JPH104093A - 配線の形成方法 - Google Patents
配線の形成方法Info
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- JPH104093A JPH104093A JP15584596A JP15584596A JPH104093A JP H104093 A JPH104093 A JP H104093A JP 15584596 A JP15584596 A JP 15584596A JP 15584596 A JP15584596 A JP 15584596A JP H104093 A JPH104093 A JP H104093A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有用な配線を傷つけることなく不要な金属片
を容易に除去することができ、信頼性の高い金属配線が
得られる配線の形成方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１上に、配線金属を配置する
部分が開口部となるようにレジスト２をパターン形成す
る。続いて、上記半導体基板１上の全面に、真空蒸着法
等により、膨張係数の異なる２つ以上の金属７、８から
なる多層構造の配線金属を形成する。次に、ウエハの主
表面が下向きになるようにレジスト除去剤９の中に浸漬
する。この時、レジスト除去剤９の温度は、室温より高
くもしくは低く設定しておく。このようにすることで、
不要な配線金属７ｂ、８ｂがバイメタル効果により大き
く反り、有用な配線金属７ａ、８ａを傷つけることなく
容易に剥がれる。なお、レジスト除去液９の温度は、高
温、低温、高温・・の温度サイクルをかけると、より高
い除去性が期待できる。
を容易に除去することができ、信頼性の高い金属配線が
得られる配線の形成方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１上に、配線金属を配置する
部分が開口部となるようにレジスト２をパターン形成す
る。続いて、上記半導体基板１上の全面に、真空蒸着法
等により、膨張係数の異なる２つ以上の金属７、８から
なる多層構造の配線金属を形成する。次に、ウエハの主
表面が下向きになるようにレジスト除去剤９の中に浸漬
する。この時、レジスト除去剤９の温度は、室温より高
くもしくは低く設定しておく。このようにすることで、
不要な配線金属７ｂ、８ｂがバイメタル効果により大き
く反り、有用な配線金属７ａ、８ａを傷つけることなく
容易に剥がれる。なお、レジスト除去液９の温度は、高
温、低温、高温・・の温度サイクルをかけると、より高
い除去性が期待できる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、配線の形成方
法、特にマイクロ波ＩＣに適用される低ダメージの配線
形成方法に関するものである。
法、特にマイクロ波ＩＣに適用される低ダメージの配線
形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のマイクロ波ＩＣに適用さ
れてきたリフトオフ方式の配線形成方法を示す図であ
る。図において、１は半導体基板、２はレジストパター
ン、３ａは所望のパターンを形成する有用な配線金属、
３ｂは不要な配線金属、４はウエハ状の半導体基板、５
はレジスト除去剤をウエハに吹き付けるノズル、６は溶
剤溜めをそれぞれ示す。
れてきたリフトオフ方式の配線形成方法を示す図であ
る。図において、１は半導体基板、２はレジストパター
ン、３ａは所望のパターンを形成する有用な配線金属、
３ｂは不要な配線金属、４はウエハ状の半導体基板、５
はレジスト除去剤をウエハに吹き付けるノズル、６は溶
剤溜めをそれぞれ示す。
【０００３】従来のリフトオフ方式の配線形成方法を図
について説明する。まず、例えばＧａＡｓ基板等の半導
体基板１上に、配線金属を配置する部分が開口部となる
ようにレジスト２をパターン形成する（図６−ａ）。次
に、上記半導体基板１上の全面に、真空蒸着法等によ
り、配線金属３ａ、３ｂを形成する（図６−ｂ）。次
に、上記半導体基板１を回転させながら、レジスト除去
剤を吹き付けることで、レジスト２および不要な配線金
属３ｂを吹き飛ばし除去する（図６−ｃ、ｄ）。この
時、不要な配線金属３ｂの金属片がウエハ上を走り、有
用な配線金属３ａの表面を損傷してしまうことが知られ
ている（図６−ｅ）。また、図７は従来の他のリフトオ
フ方式の配線形成方法を示す断面図である。配線金属を
