JP2004103625A - 低温液体を用いたリフトオフプロセス - Google Patents
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Abstract
【課題】従来のリフトオフ方法においては、フォトレジストおよびその上の金属膜を除去する際、有機溶媒によるレジストの溶解を利用しているため、有機溶媒が入り込みにくい微細なパターンの場合には確実にリフトオフ方法を実行することが困難であるという問題があった。
【解決手段】本願発明のリフトオフ方法は、基板上にパターニングした有機膜と共にこの有機膜状の金属膜を除去する際に、従来のように、すぐに有機溶剤による有機膜の溶解を利用する前に、基板全体を低温液体によって直接あるいは間接的に冷却することにより、直接基板上に堆積した金属膜と有機膜上に堆積した金属膜の間に細かい亀裂を生じさることで、有機溶媒を、従来のものにおいては入り込みにくかった所にも入り込ませることができるので、確実に有機膜とその上の金属膜を除去することが可能となるものである。
【選択図】 図3
【解決手段】本願発明のリフトオフ方法は、基板上にパターニングした有機膜と共にこの有機膜状の金属膜を除去する際に、従来のように、すぐに有機溶剤による有機膜の溶解を利用する前に、基板全体を低温液体によって直接あるいは間接的に冷却することにより、直接基板上に堆積した金属膜と有機膜上に堆積した金属膜の間に細かい亀裂を生じさることで、有機溶媒を、従来のものにおいては入り込みにくかった所にも入り込ませることができるので、確実に有機膜とその上の金属膜を除去することが可能となるものである。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、リソグラフィにおけるリフトオフ方法および有機膜除去方法に係るものである。
【0002】
【従来の技術】
レジストなどの有機物を用いるリフトオフ方法は、半導体装置などの微小回路の作製プロセスにおいて、基板上に所定のパターンの金属配線を形成する場合になどに用いられる。そして、このようなリフトオフ方法は、一般に次のような工程を経て実施される。
【0003】
Si基板上にフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニングする。こうして、金属配線を形成するためのリフトオフ用パターンを作製する。続いて、スパッタ装置を用いて、基板全体に金属膜を成膜する。このとき、Si基板上にはリフトオフ用パターンのフォトレジストが形成されているため、Si基板上に直接に堆積された金属膜とフォトレジスト上に堆積された金属膜とが形成される。
【0004】
続いて、基板全体を有機溶媒の中に浸漬して、Si基板上のフォトレジストを溶解する。こうして、Si基板上のフォトレジストとともに、フォトレジスト上の堆積された金属膜をも除去し、Si基板上に直接に堆積された金属膜のみを残存させる。こうしてSi基板上に残存させた金属膜からなる所定のパターンの金属構造物を形成する(たとえば、下記非特許文献1参照)。
【0005】
このようにリフトオフ方法は、微小回路の作製プロセスにおいてエッチングの困難な金属膜を、または金属膜に重大なダメージを与えずに所定のパターンにパターニングする手段として有用である。
【非特許文献1】
「LSIハンドブック」社団法人 電子通信学会編、オーム社、昭和59年11月30日発行、第276頁
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来のリフトオフ方法においては、フォトレジストおよびその上の金属膜を除去する際、有機溶媒によるレジストの溶解を利用しているため、有機溶媒が入り込みにくい微細なパターンの場合には確実にリフトオフ方法を実行することが困難であるという問題があった。
【0007】
また、基板全体に金属膜を成膜する際、飛来する金属粒子は基板表面に垂直な速度成分以外に、基板表面に斜めに衝突する方向の速度成分も有していることから、リフトオフ用パターンのレジストの側壁にも金属膜が形成され、この側壁の金属膜とSi基板上に直接堆積された金属膜とがつながってしまうこともある。このため、フォトレジスト及びその上の金属膜を除去して、Si基板上に残存させた金属膜からなる金属構造物を形成する際に、レジスト側壁の金属膜により有機溶媒がレジストに触れにくくなり、確実にリフトオフ方法を実行することができないという問題があった。とくに成膜する金属膜の厚さに対して、レジストの厚さが十分に厚くできない場合には、レジストの側壁への金属膜の形成がおきやすくなるために、確実にリフトオフ方法を実行することが困難となっていた。
