JPH104030A - 薄型積層コンデンサ - Google Patents
薄型積層コンデンサInfo
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- JPH104030A JPH104030A JP15658296A JP15658296A JPH104030A JP H104030 A JPH104030 A JP H104030A JP 15658296 A JP15658296 A JP 15658296A JP 15658296 A JP15658296 A JP 15658296A JP H104030 A JPH104030 A JP H104030A
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- capacitor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のセラミックコンデンサを５０ミクロン
程度まで薄くすると簡単に応力で割れてしまい、薄型で
大容量のコンデンサがなかった。 【解決手段】 ウエハ上にコンデンサを作製して積層す
る。ウエハを薄くして金属の固相拡散接合似よって接合
する。上下の貫通孔はシリコンを薄くしてエッチングで
開ける。 【効果】 薄型で曲げに強い大容量のコンデンサを製造
することができる。
程度まで薄くすると簡単に応力で割れてしまい、薄型で
大容量のコンデンサがなかった。 【解決手段】 ウエハ上にコンデンサを作製して積層す
る。ウエハを薄くして金属の固相拡散接合似よって接合
する。上下の貫通孔はシリコンを薄くしてエッチングで
開ける。 【効果】 薄型で曲げに強い大容量のコンデンサを製造
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄型で曲げに強い積
層コンデンサに関する発明である。
層コンデンサに関する発明である。
【０００２】
【従来の技術】従来技術は電子情報通信ハンドブック
（オーム社発行１９９０年４月３０日第１版第２刷発
行）５１６から５１７ページなどに記されている。この
構造を図３に示す。この構造では酸化チタンなどを主材
料とする誘電体セラミクスを焼結して図３の例では第１
セラミック層３２、第２セラミック層３３、第３セラミ
ック層３４を多層に積層した断面図のようになってい
る。左右には電極３１と別の電極３５が取り付けられて
いる。
（オーム社発行１９９０年４月３０日第１版第２刷発
行）５１６から５１７ページなどに記されている。この
構造を図３に示す。この構造では酸化チタンなどを主材
料とする誘電体セラミクスを焼結して図３の例では第１
セラミック層３２、第２セラミック層３３、第３セラミ
ック層３４を多層に積層した断面図のようになってい
る。左右には電極３１と別の電極３５が取り付けられて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この各層のセラミック
の厚さは５０ミクロン程度まで薄くすることは可能であ
るがセラミックは粗い粒子が結合しているため極めて欠
陥密度が大きくわずかな点圧などで簡単に割れてしま
う。従って厚さが２００ミクロン以下を要求される薄型
ＩＣカードでは曲げに耐えることができない。
の厚さは５０ミクロン程度まで薄くすることは可能であ
るがセラミックは粗い粒子が結合しているため極めて欠
陥密度が大きくわずかな点圧などで簡単に割れてしま
う。従って厚さが２００ミクロン以下を要求される薄型
ＩＣカードでは曲げに耐えることができない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決する第
１の手段はシリコンウエハ主面上に第１の電極層と第２
の電極層をもっていて第１の電極層と第２の電極層の間
には誘電体層があって、第１の電極層と第２の電極層は
それぞれシリコンウエハに開けられた貫通孔によってシ
リコン裏面に接合電極がそれぞれとられる構造の薄型コ
ンデンサがあって他の同様の構造をもつ薄型コンデンサ
の接合電極とが位置合わせされて接合することを特徴と
する薄型積層コンデンサとすることである。
１の手段はシリコンウエハ主面上に第１の電極層と第２
の電極層をもっていて第１の電極層と第２の電極層の間
には誘電体層があって、第１の電極層と第２の電極層は
