JPH104113A - ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置

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JPH104113A
JPH104113A JP8154233A JP15423396A JPH104113A JP H104113 A JPH104113 A JP H104113A JP 8154233 A JP8154233 A JP 8154233A JP 15423396 A JP15423396 A JP 15423396A JP H104113 A JPH104113 A JP H104113A
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JP
Japan
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wire
electrode
lead
bonding
circuit board
Prior art date
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Application number
JP8154233A
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English (en)
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Kohei Murakami
光平 村上
Keiji Goto
圭司 後藤
Toru Sugiyama
徹 杉山
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤの変形による電気的な短絡を防止する
こと。 【解決手段】 回路基板上に半導体チップ１が搭載され
ていて、この半導体チップ１に複数の電極パッドと、回
路基板上に、この電極パッドに対応する複数のリード電
極とを備え、第一の電極パッド２ａ〜２ｃに対応すると
共に、この第一の電極パッド２ａ〜２ｃから第一の距離
を有する第一のリード電極５ａ〜５ｃと、第一の電極パ
ッド２ａ〜２ｃに隣接した第二の電極パッド３ａ〜３ｃ
に対応すると共に、この第二の電極パッド３ａ〜３ｃか
ら第一の距離よりも長い第二の距離を有する第二のリー
ド電極６ａ〜６ｃとを備え、電極パッドから上記リード
電極をワイヤによって接続するワイヤボンディング方法
であって、第一の電極パッド２ａ〜２ｃと第一のリード
電極５ａ〜５ｃとを第一のワイヤ２０ａ〜２０ｃでボン
ディングした後、第二の電極パッド３ａ〜３ｃと第二の
リード電極６ａ〜６ｃとを第二のワイヤ２２ａでボンデ
ィングする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、回路基板上に半
導体チップが搭載されていて、半導体チップの電極パッ
ドと回路基板上のリード電極とをワイヤで接続するワイ
ヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置の改良
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高機能・高集積化が
著しい。かかる高集積化によって半導体チップの機能が
増大するので、この半導体チップと回路基板とを結合す
るための入出力部としての電極パッドおよびリード電極
の点数が増大する。したがって、半導体チップに設けら
れた電極パッドの間隔や、回路基板に設けられたリード
電極の間隔が狭くなり、この電極パッドとリード電極と
を接続するワイヤの配線密度が必然的に高い半導体装置
が構成されている。
【０００３】したがって、ワイヤの配線密度が高くなる
結果、ワイヤ同士が互いに接触し易くなってきており、
この接触は、電気的に種々の不都合を生じ、回路の正常
な動作を阻害するので、以下の提案がなされている。
【０００４】かかる提案として従来のワイヤボンディン
グを特開平６−３０２６３８号公報に開示された図７に
よって説明する。図７において、半導体チップ１に設け
られた複数の電極パッド２と、回路基板に設けられた複
数のリード電極５とを備え、このリード電極５と電極パ
ッド２とを接続する低ループワイヤ４１と高ループワイ
ヤ４２とが交互に配置されている。
【０００５】かかる技術によれば、隣り合うワイヤの高
さに高低差が生じるので、図７（ｂ）に示すようにワイ
ヤ同士の側面から見た交差箇所がなくなり、隣り合うワ
