JP3036086B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP3036086B2 JP3036086B2 JP3000336A JP33691A JP3036086B2 JP 3036086 B2 JP3036086 B2 JP 3036086B2 JP 3000336 A JP3000336 A JP 3000336A JP 33691 A JP33691 A JP 33691A JP 3036086 B2 JP3036086 B2 JP 3036086B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に金属めっき膜を有する半導体装置の製造方
法に関する。
に関し、特に金属めっき膜を有する半導体装置の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の金属めっき膜を有する半導体装置
の製造方法は、素子領域を形成した半導体基板の上に絶
縁膜を形成し、この絶縁膜の上に金属導電膜を被着して
電気めっきの際の電流路及び金属めっき膜形成領域の下
地膜として形成する。次に、金属導電膜上に形成してパ
ターニングしたフォトレジスト膜をマスクとして金属導
電膜上に電気めっき法により金属めっき膜を形成する。
次に、フォトレジスト膜を除去した後金属めっき膜をマ
スクとして金属導電膜の不要部分をエッチング除去し、
各々の金属めっき膜を分離していた。
の製造方法は、素子領域を形成した半導体基板の上に絶
縁膜を形成し、この絶縁膜の上に金属導電膜を被着して
電気めっきの際の電流路及び金属めっき膜形成領域の下
地膜として形成する。次に、金属導電膜上に形成してパ
ターニングしたフォトレジスト膜をマスクとして金属導
電膜上に電気めっき法により金属めっき膜を形成する。
次に、フォトレジスト膜を除去した後金属めっき膜をマ
スクとして金属導電膜の不要部分をエッチング除去し、
各々の金属めっき膜を分離していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置の製造方法は、金属めっき膜をマスクとして金属め
っき膜を形成するために使用した金属導電膜をエッチン
グ除去する際に金属めっき膜もエッチングされるため、
このエッチングにより金属めっき膜の切断等が生じない
様にあらかじめエッチング除去される量だけ金属めっき
膜の厚さを厚くめっきしておかなければならないという
欠点があった。
装置の製造方法は、金属めっき膜をマスクとして金属め
っき膜を形成するために使用した金属導電膜をエッチン
グ除去する際に金属めっき膜もエッチングされるため、
このエッチングにより金属めっき膜の切断等が生じない
様にあらかじめエッチング除去される量だけ金属めっき
膜の厚さを厚くめっきしておかなければならないという
欠点があった。
【０００４】また、微細パターンを含む金属めっき膜の
場合は、エッチング除去される量だけ多めにめっきを行
うことが困難であるため、異方性エッチングを行なわな
ければならず、多層配線化を困難なものとしていた。
場合は、エッチング除去される量だけ多めにめっきを行
うことが困難であるため、異方性エッチングを行なわな
ければならず、多層配線化を困難なものとしていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、素子領域を含む半導体基板上に設けた絶縁膜
上に電気めっきの電流路となる金属導電膜を形成する工
程と、前記金属導電膜上にポリイミド系樹脂膜を塗布し
て形成する工程と、前記ポリイミド系樹脂膜をパターニ
ングしてめっき領域を開口し前記金属導電膜の表面を露
出させる工程と、前記ポリイミド系樹脂膜をマスクとし
て電気めっきにより前記金属導電膜上に金属めっき膜を
形成する工程と、熱処理により前記ポリイミド系樹脂膜
を収縮させ前記金属めっき膜側壁とポリイミド系樹脂膜
の側壁との間に溝を形成する工程と、前記溝を含む表面
に塗布法により絶縁性塗布膜を形成して前記溝を含むポ
リイミド系樹脂膜の開口部を充填して表面を平坦化しエ
ッチバックにより前記開口部内にのみ前記塗布膜を残し
て前記金属めっき膜の表面を前記塗布膜で被覆する工程
と、前記ポリイミド系樹脂膜をエッチング除去した後前
記塗布膜をマスクとして金属導電膜をエッチング除去す
る工程とを含んで構成される。
