JPH10341069A - ビアホール形成方法 - Google Patents
ビアホール形成方法Info
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- JPH10341069A JPH10341069A JP9148215A JP14821597A JPH10341069A JP H10341069 A JPH10341069 A JP H10341069A JP 9148215 A JP9148215 A JP 9148215A JP 14821597 A JP14821597 A JP 14821597A JP H10341069 A JPH10341069 A JP H10341069A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造コストの低廉化を図るとともに、ビアホ
ール周辺部の損傷発生を防止し、かつ高精度のビアホー
ルを得る。 【解決手段】 銅層２３にポリイミド層２２を積層して
なるフィルム基板２１に対し、パルスレーザ光を照射す
ることによりビアホール２６を形成する方法において、
フィルム基板２１に第一パルスレーザ光ａ１を照射する
ことによりポリイミド層２２の両層面に開口するビアホ
ール形成用の貫通孔２２ａを形成する工程と、この貫通
孔２２ａ内に第二パルスレーザ光ｂ１を照射することに
より分解物２４および残留膜２５を除去する工程とを含
ませた構成としてある。
ール周辺部の損傷発生を防止し、かつ高精度のビアホー
ルを得る。 【解決手段】 銅層２３にポリイミド層２２を積層して
なるフィルム基板２１に対し、パルスレーザ光を照射す
ることによりビアホール２６を形成する方法において、
フィルム基板２１に第一パルスレーザ光ａ１を照射する
ことによりポリイミド層２２の両層面に開口するビアホ
ール形成用の貫通孔２２ａを形成する工程と、この貫通
孔２２ａ内に第二パルスレーザ光ｂ１を照射することに
より分解物２４および残留膜２５を除去する工程とを含
ませた構成としてある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＣＳＰ（チ
ップサイズパッケージ）に代表されるＬＳＩのフィルム
パッケージの基板として有用なポリイミド・銅箔等の有
機絶縁膜・導電層からなるフィルム基板に微細なビアホ
ールを形成する場合に使用して好適なビアホール形成方
法に関する。
ップサイズパッケージ）に代表されるＬＳＩのフィルム
パッケージの基板として有用なポリイミド・銅箔等の有
機絶縁膜・導電層からなるフィルム基板に微細なビアホ
ールを形成する場合に使用して好適なビアホール形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年における多層配線基板技術は、パー
ソナルコンピュータや大型コンピュータのＬＳＩ実装技
術と共に発展し、装置コストの低廉化および実装デバイ
スの高速化を図るために、良好な高周波特性を有する絶
縁フィルムが用いられる高密度実装技術の実用化が望ま
れている。
ソナルコンピュータや大型コンピュータのＬＳＩ実装技
術と共に発展し、装置コストの低廉化および実装デバイ
スの高速化を図るために、良好な高周波特性を有する絶
縁フィルムが用いられる高密度実装技術の実用化が望ま
れている。
【０００３】例えばＣＳＰの製造工程においては、有機
フィルム層と金属層とを張り合わせたフィルム基板に微
細なビアホールを高スループットで安価に形成する方法
が求められている。
フィルム層と金属層とを張り合わせたフィルム基板に微
細なビアホールを高スループットで安価に形成する方法
が求められている。
【０００４】従来、この種のビアホール形成方法には、
例えば有機物質を含有する絶縁フィルムからなる基板の
ビアホール形成箇所に対し、基板に吸収可能な波長を有
するパルスレーザ光を照射し、次にこの照射部のビアホ
ール底部に残留した層膜をパルス幅２００ｎｓ以下のパ
ルスレーザ光の照射によって蒸散除去した後、基板を超
音波洗浄することによりビアホール側壁部の付着物を洗
浄除去する方法が提案されている。
例えば有機物質を含有する絶縁フィルムからなる基板の
ビアホール形成箇所に対し、基板に吸収可能な波長を有
するパルスレーザ光を照射し、次にこの照射部のビアホ
ール底部に残留した層膜をパルス幅２００ｎｓ以下のパ
ルスレーザ光の照射によって蒸散除去した後、基板を超
音波洗浄することによりビアホール側壁部の付着物を洗
浄除去する方法が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、この種のビ
アホール形成方法においては、ウエットプロセスとして
超音波洗浄を必要とするため、工程数が増加し、製造コ
ストが嵩むという問題があった。また、レーザ光照射時
に用いられる光学方式がガウス光学方式であるため、レ
ーザ光のエネルギー分布がガウス分布となり、ビアホー
ル加工形状の精度が悪いばかりか、レーザ光の照射によ
って図４にＡで示すようにビアホール周辺部に損傷が残
るという問題もあった。同図において、符号５１はビア
ホール５１ａを有しポリイミド層５２および銅層５３か
らなるフィルム基板である。
アホール形成方法においては、ウエットプロセスとして
超音波洗浄を必要とするため、工程数が増加し、製造コ
ストが嵩むという問題があった。また、レーザ光照射時
に用いられる光学方式がガウス光学方式であるため、レ
ーザ光のエネルギー分布がガウス分布となり、ビアホー
ル加工形状の精度が悪いばかりか、レーザ光の照射によ
