JPH1048679A - 非線形光学結晶ファイバ及びその製法並びにこれを用いた光学デバイス - Google Patents
非線形光学結晶ファイバ及びその製法並びにこれを用いた光学デバイスInfo
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- JPH1048679A JPH1048679A JP20836696A JP20836696A JPH1048679A JP H1048679 A JPH1048679 A JP H1048679A JP 20836696 A JP20836696 A JP 20836696A JP 20836696 A JP20836696 A JP 20836696A JP H1048679 A JPH1048679 A JP H1048679A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ光の高効率の波長変換とエキシマレー
ザに相当するような短波長変換が可能で、所望の波長の
レーザ光を極めて高出力でかつ良好なコヒーレンスで得
られる非線形光学結晶ファイバを比較的速く高品質に製
造する。 【解決手段】 このファイバ１０はアスペクト比が２０
〜１０００、直径が５０μｍ〜１ｍｍ、又は長さが１〜
２００ｍｍである四ほう酸リチウム単結晶からなる。転
位密度が１０3個／ｃｍ2以下であることが好ましい。フ
ァイバは先端に種結晶１１を設けた引出し用駆動軸１２
を用いてルツボ１３の一部に設けられた引出し口１３ａ
よりルツボ内の原料融液１４を引出しつつ種結晶直上の
温度勾配を１００℃／１００μｍ〜２００℃／１００μ
ｍにして育成される。融液１４と結晶１０ａとの界面か
ら５ｍｍ下における結晶中の温度勾配を１５〜３５℃／
ｍｍとし、４．８〜６．０ｍｍ／時の速度で育成するこ
とが好ましい。
ザに相当するような短波長変換が可能で、所望の波長の
レーザ光を極めて高出力でかつ良好なコヒーレンスで得
られる非線形光学結晶ファイバを比較的速く高品質に製
造する。 【解決手段】 このファイバ１０はアスペクト比が２０
〜１０００、直径が５０μｍ〜１ｍｍ、又は長さが１〜
２００ｍｍである四ほう酸リチウム単結晶からなる。転
位密度が１０3個／ｃｍ2以下であることが好ましい。フ
ァイバは先端に種結晶１１を設けた引出し用駆動軸１２
を用いてルツボ１３の一部に設けられた引出し口１３ａ
よりルツボ内の原料融液１４を引出しつつ種結晶直上の
温度勾配を１００℃／１００μｍ〜２００℃／１００μ
ｍにして育成される。融液１４と結晶１０ａとの界面か
ら５ｍｍ下における結晶中の温度勾配を１５〜３５℃／
ｍｍとし、４．８〜６．０ｍｍ／時の速度で育成するこ
とが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は四ほう酸リチウム単
結晶（Ｌｉ2Ｂ4０7）からなる非線形光学結晶ファイバ
及びその製造方法、並びにこのファイバを用いたレーザ
波長変換用光学デバイスに関するものである。
結晶（Ｌｉ2Ｂ4０7）からなる非線形光学結晶ファイバ
及びその製造方法、並びにこのファイバを用いたレーザ
波長変換用光学デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より四ほう酸リチウム単結晶は、主
として表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィ
ルタの基板材料として用いられてきた。そのため大きな
バルク結晶を必要とし、育成方法にはチョクラルスキー
法やブリッジマン法が採用されてきた。また各種のデバ
イスとして使用する際には、得られたバルク状の四ほう
酸リチウム単結晶をデバイスの特徴に応じて所定の方
位、形状及び大きさに切断加工していた。一方、四ほう
酸リチウム単結晶は透明領域が広く、レーザ損傷しきい
値がベータ型ほう酸バリウム単結晶などの他の非線形光
学結晶体と比べて抜群に高く、そのため高い強度で第２
高調波（ＳＨＧ）や和周波数（ＳＦＧ）などのレーザ波
長変換を行うことができ、かつエキシマレーザに相当す
るような短波長のレーザ波長変換が可能である。このレ
ーザ波長変換を行う非線形光学結晶体として、ファイバ
の形態があり、これまでこの種の非線形光学結晶ファイ
バを育成するためのレーザペデスタル法やマイクロチョ