イヤ同士の接触を回避できる。
【０００６】また、他の従来のワイヤボンディングを特
開平７−５０３１４号公報に開示された図８によって説
明する。図８において、電極パッド２をボールボンドに
よってワイヤ２０ａの一端を接合してからリード電極５
にこのワイヤ２０ａの他端をステッチボンドによってボ
ンディングし（正ボンディング）、隣合うワイヤ２０ｂ
の一端をリード電極５にボールボンドによってボンディ
ングし、このワイヤ２０ｂの他端を電極パッド２にステ
ッチボンディング（逆ボンディング）している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
７−５０３１４号公報に開示された技術は、逆ボンディ
ングを採用するので、ステッチボンド部を電極パッド２
形成する場合、キャピラリ３０が半導体チップ１に接触
して、この半導体に物理的ダメージを与えるために金ワ
イヤには、適用できなかった。
【０００８】加えて、従来の半導体装置のワイヤボンデ
ィングは、チップの電極パッド２からリード電極５との
距離がほぼ同一の場合において、キャピラリ３０がワイ
ヤに接触してワイヤ同士が短絡等しない技術に関するも
のである。
【０００９】したがって、電極パッド２とリード電極５
又はリード電極６との距離が異なる場合には、キャピラ
リ３０によってリード電極５に短いワイヤ２０を接合す
る場合、図９に示すように、既に、リード電極６に接合
された長いワイヤ２２にキャピラリ３０の端が接触して
長いワイヤ２２が変形し、隣の短いワイヤ２０に接触し
て電気的に短絡するおそれがある。
【００１０】なお、この距離が異なる理由は回路基板１
０の実装面積を抑えるために、リード電極５とリード電
極６とを千鳥状に形成して、高集積化を図るためであ
る。
【００１１】この電気的な短絡のおそれは、ワイヤ２０
とワイヤ２２同士に留まらず、回路基板１０のレジスト
またはメッキ１５、１６の精度によっても生じていた。
すなわち、回路基板１０のリード電極５、６にワイヤ２
０、２２の一端をボンディングする部分にメッキ１５、
１６を施し、このメッキ１５、１６を施した部分を除い
て、液状フォットレジストによって印刷した後に、この
リード電極５、６をワイヤ２０、２２で接合していたの
で、レジストの印刷精度またはメッキ１５、１６の精度
によっては、リード電極５と電位の異なる他のリード電
極６が隣接した場合、このリード電極５とリード電極６
の絶縁が不十分となり、電気的に短絡されるという第二
の問題点があった。
【００１２】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、隣接するワイヤまたはリード電
極等が接触することで、短絡を防止するワイヤボンディ
ング及びワイヤボンディング装置を提供することを目的
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係るワイヤ
ボンディング方法は、回路基板上に半導体チップが搭載
されていて、この半導体チップに設けられた少なくとも
第一及び第二の電極パッドと、回路基板上には、第一の
電極パッドから第一の距離を有する第一のリード電極と
第二の電極パッドから第一の距離よりも長い第二の距離
を有する第二のリード電極と、を備えた半導体装置の、
電極パッドからリード電極をワイヤによって接続するワ
イヤボンディング方法であって、第一の電極パッドと第
一のリード電極とを第一のワイヤでボンディングした
後、第二の電極パッドと第二のリード電極とを第二のワ
イヤでボンディングすることを特徴とするものである。
【００１４】第２の発明に係るワイヤボンディング装置
は、第一の電極パッド及び第一のリード電極とを複数備
えた半導体装置の、第一の電極パッドと第一のリード電
極とを第一のワイヤで接合する繰り返しを複数回行うワ
イヤボンディング方法であって、第一の電極パッドと第
一のリード電極とを第一のワイヤでボンディングした
後、隣接する第一の電極パッドと第一のリード電極とを
第一のワイヤでボンディングすることを特徴とするもの
である。
【００１５】第３の発明に係るワイヤボンディング装置
は、回路基板上に半導体チップが搭載されていて、この
半導体チップに少なくとも第一及び第二の電極パッド
と、回路基板上に、第一及び第二の電極パッドに対応す
る第一及び第二のリード電極とを備え、電極パッドから
リード電極を、電極パッドとリード電極との距離に応じ
た複数のワイヤによって接続するワイヤボンディング装
置であって、第一及び第二の電極パッドと第一及び第二
のリード電極の位置を入力する位置入力手段と、位置入