それぞれシリコンウエハに開けられた貫通孔によってシ
リコン裏面に接合電極がそれぞれとられる構造の薄型コ
ンデンサがあって他の同様の構造をもつ薄型コンデンサ
の接合電極とが位置合わせされて接合することを特徴と
する薄型積層コンデンサとすることである。
【０００５】上記の課題を解決する第２の手段はシリコ
ンウエハ主面上に第１の電極層と第２の電極層をもって
いて第１の電極層と第２の電極層の間には誘電体層があ
って、第１の電極層と第２の電極層はそれぞれシリコン
ウエハに開けられた貫通孔によってシリコン裏面に下部
接合電極がそれぞれとられる構造で同様に主面の表面に
も第１の電極層と第２の電極層に接続される上部接合電
極をもつ構造の薄型コンデンサがあって他の同様の構造
をもつ薄型コンデンサの接合電極とが位置合わせされて
ひとつの薄型コンデンサの下部電極と別の薄型コンデン
サの上部電極が接合することを特徴とする薄型積層コン
デンサとすることである。
ンウエハ主面上に第１の電極層と第２の電極層をもって
いて第１の電極層と第２の電極層の間には誘電体層があ
って、第１の電極層と第２の電極層はそれぞれシリコン
ウエハに開けられた貫通孔によってシリコン裏面に下部
接合電極がそれぞれとられる構造で同様に主面の表面に
も第１の電極層と第２の電極層に接続される上部接合電
極をもつ構造の薄型コンデンサがあって他の同様の構造
をもつ薄型コンデンサの接合電極とが位置合わせされて
ひとつの薄型コンデンサの下部電極と別の薄型コンデン
サの上部電極が接合することを特徴とする薄型積層コン
デンサとすることである。
【０００６】上記の課題を解決する第３の手段は薄型コ
ンデンサの接合電極はあらかじめアルゴンの中性原子に
よって表面をクリーニングしたのち接合されることを特
徴とする請求項１および請求項２の薄型積層コンデンサ
とすることである。
ンデンサの接合電極はあらかじめアルゴンの中性原子に
よって表面をクリーニングしたのち接合されることを特
徴とする請求項１および請求項２の薄型積層コンデンサ
とすることである。
【０００７】上記の課題を解決する第４の手段は上記の
主面側の構造はシリオコンオンインシュレータウエハを
用いて形成された後、シリコンオンインシュレータの内
層酸化膜層を境界にして薄くされることを特徴とする請
求項１または請求項２の薄型積層コンデンサとすること
である。
主面側の構造はシリオコンオンインシュレータウエハを
用いて形成された後、シリコンオンインシュレータの内
層酸化膜層を境界にして薄くされることを特徴とする請
求項１または請求項２の薄型積層コンデンサとすること
である。
【０００８】上記の課題を解決する第５の手段は前記の
誘電体層はバリウムストロンチウム酸化チタンまたはＰ
ＺＴによって形成されことを特徴とする請求項１または
請求項２の薄型積層コンデンサとすることである。
誘電体層はバリウムストロンチウム酸化チタンまたはＰ
ＺＴによって形成されことを特徴とする請求項１または
請求項２の薄型積層コンデンサとすることである。
【０００９】上記の課題を解決する第６の手段は積層す
るコンデンサは一枚のウエハを分割して積層することを
特徴とする請求項２の薄型積層コンデンサとすることで
ある。 上記の課題を解決する第７の手段は同一の層数
のコンデンサを積層して２倍の層数とする請求項２の薄
型積層コンデンサとすることである。
るコンデンサは一枚のウエハを分割して積層することを
特徴とする請求項２の薄型積層コンデンサとすることで
ある。 上記の課題を解決する第７の手段は同一の層数
のコンデンサを積層して２倍の層数とする請求項２の薄
型積層コンデンサとすることである。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例を示してい
る。図１では二枚の薄型コンデンサを向かい合わせ接合
した断面図を示している。コンデンサは上部電極層１１
と誘電体層１２と下部電極層１３からなっている。上部
電極層は上部電極スルーホール１４によって、また下部
電極層は下部電極スルーホール１５によってシリコン１
６の裏面に接合電極１７として取り出される。この接合
電極同士を接続することによって２層の薄型積層コンデ
ンサが形成される。シリコンの厚さは０．１ミクロンメ
ートルから５０ミクロンメートル程度である。一般的に