造方法は、素子領域を含む半導体基板上に設けた絶縁膜
上に電気めっきの電流路となる金属導電膜を形成する工
程と、前記金属導電膜上にポリイミド系樹脂膜を塗布し
て形成する工程と、前記ポリイミド系樹脂膜をパターニ
ングしてめっき領域を開口し前記金属導電膜の表面を露
出させる工程と、前記ポリイミド系樹脂膜をマスクとし
て電気めっきにより前記金属導電膜上に金属めっき膜を
形成する工程と、熱処理により前記ポリイミド系樹脂膜
を収縮させ前記金属めっき膜側壁とポリイミド系樹脂膜
の側壁との間に溝を形成する工程と、前記溝を含む表面
に塗布法により絶縁性塗布膜を形成して前記溝を含むポ
リイミド系樹脂膜の開口部を充填して表面を平坦化しエ
ッチバックにより前記開口部内にのみ前記塗布膜を残し
て前記金属めっき膜の表面を前記塗布膜で被覆する工程
と、前記ポリイミド系樹脂膜をエッチング除去した後前
記塗布膜をマスクとして金属導電膜をエッチング除去す
る工程とを含んで構成される。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施
例を説明するための工程順に示した半導体チップの断面
図である。
例を説明するための工程順に示した半導体チップの断面
図である。
【０００８】まず、図１（ａ）に示すように、素子領域
を形成した半導体基板１の上に酸化シリコン膜２を形成
し、酸化シリコン膜２の上にめっき用の電流路となる金
属導電膜３を被着する。ここで、金属導電膜３は、下地
との密着強度を高めるための厚さ０．１μｍのチタン膜
とめっき層成長用の厚さ０．１μｍの金膜の２層構造と
なっている。次に、金属導電膜３の上に液状ポリイミド
系樹脂を塗布し、イミド化率が３０〜７０％になる様に
温度１３０℃の窒素雰囲気中で３０分間の熱処理を行
い、膜厚約８．０μｍのポリイミド系樹脂膜４を形成す
る。次に、ポリイミド系樹脂膜４の上にフォトレジスト
膜５を塗布してパターニングし、フォトレジスト膜５を
マスクとしてポリイミド系樹脂膜４を異方性エッチング
して除去し、金属導電膜３の表面を露出させる。
を形成した半導体基板１の上に酸化シリコン膜２を形成
し、酸化シリコン膜２の上にめっき用の電流路となる金
属導電膜３を被着する。ここで、金属導電膜３は、下地
との密着強度を高めるための厚さ０．１μｍのチタン膜
とめっき層成長用の厚さ０．１μｍの金膜の２層構造と
なっている。次に、金属導電膜３の上に液状ポリイミド
系樹脂を塗布し、イミド化率が３０〜７０％になる様に
温度１３０℃の窒素雰囲気中で３０分間の熱処理を行
い、膜厚約８．０μｍのポリイミド系樹脂膜４を形成す
る。次に、ポリイミド系樹脂膜４の上にフォトレジスト
膜５を塗布してパターニングし、フォトレジスト膜５を
マスクとしてポリイミド系樹脂膜４を異方性エッチング
して除去し、金属導電膜３の表面を露出させる。
【０００９】次に、図１（ｂ）に示すように、半導体基
板１を金めっき液中に浸漬し、フォトレジスト膜５及び
ポリイミド系樹脂膜４をマスクとし、金属導電膜３を電
流路として電気めっきを行い金属導電膜３上にめっき
層、即ち膜厚３．０μｍの金めっき配線６を形成する。
板１を金めっき液中に浸漬し、フォトレジスト膜５及び
ポリイミド系樹脂膜４をマスクとし、金属導電膜３を電
流路として電気めっきを行い金属導電膜３上にめっき
層、即ち膜厚３．０μｍの金めっき配線６を形成する。
【００１０】次に、図１（ｃ）に示すように、フォトレ
ジスト膜５を剥離した後、３００℃の窒素雰囲気中で６
０分間熱処理を行い、ポリイミド系樹脂膜４のイミド化
を促進させ収縮させることにより金めっき配線６の側壁
とポリイミド系樹脂膜４の側壁との間に溝を形成する。
ジスト膜５を剥離した後、３００℃の窒素雰囲気中で６
０分間熱処理を行い、ポリイミド系樹脂膜４のイミド化
を促進させ収縮させることにより金めっき配線６の側壁
とポリイミド系樹脂膜４の側壁との間に溝を形成する。
【００１１】次に、図１（ｄ）に示すように、回転塗布
法によりＰＳＧ膜７を形成して表面を平坦化した後、エ
ッチバック法によりポリイミド系樹脂膜４の膜厚より薄
くなるまでＰＳＧ膜７を均一にエッチングし、金めっき
配線６の側壁部の溝部を含むポリイミド系樹脂膜４の開
口部のみにＰＳＧ膜７を残して金めっき配線６の側壁部
及び上面部を被覆する。
法によりＰＳＧ膜７を形成して表面を平坦化した後、エ
ッチバック法によりポリイミド系樹脂膜４の膜厚より薄
