溶液を氷浴で冷却した後、３Ａで乾燥させたアセトン
１０ｍｌを注意深く加えた。この反応混合物を一晩撹拌
した後、６０ｍｌの水を用いて注意深くクエンチした
（ｑｕｅｎｃｈｅｄ）。その結果として生じた溶液を、
標準的実験室抽出手順を用いてエチルエーテルで抽出し
た。その結果として得た黄色油状物を真空下４０−４５
℃で蒸留することで透明な黄色油状物を０．７６ｇ得
た。
ン 還流コンデンサ、気体導入管および磁気撹拌棒を取り付
けた２００ｍｌの３つ口フラスコに、窒素下、ｔ−ブチ
ルシクロペンタジエニルリチウムを２グラムおよび無水
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を２５ｍｌ仕込んだ。そ
の溶液を氷浴で冷却した後、３Ａで乾燥させたアセトン
１０ｍｌを注意深く加えた。この反応混合物を一晩撹拌
した後、６０ｍｌの水を用いて注意深くクエンチした
（ｑｕｅｎｃｈｅｄ）。その結果として生じた溶液を、
標準的実験室抽出手順を用いてエチルエーテルで抽出し
た。その結果として得た黄色油状物を真空下４０−４５
℃で蒸留することで透明な黄色油状物を０．７６ｇ得
た。
【００４５】２−（３−ｔ−ブチルシクロペンタジエニ
ル）−２−インデニルイソプロピリデン 均圧漏斗、３方ストップコック付きサイドアームおよび
磁気撹拌機を取り付けた１００ｍｌのフラスコに窒素下
インデニルリチウムを０．６ｇ仕込んだ。撹拌しながら
上記フラスコに無水ＴＨＦ（１５ｍｌ）を加えた後、０
℃に冷却した。この上に示した段階で調製した０．７６
ｇのフルベンを１５ｍｌのＴＨＦに溶解させた溶液を滴
下漏斗に仕込んだ。このフルベン溶液を５０分かけて滴
下した。この反応混合物を１５−２０℃で一晩撹拌し
た。そのフラスコを氷浴で冷却した後、その反応混合物
を水でクエンチした。その結果として得た溶液をエーテ
ルで抽出することにより、暗褐色の液体を得た。この液
体に真空蒸留を５５−８０℃で受けさせることで、痕跡
量で存在する未反応のフルベンを除去し、そしてその結
果として生じた油状残渣を短いシリカゲルカラムに通し
てペンタンで溶離させることにより、黄色油状物を０．
６１ｇ得た。
ル）−２−インデニルイソプロピリデン 均圧漏斗、３方ストップコック付きサイドアームおよび
磁気撹拌機を取り付けた１００ｍｌのフラスコに窒素下
インデニルリチウムを０．６ｇ仕込んだ。撹拌しながら
上記フラスコに無水ＴＨＦ（１５ｍｌ）を加えた後、０
℃に冷却した。この上に示した段階で調製した０．７６
ｇのフルベンを１５ｍｌのＴＨＦに溶解させた溶液を滴
下漏斗に仕込んだ。このフルベン溶液を５０分かけて滴
下した。この反応混合物を１５−２０℃で一晩撹拌し
た。そのフラスコを氷浴で冷却した後、その反応混合物
を水でクエンチした。その結果として得た溶液をエーテ
ルで抽出することにより、暗褐色の液体を得た。この液
体に真空蒸留を５５−８０℃で受けさせることで、痕跡
量で存在する未反応のフルベンを除去し、そしてその結
果として生じた油状残渣を短いシリカゲルカラムに通し
てペンタンで溶離させることにより、黄色油状物を０．
６１ｇ得た。
【００４６】ｉ−Ｐｒ（ｔ−ＢｕＣｐ）（Ｉｎｄ）Ｚｒ
Ｃｌ2 この上に示した段階で調製した０．６１ｇの配位子を新
しく蒸留した（ベンゾフェノンケチルから）エーテル１
５ｍｌに入れた溶液を３方ストップコックから成るサイ
ドアームを取り付けた１口フラスコに入れて氷冷却し、
これに、エーテル中１．４Ｍのメチルリチウム溶液を
３．２ｍｌ加えた。０℃で３０分間撹拌した後、氷浴を
取り除いて反応混合物を５時間撹拌した。この撹拌を停
止した後、黄色がかったオレンジ色の沈澱物を１０分間
沈降させた。無水ヘキサン（５ｍｌ）を加えた後、カニ
ューレを用いて上澄み液を除去した。新鮮な乾燥ヘキサ
ン浴液でその固体を２回洗浄した後、カニューレを用い
てその残存する固体を取り出した。新鮮なヘキサン（１
０ｍｌ）を加えて撹拌した。この懸濁液に、ヘキサン
（８ｍｌ）にＺｒＣｌ4が０．５１ｇ入っているスラリ
ーを加えた後、その結果として生じた懸濁液を一晩撹拌
した。撹拌を停止して、カニューレを用いて上澄み液を
除去した。残存する固体を乾燥ヘキサンで３回洗浄した
後、その固体を真空下で乾燥させた。
Ｃｌ2 この上に示した段階で調製した０．６１ｇの配位子を新
しく蒸留した（ベンゾフェノンケチルから）エーテル１
５ｍｌに入れた溶液を３方ストップコックから成るサイ
ドアームを取り付けた１口フラスコに入れて氷冷却し、
これに、エーテル中１．４Ｍのメチルリチウム溶液を
３．２ｍｌ加えた。０℃で３０分間撹拌した後、氷浴を
取り除いて反応混合物を５時間撹拌した。この撹拌を停
止した後、黄色がかったオレンジ色の沈澱物を１０分間
沈降させた。無水ヘキサン（５ｍｌ）を加えた後、カニ
ューレを用いて上澄み液を除去した。新鮮な乾燥ヘキサ
ン浴液でその固体を２回洗浄した後、カニューレを用い
てその残存する固体を取り出した。新鮮なヘキサン（１
０ｍｌ）を加えて撹拌した。この懸濁液に、ヘキサン
（８ｍｌ）にＺｒＣｌ4が０．５１ｇ入っているスラリ
ーを加えた後、その結果として生じた懸濁液を一晩撹拌
した。撹拌を停止して、カニューレを用いて上澄み液を
除去した。残存する固体を乾燥ヘキサンで３回洗浄した
後、その固体を真空下で乾燥させた。
【００４７】この反応で得た固体の一部を無水の熱（５
０−５５℃）トルエンに溶解させて、その熱溶液を濾過
した。その残存する固体を少量の乾燥トルエンで２回抽
出した。その抽出液を一緒にして温めながら真空下で溶
媒を除去した。その結果として得た異性体混合物を実施
例１−２および実施例５の重合で用いた。
０−５５℃）トルエンに溶解させて、その熱溶液を濾過
した。その残存する固体を少量の乾燥トルエンで２回抽
出した。その抽出液を一緒にして温めながら真空下で溶
媒を除去した。その結果として得た異性体混合物を実施
例１−２および実施例５の重合で用いた。
【００４８】この上に示した精製手順で得た黄色からオ
レンジ色の固体を、窒素下、ミクロソクスレー抽出装置
に仕込んで、その固体を、不活性雰囲気下、還流ヘキサ
ンで抽出した。熱ヘキサンから沈澱してきたオレンジ色
の固体を単離し、これは単一の異性体（図１のトレオ異