クラルスキー法が提案されてきている（例えば、特開昭
６２−１８２１８８、特開平４−２８０８９１）。
として表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィ
ルタの基板材料として用いられてきた。そのため大きな
バルク結晶を必要とし、育成方法にはチョクラルスキー
法やブリッジマン法が採用されてきた。また各種のデバ
イスとして使用する際には、得られたバルク状の四ほう
酸リチウム単結晶をデバイスの特徴に応じて所定の方
位、形状及び大きさに切断加工していた。一方、四ほう
酸リチウム単結晶は透明領域が広く、レーザ損傷しきい
値がベータ型ほう酸バリウム単結晶などの他の非線形光
学結晶体と比べて抜群に高く、そのため高い強度で第２
高調波（ＳＨＧ）や和周波数（ＳＦＧ）などのレーザ波
長変換を行うことができ、かつエキシマレーザに相当す
るような短波長のレーザ波長変換が可能である。このレ
ーザ波長変換を行う非線形光学結晶体として、ファイバ
の形態があり、これまでこの種の非線形光学結晶ファイ
バを育成するためのレーザペデスタル法やマイクロチョ
クラルスキー法が提案されてきている（例えば、特開昭
６２−１８２１８８、特開平４−２８０８９１）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、四ほう酸リチ
ウムは、溶融体として融点近傍で保持しておくと構成元
素の蒸発が起こりやすくなる特徴があり、また融点以下
の過冷却状態にすると粘度が高くなるため、従来の単結
晶ファイバの育成条件で育成した場合に数百μｍの直径
に結晶を細径化することが困難であった。更に育成の際
に、上記特徴に起因してメルト切れ、結晶表面の性状の
乱れを生じて、１ｍｍ以上の長さで１０3個／ｃｍ2以下
の転位密度の四ほう酸リチウム単結晶ファイバを育成す
ることができなかった。
ウムは、溶融体として融点近傍で保持しておくと構成元
素の蒸発が起こりやすくなる特徴があり、また融点以下
の過冷却状態にすると粘度が高くなるため、従来の単結
晶ファイバの育成条件で育成した場合に数百μｍの直径
に結晶を細径化することが困難であった。更に育成の際
に、上記特徴に起因してメルト切れ、結晶表面の性状の
乱れを生じて、１ｍｍ以上の長さで１０3個／ｃｍ2以下
の転位密度の四ほう酸リチウム単結晶ファイバを育成す
ることができなかった。
【０００４】本発明の目的は、レーザ光の高効率の波長
変換とエキシマレーザに相当するような短波長変換を行
うことができ、可視光から紫外光領域に至る所望の波長
のレーザ光を極めて高い出力でかつ良好なコヒーレンス
で得る非線形光学結晶ファイバ及びこのファイバを用い
た光学デバイスを提供することにある。本発明の別の目
的は、上記非線形光学結晶ファイバを比較的速く所望の
方位に高品質に製造する非線形光学結晶ファイバの製法
を提供することにある。
変換とエキシマレーザに相当するような短波長変換を行
うことができ、可視光から紫外光領域に至る所望の波長
のレーザ光を極めて高い出力でかつ良好なコヒーレンス
で得る非線形光学結晶ファイバ及びこのファイバを用い
た光学デバイスを提供することにある。本発明の別の目
的は、上記非線形光学結晶ファイバを比較的速く所望の
方位に高品質に製造する非線形光学結晶ファイバの製法
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、アスペクト比が２０〜１０００の範
囲にある四ほう酸リチウム単結晶からなる非線形光学結
晶ファイバ１０である。請求項２に係る発明は、直径が
５０μｍ〜１ｍｍの範囲にある四ほう酸リチウム単結晶
からなる非線形光学結晶ファイバである。請求項３に係
る発明は、長さが１〜２００ｍｍの範囲にある四ほう酸
リチウム単結晶からなる非線形光学結晶ファイバであ
る。請求項４に係る発明は、請求項１ないし３いずれか
に係る発明であって、転位密度が１０3個／ｃｍ2以下で
ある非線形光学結晶ファイバである。
図１に示すように、アスペクト比が２０〜１０００の範
囲にある四ほう酸リチウム単結晶からなる非線形光学結
晶ファイバ１０である。請求項２に係る発明は、直径が
５０μｍ〜１ｍｍの範囲にある四ほう酸リチウム単結晶
からなる非線形光学結晶ファイバである。請求項３に係
る発明は、長さが１〜２００ｍｍの範囲にある四ほう酸
リチウム単結晶からなる非線形光学結晶ファイバであ