くなるまでＰＳＧ膜７を均一にエッチングし、金めっき
配線６の側壁部の溝部を含むポリイミド系樹脂膜４の開
口部のみにＰＳＧ膜７を残して金めっき配線６の側壁部
及び上面部を被覆する。
【００１２】次に図１（ｅ）に示すようにポリイミド系
樹脂膜４をエッチング除去した後、ＰＳＧ膜７をマスク
としてめっき後不要となった金属導電膜３をエッチング
除去する。この際金属導電膜３の上層部の金膜は王水で
エッチング除去し、下層部のチタン膜は過酸化水素水溶
液でエッチング除去するが、金めっき配線６はＰＳＧ膜
７でその表面が完全に覆われているので王水でエッチン
グされることはない。以上のように、不要となった金属
導電膜３をエッチング除去して各々の金属めっき配線６
を分離し、半導体装置を構成する。
樹脂膜４をエッチング除去した後、ＰＳＧ膜７をマスク
としてめっき後不要となった金属導電膜３をエッチング
除去する。この際金属導電膜３の上層部の金膜は王水で
エッチング除去し、下層部のチタン膜は過酸化水素水溶
液でエッチング除去するが、金めっき配線６はＰＳＧ膜
７でその表面が完全に覆われているので王水でエッチン
グされることはない。以上のように、不要となった金属
導電膜３をエッチング除去して各々の金属めっき配線６
を分離し、半導体装置を構成する。
【００１３】なお、金めっき配線の側壁部に溝を形成す
る際の材料としてポリイミド系樹脂を用いたが、フォト
レジストの様な有機系塗布膜を用いてもよく、この場
合、金めっき配線の表面を保護する材料としてポリイミ
ド系樹脂膜を用いても良い。
る際の材料としてポリイミド系樹脂を用いたが、フォト
レジストの様な有機系塗布膜を用いてもよく、この場
合、金めっき配線の表面を保護する材料としてポリイミ
ド系樹脂膜を用いても良い。
【００１４】図２（ａ）〜（ｃ）及び図３（ａ）〜
（ｃ）は本発明の第２の実施例を説明するための工程順
に示した半導体チップの断面図である。
（ｃ）は本発明の第２の実施例を説明するための工程順
に示した半導体チップの断面図である。
【００１５】先ず、図２（ａ）に示すように、図１
（ａ）〜（ｄ）に示す第１の実施例と同様の工程でＰＳ
Ｇ膜７を形成して溝を充填する。
（ａ）〜（ｄ）に示す第１の実施例と同様の工程でＰＳ
Ｇ膜７を形成して溝を充填する。
【００１６】次に、図２（ｂ）に示すように、ＰＳＧ膜
７を含む表面にフォトレジスト膜８を塗布してパターニ
ングし、フォトレジスト膜８をマスクとしてＰＳＧ膜６
をエッチングし、金めっき配線５の側壁部のＰＳＧ膜６
のみを残して金めっき配線５の上面を露出させる。
７を含む表面にフォトレジスト膜８を塗布してパターニ
ングし、フォトレジスト膜８をマスクとしてＰＳＧ膜６
をエッチングし、金めっき配線５の側壁部のＰＳＧ膜６
のみを残して金めっき配線５の上面を露出させる。
【００１７】次に、図２（ｃ）に示すように、フォトレ
ジスト膜８を剥離した後、全面に上層の金めっき配線を
形成する際の下地膜となる金膜９を０．３μｍの厚さに
堆積する。次に、金属膜９の上に液状ポリイミド樹脂を
塗布し、イミド化率が３０〜７０％になる様に１３０℃
の窒素雰囲気中で３０分間熱処理し、膜厚８．０μｍの
ポリイミド系樹脂膜１０を形成する。次に、ポリイミド
系樹脂膜１０の上にパターニングして設けたフォトレジ
スト膜１１を形成し、フォトレジスト膜１１をマスクと
してポリイミド系樹脂膜１０を異方性エッチングして除
去し、金膜９を露出させる。次に、半導体基板１を金め
っき液中に浸漬し、フォトレジスト膜１１及びポリイミ
ド系樹脂膜１０をマスクとして電気めっきを行い、金膜
９の上に金めっき層即ち膜厚３．０μｍの上層の金めっ
き配線１２を形成し下層の金めっき配線６と接続する。
ジスト膜８を剥離した後、全面に上層の金めっき配線を
形成する際の下地膜となる金膜９を０．３μｍの厚さに
堆積する。次に、金属膜９の上に液状ポリイミド樹脂を
塗布し、イミド化率が３０〜７０％になる様に１３０℃
の窒素雰囲気中で３０分間熱処理し、膜厚８．０μｍの
ポリイミド系樹脂膜１０を形成する。次に、ポリイミド
系樹脂膜１０の上にパターニングして設けたフォトレジ
スト膜１１を形成し、フォトレジスト膜１１をマスクと
してポリイミド系樹脂膜１０を異方性エッチングして除
去し、金膜９を露出させる。次に、半導体基板１を金め
っき液中に浸漬し、フォトレジスト膜１１及びポリイミ
ド系樹脂膜１０をマスクとして電気めっきを行い、金膜