配置する部分が開口部となるようにパターン形成された
レジスト２および配線金属３ａ、３ｂが形成された半導
体基板１を、図７に示すように、レジスト除去剤９の槽
に浸漬し、レジスト２を溶解することによりレジスト２
上に形成されている不要な配線金属３ｂを除去するもの
である。
について説明する。まず、例えばＧａＡｓ基板等の半導
体基板１上に、配線金属を配置する部分が開口部となる
ようにレジスト２をパターン形成する（図６−ａ）。次
に、上記半導体基板１上の全面に、真空蒸着法等によ
り、配線金属３ａ、３ｂを形成する（図６−ｂ）。次
に、上記半導体基板１を回転させながら、レジスト除去
剤を吹き付けることで、レジスト２および不要な配線金
属３ｂを吹き飛ばし除去する（図６−ｃ、ｄ）。この
時、不要な配線金属３ｂの金属片がウエハ上を走り、有
用な配線金属３ａの表面を損傷してしまうことが知られ
ている（図６−ｅ）。また、図７は従来の他のリフトオ
フ方式の配線形成方法を示す断面図である。配線金属を
配置する部分が開口部となるようにパターン形成された
レジスト２および配線金属３ａ、３ｂが形成された半導
体基板１を、図７に示すように、レジスト除去剤９の槽
に浸漬し、レジスト２を溶解することによりレジスト２
上に形成されている不要な配線金属３ｂを除去するもの
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のリ
フトオフ方式の配線形成方法（図６）では、不要な配線
金属３ｂ片を除去する際に有用な配線金属３ａの表面に
傷がついてしまい、半導体回路としての信頼性を著しく
劣化させるという問題があった。また、ウエハをレジス
ト除去剤９に浸漬し、不要な配線金属３ｂの下部に形成
されているレジスト２を溶解し、同時に不要な配線金属
３ｂを除去する方法（図７）では、所望の配線金属３ａ
のパターン面積が小さい場合、レジスト除去剤９がレジ
スト２に十分に浸透できず、不要な配線金属３ｂが完全
に除去できなかったり、非常に時間がかかる等、リフト
オフ性が悪いという問題があった。
フトオフ方式の配線形成方法（図６）では、不要な配線
金属３ｂ片を除去する際に有用な配線金属３ａの表面に
傷がついてしまい、半導体回路としての信頼性を著しく
劣化させるという問題があった。また、ウエハをレジス
ト除去剤９に浸漬し、不要な配線金属３ｂの下部に形成
されているレジスト２を溶解し、同時に不要な配線金属
３ｂを除去する方法（図７）では、所望の配線金属３ａ
のパターン面積が小さい場合、レジスト除去剤９がレジ
スト２に十分に浸透できず、不要な配線金属３ｂが完全
に除去できなかったり、非常に時間がかかる等、リフト
オフ性が悪いという問題があった。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、有用な配線金属を傷つけるこ
となく不要な金属片を容易に除去でき、信頼性の高い金
属配線が得られる配線の形成方法を提供するものであ
る。
るためになされたもので、有用な配線金属を傷つけるこ
となく不要な金属片を容易に除去でき、信頼性の高い金
属配線が得られる配線の形成方法を提供するものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる配線の
形成方法は、半導体基板上に、配線を配置する部分が開
口部となるようにレジストをパターン形成する工程と、
半導体基板上の全面に、真空蒸着法等により膨張係数の
異なる２つ以上の金属からなる多層構造の配線金属を形
成する工程と、室温と異なる温度の液体状のレジスト除
去剤に、半導体基板を浸漬し、レジストを溶解するとと
もに不要な配線金属を除去する工程を含んで配線を形成
するものである。また、半導体基板上に、配線を配置す
る部分が開口部となるように第１のレジストをパターン
形成する工程と、第１のレジストにレジスト除去剤を浸
透させるための開口部を有する第２のレジストを、第１
のレジスト上にパターン形成する工程と、半導体基板上
の全面に、真空蒸着法等により配線金属を形成する工程
と、液体状のレジスト除去剤に半導体基板を浸漬し、レ
ジストを溶解するとともに不要な配線金属を除去する工
程を含んで配線を形成するものである。
形成方法は、半導体基板上に、配線を配置する部分が開
口部となるようにレジストをパターン形成する工程と、
半導体基板上の全面に、真空蒸着法等により膨張係数の
異なる２つ以上の金属からなる多層構造の配線金属を形
成する工程と、室温と異なる温度の液体状のレジスト除
去剤に、半導体基板を浸漬し、レジストを溶解するとと