る。請求項４に係る発明は、請求項１ないし３いずれか
に係る発明であって、転位密度が１０3個／ｃｍ2以下で
ある非線形光学結晶ファイバである。
【０００６】非線形光学結晶ファイバを上記形状、寸
法、転位密度の四ほう酸リチウム単結晶で構成すること
により、結晶欠陥の少ない、レーザ光の波長変換に適し
た非線形光学結晶ファイバが得られる。アスペクト比は
ファイバ長さをファイバ直径で除した値であって、この
アスペクト比は光学デバイスの種類、サイズ等に応じて
上記範囲から選ばれる。好ましくはアスペクト比は５０
である。製造上の理由から５０μｍ未満の直径にし、か
つ１ｍｍを越える直径にすることは困難である。長さが
１ｍｍ未満では波長変換の相互作用を十分に行うことが
困難であり、製造上の理由から２００ｍｍを越える長さ
にすることは困難である。また転位密度は１０3個／ｃ
ｍ2を越えるとレーザ波長変換に悪影響を及ぼす恐れが
ある。
法、転位密度の四ほう酸リチウム単結晶で構成すること
により、結晶欠陥の少ない、レーザ光の波長変換に適し
た非線形光学結晶ファイバが得られる。アスペクト比は
ファイバ長さをファイバ直径で除した値であって、この
アスペクト比は光学デバイスの種類、サイズ等に応じて
上記範囲から選ばれる。好ましくはアスペクト比は５０
である。製造上の理由から５０μｍ未満の直径にし、か
つ１ｍｍを越える直径にすることは困難である。長さが
１ｍｍ未満では波長変換の相互作用を十分に行うことが
困難であり、製造上の理由から２００ｍｍを越える長さ
にすることは困難である。また転位密度は１０3個／ｃ
ｍ2を越えるとレーザ波長変換に悪影響を及ぼす恐れが
ある。
【０００７】請求項５に係る発明は、図１に示すよう
に、先端に種結晶１１を設けた引出し用駆動軸１２を用
いてルツボ１３の一部に設けられた引出し口１３ａより
ルツボ内の原料融液１４を引出しつつ非線形光学結晶フ
ァイバ１０を育成する方法において、種結晶１１の直上
の温度勾配を１００℃／１００μｍ〜２００℃／１００
μｍにして育成することを特徴とする非線形光学結晶フ
ァイバの製法である。請求項６に係る発明は、請求項５
に係る発明であって、融液１４と結晶１０ａとの界面か
ら５ｍｍ下における結晶中の温度勾配を１５〜３５℃／
ｍｍにして育成する非線形光学結晶ファイバの製法であ
る。請求項７に係る発明は、請求項５又は６に係る発明
であって、育成速度が４．８〜６．０ｍｍ／時である非
線形光学結晶ファイバの製法である。
に、先端に種結晶１１を設けた引出し用駆動軸１２を用
いてルツボ１３の一部に設けられた引出し口１３ａより
ルツボ内の原料融液１４を引出しつつ非線形光学結晶フ
ァイバ１０を育成する方法において、種結晶１１の直上
の温度勾配を１００℃／１００μｍ〜２００℃／１００
μｍにして育成することを特徴とする非線形光学結晶フ
ァイバの製法である。請求項６に係る発明は、請求項５
に係る発明であって、融液１４と結晶１０ａとの界面か
ら５ｍｍ下における結晶中の温度勾配を１５〜３５℃／
ｍｍにして育成する非線形光学結晶ファイバの製法であ
る。請求項７に係る発明は、請求項５又は６に係る発明
であって、育成速度が４．８〜６．０ｍｍ／時である非
線形光学結晶ファイバの製法である。
【０００８】上記条件で非線形光学結晶ファイバを育成
することにより、バルク結晶のような大きな結晶を加工
することなく、結晶欠陥の少ない、レーザ光の波長変換
に適した形状及び方位を有する非線形光学結晶ファイバ
が得られる。種結晶１１の直上の温度勾配及び融液１４
と結晶１０ａとの界面から５ｍｍ下における結晶中の温
度勾配、並びに育成速度をそれぞれ上記範囲外にする
と、ファイバ状の四ほう酸リチウム単結晶とならない。
また育成速度を４．８ｍｍ／時未満にすると従来のチョ
クラルスキー法やブリッジマン法と変わらず生産性が低
下する。
することにより、バルク結晶のような大きな結晶を加工
することなく、結晶欠陥の少ない、レーザ光の波長変換
に適した形状及び方位を有する非線形光学結晶ファイバ
が得られる。種結晶１１の直上の温度勾配及び融液１４
と結晶１０ａとの界面から５ｍｍ下における結晶中の温
度勾配、並びに育成速度をそれぞれ上記範囲外にする
と、ファイバ状の四ほう酸リチウム単結晶とならない。
また育成速度を４．８ｍｍ／時未満にすると従来のチョ
クラルスキー法やブリッジマン法と変わらず生産性が低
下する。