性体を参照）であることを確認した（1Ｈ ＮＭＲによ
り）。この純粋な異性体を実施例３−４に記述する重合
で用いた。また、塩化メチレンとヘキサンの混合物を用
いて上記異性体混合物の再結晶を行うことにより、純粋
な異性体を向上した収率で得た。
レンジ色の固体を、窒素下、ミクロソクスレー抽出装置
に仕込んで、その固体を、不活性雰囲気下、還流ヘキサ
ンで抽出した。熱ヘキサンから沈澱してきたオレンジ色
の固体を単離し、これは単一の異性体（図１のトレオ異
性体を参照）であることを確認した（1Ｈ ＮＭＲによ
り）。この純粋な異性体を実施例３−４に記述する重合
で用いた。また、塩化メチレンとヘキサンの混合物を用
いて上記異性体混合物の再結晶を行うことにより、純粋
な異性体を向上した収率で得た。
【００４９】（Ｐｈ）（Ｍｅ）Ｓｉ（ｔ−ＢｕＣｐ）
（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2 均圧漏斗、気体導入管、ゴム隔膜および撹拌棒を取り付
けて乾燥させた３つ口フラスコをドライボックス内で組
み立てた後、これにジクロロメチルフェニルシラン
（２．７４ｍｌ、３．２ｇ）のＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液
を仕込んだ。この溶液を撹拌しながら−８４℃に冷却し
（酢酸エチル／液体窒素）、そしてインデニルリチウム
（１．７７ｇ）のＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液を氷冷却して
３０−４０分間かけて滴下した。温度を徐々に上昇させ
て室温にした後、この温度で３日間撹拌した。その結果
として生じた溶液を０℃に冷却し、そしてｔ−ブチルシ
クロペンタジエニルリチウム（ｔ−ＢｕＣｐＬｉ）
（１．９ｇ）のＴＨＦ（１５ｍｌ）溶液を滴下漏斗に加
えた。このｔ−ＢｕＣｐＬｉ溶液を反応混合物に滴下す
ることで透明な赤色溶液を得た。この溶液を室温で一晩
撹拌した。その結果として生じた紫色の溶液から溶媒を
真空下で除去することで明るい赤色−紫色のタール状物
を得た。このタール状材料にヘキサン（８０ｍｌ）を加
えた後、そのタール状材料が全部溶媒混合物中に懸濁す
るに充分な量（約３０ｍｌ）で乾燥エーテルを加えた。
この懸濁液に、撹拌しながら、ヘキサン（２０ｍｌ）に
入れた四塩化ジルコニウム（３．３７ｇ）のスラリーを
加えた。反応物の色がオレンジがかった赤色に変化し
た。この反応混合物を室温で一晩撹拌した。撹拌を停止
し、固体を沈降させた後、カニューレを用いて上澄み液
を除去した。乾燥トルエン（１３０ｍｌ）を加えた後、
不活性雰囲気下で濾過を行った。その濾液を若干加熱し
ながら真空下でトルエンを除去することにより、暗赤色
がかったオレンジ色のタール状物を得た。この残渣に乾
燥ヘキサンを加え、そしてそのタール状材料が全部懸濁
固体に変わるまで４０−４５℃で撹拌した。デカンテー
ションでヘキサンを除いた後、その残存する固体を真空
下で乾燥させた。このＬｉＣｌを含まない精製材料のサ
ンプルを以下の重合で用いた。
（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2 均圧漏斗、気体導入管、ゴム隔膜および撹拌棒を取り付
けて乾燥させた３つ口フラスコをドライボックス内で組
み立てた後、これにジクロロメチルフェニルシラン
（２．７４ｍｌ、３．２ｇ）のＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液
を仕込んだ。この溶液を撹拌しながら−８４℃に冷却し
（酢酸エチル／液体窒素）、そしてインデニルリチウム
（１．７７ｇ）のＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液を氷冷却して
３０−４０分間かけて滴下した。温度を徐々に上昇させ
て室温にした後、この温度で３日間撹拌した。その結果
として生じた溶液を０℃に冷却し、そしてｔ−ブチルシ
クロペンタジエニルリチウム（ｔ−ＢｕＣｐＬｉ）
（１．９ｇ）のＴＨＦ（１５ｍｌ）溶液を滴下漏斗に加
えた。このｔ−ＢｕＣｐＬｉ溶液を反応混合物に滴下す
ることで透明な赤色溶液を得た。この溶液を室温で一晩
撹拌した。その結果として生じた紫色の溶液から溶媒を
真空下で除去することで明るい赤色−紫色のタール状物
を得た。このタール状材料にヘキサン（８０ｍｌ）を加
えた後、そのタール状材料が全部溶媒混合物中に懸濁す
るに充分な量（約３０ｍｌ）で乾燥エーテルを加えた。
この懸濁液に、撹拌しながら、ヘキサン（２０ｍｌ）に
入れた四塩化ジルコニウム（３．３７ｇ）のスラリーを
加えた。反応物の色がオレンジがかった赤色に変化し
た。この反応混合物を室温で一晩撹拌した。撹拌を停止
し、固体を沈降させた後、カニューレを用いて上澄み液
を除去した。乾燥トルエン（１３０ｍｌ）を加えた後、
不活性雰囲気下で濾過を行った。その濾液を若干加熱し
ながら真空下でトルエンを除去することにより、暗赤色
がかったオレンジ色のタール状物を得た。この残渣に乾
燥ヘキサンを加え、そしてそのタール状材料が全部懸濁
固体に変わるまで４０−４５℃で撹拌した。デカンテー
ションでヘキサンを除いた後、その残存する固体を真空
下で乾燥させた。このＬｉＣｌを含まない精製材料のサ
ンプルを以下の重合で用いた。
【００５０】重合 実施例１ ２リットルの磁気駆動パックレス（ｐａｃｋｌｅｓｓ）
Ｚｉｐｐｅｒｃｌａｖｅ反応槽内で重合を実施した。ト
ルエン中のＭＡＯ溶液（ＭＡＯが１０重量％入ってい
る）５ｍｌにｉ−Ｐｒ（ｔ−ＢｕＣｐ）（Ｉｎｄ）Ｚｒ
Ｃｌ2の異性体混合物を１０ｍｇ入れた溶液をステンレ
ス鋼製ボンベに入れ、そしてこれを４００ｍｌのプロピ
レンと一緒に室温でプロピレンが１リットル入っている
反応槽に仕込んだ。撹拌を開始すると温度が６０℃に上
昇した。この温度で重合を３２分間実施したが、この
間、重合温度を効率良く制御するのは不可能であった。
モノマーを排出させることで重合を停止させた。反応槽
を開けてポリマーを集めた。５０℃に維持されている真
空オーブン内でポリマーの乾燥を行った。ポリマーの収