【0008】
さらに、溶剤によって化学的にレジストを溶解し金属膜を除去するため、確実にリフトオフをするには、溶剤を加熱し溶剤の化学的活性を高めなければならないときもあるが、作製する金属膜の特性が熱によって劣化してしまうような場合には溶剤の加熱が困難なため、確実にリフトオフ方法を実行することが困難となっていた。
【0009】
このように、従来のリフトオフ方法は、エッチングの困難な金属膜を所定の形状にパターニングする手段としては有用ではあるものの、微細なパターンの金属配線の形成、または厚い膜厚の金属構造物を形成、熱耐性の小さな金属構造物を形成するには確実性に乏しいプロセスである。
【0010】
そこで、本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、所定の金属膜からなる微細パターンを高い確実性で持って形成できることができるリフトオフ方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本願発明のリフトオフ方法は、基板上にパターニングした有機膜と共にこの有機膜状の金属膜を除去する際に、従来のように、すぐに有機溶剤による有機膜の溶解を利用する前に、基板全体を低温液体によって直接あるいは間接的に冷却することにより、直接基板上に堆積した金属膜と有機膜上に堆積した金属膜の間に細かい亀裂を生じさることで、有機溶媒を、従来のものにおいては入り込みにくかった所にも入り込ませることができるので、確実に有機膜とその上の金属膜を除去することが可能となるものである。
【0012】
また、低温液体で基板全体を冷却する際に、窒素雰囲気中において行うことにより、基板表面に結露、氷が生成されるのを防ぐので、表面の汚染を防ぐことができ、よりいっそう確実にその有機膜とその上の金属膜及びその側壁の金属膜を除去することが可能になるものである。
【0013】
なお、本願発明のリフトオフ方法において、低温液体としては、液体窒素を用いることが好適であるが、液体アルゴンを用いてもよい。
【0014】
【実施例】
本願発明のリフトオフ方法により、Siウェーハ上に4μm幅の金属配線を形成する例について説明する。
ここで、図1〜図5は、それぞれ本実施形態に係わるリフトオフ方法を説明するための工程断面図である。
【0015】
半導体基板としてSiウェーハ上に、膜厚1.3μmのフォトレジスト(OMR−83)を塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、この図1のようにフォトレジストを所定の形状にパターニングする。
【0016】
こうして、4μm幅の金属配線を形成するための必要な幅の線状の開口部を持つリフトオフ用パターンのフォトレジストを形成する。なお、その後酸素プラズマを用いて、パターニング後のウェーハ全体をアッシングし、開口部の底に残っているレジストを除去しパターンをシャープにする。
【0017】
続いて、DCマグネトロンスパッタ装置を用いて、膜厚200nmのNb膜と膜厚60nmのAl膜、最後に150nmのNb膜を順に成膜し、三層構造の金属配線用のNb/Al/Nb金属膜を形成する。このときSiウェーハ上にはリフトオフ用のパターンのフォトレジストが形成されているため、Siウェーハ上にNb/Al/Nb金属膜が直接に堆積され、フォトレジスト上にもNb/Al/Nb金属膜が堆積される。
【0018】
なお、このNb/Al/Nb金属膜を成膜する際、飛来する金属粒子は、Siウェーハ表面に垂直な方向の速度成分以外にもSiウェーハ表面に斜めに衝突する速度成分をも有していることから、図2のようにリフトオフ用パターンのフォトレジストの側壁にもNb/Al/Nb金属膜が、レジスト上、及びSiウェーハ上のNb/Al/Nb金属膜とつながった状態で形成される。
【0019】
続いて、図3に示すように、Siウェーハを液体窒素の満たされた容器にそのまま5分間沈め、−197度に冷却する。その後、Siウェーハを液体窒素容器から取り出し、表面に窒素ガスを吹きつけSiウェーハを常温にする。
【0020】
続いて、図4に示すように、Siウェーハを摂氏50度に加熱した剥離液(OMR剥離液)に2時間浸す。超音波洗浄を、剥離液中で浸し始めてから20分後に3分、さらに2時間後に5分行う。
【0021】
続いて図4に示すように、Siウェーハを摂氏50度に加熱したキシレン溶液に1時間浸す。超音波洗浄をキシレン溶液につけてから20分後に3分、さらに1時間後に5分行う。