力手段によって入力した位置に基づいてワイヤの長さ値
又は距離値を演算する演算手段と、このワイヤ長さ値又
は距離値を記憶する記憶手段とを備え、記憶手段に記憶
されたワイヤ長さ値又は距離値の短い順に、ワイヤを電
極パッドからリード電極にボンディングするボンディン
グ手段とを備えたことを特徴とするものである。
【００１６】第４の発明に係るワイヤボンディング方法
は、回路基板上に半導体チップが搭載されていて、この
半導体チップの電極パッドと回路基板上のリード電極と
をワイヤで接続するワイヤボンディング方法において、
リード電極のボンディング領域をメッキし、回路基板の
表面にフォトレジストによって絶縁層を形成し、この絶
縁層のボンディング領域を光ビームによって除去し、電
極パッドとリード電極とをワイヤによってボンディング
することを特徴とするものである。
【００１７】第５の発明に係るワイヤボンディング方法
は、回路基板上に半導体チップが搭載されていて、この
半導体チップの電極パッドと回路基板上のリード電極と
をワイヤで接続するワイヤボンディング方法において、
回路基板の表面にフォトレジストによって絶縁層を形成
した後、この絶縁層のボンディング領域を光ビームによ
って除去した後、この除去された露出部にメッキを形成
し、電極パッドとリード電極とをワイヤによってボンデ
ィングすることを特徴とするものである。
【００１８】第６の発明に係るワイヤボンディング方法
は、回路基板上に半導体チップが搭載されていて、この
半導体チップの電極パッドと回路基板上のリード電極と
をワイヤで接続するワイヤボンディング方法において、
ワイヤを接続した後、ワイヤボンディングを蒸着コーテ
ィングすることを特徴とするものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
実施の形態１ この発明の実施の形態を図１及び図２によって説明す
る。図１は半導体装置の斜視図、図２は半導体装置の側
面図である。図１及び図２において、この半導体装置
は、半導体チップ１の上に、複数の電極パッド２ａ〜２
ｃ・・・・、３ａ〜３ｃ・・・・が設けられ、この第一
の電極パッド２ａ〜２ｃ・・・・、第二の電極パッド３
ａ〜３ｃ・・・・に対応した第一のリード電極５ａ〜５
ｃ・・・・と、このリード電極５ａ〜５ｃ・・・・より
も距離δだけ離れた第二のリード電極６ａ〜６ｃ・・・
・が回路基板上に設けられており、電極パッド２ａ〜２
ｃ・・・とリード電極５ａ〜５ｃ・・・と第一のワイヤ
としての短ワイヤ２０ａ〜２０ｃ・・・で接続され、電
極パッド３ａ〜３ｃ・・・とリード電極６ａ〜６ｃ・・
・と第二のワイヤとしての長ワイヤ２２ａ・・・で接続
されている。
【００２０】上記のように構成された半導体装置のワイ
ヤボンディング方法を図１〜図３を参照して説明する。
図３はワイヤボンディング方法を示す要部平面図であ
る。まず、短ワイヤ２０ａの接合について説明する。短
ワイヤ２０ａの一端を電極パッド２ａにキャピラリ３０
によってボールボンド接合し、このキャピラリ３０を図
３（ｂ）の点線Ａのように上昇し、この短ワイヤ２０ａ
のループ高さを越えてから、点線Ｂのようにリード電極
５ａに向かってキャピラリ３０を水平移動し、リード電
極５ａの上方まで移動すると、このキャピラリ３０を点
線Ｃのように下降して、リード電極５ａに短ワイヤ２０
ａの他端をステッチボンド接合する。
【００２１】次に、キャピラリ３０は短ワイヤ２０ａの
ループ高さよりも高いところまで上昇させ、対角線に電
極パッド２ａと隣接する電極パッド２ｂの上方まで点線
Ｄのように移動し、電極パッド２ｂへ下降し、ワイヤ２
０ｂの一端をキャピラリ３０によってこの電極パッド２
ｂにボールボンド接合する。以後、上記同様に短ワイヤ
２０ｂ、２０ｃ・・・を電極パッド２ｃ・・・およびリ
ード電極５ｂ、５ｃ・・・に接合する。
【００２２】次に、長ワイヤの接合について説明する。
キャピラリ３０を電極パッド３ａまで下降し、長ワイヤ
２２ａの一端を電極パッド３ａにキャピラリ３０によっ
てボールボンド接合し、キャピラリ３０は短ワイヤ２０
ａの最上点よりも高く実線Ｚのように移動した後、リー
ド電極６ａに向かって点線Ｙのように水平移動させ、リ
ード電極６ａの真上まで移動したら、真直に点線Ｘのよ
うに下降し、長ワイヤ２２ａの他端と電極リード６ａを
キャピラリ３０によってステッチボンド接合する。
【００２３】このキャピラリ３０による接合の際に、図
２に示すようにリード電極５ａ〜５ｃとリード電極６ａ
〜６ｃとが距離δ離れており、リード電極５ａ〜５ｃに
接合されている短ワイヤ２０ａ〜２０ｃとキャピラリ３