量は３７０グラムであった。このポリマーの分析結果を
表１に示す。
Ｚｉｐｐｅｒｃｌａｖｅ反応槽内で重合を実施した。ト
ルエン中のＭＡＯ溶液（ＭＡＯが１０重量％入ってい
る）５ｍｌにｉ−Ｐｒ（ｔ−ＢｕＣｐ）（Ｉｎｄ）Ｚｒ
Ｃｌ2の異性体混合物を１０ｍｇ入れた溶液をステンレ
ス鋼製ボンベに入れ、そしてこれを４００ｍｌのプロピ
レンと一緒に室温でプロピレンが１リットル入っている
反応槽に仕込んだ。撹拌を開始すると温度が６０℃に上
昇した。この温度で重合を３２分間実施したが、この
間、重合温度を効率良く制御するのは不可能であった。
モノマーを排出させることで重合を停止させた。反応槽
を開けてポリマーを集めた。５０℃に維持されている真
空オーブン内でポリマーの乾燥を行った。ポリマーの収
量は３７０グラムであった。このポリマーの分析結果を
表１に示す。
【００５１】このポリマー混合物（１００グラム）を５
００ｍｌのヘプタンに懸濁させて９０℃に加熱し、そし
てこのポリマーが全部溶解するまで撹拌した。撹拌を停
止させて、その溶液を室温に冷却した後、沈澱してきた
イソタクティックポリマーを濾過した。その濾液から溶
媒を蒸発させることでアタクティックポリマーを得た。
００ｍｌのヘプタンに懸濁させて９０℃に加熱し、そし
てこのポリマーが全部溶解するまで撹拌した。撹拌を停
止させて、その溶液を室温に冷却した後、沈澱してきた
イソタクティックポリマーを濾過した。その濾液から溶
媒を蒸発させることでアタクティックポリマーを得た。
【００５２】分子量分布（ＭＷＤ）は数平均分子量（Ｍ
n）に対する重量平均分子量（Ｍw）の比：ＭＷＤ＝Ｍw
／Ｍnとして表示可能である。この比はまた多分散性
（Ｄ）としても知られる。
n）に対する重量平均分子量（Ｍw）の比：ＭＷＤ＝Ｍw
／Ｍnとして表示可能である。この比はまた多分散性
（Ｄ）としても知られる。
【００５３】実施例２ 上記メタロセン異性体混合物を２．５ｇおよびＭＡＯ溶
液を２．５ｍｌ用いそして重合温度を４５℃に維持する
ことで、実施例１の重合手順を繰り返した。重合を６０
分間継続し、その時点で反応を停止させた。ポリマーの
収量は９５ｇであった。このポリマーの分析結果を表１
に示す。
液を２．５ｍｌ用いそして重合温度を４５℃に維持する
ことで、実施例１の重合手順を繰り返した。重合を６０
分間継続し、その時点で反応を停止させた。ポリマーの
収量は９５ｇであった。このポリマーの分析結果を表１
に示す。
【００５４】実施例３ 単一の異性体から成る精製ｉ−Ｐｒ（ｔ−ＢｕＣｐ）
（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2を２ｍｇおよびＭＡＯ溶液を２．
５ｍｌ用いて、実施例１に記述した重合を繰り返した。
重合時間を１時間にした。ポリマーの収量は１３４グラ
ムのイソタクティックポリプロピレンであった。このポ
リマーの分析結果を表１に示す。
（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2を２ｍｇおよびＭＡＯ溶液を２．
５ｍｌ用いて、実施例１に記述した重合を繰り返した。
重合時間を１時間にした。ポリマーの収量は１３４グラ
ムのイソタクティックポリプロピレンであった。このポ
リマーの分析結果を表１に示す。
【００５５】実施例４ 精製ｉ−Ｐｒ（ｔ−ＢｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2を
２ｍｇおよびＭＡＯを２．５ｍｌ用いて、実施例１に記
述した手順を繰り返した。重合時間を１時間にした。ポ
リマーの収量は１２グラムのイソタクティックポリプロ
ピレンであった。このポリマーの分析結果を表１に示
す。
２ｍｇおよびＭＡＯを２．５ｍｌ用いて、実施例１に記
述した手順を繰り返した。重合時間を１時間にした。ポ
リマーの収量は１２グラムのイソタクティックポリプロ
ピレンであった。このポリマーの分析結果を表１に示
す。
【００５６】実施例５ ４リットルのオートクレーブにヘキサンを９２５グラム
仕込んで８０℃に加熱した。この溶媒の中に、体積比が
０．２５（Ｈ2／Ｃ2Ｈ4）の水素とエチレンの混合物を
１０ｍｌ／分で通した。触媒搬送用ボンベにｉ−Ｐｒ
（ｔ−ＢｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2（単一の異性体
成分）を１０ｍｇおよびトルエン中１０％のＭＡＯ溶液
を１０ｍｌ仕込んだ。この触媒用ボンベを上記反応槽に
連結して、この触媒を３７５ｇの加圧ヘキサンと一緒に
反応槽に仕込んだ。撹拌速度を６００ｒｐｍにして重合
を８０℃で１時間実施した。この期間が終了した時点で
モノマーの供給を停止し、排気して反応槽の圧力を解放
した後、ポリマーのスラリーをフラスコに集めた。ロー
タリーエバポレーターを用いて溶媒を真空下で除去した
後、真空オーブン内で乾燥を行った。ポリマーの収量は
２１０ｇであった。このポリマーの分析結果を表１に示
す。
仕込んで８０℃に加熱した。この溶媒の中に、体積比が
０．２５（Ｈ2／Ｃ2Ｈ4）の水素とエチレンの混合物を
１０ｍｌ／分で通した。触媒搬送用ボンベにｉ−Ｐｒ
（ｔ−ＢｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2（単一の異性体
成分）を１０ｍｇおよびトルエン中１０％のＭＡＯ溶液
を１０ｍｌ仕込んだ。この触媒用ボンベを上記反応槽に
連結して、この触媒を３７５ｇの加圧ヘキサンと一緒に
反応槽に仕込んだ。撹拌速度を６００ｒｐｍにして重合
を８０℃で１時間実施した。この期間が終了した時点で
モノマーの供給を停止し、排気して反応槽の圧力を解放
した後、ポリマーのスラリーをフラスコに集めた。ロー
タリーエバポレーターを用いて溶媒を真空下で除去した
後、真空オーブン内で乾燥を行った。ポリマーの収量は
２１０ｇであった。このポリマーの分析結果を表１に示
す。
【００５７】実施例６ 重合手順は、精製（Ｍｅ）Ｐｈ）Ｓｉ（ｔ−ＢｕＣｐ）
（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2を１０ｍｇおよびＭＡＯを５ｍｌ
用いる以外は実施例１に記述したのと同じであった。重