って図４にＡで示すようにビアホール周辺部に損傷が残
るという問題もあった。同図において、符号５１はビア
ホール５１ａを有しポリイミド層５２および銅層５３か
らなるフィルム基板である。
【０００６】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、製造コストの低廉化を図ることができるととも
に、高精度のビアホール加工形状を得ることができ、か
つビアホール周辺部の損傷発生を防止することができる
ビアホール形成方法の提供を目的とする。
もので、製造コストの低廉化を図ることができるととも
に、高精度のビアホール加工形状を得ることができ、か
つビアホール周辺部の損傷発生を防止することができる
ビアホール形成方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の請求項１記載のビアホール形成方法は、導
電層に有機物質を含有する絶縁層を積層してなるフィル
ム基板に対し、パルスレーザ光を照射することによりビ
アホールを形成する方法において、フィルム基板に第一
パルスレーザ光を照射することにより絶縁層の両層面に
開口するビアホール形成用の貫通孔を形成する工程と、
この貫通孔内に第二パルスレーザ光を照射することによ
り熱変成物を除去する工程とを含ませた方法としてあ
る。したがって、第一パルスレーザ光の照射によって貫
通孔に生じた熱変成物が第二パルスレーザ光の照射によ
って吹き飛ばされる。
に、本発明の請求項１記載のビアホール形成方法は、導
電層に有機物質を含有する絶縁層を積層してなるフィル
ム基板に対し、パルスレーザ光を照射することによりビ
アホールを形成する方法において、フィルム基板に第一
パルスレーザ光を照射することにより絶縁層の両層面に
開口するビアホール形成用の貫通孔を形成する工程と、
この貫通孔内に第二パルスレーザ光を照射することによ
り熱変成物を除去する工程とを含ませた方法としてあ
る。したがって、第一パルスレーザ光の照射によって貫
通孔に生じた熱変成物が第二パルスレーザ光の照射によ
って吹き飛ばされる。
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載のビ
アホール形成方法において、第一パルスレーザ光の照射
が結像光学方式によって行なわれる方法としてある。し
たがって、フィルム基板に対して照射される第一パルス
レーザ光のエネルギー分布が均一になる。
アホール形成方法において、第一パルスレーザ光の照射
が結像光学方式によって行なわれる方法としてある。し
たがって、フィルム基板に対して照射される第一パルス
レーザ光のエネルギー分布が均一になる。
【０００９】請求項３記載の発明は、請求項２記載のビ
アホール形成方法において、結像光学方式がフィルム基
板にスリット像を投影することにより行なわれる方法と
してある。したがって、第一パルスレーザ光の照射によ
ってフィルム基板のビアホール形成面にスリット像が投
影される。
アホール形成方法において、結像光学方式がフィルム基
板にスリット像を投影することにより行なわれる方法と
してある。したがって、第一パルスレーザ光の照射によ
ってフィルム基板のビアホール形成面にスリット像が投
影される。
【００１０】請求項４記載の発明は、請求項１〜３のう
ちいずれか一記載のビアホール形成方法において、第二
パルスレーザ光の照射ビーム径が第一パルスレーザ光の
照射によって熱変成した絶縁層域を覆うようなビーム径
に設定する方法としてある。したがって、第一パルスレ
ーザ光の照射によって貫通孔内に生じた熱変成物が第二
パルスレーザ光の照射によって確実に吹き飛ばされる。
ちいずれか一記載のビアホール形成方法において、第二
パルスレーザ光の照射ビーム径が第一パルスレーザ光の
照射によって熱変成した絶縁層域を覆うようなビーム径
に設定する方法としてある。したがって、第一パルスレ
ーザ光の照射によって貫通孔内に生じた熱変成物が第二
パルスレーザ光の照射によって確実に吹き飛ばされる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき、
図面を参照して説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明
の第一実施形態に係るビアホール形成方法を説明するた
めに示す断面図、図２は同じく本発明の第一実施形態に
係るビアホール形成方法を実施するために用いられるビ
アホール形成用加工機を示すブロック図である。先ず、
ビアホール形成用加工機につき、図２を用いて説明す
る。同図において、符号１で示すビアホール形成用加工
機は、アルゴンレーザ装置２と超音波変調器３とスリッ
ト板４とコリメートレンズ５と反射ミラー６とＹＬＦレ
ーザ装置７とビームエキスパンダ８と偏光カプラ９とガ
ルバノミラー１０とｆθレンズ１１とを備えている。
図面を参照して説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明
の第一実施形態に係るビアホール形成方法を説明するた
めに示す断面図、図２は同じく本発明の第一実施形態に
係るビアホール形成方法を実施するために用いられるビ
アホール形成用加工機を示すブロック図である。先ず、
ビアホール形成用加工機につき、図２を用いて説明す
る。同図において、符号１で示すビアホール形成用加工
機は、アルゴンレーザ装置２と超音波変調器３とスリッ
ト板４とコリメートレンズ５と反射ミラー６とＹＬＦレ
ーザ装置７とビームエキスパンダ８と偏光カプラ９とガ