もに不要な配線金属を除去する工程を含んで配線を形成
するものである。また、半導体基板上に、配線を配置す
る部分が開口部となるように第１のレジストをパターン
形成する工程と、第１のレジストにレジスト除去剤を浸
透させるための開口部を有する第２のレジストを、第１
のレジスト上にパターン形成する工程と、半導体基板上
の全面に、真空蒸着法等により配線金属を形成する工程
と、液体状のレジスト除去剤に半導体基板を浸漬し、レ
ジストを溶解するとともに不要な配線金属を除去する工
程を含んで配線を形成するものである。
【０００７】また、配線金属は、膨張係数の異なる２つ
以上の金属からなる多層構造をとるものである。また、
配線金属は、Ｔｉ／Ａｕ／Ｍｏの多層構造をとるもので
ある。さらに、レジスト除去剤を、高温、低温、高温・
・・の温度サイクルのもとで用いるものである。また、
半導体基板は、表面を下向きにしてレジスト除去剤に浸
漬されるものである。また、レジスト除去剤は、槽の底
面より流出し外部経路を通って再び槽の上部へ流入する
ように循環されているものである。また、レジスト除去
剤をスターラ等で撹拌することにより揺動させるもので
ある。
以上の金属からなる多層構造をとるものである。また、
配線金属は、Ｔｉ／Ａｕ／Ｍｏの多層構造をとるもので
ある。さらに、レジスト除去剤を、高温、低温、高温・
・・の温度サイクルのもとで用いるものである。また、
半導体基板は、表面を下向きにしてレジスト除去剤に浸
漬されるものである。また、レジスト除去剤は、槽の底
面より流出し外部経路を通って再び槽の上部へ流入する
ように循環されているものである。また、レジスト除去
剤をスターラ等で撹拌することにより揺動させるもので
ある。
【０００８】また、半導体基板上に、配線を配置する部
分が開口部となるように第１のレジストをパターン形成
する工程と、半導体基板上の全面に、真空蒸着法等によ
り配線金属を形成する工程と、第２のレジストを半導体
基板全面に塗布する工程と、第２のレジストを酸素プラ
ズマエッチング等にてエッチバックし、不要な配線金属
を露出させる工程と、イオンミリングやウエットエッチ
ング等の金属エッチング法を用いて露出された不要な配
線金属をエッチングする工程と、第１および第２のレジ
ストを除去する工程を含んで配線を形成するものであ
る。
分が開口部となるように第１のレジストをパターン形成
する工程と、半導体基板上の全面に、真空蒸着法等によ
り配線金属を形成する工程と、第２のレジストを半導体
基板全面に塗布する工程と、第２のレジストを酸素プラ
ズマエッチング等にてエッチバックし、不要な配線金属
を露出させる工程と、イオンミリングやウエットエッチ
ング等の金属エッチング法を用いて露出された不要な配
線金属をエッチングする工程と、第１および第２のレジ
ストを除去する工程を含んで配線を形成するものであ
る。
【０００９】
実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１である配
線の形成方法を示す断面図である。図において、１は半
導体基板、２はレジスト、７、８はそれぞれ膨張係数の
異なる金属であり、多層構造で配線を形成するものであ
る。なお、７ａ、８ａは所望のパターンを形成する、有
用な配線金属、７ｂ、８ｂは不要な配線金属をそれぞれ
示す。９はレジスト除去剤である。本実施の形態は、配
線金属を、膨張係数の異なる２つ以上の金属７、８から
なる多層構造とし、バイメタル効果により不要金属７
ｂ、８ｂを容易に除去するものである。
線の形成方法を示す断面図である。図において、１は半
導体基板、２はレジスト、７、８はそれぞれ膨張係数の
異なる金属であり、多層構造で配線を形成するものであ
る。なお、７ａ、８ａは所望のパターンを形成する、有
用な配線金属、７ｂ、８ｂは不要な配線金属をそれぞれ
示す。９はレジスト除去剤である。本実施の形態は、配
線金属を、膨張係数の異なる２つ以上の金属７、８から
なる多層構造とし、バイメタル効果により不要金属７
ｂ、８ｂを容易に除去するものである。
【００１０】次に、本実施の形態による配線の形成方法
を図について説明する。まず、例えばＧａＡｓ基板等の
半導体基板１上に、配線金属を配置する部分が開口部と
なるようにレジスト２をパターン形成する。続いて、上
記半導体基板上の全面に、真空蒸着法等により、配線金
属を形成する。この時、本実施の形態では、配線金属
を、膨張係数の異なる２つ以上の金属７、８からなる多
層構造とする。次に、ウエハの主表面が下向きになるよ
うにレジスト除去剤９の中に浸漬する（図１−ａ）。こ