合時間を１時間にした。ポリマーの収量は１００グラム
であった。このポリマーの分析結果を表１に示す。
（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2を１０ｍｇおよびＭＡＯを５ｍｌ
用いる以外は実施例１に記述したのと同じであった。重
合時間を１時間にした。ポリマーの収量は１００グラム
であった。このポリマーの分析結果を表１に示す。
【００５８】このポリマー混合物（２５グラム）を１２
５ｍｌのヘプタンに懸濁させて９０℃に加熱し、そして
このポリマーが全部溶解するまで撹拌した。撹拌を停止
させて、その溶液を室温に冷却した後、沈澱してきたイ
ソタクティックポリマーを濾過した。その濾液から溶媒
を蒸発させることでアタクティックポリマーを得た。
５ｍｌのヘプタンに懸濁させて９０℃に加熱し、そして
このポリマーが全部溶解するまで撹拌した。撹拌を停止
させて、その溶液を室温に冷却した後、沈澱してきたイ
ソタクティックポリマーを濾過した。その濾液から溶媒
を蒸発させることでアタクティックポリマーを得た。
【００５９】実施例７ 精製（Ｍｅ）Ｐｈ）Ｓｉ（ｔ−ＢｕＣｐ）（Ｉｎｄ）Ｚ
ｒＣｌ2を１０ｍｇおよびＭＡＯを５ｍｌ用いて、実施
例６に記述した手順を繰り返した。重合時間を１時間に
した。ポリマーの収量は４０グラムであった。このポリ
マーの分析結果を表１に示す。
ｒＣｌ2を１０ｍｇおよびＭＡＯを５ｍｌ用いて、実施
例６に記述した手順を繰り返した。重合時間を１時間に
した。ポリマーの収量は４０グラムであった。このポリ
マーの分析結果を表１に示す。
【００６０】
【表１】
【００６１】錯体の立体化学とポリマー生成物の間の関
係に関して、ｉ−Ｐｒ（ｔ−ＢｕＣｐ）（Ｉｎｄ）Ｚｒ
Ｃｌ2は、インデニル基のフェニル環に関するｔ−ブチ
ル基の空間的位置に応じて、２つの立体異性体、即ちト
レオ異性体およびエリトロ異性体として存在する（図
１）。精製方法を用いて１つの異性体、仮定上トレオ異
性体を単離することができ、このトレオ異性体を用いて
プロピレンを重合させるとイソタクティックポリプロピ
レンが生じる。1Ｈ−ＮＭＲ測定をいろいろな温度（−
３０から１３０℃）の１，１，２，２−テトラクロロエ
タン中で行った結果、この２つの異性体は相互変換を起
こさないことが示唆された。この結果は、異性体の混合
物を用いるとイソタクティックポリプロピレンとアタク
ティックポリプロピレンの混合物が生じることを示して
いる。もう１つの異性体、仮定上エリトロ異性体を用い
てプロピレンを重合させるとアタクティックポリプロピ
レンが生じると仮定する。
係に関して、ｉ−Ｐｒ（ｔ−ＢｕＣｐ）（Ｉｎｄ）Ｚｒ
Ｃｌ2は、インデニル基のフェニル環に関するｔ−ブチ
ル基の空間的位置に応じて、２つの立体異性体、即ちト
レオ異性体およびエリトロ異性体として存在する（図
１）。精製方法を用いて１つの異性体、仮定上トレオ異
性体を単離することができ、このトレオ異性体を用いて
プロピレンを重合させるとイソタクティックポリプロピ
レンが生じる。1Ｈ−ＮＭＲ測定をいろいろな温度（−
３０から１３０℃）の１，１，２，２−テトラクロロエ
タン中で行った結果、この２つの異性体は相互変換を起
こさないことが示唆された。この結果は、異性体の混合
物を用いるとイソタクティックポリプロピレンとアタク
ティックポリプロピレンの混合物が生じることを示して
いる。もう１つの異性体、仮定上エリトロ異性体を用い
てプロピレンを重合させるとアタクティックポリプロピ
レンが生じると仮定する。
【００６２】（Ｍｅ）（Ｐｈ）Ｓｉ（ｔ−ＢｕＣｐ）
（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2の組成は、ケイ素ブリッジ上にい
ろいろな基が存在していることから、より複雑であり、
そしてその構造を基にして、この上の本文中で示したよ
うにラセミ型ジアステレオマーが４つ存在すると予測さ
れる。メタロセンを用いて製造したポリマー類で期待さ
れる狭い分子量分布とは対照的にポリマー生成物が幅広
い分子量分布を示すことは、異なる異性体を用いると異
なる分子量を有するばかりでなくいろいろな立体化学を
有するポリマーが生じることを示唆している。
（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2の組成は、ケイ素ブリッジ上にい
ろいろな基が存在していることから、より複雑であり、
そしてその構造を基にして、この上の本文中で示したよ
うにラセミ型ジアステレオマーが４つ存在すると予測さ
れる。メタロセンを用いて製造したポリマー類で期待さ
れる狭い分子量分布とは対照的にポリマー生成物が幅広
い分子量分布を示すことは、異なる異性体を用いると異
なる分子量を有するばかりでなくいろいろな立体化学を
有するポリマーが生じることを示唆している。
【００６３】実施例１および２に示すように、トレオ異
性体とエリトロ異性体の混合物を用いるとアタクティッ
クポリマーと結晶性（イソタクティック）ポリマーの混
合物が生じる。単一のトレオ異性体を重合で用いると、
実施例３−５に示すように、結晶性（イソタクティッ
ク）ポリマーのみが生じる。可能なジアステレオマーが
４つ存在するようにブリッジにいろいろな置換基を持た
せて２つのトレオ異性体を用いると、実施例６および７
に示すように、幅広い分子量分布を示す結晶性（イソタ
クティック）ポリマーが生じる。単一部位触媒であるメ
タロセン触媒を用いると、一般に、狭い分子量分布を示
すポリマーが生じる。理論的には、単一のメタロセン触
媒を用いると、分子量分布が約２のポリマーが生じるで
あろう。本発明では、２つのトレオ異性体を含む単一の
メタロセン触媒を用いることで、比較的幅広い分子量分
布、即ち２以上から約４以下の分子量分布を示すポリマ
ーを製造することができる。
性体とエリトロ異性体の混合物を用いるとアタクティッ
クポリマーと結晶性（イソタクティック）ポリマーの混
合物が生じる。単一のトレオ異性体を重合で用いると、
実施例３−５に示すように、結晶性（イソタクティッ
ク）ポリマーのみが生じる。可能なジアステレオマーが
４つ存在するようにブリッジにいろいろな置換基を持た