このことを述べると、シリコンウエハ主面上に第１の電
極層と第２の電極層をもっていて第１の電極層と第２の
電極層の間には誘電体層があって、第１の電極層と第２
の電極層はそれぞれシリコンウエハに開けられた貫通孔
によってシリコン裏面に接合電極がそれぞれとられる構
造の薄型コンデンサがあって他の同様の構造をもつ薄型
コンデンサの接合電極とが位置合わせされて接合するこ
とを特徴とする薄型積層コンデンサとなる。基材がきわ
めて純度の高いシリコンを使用するので曲げに強いコン
デンサが製造可能となる。
る。図１では二枚の薄型コンデンサを向かい合わせ接合
した断面図を示している。コンデンサは上部電極層１１
と誘電体層１２と下部電極層１３からなっている。上部
電極層は上部電極スルーホール１４によって、また下部
電極層は下部電極スルーホール１５によってシリコン１
６の裏面に接合電極１７として取り出される。この接合
電極同士を接続することによって２層の薄型積層コンデ
ンサが形成される。シリコンの厚さは０．１ミクロンメ
ートルから５０ミクロンメートル程度である。一般的に
このことを述べると、シリコンウエハ主面上に第１の電
極層と第２の電極層をもっていて第１の電極層と第２の
電極層の間には誘電体層があって、第１の電極層と第２
の電極層はそれぞれシリコンウエハに開けられた貫通孔
によってシリコン裏面に接合電極がそれぞれとられる構
造の薄型コンデンサがあって他の同様の構造をもつ薄型
コンデンサの接合電極とが位置合わせされて接合するこ
とを特徴とする薄型積層コンデンサとなる。基材がきわ
めて純度の高いシリコンを使用するので曲げに強いコン
デンサが製造可能となる。
【００１１】図２は本発明の別の実施例を示している。
薄型コンデンサは図１と同様に上部電極層２５と誘電体
層２６と下部電極層２３からなっている。上部電極層は
シリコン部スルーホール２９によって、また下部電極層
はスルーホールによってシリコン２８の裏面に下部接合
電極２９ａして取り出される。上部電極層２５は上部電
極上部スルーホール２１によって上部接合電極２２に、
下部電極層は下部電極上部スルーホール２７によって上
部接合電極へ取り出される。下部接合電極２９ａは別の
薄型コンデンサの別の上部接合電極に位置合わせして接
合される。この接合電極同士を接続することによって２
層の薄型積層コンデンサが形成される。このことを一般
的に述べるとシリコンウエハ主面上に第１の電極層と第
２の電極層をもっていて第１の電極層と第２の電極層の
間には誘電体層があって、第１の電極層と第２の電極層
はそれぞれシリコンウエハに開けられた貫通孔によって
シリコン裏面に下部接合電極がそれぞれとられる構造で
同様に主面の表面にも第１の電極層と第２の電極層に接
続される上部接合電極をもつ構造の薄型コンデンサがあ
って他の同様の構造をもつ薄型コンデンサの接合電極と
が位置合わせされてひとつの薄型コンデンサの下部電極
と別の薄型コンデンサの上部電極が接合することを特徴
とする薄型積層コンデンサとなる。
薄型コンデンサは図１と同様に上部電極層２５と誘電体
層２６と下部電極層２３からなっている。上部電極層は
シリコン部スルーホール２９によって、また下部電極層
はスルーホールによってシリコン２８の裏面に下部接合
電極２９ａして取り出される。上部電極層２５は上部電
極上部スルーホール２１によって上部接合電極２２に、
下部電極層は下部電極上部スルーホール２７によって上
部接合電極へ取り出される。下部接合電極２９ａは別の
薄型コンデンサの別の上部接合電極に位置合わせして接
合される。この接合電極同士を接続することによって２
層の薄型積層コンデンサが形成される。このことを一般
的に述べるとシリコンウエハ主面上に第１の電極層と第
２の電極層をもっていて第１の電極層と第２の電極層の
間には誘電体層があって、第１の電極層と第２の電極層
はそれぞれシリコンウエハに開けられた貫通孔によって
シリコン裏面に下部接合電極がそれぞれとられる構造で
同様に主面の表面にも第１の電極層と第２の電極層に接
続される上部接合電極をもつ構造の薄型コンデンサがあ
って他の同様の構造をもつ薄型コンデンサの接合電極と
が位置合わせされてひとつの薄型コンデンサの下部電極
と別の薄型コンデンサの上部電極が接合することを特徴
とする薄型積層コンデンサとなる。
【００１２】図４は発明の実施するための工程フローを