の時、レジスト除去剤９の温度は、室温より高くもしく
は低く設定しておく。このようにすることで、不要な配
線金属７ｂ、８ｂがバイメタル効果により大きく反り、
より容易に剥がれる（図１−ｂ）。
を図について説明する。まず、例えばＧａＡｓ基板等の
半導体基板１上に、配線金属を配置する部分が開口部と
なるようにレジスト２をパターン形成する。続いて、上
記半導体基板上の全面に、真空蒸着法等により、配線金
属を形成する。この時、本実施の形態では、配線金属
を、膨張係数の異なる２つ以上の金属７、８からなる多
層構造とする。次に、ウエハの主表面が下向きになるよ
うにレジスト除去剤９の中に浸漬する（図１−ａ）。こ
の時、レジスト除去剤９の温度は、室温より高くもしく
は低く設定しておく。このようにすることで、不要な配
線金属７ｂ、８ｂがバイメタル効果により大きく反り、
より容易に剥がれる（図１−ｂ）。
【００１１】配線金属を膨張係数の異なる金属からなる
多層構造とすることにより、不要な金属がバイメタル効
果により大きく反り、容易に剥がれるということは、実
験でも明らかになっている。以下に実験結果を開示す
る。配線金属はＴｉ／Ａｕ／Ｍｏの３層構造とし、層の
厚さはそれぞれ５０ｎｍ、２μｍ、５０ｎｍとした。ま
た、それぞれの金属の膨張係数は、Ｔｉ：８. ６×１０
-6、Ａｕ：１４. ２×１０-6、Ｍｏ：４. ０×１０-6で
ある。このような多層構造の金属配線を、レジスト除去
剤である８０℃のピロリドンに浸漬したところ、不要な
金属が非常に短時間で容易に剥離するという実験結果を
得た。
多層構造とすることにより、不要な金属がバイメタル効
果により大きく反り、容易に剥がれるということは、実
験でも明らかになっている。以下に実験結果を開示す
る。配線金属はＴｉ／Ａｕ／Ｍｏの３層構造とし、層の
厚さはそれぞれ５０ｎｍ、２μｍ、５０ｎｍとした。ま
た、それぞれの金属の膨張係数は、Ｔｉ：８. ６×１０
-6、Ａｕ：１４. ２×１０-6、Ｍｏ：４. ０×１０-6で
ある。このような多層構造の金属配線を、レジスト除去
剤である８０℃のピロリドンに浸漬したところ、不要な
金属が非常に短時間で容易に剥離するという実験結果を
得た。
【００１２】本実施の形態によれば、配線金属を、膨張
係数の異なる２つ以上の金属からなる多層構造とし、バ
イメタル効果により不要な金属を容易に除去することが
できるので、有用な配線金属に傷をつけることがなく、
信頼性の高い金属配線を形成することができる。なお、
本実施の形態においては、レジスト除去液９の温度を一
定に保つ必要はなく、高温、低温、高温・・の温度サイ
クルをかけると、より高い除去性が期待できる。
係数の異なる２つ以上の金属からなる多層構造とし、バ
イメタル効果により不要な金属を容易に除去することが
できるので、有用な配線金属に傷をつけることがなく、
信頼性の高い金属配線を形成することができる。なお、
本実施の形態においては、レジスト除去液９の温度を一
定に保つ必要はなく、高温、低温、高温・・の温度サイ
クルをかけると、より高い除去性が期待できる。
【００１３】実施の形態２．上記実施の形態１の配線形
成方法において、レジスト除去剤９を下方または横方向
に揺動することにより、不要金属の除去をさらに効果的
に行うことができる。図２は、本発明の実施の形態２で
ある配線の形成方法を示す断面図である。図において、
１０は不要金属７ｂおよび８ｂを回収するためのネッ
ト、１１はレジスト除去剤９を循環させるためのポンプ
を示す。なお、図中同一、相当部分には同一符号を付
し、説明を省略する。
成方法において、レジスト除去剤９を下方または横方向
に揺動することにより、不要金属の除去をさらに効果的
に行うことができる。図２は、本発明の実施の形態２で
ある配線の形成方法を示す断面図である。図において、
１０は不要金属７ｂおよび８ｂを回収するためのネッ
ト、１１はレジスト除去剤９を循環させるためのポンプ
を示す。なお、図中同一、相当部分には同一符号を付
し、説明を省略する。
【００１４】本実施の形態によれば、ポンプ１１により
レジスト除去剤９を循環させ、槽の下方に向かう流れを
作ることで、不要な配線金属７ｂ、８ｂをより容易に除
去することができる。不要な配線金属７ｂ、８ｂは、レ
ジスト除去剤９により容易に剥離され下方に落ち、ネッ
ト１０に回収される。ネット１０を設置することによ
り、ポンプ１１の損傷が少なく、寿命が長くなる。
レジスト除去剤９を循環させ、槽の下方に向かう流れを
作ることで、不要な配線金属７ｂ、８ｂをより容易に除
去することができる。不要な配線金属７ｂ、８ｂは、レ