せて２つのトレオ異性体を用いると、実施例６および７
に示すように、幅広い分子量分布を示す結晶性（イソタ
クティック）ポリマーが生じる。単一部位触媒であるメ
タロセン触媒を用いると、一般に、狭い分子量分布を示
すポリマーが生じる。理論的には、単一のメタロセン触
媒を用いると、分子量分布が約２のポリマーが生じるで
あろう。本発明では、２つのトレオ異性体を含む単一の
メタロセン触媒を用いることで、比較的幅広い分子量分
布、即ち２以上から約４以下の分子量分布を示すポリマ
ーを製造することができる。
【００６４】明らかに、この上で行った教示に照らして
本発明の修飾形および変形が数多く可能になる。従っ
て、添付請求の範囲の範囲内ならば本明細書に具体的に
記述した様式以外の様式でも本発明を実施することがで
きると理解されるべきである。
本発明の修飾形および変形が数多く可能になる。従っ
て、添付請求の範囲の範囲内ならば本明細書に具体的に
記述した様式以外の様式でも本発明を実施することがで
きると理解されるべきである。
【００６５】本発明の特徴および態様は以下のとうりで
ある。
ある。
【００６６】１． オレフィンモノマーを重合させて低
い分子量を有するポリオレフィンを生じさせる方法であ
って、 ａ）１）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物と ２）イオン化剤、を含むメタロセン触媒を選択し、 ｂ）この触媒を、オレフィンモノマーを入れる重合反応
ゾーンに導入して、この反応ゾーンを重合反応条件下に
維持し、そして ｃ）比較的低い分子量を有するポリマーを取り出す、こ
とを含む方法。
い分子量を有するポリオレフィンを生じさせる方法であ
って、 ａ）１）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物と ２）イオン化剤、を含むメタロセン触媒を選択し、 ｂ）この触媒を、オレフィンモノマーを入れる重合反応
ゾーンに導入して、この反応ゾーンを重合反応条件下に
維持し、そして ｃ）比較的低い分子量を有するポリマーを取り出す、こ
とを含む方法。
【００６７】２． （Ｃ5Ｒ4）が、ｔ−ブチル基である
１個のＲ置換基を遠位に有する置換シクロペンタジエニ
ル基である第１項の方法。
１個のＲ置換基を遠位に有する置換シクロペンタジエニ
ル基である第１項の方法。
【００６８】３． （Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）が未置換のイ
ンデニル基である第１項の方法。
ンデニル基である第１項の方法。
【００６９】４． Ｍｅがチタン、ジルコニウムまたは
ハフニウムである第２項の方法。
ハフニウムである第２項の方法。
【００７０】５． Ｒ”を炭素原子数が１−４のアルキ
レン基から成る群から選択する第１項の方法。
レン基から成る群から選択する第１項の方法。
【００７１】６． Ｒ”がヒドロカルビルまたはヒドロ
シリル基である第１項の方法。
シリル基である第１項の方法。
【００７２】７． Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ
4Ｒ’4）がイソプロピリデン［３−ｔ−ブチルシクロペ
ンタジエニル−１−インデニル］またはメチルフェニル
シリリデン［３−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル−１
−インデニル］基である第１項の方法。
4Ｒ’4）がイソプロピリデン［３−ｔ−ブチルシクロペ
ンタジエニル−１−インデニル］またはメチルフェニル
シリリデン［３−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル−１
−インデニル］基である第１項の方法。
【００７３】８． 該イオン化剤がアルモキサンである
第１項の方法。
第１項の方法。
【００７４】９． 該触媒を該反応ゾーンに導入するに
先立ってこれを前以て重合させることを更に含み、ここ
で、上記前以て重合させる段階が、該触媒をオレフィン
モノマーおよびアルモキサンに接触させることを含む第
１項の方法。
先立ってこれを前以て重合させることを更に含み、ここ
で、上記前以て重合させる段階が、該触媒をオレフィン
モノマーおよびアルモキサンに接触させることを含む第
１項の方法。
【００７５】１０． 該オレフィンモノマーがエチレン
またはプロピレンである第１項の方法。
またはプロピレンである第１項の方法。
【００７６】１１． 低い分子量を有するポリオレフィ
ン類を製造するための触媒であって、 ａ）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニル環もしくは
置換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭
素原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、ア
ルコキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物と ｂ）イオン化剤、を含む触媒。
ン類を製造するための触媒であって、 ａ）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニル環もしくは
置換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭
素原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、ア
ルコキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物と ｂ）イオン化剤、を含む触媒。
【００７７】１２． （Ｃ5Ｒ4）が、ｔ−ブチル基であ
る１個のＲ置換基を遠位に有する置換シクロペンタジエ
ニル基である第１１項の触媒。
る１個のＲ置換基を遠位に有する置換シクロペンタジエ
ニル基である第１１項の触媒。
【００７８】１３． （Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）が未置換の
インデニル基である第１１項の触媒。