【0022】
続いて図4に示すように、Siウェーハを常温(摂氏23度)のアセトン、IPA(イソプロピルアルコール)、純水にそれぞれ5分ずつ浸し洗浄する。
【0023】
こうした上記の一連のプロセスを行うことにより、Siウェーハ上のリフトオフ用パターンのフォトレジストとともに、このフォトレジスト上のNb/Al/Nb金属膜及びその側壁のNb/Al/Nb金属膜を除去する。その結果、図5に示すとおり、Siウェーハ上にはNb/Al/Nb金属膜のみが4μm幅の配線パターンに残存して、このNb/Al/Nb金属膜からなる4μm幅のNb/Al/Nb金属配線が形成される。
【0024】
上記プロセスにおける最良の条件は、OMR−83 65cpの場合、以下のとおりである。
1.レジスト塗布
スピンコート:初期回転800回転 3秒、その後4000回転、20秒
プリベーク:プレート90度、90秒
露光量:160mJ/cm2
現像::90秒
リンス:90秒
ポストベーク:プレート90度、3分
【0025】
2.アッシング
酸素圧力:300mTorr
酸素流量:30sccm
RF出力:20W
ステージ温度:30度
アッシング時間:3分36秒
【0026】
3.Nb/Al/Nb成膜
スパッタAr圧力:7mTorr(Nb)、10mTorr(Al)
スパッタ電力:380W(Nb)、330W(Al)
成膜時間
Nb:200nm 2分11秒スパッタ
Al:;60nm 6分42秒スパッタ
Nb:150nm 1分39秒スパッタ
【0027】
4.リフトオフ
(1)液体窒素:5分間 温度 −197度
(2)OMR剥離液
つける時間:2時間
温度:50度
超音波洗浄
つけてから20分後:3分
つけてから2時間後:5分
【0028】
(3)キシレン溶液
つける時間:1時間
温度:50度
超音波洗浄
つけてから20分後:3分
つけてから1時間後:5分
【0029】
(4)アセトン、IPA、純水
つける時間:5分
温度:23度
【0030】
図6は、上記方法により作成したNb/Al/Nbアレイパターン写真であり、最小配線幅は、4μmである。
また、図7は、上記方法により4μm幅のNb/Al/Nb金属配線写真である。
【0031】
【発明の効果】
本発明のリフトオフ方法によれば、基板にパターニングした有機膜とともにこの有機膜上の金属膜を除去する際に、低温液体に浸漬して冷却する手法を用いることにより、微細なパターンであっても確実に有機膜とその上の金属膜を除去することができる。また基板上にパターニングした有機膜の側壁に金属膜が形成されても、冷却によって基板上の金属まくとの間に亀裂ができるため、有機膜とともにその側壁の金属膜も除去することができる。さらに、冷却後の溶剤による有機膜の溶解による有機膜と金属膜の除去の際に、溶剤が冷却により生じた亀裂に入ることで有機膜に用意に触れることができるので、溶剤の加熱温度を下げられるので、作製する金属膜の特性が熱によって劣化することを防ぐことができる。
【0032】
低温液体で基板全体を冷却する際に、窒素雰囲気中において行うことにより、基板表面に結露、氷が生成されるのを防ぐので、表面の汚染を防ぐ効果が加わり、よりいっそう確実にその有機膜とその上の金属膜及びその側壁の金属膜を除去することが可能になる。
【0033】
このように、本発明に係わるリフトオフ方法を利用することにより、微小回路の作製プロセスにおいて、リフトオフ方法を確実に効率的に実施することが可能となる。そしてまた、リフトオフ方法を適用する対象を拡大することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】基板上に塗布した有機膜を所定の形状にパターニングした状態図
【図2】基板及びレジスト上に金属膜を堆積した状態図
【図3】液体窒素に浸漬し、冷却中の状態図
【図4】有機溶媒に浸漬し、リフトオフ中の状態図
【図5】4μm幅のNb/Al/Nb金属配線パターン形成図
【図6】本リフトオフプロセスにより作成したNb/Al/Nbアレイパターン写真。最小配線幅4μm
【図7】本リフトオフプロセスにより作成した4μm幅のNb/Al/Nb金属配線写真。
【発明の属する技術分野】
本願発明は、リソグラフィにおけるリフトオフ方法および有機膜除去方法に係るものである。
【0002】
【従来の技術】
レジストなどの有機物を用いるリフトオフ方法は、半導体装置などの微小回路の作製プロセスにおいて、基板上に所定のパターンの金属配線を形成する場合になどに用いられる。そして、このようなリフトオフ方法は、一般に次のような工程を経て実施される。