ジスト除去剤９により容易に剥離され下方に落ち、ネッ
ト１０に回収される。ネット１０を設置することによ
り、ポンプ１１の損傷が少なく、寿命が長くなる。
【００１５】実施の形態３．実施の形態３は、実施の形
態２の変形例であり、レジスト除去剤９を撹拌すること
により、不要金属７ｂ、８ｂの除去をさらに効果的に行
うものである。図３は、本発明の実施の形態３である配
線の形成方法を示す断面図である。図において、１２は
レジスト除去剤９を撹拌するためのスターラ（撹拌子）
である。なお、図中同一、相当部分には同一符号を付
し、説明を省略する。本実施の形態によれば、スターラ
１２をレジスト除去剤９の容器の底に設置し、レジスト
除去剤９を撹拌することにより、不要な配線金属７ｂ、
８ｂを揺動し、ウエハからの剥離をより容易に行うこと
ができる。
態２の変形例であり、レジスト除去剤９を撹拌すること
により、不要金属７ｂ、８ｂの除去をさらに効果的に行
うものである。図３は、本発明の実施の形態３である配
線の形成方法を示す断面図である。図において、１２は
レジスト除去剤９を撹拌するためのスターラ（撹拌子）
である。なお、図中同一、相当部分には同一符号を付
し、説明を省略する。本実施の形態によれば、スターラ
１２をレジスト除去剤９の容器の底に設置し、レジスト
除去剤９を撹拌することにより、不要な配線金属７ｂ、
８ｂを揺動し、ウエハからの剥離をより容易に行うこと
ができる。
【００１６】実施の形態４．図４は、本発明の実施の形
態４である配線の形成方法を示す断面図である。図にお
いて、１は半導体基板、７、８はそれぞれ膨張係数の異
なる金属であり、多層構造で配線を形成するものであ
る。なお、７ａ、８ａは所望のパターンを形成する、有
用な配線金属、７ｂ、８ｂは不要な配線金属をそれぞれ
示す。９はレジスト除去剤、１６は第１のレジスト、１
７は第２のレジストを示す。本実施の形態では、実施の
形態１〜３に示した配線の形成方法において、所望する
配線パターンの面積が小さい場合にも、レジスト除去剤
９が第１のレジスト１６に十分に浸透でき、不要な配線
金属７ｂ、８ｂを容易に除去できる方法を提案するもの
である。
態４である配線の形成方法を示す断面図である。図にお
いて、１は半導体基板、７、８はそれぞれ膨張係数の異
なる金属であり、多層構造で配線を形成するものであ
る。なお、７ａ、８ａは所望のパターンを形成する、有
用な配線金属、７ｂ、８ｂは不要な配線金属をそれぞれ
示す。９はレジスト除去剤、１６は第１のレジスト、１
７は第２のレジストを示す。本実施の形態では、実施の
形態１〜３に示した配線の形成方法において、所望する
配線パターンの面積が小さい場合にも、レジスト除去剤
９が第１のレジスト１６に十分に浸透でき、不要な配線
金属７ｂ、８ｂを容易に除去できる方法を提案するもの
である。
【００１７】本実施の形態による配線の形成方法を図に
ついて説明する。まず、例えばＧａＡｓ基板等の半導体
基板１上に、配線金属を配置する部分が開口部となるよ
うに第１のレジスト１６をパターン形成する（図４−
ａ）。続いて、第１のレジスト１６上に第２のレジスト
１７を形成する。この時、第１のレジスト１６で開口部
とした箇所に加えて他の第１のレジスト１６上の領域に
も開口部を有するようにパターン形成をする（図４−
ｂ）。上記半導体基板１上の全面に、真空蒸着法等によ
り、配線金属７ａ、７ｂおよび８ａ、８ｂを形成する
（図４−ｃ）。次に、ウエハの主表面が下向きになるよ
うにレジスト除去剤９の中に浸漬すると、形成された各
開口部よりレジスト除去剤９が浸透し、容易にレジスト
１６、１７を溶解せしめ、不要な配線金属７ｂ、８ｂを
除去することができる（図４−ｄ、ｅ）。
ついて説明する。まず、例えばＧａＡｓ基板等の半導体
基板１上に、配線金属を配置する部分が開口部となるよ
うに第１のレジスト１６をパターン形成する（図４−
ａ）。続いて、第１のレジスト１６上に第２のレジスト
１７を形成する。この時、第１のレジスト１６で開口部
とした箇所に加えて他の第１のレジスト１６上の領域に
も開口部を有するようにパターン形成をする（図４−
ｂ）。上記半導体基板１上の全面に、真空蒸着法等によ
り、配線金属７ａ、７ｂおよび８ａ、８ｂを形成する
（図４−ｃ）。次に、ウエハの主表面が下向きになるよ
うにレジスト除去剤９の中に浸漬すると、形成された各
開口部よりレジスト除去剤９が浸透し、容易にレジスト
１６、１７を溶解せしめ、不要な配線金属７ｂ、８ｂを
除去することができる（図４−ｄ、ｅ）。
【００１８】本実施の形態によれば、配線を所望する箇