ルバノミラー１０とｆθレンズ１１とを備えている。
【００１２】次に、本発明の第一実施形態に係るビアホ
ール形成方法つき、図１および図２を用いて説明する。
なお、本実施形態において使用される被加工基板として
は、厚さ３０μｍのポリイミド層２２および厚さ１０μ
ｍの銅層２３からなるＩＣチップ実装用のフィルム基板
（ＣＳＰ）２１である。
ール形成方法つき、図１および図２を用いて説明する。
なお、本実施形態において使用される被加工基板として
は、厚さ３０μｍのポリイミド層２２および厚さ１０μ
ｍの銅層２３からなるＩＣチップ実装用のフィルム基板
（ＣＳＰ）２１である。
【００１３】先ず、アルゴンレーザ装置２から出射する
波長５１５ｎｍのアルゴンレーザ光ａを超音波変調器３
によって第一高調波としてのパルス幅０．３ｍｓの第一
パルスレーザ光ａ１（照射ビーム径４０μｍ，照射間隔
１０ｍｓ）とし、これを図１（ａ）に示すように四ショ
ット照射する。
波長５１５ｎｍのアルゴンレーザ光ａを超音波変調器３
によって第一高調波としてのパルス幅０．３ｍｓの第一
パルスレーザ光ａ１（照射ビーム径４０μｍ，照射間隔
１０ｍｓ）とし、これを図１（ａ）に示すように四ショ
ット照射する。
【００１４】このとき、照射エネルギーは、１ｍＪ／パ
ルスである。第一パルスレーザ光ａ１照射後のフィルム
基板２１の加工形状は、同図（ｂ）に示すように底部径
４０μｍ，上部径７０μｍのビアホール形成用の貫通孔
２２ａを有する加工形状となる。
ルスである。第一パルスレーザ光ａ１照射後のフィルム
基板２１の加工形状は、同図（ｂ）に示すように底部径
４０μｍ，上部径７０μｍのビアホール形成用の貫通孔
２２ａを有する加工形状となる。
【００１５】また、レーザ光照射時の加熱作用によって
ポリイミド層２２に熱分解または熱分解に伴うガス発生
のうちいずれかの反応を起こし、貫通孔２２ａの内面に
厚さ３０μｍ程度の分解物２４が付着し、貫通孔２２ａ
の底面にポリイミド層２２が熱変成（熱分解）した残留
膜２５が薄く残る。
ポリイミド層２２に熱分解または熱分解に伴うガス発生
のうちいずれかの反応を起こし、貫通孔２２ａの内面に
厚さ３０μｍ程度の分解物２４が付着し、貫通孔２２ａ
の底面にポリイミド層２２が熱変成（熱分解）した残留
膜２５が薄く残る。
【００１６】次に、ＱｓｗＹＬＦレーザ装置７からＱｓ
ｗＹＬＦレーザ光ｂを出射させて第二高調波としての第
二パルスレーザ光ｂ１（照射ビーム径７０μｍ，パルス
幅１０ｎｍ，照射エネルギー１５０μＪ／パルス）と
し、これを図１（ｃ）に示すように五ショット照射す
る。
ｗＹＬＦレーザ光ｂを出射させて第二高調波としての第
二パルスレーザ光ｂ１（照射ビーム径７０μｍ，パルス
幅１０ｎｍ，照射エネルギー１５０μＪ／パルス）と
し、これを図１（ｃ）に示すように五ショット照射す
る。
【００１７】このとき、第二パルスレーザ光ｂ１照射後
のフィルム基板２１の加工形状は、同図（ｄ）に示すよ
うに熱変成物としての残留膜２５および分解物２４が吹
き飛ばされ、ビアホール２６を有する加工形状となる。
のフィルム基板２１の加工形状は、同図（ｄ）に示すよ
うに熱変成物としての残留膜２５および分解物２４が吹
き飛ばされ、ビアホール２６を有する加工形状となる。
【００１８】ここで、第一パルスレーザ光ａ１の照射
は、図３に示すように、アルゴンレーザ光ａの光路途中
にスリット板４に設け、このスリット４による像をフィ
ルム基板２１に投影する結像光学方式によって行なわれ
る。
は、図３に示すように、アルゴンレーザ光ａの光路途中
にスリット板４に設け、このスリット４による像をフィ
ルム基板２１に投影する結像光学方式によって行なわれ
る。
【００１９】また、第二パルスレーザ光ｂ１の照射ビー
ム径は、第一パルスレーザ光ａ１の照射によって熱変成
した絶縁層域を覆うようなビーム径に設定される。
ム径は、第一パルスレーザ光ａ１の照射によって熱変成
した絶縁層域を覆うようなビーム径に設定される。
【００２０】なお、本発明におけるフィルム基板は、前
述した実施形態に特に限定されるものでないことは勿論
である。
述した実施形態に特に限定されるものでないことは勿論
である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ィルム基板に第一パルスレーザ光を照射することにより
絶縁層の両層面に開口するビアホール形成用の貫通孔を
形成する工程と、この貫通孔内に第二パルスレーザ光を
照射することにより熱変成物を除去する工程とを含ませ
たので、第一パルスレーザ光の照射によって貫通孔に生
じた熱変成物が第二パルスレーザ光の照射によって吹き
飛ばされる。
ィルム基板に第一パルスレーザ光を照射することにより
絶縁層の両層面に開口するビアホール形成用の貫通孔を
形成する工程と、この貫通孔内に第二パルスレーザ光を
照射することにより熱変成物を除去する工程とを含ませ
たので、第一パルスレーザ光の照射によって貫通孔に生
じた熱変成物が第二パルスレーザ光の照射によって吹き
飛ばされる。
【００２２】したがって、従来必要としたウエットプロ
セスとして超音波洗浄が不要になるから、製造工程数を
削減することができ、製造コストの低廉化を図ることが
できる。
セスとして超音波洗浄が不要になるから、製造工程数を
削減することができ、製造コストの低廉化を図ることが
できる。
【００２３】請求項２において、レーザ光照射時に用い
られる光学方式が結像光学方式であるから、フィルム基
板に対して照射される第一パルスレーザ光のエネルギー
分布が均一になり、高精度のビアホール加工形状を得る