【0003】
Si基板上にフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて所定の形状にパターニングする。こうして、金属配線を形成するためのリフトオフ用パターンを作製する。続いて、スパッタ装置を用いて、基板全体に金属膜を成膜する。このとき、Si基板上にはリフトオフ用パターンのフォトレジストが形成されているため、Si基板上に直接に堆積された金属膜とフォトレジスト上に堆積された金属膜とが形成される。
【0004】
続いて、基板全体を有機溶媒の中に浸漬して、Si基板上のフォトレジストを溶解する。こうして、Si基板上のフォトレジストとともに、フォトレジスト上の堆積された金属膜をも除去し、Si基板上に直接に堆積された金属膜のみを残存させる。こうしてSi基板上に残存させた金属膜からなる所定のパターンの金属構造物を形成する(たとえば、下記非特許文献1参照)。
【0005】
このようにリフトオフ方法は、微小回路の作製プロセスにおいてエッチングの困難な金属膜を、または金属膜に重大なダメージを与えずに所定のパターンにパターニングする手段として有用である。
【非特許文献1】
「LSIハンドブック」社団法人 電子通信学会編、オーム社、昭和59年11月30日発行、第276頁
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来のリフトオフ方法においては、フォトレジストおよびその上の金属膜を除去する際、有機溶媒によるレジストの溶解を利用しているため、有機溶媒が入り込みにくい微細なパターンの場合には確実にリフトオフ方法を実行することが困難であるという問題があった。
【0007】
また、基板全体に金属膜を成膜する際、飛来する金属粒子は基板表面に垂直な速度成分以外に、基板表面に斜めに衝突する方向の速度成分も有していることから、リフトオフ用パターンのレジストの側壁にも金属膜が形成され、この側壁の金属膜とSi基板上に直接堆積された金属膜とがつながってしまうこともある。このため、フォトレジスト及びその上の金属膜を除去して、Si基板上に残存させた金属膜からなる金属構造物を形成する際に、レジスト側壁の金属膜により有機溶媒がレジストに触れにくくなり、確実にリフトオフ方法を実行することができないという問題があった。とくに成膜する金属膜の厚さに対して、レジストの厚さが十分に厚くできない場合には、レジストの側壁への金属膜の形成がおきやすくなるために、確実にリフトオフ方法を実行することが困難となっていた。
【0008】
さらに、溶剤によって化学的にレジストを溶解し金属膜を除去するため、確実にリフトオフをするには、溶剤を加熱し溶剤の化学的活性を高めなければならないときもあるが、作製する金属膜の特性が熱によって劣化してしまうような場合には溶剤の加熱が困難なため、確実にリフトオフ方法を実行することが困難となっていた。
【0009】
このように、従来のリフトオフ方法は、エッチングの困難な金属膜を所定の形状にパターニングする手段としては有用ではあるものの、微細なパターンの金属配線の形成、または厚い膜厚の金属構造物を形成、熱耐性の小さな金属構造物を形成するには確実性に乏しいプロセスである。
【0010】
そこで、本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、所定の金属膜からなる微細パターンを高い確実性で持って形成できることができるリフトオフ方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本願発明のリフトオフ方法は、基板上にパターニングした有機膜と共にこの有機膜状の金属膜を除去する際に、従来のように、すぐに有機溶剤による有機膜の溶解を利用する前に、基板全体を低温液体によって直接あるいは間接的に冷却することにより、直接基板上に堆積した金属膜と有機膜上に堆積した金属膜の間に細かい亀裂を生じさることで、有機溶媒を、従来のものにおいては入り込みにくかった所にも入り込ませることができるので、確実に有機膜とその上の金属膜を除去することが可能となるものである。
【0012】
また、低温液体で基板全体を冷却する際に、窒素雰囲気中において行うことにより、基板表面に結露、氷が生成されるのを防ぐので、表面の汚染を防ぐことができ、よりいっそう確実にその有機膜とその上の金属膜及びその側壁の金属膜を除去することが可能になるものである。
【0013】