インデニル基である第１１項の触媒。
【００７９】１４． Ｍｅがチタン、ジルコニウムまた
はハフニウムである第１１項の触媒。
はハフニウムである第１１項の触媒。
【００８０】１５． Ｒ”が炭素原子数が１−４のアル
キレン基から成る群から選択される第１１項の触媒。
キレン基から成る群から選択される第１１項の触媒。
【００８１】１６． Ｒ”がヒドロカルビルまたはヒド
ロシリル基である第１１項の触媒。
ロシリル基である第１１項の触媒。
【００８２】１７． Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ
4Ｒ’4）がイソプロピリデン［３−ｔ−ブチルシクロペ
ンタジエニル−１−インデニル］またはメチルフェニル
シリリデン［３−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル−１
−インデニル］基である第１１項の触媒。
4Ｒ’4）がイソプロピリデン［３−ｔ−ブチルシクロペ
ンタジエニル−１−インデニル］またはメチルフェニル
シリリデン［３−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル−１
−インデニル］基である第１１項の触媒。
【００８３】１８． 該イオン化剤が、中性のメタロセ
ン化合物をイオン化してカチオンメタロセン触媒を生じ
させるアルミニウムアルキルと組み合わせたか或は単独
のルイス酸またはアルモキサンである第１１項の触媒。
ン化合物をイオン化してカチオンメタロセン触媒を生じ
させるアルミニウムアルキルと組み合わせたか或は単独
のルイス酸またはアルモキサンである第１１項の触媒。
【００８４】１９． 該イオン化剤がメチルアルモキサ
ン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素、トリフ
ェニルカルベニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボロネート、トリエチルアルミニウムと組み合わせ
たトリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素、またはト
リエチルアルミニウムと組み合わせたトリフェニルカル
ベニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボロネ
ートである第１１項の触 ２０． 該触媒をオレフィンモノマーに接触させること
で該触媒を前以て重合させた第１１項の触媒。
ン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素、トリフ
ェニルカルベニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボロネート、トリエチルアルミニウムと組み合わせ
たトリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素、またはト
リエチルアルミニウムと組み合わせたトリフェニルカル
ベニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボロネ
ートである第１１項の触 ２０． 該触媒をオレフィンモノマーに接触させること
で該触媒を前以て重合させた第１１項の触媒。
【００８５】２１． オレフィンモノマーを重合させて
低い分子量を有する結晶性ポリオレフィンを生じさせる
方法であって、 ａ）１）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物と ２）イオン化剤、を含むメタロセン触媒を選択し、 ｂ）このメタロセン化合物を精製して単一のトレオ異性
体を分離し、 ｃ）この触媒を、オレフィンモノマーを入れる重合反応
ゾーンに導入して、この反応ゾーンを重合反応条件下に
維持し、そして ｄ）比較的低い分子量を有する結晶性ポリマーを取り出
す、ことを含む方法。
低い分子量を有する結晶性ポリオレフィンを生じさせる
方法であって、 ａ）１）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物と ２）イオン化剤、を含むメタロセン触媒を選択し、 ｂ）このメタロセン化合物を精製して単一のトレオ異性
体を分離し、 ｃ）この触媒を、オレフィンモノマーを入れる重合反応
ゾーンに導入して、この反応ゾーンを重合反応条件下に
維持し、そして ｄ）比較的低い分子量を有する結晶性ポリマーを取り出
す、ことを含む方法。
【００８６】２２． 低い分子量を有する結晶性ポリオ
レフィン類を製造するための触媒であって、 ａ）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物の単一トレオ異性体を含むメタロ
セン触媒と ｂ）イオン化剤、を含む触媒。
レフィン類を製造するための触媒であって、 ａ）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物の単一トレオ異性体を含むメタロ
セン触媒と ｂ）イオン化剤、を含む触媒。
【００８７】２３． オレフィンモノマーを重合させて
低い分子量を有するアタクティックポリオレフィンを生
じさせる方法であって、 ａ）１）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物と ２）イオン化剤、を含むメタロセン触媒を選択し、 ｂ）このメタロセン化合物を精製して単一のエリトロ異
性体を分離し、 ｃ）この触媒を、オレフィンモノマーを入れる重合反応
ゾーンに導入して、この反応ゾーンを重合反応条件下に
維持し、そして ｄ）比較的低い分子量を有するアタクティックポリマー
を取り出す、ことを含む方法。
低い分子量を有するアタクティックポリオレフィンを生
じさせる方法であって、 ａ）１）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物と ２）イオン化剤、を含むメタロセン触媒を選択し、 ｂ）このメタロセン化合物を精製して単一のエリトロ異
性体を分離し、 ｃ）この触媒を、オレフィンモノマーを入れる重合反応