ことができるとともに、ビアホール周辺部の損傷発生を
防止することができる。
られる光学方式が結像光学方式であるから、フィルム基
板に対して照射される第一パルスレーザ光のエネルギー
分布が均一になり、高精度のビアホール加工形状を得る
ことができるとともに、ビアホール周辺部の損傷発生を
防止することができる。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第一実施形態に係る
ビアホール形成方法を説明するために示す断面図であ
る。
ビアホール形成方法を説明するために示す断面図であ
る。
【図２】本発明の第一実施形態に係るビアホール形成方
法を実施するために用いられるビアホール形成用加工機
を示すブロック図である。
法を実施するために用いられるビアホール形成用加工機
を示すブロック図である。
【図３】結像光学方式によってビアホールを形成した場
合のフィルム基板を示す断面図である。
合のフィルム基板を示す断面図である。
【図４】ガウス光学方式によってビアホールを形成した
場合のフィルム基板を示す断面図である。
場合のフィルム基板を示す断面図である。
２１ フィルム基板 ２２ ポリイミド層 ２２ａ 貫通孔 ２３ 銅層 ２４ 分解物 ２５ 残留物 ２６ ビアホール ａ１ 第一パルスレーザ光 ｂ１ 第二パルスレーザ光
Claims (4)
- 【請求項１】 導電層に有機物質を含有する絶縁層を積
層してなるフィルム基板に対し、パルスレーザ光を照射
することによりビアホールを形成する方法において、 前記フィルム基板に第一パルスレーザ光を照射すること
により前記絶縁層の両層面に開口するビアホール形成用
の貫通孔を形成する工程と、 この貫通孔内に第二パルスレーザ光を照射することによ
り熱変成物を除去する工程とを含ませたことを特徴とす
るビアホール形成方法。 - 【請求項２】 第一パルスレーザ光の照射が結像光学方
式によって行なわれることを特徴とする請求項１記載の
ビアホール形成方法。 - 【請求項３】 前記結像光学方式が前記フィルム基板に
スリット像を投影することにより行なわれることを特徴
とする請求項２記載のビアホール方法。 - 【請求項４】 前記第二パルスレーザ光の照射ビーム径
が前記第一パルスレーザ光の照射によって熱変成した絶
縁層域を覆うようなビーム径に設定することを特徴とす
る請求項１〜３のうちいずれか一記載のビアホール形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9148215A JPH10341069A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | ビアホール形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9148215A JPH10341069A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | ビアホール形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10341069A true JPH10341069A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15447853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9148215A Pending JPH10341069A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | ビアホール形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10341069A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6168910B1 (en) | 1996-12-11 | 2001-01-02 | Nitto Denko Corporation | Method for removing residue and method for production of printed board having hole |
| JP2001267720A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 積層フィルム基材の加工方法 |
| JP2001269793A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | レーザ加工方法 |
| JP2002217551A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-08-02 | Toppan Printing Co Ltd | 多層配線基板及びその製造方法、並びにレーザードリル装置 |
| JP2003046244A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Kyocera Corp | 多層配線基板及びその製造方法 |
| JP2005313475A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 樹脂加工方法および樹脂加工装置 |
| JP2007090438A (ja) * | 2007-01-11 | 2007-04-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工方法 |