なお、本願発明のリフトオフ方法において、低温液体としては、液体窒素を用いることが好適であるが、液体アルゴンを用いてもよい。
【0014】
【実施例】
本願発明のリフトオフ方法により、Siウェーハ上に4μm幅の金属配線を形成する例について説明する。
ここで、図1〜図5は、それぞれ本実施形態に係わるリフトオフ方法を説明するための工程断面図である。
【0015】
半導体基板としてSiウェーハ上に、膜厚1.3μmのフォトレジスト(OMR−83)を塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、この図1のようにフォトレジストを所定の形状にパターニングする。
【0016】
こうして、4μm幅の金属配線を形成するための必要な幅の線状の開口部を持つリフトオフ用パターンのフォトレジストを形成する。なお、その後酸素プラズマを用いて、パターニング後のウェーハ全体をアッシングし、開口部の底に残っているレジストを除去しパターンをシャープにする。
【0017】
続いて、DCマグネトロンスパッタ装置を用いて、膜厚200nmのNb膜と膜厚60nmのAl膜、最後に150nmのNb膜を順に成膜し、三層構造の金属配線用のNb/Al/Nb金属膜を形成する。このときSiウェーハ上にはリフトオフ用のパターンのフォトレジストが形成されているため、Siウェーハ上にNb/Al/Nb金属膜が直接に堆積され、フォトレジスト上にもNb/Al/Nb金属膜が堆積される。
【0018】
なお、このNb/Al/Nb金属膜を成膜する際、飛来する金属粒子は、Siウェーハ表面に垂直な方向の速度成分以外にもSiウェーハ表面に斜めに衝突する速度成分をも有していることから、図2のようにリフトオフ用パターンのフォトレジストの側壁にもNb/Al/Nb金属膜が、レジスト上、及びSiウェーハ上のNb/Al/Nb金属膜とつながった状態で形成される。
【0019】
続いて、図3に示すように、Siウェーハを液体窒素の満たされた容器にそのまま5分間沈め、−197度に冷却する。その後、Siウェーハを液体窒素容器から取り出し、表面に窒素ガスを吹きつけSiウェーハを常温にする。
【0020】
続いて、図4に示すように、Siウェーハを摂氏50度に加熱した剥離液(OMR剥離液)に2時間浸す。超音波洗浄を、剥離液中で浸し始めてから20分後に3分、さらに2時間後に5分行う。
【0021】
続いて図4に示すように、Siウェーハを摂氏50度に加熱したキシレン溶液に1時間浸す。超音波洗浄をキシレン溶液につけてから20分後に3分、さらに1時間後に5分行う。
【0022】
続いて図4に示すように、Siウェーハを常温(摂氏23度)のアセトン、IPA(イソプロピルアルコール)、純水にそれぞれ5分ずつ浸し洗浄する。
【0023】
こうした上記の一連のプロセスを行うことにより、Siウェーハ上のリフトオフ用パターンのフォトレジストとともに、このフォトレジスト上のNb/Al/Nb金属膜及びその側壁のNb/Al/Nb金属膜を除去する。その結果、図5に示すとおり、Siウェーハ上にはNb/Al/Nb金属膜のみが4μm幅の配線パターンに残存して、このNb/Al/Nb金属膜からなる4μm幅のNb/Al/Nb金属配線が形成される。
【0024】
上記プロセスにおける最良の条件は、OMR−83 65cpの場合、以下のとおりである。
1.レジスト塗布
スピンコート:初期回転800回転 3秒、その後4000回転、20秒
プリベーク:プレート90度、90秒
露光量:160mJ/cm2
現像::90秒
リンス:90秒
ポストベーク:プレート90度、3分
【0025】
2.アッシング
酸素圧力:300mTorr
酸素流量:30sccm
RF出力:20W
ステージ温度:30度
アッシング時間:3分36秒
【0026】
3.Nb/Al/Nb成膜
スパッタAr圧力:7mTorr(Nb)、10mTorr(Al)
スパッタ電力:380W(Nb)、330W(Al)
成膜時間
Nb:200nm 2分11秒スパッタ
Al:;60nm 6分42秒スパッタ
Nb:150nm 1分39秒スパッタ
【0027】
4.リフトオフ
(1)液体窒素:5分間 温度 −197度
(2)OMR剥離液
つける時間:2時間
温度:50度
超音波洗浄
つけてから20分後:3分
つけてから2時間後:5分
【0028】
(3)キシレン溶液
つける時間:1時間
温度:50度
超音波洗浄
つけてから20分後:3分
つけてから1時間後:5分
【0029】
(4)アセトン、IPA、純水
つける時間:5分
温度:23度
【0030】