所を開口部とする第１のレジスト１６上に、レジスト除
去剤９を浸透させるための数個の開口部を有する第２の
レジスト１７を設けたので、所望する配線パターンの面
積が小さい場合にも、レジスト除去剤９が十分に浸透で
き、不要な配線金属７ｂ、８ｂを容易に除去することが
可能である。
所を開口部とする第１のレジスト１６上に、レジスト除
去剤９を浸透させるための数個の開口部を有する第２の
レジスト１７を設けたので、所望する配線パターンの面
積が小さい場合にも、レジスト除去剤９が十分に浸透で
き、不要な配線金属７ｂ、８ｂを容易に除去することが
可能である。
【００１９】実施の形態５．図５は、本発明の実施の形
態５である配線の形成方法を示す断面図である。図にお
いて、１は半導体基板、１３は第１のレジスト、１４ａ
は所望のパターンを形成する、有用な配線金属、１４ｂ
は不要な配線金属、１５は第２のレジストをそれぞれ示
す。本実施の形態では、有用な配線金属１４ａを第２の
レジスト１５により保護しながら、不要な配線金属１４
ｂを、レジストエッチバックプロセスとメタルエッチン
グを組み合わせることにより、除去する方法を提案する
ものである。
態５である配線の形成方法を示す断面図である。図にお
いて、１は半導体基板、１３は第１のレジスト、１４ａ
は所望のパターンを形成する、有用な配線金属、１４ｂ
は不要な配線金属、１５は第２のレジストをそれぞれ示
す。本実施の形態では、有用な配線金属１４ａを第２の
レジスト１５により保護しながら、不要な配線金属１４
ｂを、レジストエッチバックプロセスとメタルエッチン
グを組み合わせることにより、除去する方法を提案する
ものである。
【００２０】本実施の形態による配線の形成方法を図に
ついて説明する。まず、例えばＧａＡｓ基板等の半導体
基板１上に、配線金属を配置する部分が開口部となるよ
うに第１のレジスト１３をパターン形成する。続いて、
上記半導体基板１上の全面に、真空蒸着法等により、配
線金属１４ａおよび１４ｂを形成する（図５−ａ）。次
に、第２のレジスト１５を基板全面に塗布する（図５−
ｂ）。引き続き、この第２のレジスト１５を酸素プラズ
マエッチングにてエッチバックし、不要な配線金属１４
ｂを露出させる（図５−ｃ）。次に、適当な金属エッチ
ング方法、例えばイオンミリングエッチングやウエット
エッチング法を用いて不要な配線金属１４ｂをエッチン
グする（図５−ｄ）。最後に第２のレジスト１５および
第１のレジスト１３を除去して、所望の配線パターンの
配線金属１４ａを得る（図５−ｅ）。
ついて説明する。まず、例えばＧａＡｓ基板等の半導体
基板１上に、配線金属を配置する部分が開口部となるよ
うに第１のレジスト１３をパターン形成する。続いて、
上記半導体基板１上の全面に、真空蒸着法等により、配
線金属１４ａおよび１４ｂを形成する（図５−ａ）。次
に、第２のレジスト１５を基板全面に塗布する（図５−
ｂ）。引き続き、この第２のレジスト１５を酸素プラズ
マエッチングにてエッチバックし、不要な配線金属１４
ｂを露出させる（図５−ｃ）。次に、適当な金属エッチ
ング方法、例えばイオンミリングエッチングやウエット
エッチング法を用いて不要な配線金属１４ｂをエッチン
グする（図５−ｄ）。最後に第２のレジスト１５および
第１のレジスト１３を除去して、所望の配線パターンの
配線金属１４ａを得る（図５−ｅ）。
【００２１】本実施の形態によれば、レジストエッチバ
ックプロセスとメタルエッチングを組み合わせることに
より、有用な配線金属１４ａを保護しながら不要な配線
金属１４ｂを除去するので、所望の配線金属１４ａに傷
をつけることがなく、信頼性の高い金属配線を形成する
ことができる。
ックプロセスとメタルエッチングを組み合わせることに
より、有用な配線金属１４ａを保護しながら不要な配線
金属１４ｂを除去するので、所望の配線金属１４ａに傷
をつけることがなく、信頼性の高い金属配線を形成する
ことができる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、配線
金属を、膨張係数の異なる２つ以上の金属からなる多層
構造としたので、バイメタル効果により、有用な配線を
傷つけることなく不要な金属片を容易に除去することが
可能である。
金属を、膨張係数の異なる２つ以上の金属からなる多層
構造としたので、バイメタル効果により、有用な配線を
傷つけることなく不要な金属片を容易に除去することが
可能である。
【００２３】また、配線を配置する箇所が開口部となる
ように形成された第１のレジスト上に、レジスト除去剤
を浸透させるための開口部を有する第２のレジストを設