０との距離が離れているため、５キャピラリ３０が既に
リード電極５ａ〜５ｃに接合されている短ワイヤ２０ａ
〜２０ｃに極めて接触しににくなる。
【００２４】次に、キャピラリ３０は短ワイヤ２０ａの
最上点よりも高く真直に上昇し、電極パッド３ｂに向か
って点線Ｎのように対角線に移動し、電極パッド３ｂの
真上に移動したら、電極パッド３ｂに下降し、長ワイヤ
２２ｂの一端をキャピラリ３０によって電極パッド３ｂ
に接合する。
【００２５】なお、上記実施の形態では、リード電極５
ａ〜５ｃ・・・、６ａ〜６ｃ・・・と電極パット２ａ〜
２ｃ・・・・、３ａ〜３ｃ・・・・の距離が二種類の場
合で、ワイヤの長さも二種類の場合について説明した
が、この距離が三種類以上で、ワイヤ長さが三種類以上
の場合についても適用できる。
【００２６】また、リード電極５ａ〜５ｃとリード電極
６ａ〜６ｃとが距離δを有する場合について説明した
が、チップ電極２ａ〜２ｃとチップ電極３ａ〜３ｃ と
が距離δを有する場合についても適用できる。
【００２７】また、電極パッドとリード電極との距離が
異なる場合、ワイヤの長さが同一の場合も適用でき、逆
に、この距離が長い方を短いワイヤで、この距離が短い
方を長いワイヤの場合も適用できる。ワイヤのループが
異なることがあるからである。
【００２８】実施の形態２ この発明の他の実施の形態を図４によって説明する。図
４はワイヤボンディング装置のフローチャートである。
まず、ワイヤボンディング装置のＣＲＴ上に回路基板１
０等を表示する（ステップ１００）。ワイヤをボンディ
ングする位置を入力する。例えば、ワイヤ２０ａの一端
に接合する電極パッド２ａと、ワイヤ２０ａの他端を接
合するリード電極５ａとの位置座標Ｘ１、Ｙ１を入力す
る（ステップ１０１）。すべてのワイヤ２０ｂ・・、２
２ａ・・に対応する電極パッド２ｂ・・、３ａ・・・と
リード電極５ｂ・・、６ａ・・・の座標Ｘｎ、Ｙｎを入
力する（ステップ１０４）。
【００２９】ワイヤ長さ値を以下のように演算手段によ
って演算する。ワイヤ長さ値ＷＬ１＝ＷＬ３＝ＷＬ５＝
Ｋ（Ｘ１−Ｘ２）、ワイヤ長さ値ＷＬ２＝ＷＬ４＝ＷＬ
６＝Ｋ（Ｘ１−Ｘ３）によって求める。ここで、Ｋは電
極間の距離にループ高さ等を考慮した係数であり、Ｋ＞
１である。なお、Ｘ１−Ｘ２又はＸ１−Ｘ３は、電極間
の距離である。
【００３０】この場合、ＷＬ１＝ＷＬ３＝ＷＬ５＜ＷＬ
２＝ＷＬ４＝ＷＬ６であるから、ワイヤ長さ値ＷＬ１、
ＷＬ２の順に記憶手段としての記憶素子に記憶する（ス
テップ１０５）。記憶されたワイヤ長さ値ＷＬ１、ＷＬ
２の短い順に、ワイヤを電極パッド及びリード電極にボ
ンディング手段によってボンディングを実行する（ステ
ップ１０６）。
【００３１】なお、上記実施の形態では、ワイヤ長さ値
の短い順にボンディングを実行したが、電極間の距離を
演算し、この電極間の距離の短い順にボンディングを実
行しても同様の作用、効果を奏する。
【００３２】実施の形態３．この発明の他の実施の形態
を図５によって説明する。図５は、この発明の他の実施
の形態を示す回路基板の概略工程図である。図５（ｃ）
において、回路基板１０には、リード電極５ａ、６ａが
形成され、このリード電極５ａ、６ａのボンディング領
域に金メッキ等が形成され、この回路基板１０の表面に
フォトレジスト５０が被覆されており、ボンディング領
域のフォトレジスト５０が除去されている。
【００３３】まず、回路基板１０の銅等からなるリード
電極５ａ、６ａにおけるワイヤボンディング領域に厚さ
０．３〜０．５μｍの金等からなるメッキ１５ａ、１６
ａを施す。ここで、金等のメッキを施すのは金ワイヤを
銅等からなるリード電極５ａ、６ａに接合できないから
である。
【００３４】次に、回路基板１０の表面に液状フォトレ
ジスト５０を全面塗布した後に、硬化させる。硬化後
に、光ビーム５２としてのエキシマレーザΦ２００μｍ
に集光しながら照射し、各ワイヤボンディング領域のレ
ジスト５０ａ、５０ｂを除去し、リード電極５ａ、６ａ
のメッキを露出させ、このリード電極５ａ、６ａのボン
ディング領域をワイヤが接合できるようにする。そし
て、以後は実施の形態１と同様にワイヤを電極パッドと
リード電極５ａ、６ａに接合する。
【００３５】上記のように回路基板１０のレジスト５０
を正確に光ビーム５２によって除去できるので、リード
電極５ａ、６ａに電位の異なるパターンが隣接しても、
レジスト５０の精度に左右されることなく、ワイヤボン
ディングが可能である。
【００３６】また、上記実施の形態では、回路基板１０
のワイヤボンディング領域にメッキ１５ａ、１６ａを施