示している。図４（ａ）では酸化膜付きシリコンウエハ
上に下部電極層を付けた工程直後の断面図を示す。図４
（ｂ）では誘電体層を付着した工程直後の断面図を示
す。この誘電体層はバリウムストロンチウム酸化チタン
またはＰＺＴによって形成されことを特徴とする。本発
明のバリウムストロンチウム酸化チタン膜またはＰＺＴ
膜はそれぞれ０．０１ミクロンから１０ミクロンの間で
あれば、通常のカードのまげ、すなわちカードの長手方
向で２０センチの変位を許す曲げがあっても特性を変え
ることはない。図４（ｃ）では上部電極層を付着した工
程直後の断面図を示す。図４（ｄ）はシリコンウエハを
薄くした工程直後の断面図を示す。ウエハはシリオコン
オンインシュレータウエハを用いて形成された後、シリ
コンオンインシュレータの内層酸化膜層を境界にして薄
くすると０．１ミクロンメートルまで安定に薄くするこ
とができる。エッチッグ液に水酸化カリウムを用いると
シリコンのみを選択的にエッチングすることができるか
らである。図４（ｅ）では薄くしたシリコンウエハ４５
にエッチングによって下部電極スルーホール４６と下部
電極スルーホール４７を開口した断面図を示している。
図４（ｆ）は上部電極層接合電極４８と下部電極接合電
極４９を形成した断面図を示している。
示している。図４（ａ）では酸化膜付きシリコンウエハ
上に下部電極層を付けた工程直後の断面図を示す。図４
（ｂ）では誘電体層を付着した工程直後の断面図を示
す。この誘電体層はバリウムストロンチウム酸化チタン
またはＰＺＴによって形成されことを特徴とする。本発
明のバリウムストロンチウム酸化チタン膜またはＰＺＴ
膜はそれぞれ０．０１ミクロンから１０ミクロンの間で
あれば、通常のカードのまげ、すなわちカードの長手方
向で２０センチの変位を許す曲げがあっても特性を変え
ることはない。図４（ｃ）では上部電極層を付着した工
程直後の断面図を示す。図４（ｄ）はシリコンウエハを
薄くした工程直後の断面図を示す。ウエハはシリオコン
オンインシュレータウエハを用いて形成された後、シリ
コンオンインシュレータの内層酸化膜層を境界にして薄
くすると０．１ミクロンメートルまで安定に薄くするこ
とができる。エッチッグ液に水酸化カリウムを用いると
シリコンのみを選択的にエッチングすることができるか
らである。図４（ｅ）では薄くしたシリコンウエハ４５
にエッチングによって下部電極スルーホール４６と下部
電極スルーホール４７を開口した断面図を示している。
図４（ｆ）は上部電極層接合電極４８と下部電極接合電
極４９を形成した断面図を示している。
【００１３】図５は本発明の接合する工程を示してい
る。上側の薄型コンデンサ５１と下側の薄型コンデンサ
５３は中性アルゴン原子５２によって薄型コンデンサの
接合電極はあらかじめアルゴンの中性原子によって表面
をクリーンニングしたのち接合される。このようにする
と接着層が０．１ミクロンから１ミクロンと極めて薄く
できて積層コンデンサにしても厚くならない。また、室
温で接着することができるので、熱膨張による収縮がな
く、信頼性にすぐれた積層コンデンサを実現することが
できる。
る。上側の薄型コンデンサ５１と下側の薄型コンデンサ
５３は中性アルゴン原子５２によって薄型コンデンサの
接合電極はあらかじめアルゴンの中性原子によって表面
をクリーンニングしたのち接合される。このようにする
と接着層が０．１ミクロンから１ミクロンと極めて薄く
できて積層コンデンサにしても厚くならない。また、室
温で接着することができるので、熱膨張による収縮がな
く、信頼性にすぐれた積層コンデンサを実現することが
できる。
【００１４】図６は本発明の実施の形態例を示してい
る。図６（ａ）は薄型コンデンサ付きウエハ上面図６１
と薄型コンデンサ付きウエハ平面図６２を示している。
図６（ｂ）はウエハを２つ折して接合したコンデンサの
平面図６３と断面図６４を示している。図６（ｃ）はさ
らに４つ折して接合したコンデンサの平面図６５と断面
図６６を示している。積層するコンデンサは一枚のウエ
ハを分割して積層することを特徴とする薄型積層コンデ
ンサと同一の層数のコンデンサを積層して２倍の層数と
する薄型積層コンデンサが可能となる。
る。図６（ａ）は薄型コンデンサ付きウエハ上面図６１
と薄型コンデンサ付きウエハ平面図６２を示している。
図６（ｂ）はウエハを２つ折して接合したコンデンサの