【０００９】請求項８に係る発明は、請求項１ないし４
いずれか記載の非線形光学結晶ファイバ１０の周囲が硬
化性樹脂１６により保護されてガラス体１７に被覆さ
れ、このファイバ１０の一端面よりレーザ光を入射して
ファイバ１０の他端面より波長変換したレーザ光を出力
するように構成されたレーザ波長変換用光学デバイス２
０である。非線形光学結晶ファイバ１０は硬化性樹脂１
６で保護され、ガラス体１７で被覆されるため、形態が
安定して耐久性が増大し、そのレーザ波長変換機能が長
期間の使用によっても変化しない。
いずれか記載の非線形光学結晶ファイバ１０の周囲が硬
化性樹脂１６により保護されてガラス体１７に被覆さ
れ、このファイバ１０の一端面よりレーザ光を入射して
ファイバ１０の他端面より波長変換したレーザ光を出力
するように構成されたレーザ波長変換用光学デバイス２
０である。非線形光学結晶ファイバ１０は硬化性樹脂１
６で保護され、ガラス体１７で被覆されるため、形態が
安定して耐久性が増大し、そのレーザ波長変換機能が長
期間の使用によっても変化しない。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に
基づいて説明する。図１に示す装置を用いて四ほう酸リ
チウム単結晶からなる非線形光学結晶ファイバ１０を育
成した。この育成装置は底部中央に引出し口１３ａが形
成された通電加熱式の白金ルツボ１３を備える。引出し
口１３から僅かに離れた下方には先端に種結晶１１を設
けた引出し用駆動軸１２を鉛直方向に配置しておく。種
結晶１１の結晶方位は特に限定されないが、＜１００
＞、＜１１０＞、＜１０１＞、＜００１＞の方位に切り
出されたものがファイバ１０の位相整合角を決め易く好
ましい。ルツボ１３内に四ほう酸リチウムの多結晶体を
充填してルツボに通電し、多結晶体を融解する。この融
解により引出し口１３から融液が滲み出して種結晶１１
の上端に付着する。駆動軸１２を引下げて種結晶１１を
降下させるとファイバ１０が育成される。育成されたフ
ァイバ１０は、図２に示すように、直線状態でエポキシ
樹脂等の熱硬化性樹脂、或いは紫外線硬化樹脂等の硬化
性樹脂１６で半周が保護された後、石英、ソーダガラス
等のガラスからなるガラス体１７に被覆される。図２に
示す光学デバイスでは、ガラス体１７は直方体であっ
て、ファイバ１０及び硬化性樹脂１６はガラス体１７の
表面に固定される。また図３に示すように、育成された
ファイバ１０の全周囲を硬化性樹脂１６で被包した後、
ガラス体１７で被包して円柱状の光学デバイスとするこ
ともできる。
基づいて説明する。図１に示す装置を用いて四ほう酸リ
チウム単結晶からなる非線形光学結晶ファイバ１０を育
成した。この育成装置は底部中央に引出し口１３ａが形
成された通電加熱式の白金ルツボ１３を備える。引出し
口１３から僅かに離れた下方には先端に種結晶１１を設
けた引出し用駆動軸１２を鉛直方向に配置しておく。種
結晶１１の結晶方位は特に限定されないが、＜１００
＞、＜１１０＞、＜１０１＞、＜００１＞の方位に切り
出されたものがファイバ１０の位相整合角を決め易く好
ましい。ルツボ１３内に四ほう酸リチウムの多結晶体を
充填してルツボに通電し、多結晶体を融解する。この融
解により引出し口１３から融液が滲み出して種結晶１１
の上端に付着する。駆動軸１２を引下げて種結晶１１を
降下させるとファイバ１０が育成される。育成されたフ
ァイバ１０は、図２に示すように、直線状態でエポキシ
樹脂等の熱硬化性樹脂、或いは紫外線硬化樹脂等の硬化
性樹脂１６で半周が保護された後、石英、ソーダガラス
等のガラスからなるガラス体１７に被覆される。図２に
示す光学デバイスでは、ガラス体１７は直方体であっ
て、ファイバ１０及び硬化性樹脂１６はガラス体１７の
表面に固定される。また図３に示すように、育成された
ファイバ１０の全周囲を硬化性樹脂１６で被包した後、
ガラス体１７で被包して円柱状の光学デバイスとするこ
ともできる。
【００１１】
【実施例】次の本発明の実施例を説明する。図１に示し
た非線形光学結晶ファイバの育成装置を用いて四ほう酸
リチウム単結晶ファイバ１０を育成した。所定のモル比
の純度９９．９９％の四ほう酸リチウム多結晶体０．６
ｇを容積０．１４ｃｃの白金ルツボ１３に充填した後、
ルツボ１３に通電して多結晶体を加熱融解した。ルツボ
１３底部の引出し口１３ａから融液が滲み出て、予め引