ゾーンに導入して、この反応ゾーンを重合反応条件下に
維持し、そして ｄ）比較的低い分子量を有するアタクティックポリマー
を取り出す、ことを含む方法。
【００８８】２４． 低い分子量を有するアタクティッ
クポリオレフィン類を製造するための触媒であって、 ａ）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物の単一エリトロ異性体を含むメタ
ロセン触媒と ｂ）イオン化剤、を含む触媒。
クポリオレフィン類を製造するための触媒であって、 ａ）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物の単一エリトロ異性体を含むメタ
ロセン触媒と ｂ）イオン化剤、を含む触媒。
【００８９】２５． オレフィンモノマーを重合させて
幅広い分子量分布を示すポリオレフィンを生じさせる方
法であって、 ａ）１）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与えそしてメタロセン化合物のジアステレオ
マーが４つ存在するように置換されている構造ブリッジ
であり；Ｑは、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル
基であるか或はハロゲンであり；Ｍｅは、元素周期律表
に位置している如きＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩ
Ｂ族の金属であり；そしてｐは、Ｍｅの原子価から２を
引いた数である］で表されるメタロセン化合物と ２）イオン化剤、を含むメタロセン触媒を選択し、 ｂ）このメタロセン化合物を精製してトレオ異性体を分
離し、 ｃ）この触媒を、オレフィンモノマーを入れる重合反応
ゾーンに導入して、この反応ゾーンを重合反応条件下に
維持し、そして ｄ）幅広い分子量分布を示すポリマーを取り出す、こと
を含む方法。
幅広い分子量分布を示すポリオレフィンを生じさせる方
法であって、 ａ）１）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与えそしてメタロセン化合物のジアステレオ
マーが４つ存在するように置換されている構造ブリッジ
であり；Ｑは、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル
基であるか或はハロゲンであり；Ｍｅは、元素周期律表
に位置している如きＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩ
Ｂ族の金属であり；そしてｐは、Ｍｅの原子価から２を
引いた数である］で表されるメタロセン化合物と ２）イオン化剤、を含むメタロセン触媒を選択し、 ｂ）このメタロセン化合物を精製してトレオ異性体を分
離し、 ｃ）この触媒を、オレフィンモノマーを入れる重合反応
ゾーンに導入して、この反応ゾーンを重合反応条件下に
維持し、そして ｄ）幅広い分子量分布を示すポリマーを取り出す、こと
を含む方法。
【００９０】２６． 幅広い分子量分布を示すポリオレ
フィン類を製造するための触媒であって、 ａ）ジアステレオマーを４つ有していて式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える置換構造ブリッジで、いろいろな置換
基を有し；Ｑは、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビ
ル基であるか或はハロゲンであり；Ｍｅは、元素周期律
表に位置している如きＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶ
ＩＢ族の金属であり；そしてｐは、Ｍｅの原子価から２
を引いた数である］で表されるメタロセン化合物のトレ
オ異性体を含むメタロセン触媒と ｂ）イオン化剤、を含む触媒。
フィン類を製造するための触媒であって、 ａ）ジアステレオマーを４つ有していて式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える置換構造ブリッジで、いろいろな置換
基を有し；Ｑは、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビ
ル基であるか或はハロゲンであり；Ｍｅは、元素周期律
表に位置している如きＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶ
ＩＢ族の金属であり；そしてｐは、Ｍｅの原子価から２
を引いた数である］で表されるメタロセン化合物のトレ
オ異性体を含むメタロセン触媒と ｂ）イオン化剤、を含む触媒。
【図１】触媒前駆体であるイソプロピリデン［３−ｔ−
ブチルシクロペンタジエニル−１−インデニル］ジルコ
ニウムジクロライド［Ｍｅ2Ｃ（ｔ−ｂｕＣｐ）（Ｉｎ
ｄ）ＺｒＣｌ2］の構造を示す。
ブチルシクロペンタジエニル−１−インデニル］ジルコ
ニウムジクロライド［Ｍｅ2Ｃ（ｔ−ｂｕＣｐ）（Ｉｎ
ｄ）ＺｒＣｌ2］の構造を示す。
【図２】触媒前駆体であるメチルフェニルシリリデン
［３−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル−１−インデニ
ル］ジルコニウムジクロライド［Ｍｅ（Ｐｈ）Ｓｉ（ｔ
−ｂｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2］の構造を示す。
［３−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル−１−インデニ
ル］ジルコニウムジクロライド［Ｍｅ（Ｐｈ）Ｓｉ（ｔ
−ｂｕＣｐ）（Ｉｎｄ）ＺｒＣｌ2］の構造を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ビー・ラガバ・レツデイ アメリカ合衆国テキサス州77520ベイタウ ン・エツジウツド４ (72)発明者 マーガリト・ロペス アメリカ合衆国テキサス州77502パサデ ナ・バレリー1213
Claims (8)
- 【請求項１】 オレフィンモノマーを重合させて低い分