| JP2007287920A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Hitachi Cable Ltd | 両面配線基板の製造方法および両面配線基板 |
| JP2007330985A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | ビアホールの加工方法 |
| JP2010120084A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-06-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
| CN108406141A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-08-17 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 基于光学相干层析扫描的超快激光微孔加工方法及装置 |
-
1997
- 1997-06-05 JP JP9148215A patent/JPH10341069A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6168910B1 (en) | 1996-12-11 | 2001-01-02 | Nitto Denko Corporation | Method for removing residue and method for production of printed board having hole |
| JP2001267720A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 積層フィルム基材の加工方法 |
| JP2001269793A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | レーザ加工方法 |
| JP2002217551A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-08-02 | Toppan Printing Co Ltd | 多層配線基板及びその製造方法、並びにレーザードリル装置 |
| JP4666830B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2011-04-06 | 京セラ株式会社 | 多層配線基板及びその製造方法 |
| JP2003046244A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Kyocera Corp | 多層配線基板及びその製造方法 |
| JP2005313475A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 樹脂加工方法および樹脂加工装置 |
| JP4595378B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-12-08 | 住友電気工業株式会社 | 樹脂加工方法 |
| JP2007287920A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Hitachi Cable Ltd | 両面配線基板の製造方法および両面配線基板 |
| JP2007330985A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | ビアホールの加工方法 |
| JP2007090438A (ja) * | 2007-01-11 | 2007-04-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工方法 |
| JP4489782B2 (ja) * | 2007-01-11 | 2010-06-23 | 住友重機械工業株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP2010120084A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-06-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
| US8628715B2 (en) | 2008-10-23 | 2014-01-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser processing method and laser processing device |
| CN108406141A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-08-17 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 基于光学相干层析扫描的超快激光微孔加工方法及装置 |
| CN108406141B (zh) * | 2018-04-18 | 2024-05-03 | 西安中科微精光子科技股份有限公司 | 基于光学相干层析扫描的超快激光微孔加工方法及装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990406 |