９の上に金めっき層即ち膜厚３．０μｍの上層の金めっ
き配線１２を形成し下層の金めっき配線６と接続する。
【００１８】次に、図３（ａ）に示すように、フォトレ
ジスト膜１１を剥離した後、３００℃の窒素雰囲気中で
６０分間熱処理を行い、ポリイミド系樹脂膜１０のイミ
ド化を促進させ、収縮させることにより金めっき配線１
２の側壁とポリイミド系樹脂膜１０の側壁との間に溝を
形成する。次に、塗布法によりＰＳＧ膜１３を形成して
表面を平坦化した後、エッチバック法によりポリイミド
系樹脂膜１０の膜厚より薄くなるまでＰＳＧ膜１３を均
一にエッチングし、金めっき配線１２の側壁部の溝部を
含むポリイミド系樹脂膜１０の開口部のみにＰＳＧ膜１
３を残して金めっき配線１２の側壁部及び上面部をＰＳ
Ｇ膜１３で被覆する。
ジスト膜１１を剥離した後、３００℃の窒素雰囲気中で
６０分間熱処理を行い、ポリイミド系樹脂膜１０のイミ
ド化を促進させ、収縮させることにより金めっき配線１
２の側壁とポリイミド系樹脂膜１０の側壁との間に溝を
形成する。次に、塗布法によりＰＳＧ膜１３を形成して
表面を平坦化した後、エッチバック法によりポリイミド
系樹脂膜１０の膜厚より薄くなるまでＰＳＧ膜１３を均
一にエッチングし、金めっき配線１２の側壁部の溝部を
含むポリイミド系樹脂膜１０の開口部のみにＰＳＧ膜１
３を残して金めっき配線１２の側壁部及び上面部をＰＳ
Ｇ膜１３で被覆する。
【００１９】次に図３（ｂ）に示すように、ポリイミド
系樹脂膜１０をエッチング除去し、次いでＰＳＧ膜１３
をマスクとしてめっき後不要となった金膜９をエッチン
グ除去する。この際不要となった金膜９は王水でエッチ
ング除去するが、金めっき配線１２は、ＰＳＧ膜１３で
その表面が完全に覆われているので王水でエッチングさ
れることはない。次にポリイミド樹脂膜４をエッチング
除去し、金属導電膜３の表面を露出させる。
系樹脂膜１０をエッチング除去し、次いでＰＳＧ膜１３
をマスクとしてめっき後不要となった金膜９をエッチン
グ除去する。この際不要となった金膜９は王水でエッチ
ング除去するが、金めっき配線１２は、ＰＳＧ膜１３で
その表面が完全に覆われているので王水でエッチングさ
れることはない。次にポリイミド樹脂膜４をエッチング
除去し、金属導電膜３の表面を露出させる。
【００２０】次に、図３（ｃ）に示すように、ＰＳＧ膜
７をマスクとして不要部分の金属導電膜３をエッチング
除去する。この際、２層構造である金属導電膜３の上層
部の金膜は王水で、下層部のチタン膜は過酸化水素水溶
液で順次エッチング除去するが、めっき配線６はＰＳＧ
膜７で覆われているため王水でエッチングされることは
ない。また、金めっき配線１２も上面部及び側面部はＰ
ＳＧ膜１３で覆われており、底部も金属導電膜３の金膜
より十分厚い膜厚の金膜９で保護しているためエッチン
グされることはない。以上のように、金属導電膜３をエ
ッチング除去して各々の金めっき配線６を分離すること
により、２層構造の金めっき配線を有する半導体装置を
構成する。本実施例によれば、めっき配線による多層化
を容易に実現することが可能である。
７をマスクとして不要部分の金属導電膜３をエッチング
除去する。この際、２層構造である金属導電膜３の上層
部の金膜は王水で、下層部のチタン膜は過酸化水素水溶
液で順次エッチング除去するが、めっき配線６はＰＳＧ
膜７で覆われているため王水でエッチングされることは
ない。また、金めっき配線１２も上面部及び側面部はＰ
ＳＧ膜１３で覆われており、底部も金属導電膜３の金膜
より十分厚い膜厚の金膜９で保護しているためエッチン
グされることはない。以上のように、金属導電膜３をエ
ッチング除去して各々の金めっき配線６を分離すること
により、２層構造の金めっき配線を有する半導体装置を
構成する。本実施例によれば、めっき配線による多層化
を容易に実現することが可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、めっき
後不要となった金属導電膜を金めっき配線の表面に被覆
して設けた絶縁膜をマスクとしてエッチング除去するこ
とにより、金めっき配線が同時にエッチングされること
を防止して金メッキ配線の断線等を防止して信頼性を向
上させるという効果を有する。
後不要となった金属導電膜を金めっき配線の表面に被覆
して設けた絶縁膜をマスクとしてエッチング除去するこ
とにより、金めっき配線が同時にエッチングされること