図6は、上記方法により作成したNb/Al/Nbアレイパターン写真であり、最小配線幅は、4μmである。
また、図7は、上記方法により4μm幅のNb/Al/Nb金属配線写真である。
【0031】
【発明の効果】
本発明のリフトオフ方法によれば、基板にパターニングした有機膜とともにこの有機膜上の金属膜を除去する際に、低温液体に浸漬して冷却する手法を用いることにより、微細なパターンであっても確実に有機膜とその上の金属膜を除去することができる。また基板上にパターニングした有機膜の側壁に金属膜が形成されても、冷却によって基板上の金属まくとの間に亀裂ができるため、有機膜とともにその側壁の金属膜も除去することができる。さらに、冷却後の溶剤による有機膜の溶解による有機膜と金属膜の除去の際に、溶剤が冷却により生じた亀裂に入ることで有機膜に用意に触れることができるので、溶剤の加熱温度を下げられるので、作製する金属膜の特性が熱によって劣化することを防ぐことができる。
【0032】
低温液体で基板全体を冷却する際に、窒素雰囲気中において行うことにより、基板表面に結露、氷が生成されるのを防ぐので、表面の汚染を防ぐ効果が加わり、よりいっそう確実にその有機膜とその上の金属膜及びその側壁の金属膜を除去することが可能になる。
【0033】
このように、本発明に係わるリフトオフ方法を利用することにより、微小回路の作製プロセスにおいて、リフトオフ方法を確実に効率的に実施することが可能となる。そしてまた、リフトオフ方法を適用する対象を拡大することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】基板上に塗布した有機膜を所定の形状にパターニングした状態図
【図2】基板及びレジスト上に金属膜を堆積した状態図
【図3】液体窒素に浸漬し、冷却中の状態図
【図4】有機溶媒に浸漬し、リフトオフ中の状態図
【図5】4μm幅のNb/Al/Nb金属配線パターン形成図
【図6】本リフトオフプロセスにより作成したNb/Al/Nbアレイパターン写真。最小配線幅4μm
【図7】本リフトオフプロセスにより作成した4μm幅のNb/Al/Nb金属配線写真。
Claims (5)
- 基板上に塗布した有機膜を所定の形状にパターニングした後、該基板全体に金属膜を堆積する第1工程、該基板全体を低温液体に浸漬する第2工程及び該基板を溶媒につけて該有機膜とともに該有機膜上の該金属膜を除去する第3の工程を有し、該基板上に該金属膜からなる所定のパターンを形成することを特徴とするリフトオフ方法。
- 請求項1記載のリフトオフ方法において、前記第2工程は、窒素雰囲気において行うことを特徴とするリフトオフ方法。
- 請求項1記載のリフトオフ方法において、上記基板の冷却は、上記低温液体により直接又は間接的に行われることを特徴とするリフトオフ方法。
- 請求項1記載のリフトオフ方法において、上記低温液体は、液体窒素であることを特徴とするリフトオフ方法。
- 請求項1記載のリフトオフ方法において、前記低温液体は、液体アルゴンであることを特徴とするリフトオフ方法。
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---|---|---|---|
JP2002259505A JP2004103625A (ja) | 2002-09-05 | 2002-09-05 | 低温液体を用いたリフトオフプロセス |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016046408A (ja) * | 2014-08-25 | 2016-04-04 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | リフトオフ法、超微細2次元パターンアレイ及びプラズモンデバイス |
US9799792B2 (en) | 2015-01-14 | 2017-10-24 | International Business Machines Corporation | Substrate-free thin-film flexible photovoltaic device and fabrication method |
-
2002
- 2002-09-05 JP JP2002259505A patent/JP2004103625A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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