子量を有するポリオレフィンを生じさせる方法であっ
て、 ａ）１）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物と ２）イオン化剤、を含むメタロセン触媒を選択し、 ｂ）この触媒を、オレフィンモノマーを含有する重合反
応ゾーンに導入して、この反応ゾーンを重合反応条件下
に維持し、そして ｃ）比較的低い分子量を有するポリマーを取り出す、こ
とを含む方法。 - 【請求項２】 低い分子量を有するポリオレフィン類を
製造するための触媒であって、 ａ）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニル環もしくは
置換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭
素原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、ア
ルコキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物と ｂ）イオン化剤、を含む触媒。 - 【請求項３】 オレフィンモノマーを重合させて低い分
子量を有する結晶性ポリオレフィンを生じさせる方法で
あって、 ａ）１）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物と ２）イオン化剤、を含むメタロセン触媒を選択し、 ｂ）このメタロセン化合物を精製して単一のトレオ異性
体を分離し、 ｃ）この触媒を、オレフィンモノマーを含有する重合反
応ゾーンに導入して、この反応ゾーンを重合反応条件下
に維持し、そして ｄ）比較的低い分子量を有する結晶性ポリマーを取り出
す、ことを含む方法。 - 【請求項４】 低い分子量を有する結晶性ポリオレフィ
ン類を製造するための触媒であって、 ａ）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物の単一トレオ異性体を含むメタロ
セン触媒と ｂ）イオン化剤、を含む触媒。 - 【請求項５】 オレフィンモノマーを重合させて低い分
子量を有するアタクティックポリオレフィンを生じさせ
る方法であって、 ａ）１）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物と ２）イオン化剤、を含むメタロセン触媒を選択し、 ｂ）このメタロセン化合物を精製して単一のエリトロ異
性体を分離し、 ｃ）この触媒を、オレフィンモノマーを含有する重合反
応ゾーンに導入して、この反応ゾーンを重合反応条件下
に維持し、そして ｄ）比較的低い分子量を有するアタクティックポリマー
を取り出す、ことを含む方法。 - 【請求項６】 低い分子量を有するアタクティックポリ
オレフィン類を製造するための触媒であって、 ａ）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える構造ブリッジであり；Ｑは、炭素原子
数が１−２０のヒドロカルビル基であるか或はハロゲン
であり；Ｍｅは、元素周期律表に位置している如きＩＩ
ＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり；そし
てｐは、Ｍｅの原子価から２を引いた数である］で表さ
れるメタロセン化合物の単一エリトロ異性体を含むメタ
ロセン触媒と ｂ）イオン化剤、を含む触媒。 - 【請求項７】 オレフィンモノマーを重合させて幅広い
分子量分布を示すポリオレフィンを生じさせる方法であ
って、 ａ）１）式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与えそしてメタロセン化合物のジアステレオ
マーが４つ存在するように置換されている構造ブリッジ
であり；Ｑは、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビル
基であるか或はハロゲンであり；Ｍｅは、元素周期律表
に位置している如きＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩ
Ｂ族の金属であり；そしてｐは、Ｍｅの原子価から２を
引いた数である］で表されるメタロセン化合物と ２）イオン化剤、を含むメタロセン触媒を選択し、 ｂ）このメタロセン化合物を精製してトレオ異性体を分
離し、 ｃ）この触媒を、オレフィンモノマーを入れる重合反応
ゾーンに導入して、この反応ゾーンを重合反応条件下に
維持し、そして ｄ）幅広い分子量分布を示すポリマーを取り出す、こと
を含む方法。 - 【請求項８】 幅広い分子量分布を示すポリオレフィン
類を製造するための触媒であって、 ａ）ジアステレオマーを４つ有していて式 Ｒ”（Ｃ5Ｒ4）（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）ＭｅＱp ［式中、（Ｃ5Ｒ4）は、置換シクロペンタジエニル環で
あり；（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）は、インデニルもしくは置
換インデニル環であり；各ＲおよびＲ’は、水素、炭素
原子数が１−２０のヒドロカルビル基、ハロゲン、アル
コキシ、アルコキシアルキルまたはアルキルアミノ基
で、各ＲおよびＲ’は同一もしくは異なっていてもよ
く；（Ｃ5Ｒ4）は、遠位に、少なくともｔ−ブチル基と
同じぐらいかさ高いＲ置換基を１個有し；Ｒ”は、（Ｃ
5Ｒ4）環と（Ｒ’2Ｃ5Ｃ4Ｒ’4）環の間に位置していて
立体剛性を与える置換構造ブリッジで、いろいろな置換
基を有し；Ｑは、炭素原子数が１−２０のヒドロカルビ
ル基であるか或はハロゲンであり；Ｍｅは、元素周期律
表に位置している如きＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶ
ＩＢ族の金属であり；そしてｐは、Ｍｅの原子価から２
を引いた数である］で表されるメタロセン化合物のトレ
オ異性体を含むメタロセン触媒と ｂ）イオン化剤、を含む触媒。
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