した後に、液状のフォトレジスト５０を塗布して硬化し
た後に光ビーム５２によってボンディング領域のレジス
ト５０ａ、５０ｂを除去したが、回路基板１０にフォト
レジスト５０を塗布した後に、上記と同様な光ビーム５
２をボンディング領域に照射することで、レジスト５０
を除去し、この除去した領域に金メッキ１５ａ、１６ａ
を施しても良い。
【００３７】このようなワイヤボンディングを施した半
導体装置を図示していない真空蒸着装置内に搬入し、絶
縁材料としてポリイミド０．５μｍを回路基板１０全体
に蒸着２２し、エポキシ樹脂によって半導体チップ１を
封止する。図６（ｂ）に示すようにリード電極とワイヤ
２２が接触しても、ワイヤ２２が絶縁されているので、
電気的に不都合を生じない。
【００３８】
【発明の効果】第１の発明によれば、キャピラリによっ
てワイヤをリード電極又は電極パッドに接合する際、キ
ャピラリがワイヤに接触しにくくなり、ワイヤ同士の接
触が極めて生じにくいという効果がある。
【００３９】第２の発明によれば、第１の発明の効果に
加えて、キャピラリの移動量が少なくなり、ワイヤのボ
ンディングが迅速にできるという効果がある。
【００４０】第３の発明によれば、電極パッドとリード
電極との距離値又はワイヤ長さ値を演算し、この演算値
に基づいて、電極パッドとリード電極とをワイヤによっ
てボンディングする順序を定めたので、ボンディングの
教示作業が簡易になるという効果がある。
【００４１】第４の発明によれば、回路基板の表面全体
にレジストを印刷後に、光ビームによってボンディング
領域を除去するので、レジストの印刷精度に影響されず
に、リード電極同士が電気的に極めて接触しにくいとい
う効果がある。
【００４２】第５の発明によれば、回路基板の表面全体
にレジストを印刷後に、光ビームによってボンディング
領域を除去し、この除去した領域にメッキを施すので、
レジストの印刷精度に影響されずに、リード電極同士が
電気的に極めて短絡しにくいし、金等のメッキの量を節
減できるという効果がある。
【００４３】第６の発明によれば、ワイヤ表面が絶縁物
で覆われるので、ワイヤが変形することによってワイヤ
同士等が接触しても不具合が生じないという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態を示す半導体装置の斜
視図である。
【図２】 この発明の実施の形態を示すボンディングの
状態を示す側面図である。
【図３】 この発明の実施の形態を示すワイヤボンディ
ング方法を示す要部平面図である。
【図４】 この発明の他の実施の形態を示すフローチャ
ートである。
【図５】 この発明の他の実施の形態を示す基板の概略
工程図である。
【図６】 この発明の他の実施の形態を示す正面図であ
る。
【図７】 従来の半導体装置を示す斜視図である。
【図８】 従来の半導体装置を示す斜視図である。
【図９】 従来の半導体装置を示す斜視図である。
【符号の説明】 １ 半導体チップ、２ａ、２ｂ、２ｃ 電極パッド、５
ａ、５ｂ、５ｃ リード電極、６ａ、６ｂ、６ｃ リー
ド電極、１０ 回路基板、２０ 第一のワイヤ、２２
第二のワイヤ、５０ フォトレジスト、５２ 光ビーム

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回路基板上に半導体チップが搭載されて
    いて、この半導体チップに設けられた少なくとも第一及
    び第二の電極パッドと、 上記回路基板上には、上記第一の電極パッドから第一の
    距離を有する第一のリード電極と、上記第二の電極パッ
    ドから上記第一の距離よりも長い第二の距離を有する第
    二のリード電極と、を備えた半導体装置の、 上記電極パッドから上記リード電極をワイヤによって接
    続するワイヤボンディング方法であって、 上記第一の電極パッドと上記第一のリード電極とを第一
    のワイヤでボンディングした後、 上記第二の電極パッドと上記第二のリード電極とを第二
    のワイヤでボンディングすることを特徴とするワイヤボ
    ンディング方法。
  2. 【請求項２】 上記第一の電極パッド及び上記第一のリ
    ード電極とを複数備えた半導体装置の、 上記第一の電極パッドと上記第一のリード電極とを第一
    のワイヤで接合する繰り返しを複数回行うワイヤボンデ
    ィング方法であって、 上記第一の電極パッドと上記第一のリード電極とを上記
    第一のワイヤでボンディングした後、 隣接する上記第一の電極パッドと上記第一のリード電極
    とを第一のワイヤでボンディングすることを特徴とする