出し用駆動軸１２の先端に設けた、＜１０１＞方位に切
り出された種結晶１１に付着した。駆動軸１２を５．４
ｍｍ／時の速度で降下した。このとき種結晶１１の直上
の温度勾配を１００℃／１００μｍとし、融液１４と結
晶１０ａとの界面から５ｍｍ下における結晶中の温度勾
配を３０℃／ｍｍとした。この引下げ育成により、直径
が５００μｍで長さ５０ｍｍ（アスペクト比１００）の
四ほう酸リチウム単結晶ファイバ１０が得られた。この
ファイバの転位密度をＸ線トポグラフグラフィ装置によ
り測定したところ、１×１０3個／ｃｍ2であった。
た非線形光学結晶ファイバの育成装置を用いて四ほう酸
リチウム単結晶ファイバ１０を育成した。所定のモル比
の純度９９．９９％の四ほう酸リチウム多結晶体０．６
ｇを容積０．１４ｃｃの白金ルツボ１３に充填した後、
ルツボ１３に通電して多結晶体を加熱融解した。ルツボ
１３底部の引出し口１３ａから融液が滲み出て、予め引
出し用駆動軸１２の先端に設けた、＜１０１＞方位に切
り出された種結晶１１に付着した。駆動軸１２を５．４
ｍｍ／時の速度で降下した。このとき種結晶１１の直上
の温度勾配を１００℃／１００μｍとし、融液１４と結
晶１０ａとの界面から５ｍｍ下における結晶中の温度勾
配を３０℃／ｍｍとした。この引下げ育成により、直径
が５００μｍで長さ５０ｍｍ（アスペクト比１００）の
四ほう酸リチウム単結晶ファイバ１０が得られた。この
ファイバの転位密度をＸ線トポグラフグラフィ装置によ
り測定したところ、１×１０3個／ｃｍ2であった。
【００１２】図２に示すように、この四ほう酸リチウム
単結晶ファイバ１０を光学研磨し、このファイバ１０の
周囲を紫外線硬化樹脂１６で被覆した後、石英ガラス体
１７に埋め込んだ。ファイバ１０の一端面から波長７４
８ｎｍのレーザ光を入射して、その他端面より２分の１
の波長の３７４ｎｍの第２高調波を得た。
単結晶ファイバ１０を光学研磨し、このファイバ１０の
周囲を紫外線硬化樹脂１６で被覆した後、石英ガラス体
１７に埋め込んだ。ファイバ１０の一端面から波長７４
８ｎｍのレーザ光を入射して、その他端面より２分の１
の波長の３７４ｎｍの第２高調波を得た。
【００１３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の製法によれ
ば、従来のバルク結晶のような大きな結晶を加工するこ
となく、所望の方位、サイズの転位密度の小さい高品質
の四ほう酸リチウム単結晶ファイバを得ることができ
る。また得られたファイバを光学デバイスに用いれば、
高強度のレーザ光を入射することができ、レーザ光の波
長変換を高効率で行うことができ、しかもエキシマレー
ザに相当するような短波長変換を行うことができる。特
に可視光から紫外光領域に至る所望の波長のレーザ光が
極めて高い出力でかつ良好なコヒーレンスで得られる。
この結果、本発明の光学デバイスは半導体製造用微細加
工、医療用、計測機器用装置等に用いれば、これらの装
置の性能を高め、その信頼性をより一層向上させること
ができる。
ば、従来のバルク結晶のような大きな結晶を加工するこ
となく、所望の方位、サイズの転位密度の小さい高品質
の四ほう酸リチウム単結晶ファイバを得ることができ
る。また得られたファイバを光学デバイスに用いれば、
高強度のレーザ光を入射することができ、レーザ光の波
長変換を高効率で行うことができ、しかもエキシマレー
ザに相当するような短波長変換を行うことができる。特
に可視光から紫外光領域に至る所望の波長のレーザ光が
極めて高い出力でかつ良好なコヒーレンスで得られる。
この結果、本発明の光学デバイスは半導体製造用微細加
工、医療用、計測機器用装置等に用いれば、これらの装
置の性能を高め、その信頼性をより一層向上させること
ができる。
【図１】本発明の非線形光学結晶ファイバの育成装置の
構成図。
構成図。
【図２】本発明の非線形光学結晶ファイバを用いた光学
デバイスの斜視図。
デバイスの斜視図。
【図３】本発明の非線形光学結晶ファイバを用いた別の
光学デバイスの斜視図。
光学デバイスの斜視図。
１０ 四ほう酸リチウム単結晶からなる非線形光学結晶
ファイバ １１ 種結晶 １２ 引出し用駆動軸 １３ ルツボ １３ａ 引出し口 １４ 原料融液 １６ 硬化性樹脂 １７ ガラス体 ２０ レーザ波長変換用光学デバイス