平面図６３と断面図６４を示している。図６（ｃ）はさ
らに４つ折して接合したコンデンサの平面図６５と断面
図６６を示している。積層するコンデンサは一枚のウエ
ハを分割して積層することを特徴とする薄型積層コンデ
ンサと同一の層数のコンデンサを積層して２倍の層数と
する薄型積層コンデンサが可能となる。
【００１５】図７は本発明をフレキシブルなＩＣカード
に搭載した実施例を示す。図７（ａ）は積層コンデンサ
７１と０．１から２００μｍの薄型のコイル７４と０．
１から２００μｍの薄型半導体チップ７６をカード基板
７５の中立面７２に挿入して曲げた基板といっしょにこ
れらの積層コンデンサ７１と０．１から２００μｍの薄
型のコイル７４と０．１から２００μｍ薄型半導体チッ
プ７６が曲がるよう搭載するカードの断面図を示してい
る。図７（ｂ）は図７（ａ）の平面図を示している。
に搭載した実施例を示す。図７（ａ）は積層コンデンサ
７１と０．１から２００μｍの薄型のコイル７４と０．
１から２００μｍの薄型半導体チップ７６をカード基板
７５の中立面７２に挿入して曲げた基板といっしょにこ
れらの積層コンデンサ７１と０．１から２００μｍの薄
型のコイル７４と０．１から２００μｍ薄型半導体チッ
プ７６が曲がるよう搭載するカードの断面図を示してい
る。図７（ｂ）は図７（ａ）の平面図を示している。
【００１６】図８は図１の断面で示す本発明実施例の上
面図を示している。
面図を示している。
【００１７】図９は本発明の積層コンデンサをバッテリ
レスの無線カードに搭載したものを示し、図９（ａ）は
平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）の断面図を示
す。スルーホール９６はコイルパターン９８とつなぎパ
ターン９５をショートするための穴を示しており、コイ
ル引出パターン９７へ電極が引き出される。このコイル
パターンは銀ペーストのスクリーン印刷やエッチング技
術によって形成される。
レスの無線カードに搭載したものを示し、図９（ａ）は
平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）の断面図を示
す。スルーホール９６はコイルパターン９８とつなぎパ
ターン９５をショートするための穴を示しており、コイ
ル引出パターン９７へ電極が引き出される。このコイル
パターンは銀ペーストのスクリーン印刷やエッチング技
術によって形成される。
【００１８】導電性接着剤９１は積層コンデンサの上部
電極１１とコイル接続端子９３を接続するものである。
導電性接着剤は絶縁材料に導電性微粒子を分散した異方
性導電接着剤であってもよい。カード基板９４の上に
は、印刷的手法により形成されたコイル部分９２が存在
する。
電極１１とコイル接続端子９３を接続するものである。
導電性接着剤は絶縁材料に導電性微粒子を分散した異方
性導電接着剤であってもよい。カード基板９４の上に
は、印刷的手法により形成されたコイル部分９２が存在
する。
【００１９】図１０はコイルやコンデンサをカードに組
み込む工程の断面を示したものである。図１０（ａ）は
カード基板の断面を示している。図１０（ｂ）は銀ペー
ストなどの導電材料をスクリーン印刷などによってコイ
ルパターンを印刷した断面を示している。図１０（ｃ）
は導電性接着材を印刷した直後の工程の断面を示してい
る。図１０（ｄ）は積層コンデンサ１０１を接着した工
程直後の断面をしめしている。この積層コンデンサ１０
１の構造はたとえば図１に示す積層コンデンサと同じよ
うな構造を持つものである。図１０（ｅ）は接着剤１０
３によりカードカバーシート１０２を接着して完成した
カードの工程直後の断面を示す。
み込む工程の断面を示したものである。図１０（ａ）は
カード基板の断面を示している。図１０（ｂ）は銀ペー
ストなどの導電材料をスクリーン印刷などによってコイ
ルパターンを印刷した断面を示している。図１０（ｃ）
は導電性接着材を印刷した直後の工程の断面を示してい
る。図１０（ｄ）は積層コンデンサ１０１を接着した工
程直後の断面をしめしている。この積層コンデンサ１０
１の構造はたとえば図１に示す積層コンデンサと同じよ
うな構造を持つものである。図１０（ｅ）は接着剤１０
３によりカードカバーシート１０２を接着して完成した
カードの工程直後の断面を示す。
【００２０】