    ワイヤボンディング方法。
  3. 【請求項３】 回路基板上に半導体チップが搭載されて
    いて、この半導体チップに設けられた少なくとも第一及
    び第二の電極パッドと、上記回路基板上には、第一及び
    第二の電極パッドに対応する第一及び第二のリード電極
    とを備え、上記電極パッドから上記リード電極を、上記
    電極パッドと上記リード電極との距離に応じた複数のワ
    イヤによって接続するワイヤボンディング装置であっ
    て、上記第一及び第二の電極パッドと上記第一及び第二
    のリード電極の位置を入力する位置入力手段と、 上記位置入力手段によって入力した位置に基づいて上記
    ワイヤの長さ値又は上記距離値を演算する演算手段と、 このワイヤ長さ値又は上記距離値を記憶する記憶手段と
    を備え、上記記憶手段に記憶されたワイヤ長さ値又は上
    記距離値の短い順に、上記ワイヤを上記電極パッドから
    上記リード電極にボンディングするボンディング手段と
    を備えたことを特徴とするワイヤボンディング装置。
  4. 【請求項４】 回路基板上に半導体チップが搭載されて
    いて、この半導体チップの電極パッドと回路基板上のリ
    ード電極とをワイヤで接続するワイヤボンディング方法
    において、 上記リード電極のボンディング領域をメッキし、上記回
    路基板の表面にフォトレジストによって絶縁層を形成
    し、この絶縁層の上記ボンディング領域を光ビームによ
    って除去し、上記電極パッドと上記リード電極とを上記
    ワイヤによってボンディングすることを特徴とするワイ
    ヤボンディング方法。
  5. 【請求項５】 回路基板上に半導体チップが搭載されて
    いて、この半導体チップの電極パッドと回路基板上のリ
    ード電極とをワイヤで接続するワイヤボンディング方法
    において、 上記回路基板の表面にフォトレジストによって絶縁層を
    形成した後、この絶縁層の上記ボンディング領域を光ビ
    ームによって除去した後、この除去された露出部にメッ
    キを形成し、上記電極パッドと上記リード電極とを上記
    ワイヤによってボンディングすることを特徴とするワイ
    ヤボンディング方法。
  6. 【請求項６】 回路基板上に半導体チップが搭載されて
    いて、この半導体チップの電極パッドと回路基板上のリ
    ード電極とをワイヤで接続するワイヤボンディング方法
    において、上記ワイヤを接続した後、上記ワイヤに絶縁
    材料を蒸着コーティングすることを特徴とするワイヤボ
    ンディング方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2357089A (en) * 1999-10-13 2001-06-13 Aichi Steel Corp Production method of anisotropic rare earth magnet powder
JP2007129121A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Nec Electronics Corp 半導体チップ組立判定装置
JP2017024276A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドおよびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2357089A (en) * 1999-10-13 2001-06-13 Aichi Steel Corp Production method of anisotropic rare earth magnet powder
GB2357089B (en) * 1999-10-13 2001-10-17 Aichi Steel Corp Production method of anisotropic rare earth magnet powder
JP2007129121A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Nec Electronics Corp 半導体チップ組立判定装置
JP2017024276A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドおよびその製造方法

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