を防止して金メッキ配線の断線等を防止して信頼性を向
上させるという効果を有する。
【００２２】また、不要になった金属導電膜をウェット
エッチングにより除去できるので異方性ドライエッチン
グにより生じる段差部でのエッチング残りが発生するこ
とがないため下地を平坦化する必要がなく、多層配線の
微細化を容易に実現することができるという効果を有す
る。
エッチングにより除去できるので異方性ドライエッチン
グにより生じる段差部でのエッチング残りが発生するこ
とがないため下地を平坦化する必要がなく、多層配線の
微細化を容易に実現することができるという効果を有す
る。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための工程順
に示した半導体チップの断面図である。
に示した半導体チップの断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するための工程順
に示した半導体チップの断面図である。
に示した半導体チップの断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための工程順
に示した半導体チップの断面図である。
に示した半導体チップの断面図である。
１ 半導体基板 ２ 酸化シリコン膜 ３ 金属導電膜 ４，１０ ポリイミド系樹脂膜 ５，８ フォトレジスト膜 ６，１２ 金めっき配線 ７，１３ ＰＳＧ膜 ９ 金膜
Claims (1)
- 【請求項１】 素子領域を含む半導体基板上に設けた絶
縁膜上に電気めっきの電流路となる金属導電膜を形成す
る工程と、前記金属導電膜上にポリイミド系樹脂膜を塗
布して形成する工程と、前記ポリイミド系樹脂膜をパタ
ーニングしてめっき領域を開口し前記金属導電膜の表面
を露出させる工程と、前記ポリイミド系樹脂膜をマスク
として電気めっきにより前記金属導電膜上に金属めっき
膜を形成する工程と、熱処理により前記ポリイミド系樹
脂膜を収縮させ前記金属めっき膜側壁とポリイミド系樹
脂膜の側壁との間に溝を形成する工程と、前記溝を含む
表面に塗布法により絶縁性塗布膜を形成して前記溝を含
むポリイミド系樹脂膜の開口部を充填して表面を平坦化
しエッチバックにより前記開口部内にのみ前記塗布膜を
残して前記金属めっき膜の表面を前記塗布膜で被覆する
工程と、前記ポリイミド系樹脂膜をエッチング除去した
後前記塗布膜をマスクとして金属導電膜をエッチング除
去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3000336A JP3036086B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3000336A JP3036086B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04279031A JPH04279031A (ja) | 1992-10-05 |
| JP3036086B2 true JP3036086B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=11471048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3000336A Expired - Lifetime JP3036086B2 (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3036086B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3600544B2 (ja) | 2001-03-30 | 2004-12-15 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-08 JP JP3000336A patent/JP3036086B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04279031A (ja) | 1992-10-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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