ファイバ １１ 種結晶 １２ 引出し用駆動軸 １３ ルツボ １３ａ 引出し口 １４ 原料融液 １６ 硬化性樹脂 １７ ガラス体 ２０ レーザ波長変換用光学デバイス
Claims (8)
- 【請求項１】 アスペクト比が２０〜１０００の範囲に
ある四ほう酸リチウム単結晶からなる非線形光学結晶フ
ァイバ。 - 【請求項２】 直径が５０μｍ〜１ｍｍの範囲にある四
ほう酸リチウム単結晶からなる非線形光学結晶ファイ
バ。 - 【請求項３】 長さが１〜２００ｍｍの範囲にある四ほ
う酸リチウム単結晶からなる非線形光学結晶ファイバ。 - 【請求項４】 転位密度が１０3個／ｃｍ2以下である請
求項１ないし３いずれか記載の非線形光学結晶ファイ
バ。 - 【請求項５】 先端に種結晶(11)を設けた引出し用駆動
軸(12)を用いてルツボ(13)の一部に設けられた引出し口
(13a)よりルツボ内の原料融液(14)を引出しつつ非線形
光学結晶ファイバ(10)を育成する方法において、 前記種結晶(11)の直上の温度勾配を１００℃／１００μ
ｍ〜２００℃／１００μｍにして育成することを特徴と
する非線形光学結晶ファイバの製法。 - 【請求項６】 融液(14)と結晶(10a)との界面から５ｍ
ｍ下における結晶中の温度勾配を１５〜３５℃／ｍｍに
して育成する請求項５記載の非線形光学結晶ファイバの
製法。 - 【請求項７】 育成速度が４．８〜６．０ｍｍ／時であ
る請求項５又は６記載の非線形光学結晶ファイバの製
法。 - 【請求項８】 請求項１ないし４いずれか記載の非線形
光学結晶ファイバ(10)の周囲が硬化性樹脂(16)により保
護されてガラス体(17)に被覆され、前記ファイバ(10)の
一端面よりレーザ光を入射して前記ファイバ(10)の他端
面より波長変換したレーザ光を出力するように構成され
たレーザ波長変換用光学デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20836696A JPH1048679A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 非線形光学結晶ファイバ及びその製法並びにこれを用いた光学デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20836696A JPH1048679A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 非線形光学結晶ファイバ及びその製法並びにこれを用いた光学デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048679A true JPH1048679A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16555112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20836696A Withdrawn JPH1048679A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 非線形光学結晶ファイバ及びその製法並びにこれを用いた光学デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1048679A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011246306A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Tdk Corp | 単結晶製造方法及び該単結晶製造方法を用いた基板製造方法、並びに該単結晶製造方法に用いられる引下げ装置 |
-
1996
- 1996-08-07 JP JP20836696A patent/JPH1048679A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011246306A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Tdk Corp | 単結晶製造方法及び該単結晶製造方法を用いた基板製造方法、並びに該単結晶製造方法に用いられる引下げ装置 |
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