【発明の効果】本発明は請求項１の通りシリコンウエハ
主面上に第１の電極層と第２の電極層をもっていて第１
の電極層と第２の電極層の間には誘電体層があって、第
１の電極層と第２の電極層はそれぞれシリコンウエハに
開けられた貫通孔によってシリコン裏面に接合電極がそ
れぞれとられる構造の薄型コンデンサがあって他の同様
の構造をもつ薄型コンデンサの接合電極とが位置合わせ
されて接合することを特徴とする薄型積層コンデンサを
提案している。このような構成のコンデンサによれば、
厚さ１から５０ミクロン程度でも１０から１００マイク
ロファラッドのような大容量で薄型でかつ曲げることが
できるコンデンサを得ることが可能となる。これはシリ
コンに形成されたコンデンサを積層とする構造のために
薄型で大容量が可能となり、フレキシブルＩＣカードな
どの薄型カードの実現をもたらす効果がえられる。具体
的に図７にフレキシブルＩＣカードの構成を示し、図９
に本発明の積層コンデンサを搭載した構成を示す。この
ような図９の構成のカ−ドではコイルとコンデンサによ
ってエネルギをタンクに蓄える電気的な構成の一部をな
す。このとき、コイルは印刷状に構成されるので、巻数
が限定されて、大インダクタンスが実現することが困難
であり、大容量で薄型のコンデンサを必要とする。この
ような薄型で大容量のコンデンサ付カードが実現できる
と、従来に比べて電磁波によるエネルギを貯めやすくな
るので、従来が５から１０センチの距離のものが、バッ
テリレスで１５から５００センチの距離でもカードが動
作できるエネルギを蓄えることが可能となり応用範囲を
ひろくすることができる。
主面上に第１の電極層と第２の電極層をもっていて第１
の電極層と第２の電極層の間には誘電体層があって、第
１の電極層と第２の電極層はそれぞれシリコンウエハに
開けられた貫通孔によってシリコン裏面に接合電極がそ
れぞれとられる構造の薄型コンデンサがあって他の同様
の構造をもつ薄型コンデンサの接合電極とが位置合わせ
されて接合することを特徴とする薄型積層コンデンサを
提案している。このような構成のコンデンサによれば、
厚さ１から５０ミクロン程度でも１０から１００マイク
ロファラッドのような大容量で薄型でかつ曲げることが
できるコンデンサを得ることが可能となる。これはシリ
コンに形成されたコンデンサを積層とする構造のために
薄型で大容量が可能となり、フレキシブルＩＣカードな
どの薄型カードの実現をもたらす効果がえられる。具体
的に図７にフレキシブルＩＣカードの構成を示し、図９
に本発明の積層コンデンサを搭載した構成を示す。この
ような図９の構成のカ−ドではコイルとコンデンサによ
ってエネルギをタンクに蓄える電気的な構成の一部をな
す。このとき、コイルは印刷状に構成されるので、巻数
が限定されて、大インダクタンスが実現することが困難
であり、大容量で薄型のコンデンサを必要とする。この
ような薄型で大容量のコンデンサ付カードが実現できる
と、従来に比べて電磁波によるエネルギを貯めやすくな
るので、従来が５から１０センチの距離のものが、バッ
テリレスで１５から５００センチの距離でもカードが動
作できるエネルギを蓄えることが可能となり応用範囲を
ひろくすることができる。
【００２１】従来のセラミックコンデンサを５０ミクロ
ン程度まで薄くすると簡単に応力で割れてしまい、薄型
で大容量のコンデンサがなかった。従来のセラミックコ
ンデンサでは曲率半径１００ミリメートルで簡単にわれ
てしまうが本発明の積層コンデンサでは１０ミリメート
ル以下になるまで割れることはなく、極めて顕著な発明
効果をもたらす。本発明ではウエハ上にコンデンサを作
製して積層する。ウエハを薄くして金属の固相拡散接合
によって接合する。上下の貫通孔はシリコンを薄くして
エッチングで開けることにより薄型で曲げに強い大容量
のコンデンサを製造することができる効果を出すことが
できた。
ン程度まで薄くすると簡単に応力で割れてしまい、薄型
で大容量のコンデンサがなかった。従来のセラミックコ
ンデンサでは曲率半径１００ミリメートルで簡単にわれ
てしまうが本発明の積層コンデンサでは１０ミリメート
ル以下になるまで割れることはなく、極めて顕著な発明
効果をもたらす。本発明ではウエハ上にコンデンサを作
製して積層する。ウエハを薄くして金属の固相拡散接合
によって接合する。上下の貫通孔はシリコンを薄くして
エッチングで開けることにより薄型で曲げに強い大容量