けたので、形成される配線の面積が小さい場合でも、第
２のレジストに設けられた開口部よりレジスト除去剤が
浸透し、迅速にレジストを溶解するとともに不要な配線
金属を容易に除去することができる。
ように形成された第１のレジスト上に、レジスト除去剤
を浸透させるための開口部を有する第２のレジストを設
けたので、形成される配線の面積が小さい場合でも、第
２のレジストに設けられた開口部よりレジスト除去剤が
浸透し、迅速にレジストを溶解するとともに不要な配線
金属を容易に除去することができる。
【００２４】さらに、レジストをエッチバックして不要
な配線金属のみを露出させ、これを金属エッチング法を
用いてエッチングするようにしたので、所望の配線金属
に傷をつけることがなく、信頼性の高い金属配線を形成
することができる。
な配線金属のみを露出させ、これを金属エッチング法を
用いてエッチングするようにしたので、所望の配線金属
に傷をつけることがなく、信頼性の高い金属配線を形成
することができる。
【図１】 この発明の実施の形態１である配線の形成方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態２である配線の形成方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態３である配線の形成方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態４である配線の形成方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態５である配線の形成方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図６】 従来のリフトオフ法による配線の形成方法を
示す図である。
示す図である。
【図７】 従来の他のリフトオフ法による配線の形成方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
１ 半導体基板、２、１３、１５、１６、１７ レジス
ト、３ａ、７ａ、８ａ、１４ａ 有用な配線金属、３
ｂ、７ｂ、８ｂ、１４ｂ 不要な配線金属、４ ウエハ
状の半導体基板、５ ノズル、６ 溶剤溜め、９ レジ
スト除去剤、１０ ネット、１１ ポンプ、１２ スタ
ーラ。
ト、３ａ、７ａ、８ａ、１４ａ 有用な配線金属、３
ｂ、７ｂ、８ｂ、１４ｂ 不要な配線金属、４ ウエハ
状の半導体基板、５ ノズル、６ 溶剤溜め、９ レジ
スト除去剤、１０ ネット、１１ ポンプ、１２ スタ
ーラ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｃ (72)発明者 奥 友希 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体基板上に、配線を配置する部分が
開口部となるようにレジストをパターン形成する工程、
上記半導体基板上の全面に、真空蒸着法等により膨張係
数の異なる２つ以上の金属からなる多層構造の配線金属
を形成する工程、室温と異なる温度の液体状のレジスト
除去剤に、上記半導体基板を浸漬し、レジストを溶解す
るとともに不要な配線金属を除去する工程を含むことを
特徴とする配線の形成方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に、配線を配置する部分が
開口部となるように第１のレジストをパターン形成する
工程、上記第１のレジストにレジスト除去剤を浸透させ
るための開口部を有する第２のレジストを、上記第１の
レジスト上にパターン形成する工程、上記半導体基板上
の全面に、真空蒸着法等により配線金属を形成する工
程、液体状のレジスト除去剤に上記半導体基板を浸漬
し、レジストを溶解するとともに不要な配線金属を除去
する工程を含むことを特徴とする配線の形成方法。 - 【請求項３】 配線金属は、膨張係数の異なる２つ以上
の金属からなる多層構造であることを特徴とする請求項
２記載の配線の形成方法。 - 【請求項４】 配線金属は、Ｔｉ／Ａｕ／Ｍｏの多層構
造であることを特徴とする請求項１または請求項３に記
載の配線の形成方法。 - 【請求項５】 レジスト除去剤を、高温、低温、高温・
・・の温度サイクルのもとで用いることを特徴とする請
求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の配線の形成方
法。 - 【請求項６】 半導体基板は、表面を下向きにしてレジ
