JP2011246306A - 単結晶製造方法及び該単結晶製造方法を用いた基板製造方法、並びに該単結晶製造方法に用いられる引下げ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】C軸が矢印Cの方向に配向する第1のシード2を準備し(ステップ1)、続いて引下げ法を用い、第1のシード2におけるC軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する(ステップ2)。C軸とは異なるh方向に第1のシード2を引下げることにより、結晶の延在方向とは異なる方向にC軸が配向した円筒状の単結晶が得られる(ステップ3)。続いて、前記単結晶を第2のシード4とし、C軸の配向方向と引下げ方向とが直交する配向状態で、漏出孔から漏出する原材料融液と接触させた後、シード4を引下げることによって、第2のシード4と同じ方向にC軸配向する単結晶5が成長を開始し、単結晶6が5本同時に育成される(ステップ4,5)。これを切り出すことによって、5本の棒状の単結晶母材が得られる(ステップ6)。
【選択図】図1
Description
Claims (4)
- 引下げ方向とは異なる所定の方向にC軸が配向する単結晶を製造する引下げ方法であって、
底部に原材料融液の漏出孔を有する坩堝の内部にて原材料を溶解して前記原材料融液とし、
前記漏出孔から漏出する前記原材料融液に対して前記原材料融液が結晶化する際の結晶方位を定めるシードを接触させ、
前記シードを前記引下げ方向に引下げることにより前記シードを基点として単結晶を作成する、工程を有し、
前記シードは、C軸の配向方向が前記引下げ方向とは異なる方向となる配向状態に支持され、前記配向状態にて前記原材料融液と接触され、前記引下げ方向に対する前記C軸の配向状態が維持された状態にて前記引下げが為されることを特徴とする単結晶の引下げ方法。 - 前記シードは、前記引下げ方向と同じ方向に延在する軸心を有する筒形状を有し、
前記原材料融液は前記シードにおける前記筒形状の一方の端面にて接触することを特徴とする請求項1に記載の単結晶の引下げ方法。 - 表面に対して所定の角度を有して前記C軸が配向する単結晶基板を製造する方法であって、
請求項1或いは2の何れかに記載される引下げ方法によって単結晶を製造する単結晶製造工程と、
前記引下げ方向に対して垂直な或いは前記C軸と所定の傾きを有して交差する平面にて前記単結晶を切断する切断工程と、を有することを特徴とする単結晶基板を製造する方法。 - 所定の引下げ軸の延在方向とは異なる方向にC軸が配向する単結晶を製造する引下げ装置であって、
原材料を保持可能であって、前記所定の引下げ軸を中心として配置される複数の漏出孔を底部に有する坩堝と、
前記坩堝の周囲に配置されて前記坩堝内部の前記原材料を加熱、溶融して原材料融液を得るための電力が供給される加熱機構と、
前記坩堝と同心であって前記複数の漏出孔の近傍に配置されて前記漏出孔から漏出する前記原材料融液の温度低下を抑制するアフターヒータと、
前記複数の漏出孔と対向する一方の端面を有して前記所定の引下げ軸を軸心とするように配置され、前記漏出孔から漏出する前記原材料融液と接触して前記原材料融液が結晶化する際の結晶方位を定める、筒形状のシードと、
前記シードを他方の端面の側から支持すると共に前記所定の引下げ軸に沿って前記シードを引下げるシード保持具と、を有し、
前記シード保持具は、前記筒形状の内部空間に連通可能であって、前記筒形状の前記他方の端面の側から前記一方の端面の側に流れる気体を供給可能な通気経路を有することを特徴とする引下げ装置。
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2010
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