のコンデンサを製造することができる効果を出すことが
できた。
【００２２】本発明の積層コンデンサは小さい面積で薄
型により大容量のコンデンサを実現できるので、小さい
面積であるため歩留まりよく経済的に、また薄型である
ので曲げにつよく薄いフレキシブルＩＣカ−ドに向いた
コンデンサ部品を提供することができる。
型により大容量のコンデンサを実現できるので、小さい
面積であるため歩留まりよく経済的に、また薄型である
ので曲げにつよく薄いフレキシブルＩＣカ−ドに向いた
コンデンサ部品を提供することができる。
【図１】本発明の実施例を示す。
【図２】本発明の別の実施例を示す。
【図３】従来のコンデンサの構造を示す。
【図４】本発明の実施フローを示す。
【図５】本発明の実施フローを示す。
【図６】ウエハから積層コンデンサを作製する方法を示
す。
す。
【図７】本発明の別の実施例を示す。
【図８】本発明の別の実施例を示す。
【図９】本発明の別の実施例を示す。
【図１０】本発明の別の実施例を示す。
１１…上部電極層 １２…誘電膜層 １３…下部電極層 １４…上部電極スルーホール １５…下部電極スルーホール １６…シリコン １７…接合電極 ２１…上部電極上部スルーホール ２２…上部接合電極 ２３…下部電極層 ２４…絶縁膜層 ２５…上部電極層 ２６…誘電膜層 ２７…下部電極上部スルーホール ２８…シリコン ２９…シリコン部スルーホール ２９ａ…下部接合電極 ２９ｂ…別の上部接合電極 ３１…電極 ３２…第１セラミック層 ３３…第２セラミック層 ３４…第３セラミック層 ３５…別の電極 ４１…酸化膜付きシリコンウエハ ４２…下部電極層 ４３…誘電体層 ４４…上部電極層 ４５…薄くしたシリコンウエハ ４６…上部電極スルーホール ４７…下部電極スルーホール ４８…上部電極層接合電極 ４９…下部電極層接合電極 ５１…上側の薄型コンデンサ ５２…中性アルゴン原子 ５３…下側の薄型コンデンサ ６１…薄型コンデンサ付きウエハ上面図 ６２…薄型コンデンサ付きウエハ断面図 ６３…二つ折したコンデンサ上面図 ６４…二つ折したコンデンサ断面図 ６５…四つ折したコンデンサ上面図 ６６…四つ折したコンデンサ断面図 ７１…積層ンデンサ ７２…中立面 ７４…コイル ７５…カード基板 ７６…薄型半導体チップ ９１…導電性接着剤 ９２…コイル部分 ９３…コイル接続端子 ９４…カード基板 ９５…つなぎパターン ９６…スルーホール ９７…コイル引出パターン ９８…コイルパターン １０１…積層コンデンサ １０２…カードカバーシート １０３…接着剤。
Claims (7)
- 【請求項１】シリコンウエハ主面上に第１の電極層と第
２の電極層をもっていて第１の電極層と第２の電極層の
間には誘電体層があって、第１の電極層と第２の電極層
はそれぞれシリコンウエハに開けられた貫通孔によって
シリコン裏面に接合電極がそれぞれとられる構造の薄型
コンデンサがあって他の同様の構造をもつ薄型コンデン
サの接合電極とが位置合わせされて接合することを特徴
とする薄型積層コンデンサ。 - 【請求項２】シリコンウエハ主面上に第１の電極層と第
２の電極層をもっていて第１の電極層と第２の電極層の
間には誘電体層があって、第１の電極層と第２の電極層
はそれぞれシリコンウエハに開けられた貫通孔によって
シリコン裏面に下部接合電極がそれぞれとられる構造で
同様に主面の表面にも第１の電極層と第２の電極層に接
続される上部接合電極をもつ構造の薄型コンデンサがあ
って他の同様の構造をもつ薄型コンデンサの接合電極と
が位置合わせされてひとつの薄型コンデンサの下部電極
と別の薄型コンデンサの上部電極が接合することを特徴
とする薄型積層コンデンサ。 - 【請求項３】薄型コンデンサの接合電極はあらかじめア
ルゴンの中性原子によって表面をクリーニングしたのち
接合されることを特徴とする請求項１および請求項２の
薄型積層コンデンサ。 - 【請求項４】上記の主面側の構造はシリオコンオンイン
シュレータウエハを用いて形成された後、シリコンオン
インシュレータの内層酸化膜層を境界にして薄くされる
ことを特徴とする請求項１または請求項２の薄型積層コ
ンデンサ。 - 【請求項５】前記の誘電体層はバリウムストロンチウム
酸化チタンまたはＰＺＴによって形成されことを特徴と
する請求項１または請求項２の薄型積層コンデンサ。 - 【請求項６】積層するコンデンサは一枚のウエハを分割