スト除去剤に浸漬されることを特徴とする請求項１〜請
求項５のいずれか一項に記載の配線の形成方法。 - 【請求項７】 レジスト除去剤は、槽の底面より流出し
外部経路を通って再び槽の上部へ流入するように循環さ
れていることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれ
か一項に記載の配線の形成方法。 - 【請求項８】 レジスト除去剤をスターラ等で撹拌する
ことにより揺動させることを特徴とする請求項１〜請求
項６のいずれか一項に記載の配線の形成方法。 - 【請求項９】 半導体基板上に、配線を配置する部分が
開口部となるように第１のレジストをパターン形成する
工程、上記半導体基板上の全面に、真空蒸着法等により
配線金属を形成する工程、第２のレジストを上記半導体
基板全面に塗布する工程、上記第２のレジストを酸素プ
ラズマエッチング等にてエッチバックし、不要な配線金
属を露出させる工程、イオンミリングやウエットエッチ
ング等の金属エッチング法を用いて露出された不要な配
線金属をエッチングする工程、第１および第２のレジス
トを除去する工程を含むことを特徴とする配線の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15584596A JP3490571B2 (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15584596A JP3490571B2 (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 配線の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104093A true JPH104093A (ja) | 1998-01-06 |
| JP3490571B2 JP3490571B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=15614762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15584596A Expired - Fee Related JP3490571B2 (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3490571B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6962630B2 (en) | 2001-11-09 | 2005-11-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Lift-off method and chemical liquid tank |
| WO2020230529A1 (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 株式会社カネカ | 素子の製造方法 |
-
1996
- 1996-06-17 JP JP15584596A patent/JP3490571B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6962630B2 (en) | 2001-11-09 | 2005-11-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Lift-off method and chemical liquid tank |
| US7235141B2 (en) | 2001-11-09 | 2007-06-26 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Lift-off method and chemical liquid tank |
| WO2020230529A1 (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | 株式会社カネカ | 素子の製造方法 |
| JPWO2020230529A1 (ja) * | 2019-05-15 | 2021-12-23 | 株式会社カネカ | 素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3490571B2 (ja) | 2004-01-26 |
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