して積層することを特徴とする請求項２の薄型積層コン
デンサ。 - 【請求項７】同一の層数のコンデンサを積層して２倍の
層数とする請求項２の薄型積層コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15658296A JPH104030A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 薄型積層コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15658296A JPH104030A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 薄型積層コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104030A true JPH104030A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15630920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15658296A Pending JPH104030A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 薄型積層コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH104030A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5704064A (en) * | 1994-12-05 | 1998-01-06 | Vanson Leathers, Inc. | Garment with structural vent |
| US6974547B1 (en) | 1998-12-22 | 2005-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flexible thin film capacitor and method for producing the same |
| WO2014203633A1 (ja) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 株式会社村田製作所 | フレキシブルケーブル及び電子機器 |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP15658296A patent/JPH104030A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5704064A (en) * | 1994-12-05 | 1998-01-06 | Vanson Leathers, Inc. | Garment with structural vent |
| US6974547B1 (en) | 1998-12-22 | 2005-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flexible thin film capacitor and method for producing the same |
| WO2014203633A1 (ja) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 株式会社村田製作所 | フレキシブルケーブル及び電子機器 |
| JPWO2014203633A1 (ja) * | 2013-06-17 | 2017-02-23 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ及び電子機器 |
| US9847171B2 (en) | 2013-06-17 | 2017-12-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Flexible cable and electronic device |
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