JPH09239573A - 有機フィルム加工方法 - Google Patents
有機フィルム加工方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】レーザ照射工程のみで有機フィルム加工を可能
とし、低コスト、かつウェットプロセスを不要とした有
機フィルム加工方法の提供。 【解決手段】有機フィルム基板への微細な穴開け加工法
において、１０μｓから２０ｍｓの範囲内のパルス幅の
第１のパルスレーザ光を照射して、絶縁膜にレーザ照射
による加熱作用に基づく熱分解、熱分解に伴うガス発生
のいずれかの反応を起こす工程と、上記熱分解物の広が
りの範囲にまで照射ビーム径を拡大したパルス幅２００
ｎｓ以下の短パルス光を照射する工程と、からなる。
とし、低コスト、かつウェットプロセスを不要とした有
機フィルム加工方法の提供。 【解決手段】有機フィルム基板への微細な穴開け加工法
において、１０μｓから２０ｍｓの範囲内のパルス幅の
第１のパルスレーザ光を照射して、絶縁膜にレーザ照射
による加熱作用に基づく熱分解、熱分解に伴うガス発生
のいずれかの反応を起こす工程と、上記熱分解物の広が
りの範囲にまで照射ビーム径を拡大したパルス幅２００
ｎｓ以下の短パルス光を照射する工程と、からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機フィルム加工方
法に関し、特に高密度多層配線や、ＬＳＩのフィルムパ
ッケージの基板として有用なポリイミド・銅箔等の有機
絶縁膜／導電層からなるフィルム基板や、プリンタヘッ
ド等に用いられる有機フィルム基板に、微細なビアホー
ルを形成する有機フィルム加工方法に関する。
法に関し、特に高密度多層配線や、ＬＳＩのフィルムパ
ッケージの基板として有用なポリイミド・銅箔等の有機
絶縁膜／導電層からなるフィルム基板や、プリンタヘッ
ド等に用いられる有機フィルム基板に、微細なビアホー
ルを形成する有機フィルム加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層配線基板技術は、パーソナルコンピ
ュータや、大型コンピュータのＬＳＩ実装用に発展し、
現在、装置コストの低減と、実装デバイスの高速化への
対応を図るために、良好な高周波特性を有する絶縁フィ
ルムを用いた高密度実装技術の実用化が望まれている。
なかでも、有機フィルムと金属層とを張り合わせてなる
フィルム基板に微細なビアホールを高スループットで、
安価に形成する方法が求められている。
ュータや、大型コンピュータのＬＳＩ実装用に発展し、
現在、装置コストの低減と、実装デバイスの高速化への
対応を図るために、良好な高周波特性を有する絶縁フィ
ルムを用いた高密度実装技術の実用化が望まれている。
なかでも、有機フィルムと金属層とを張り合わせてなる
フィルム基板に微細なビアホールを高スループットで、
安価に形成する方法が求められている。
【０００３】また、インクジェットプリンタ等の応用で
は、膜厚が１００μｍ程度の有機フィルム基板に、微細
な多数のビアホールを、安価なコストで、しかも高速に
形成する方法が求められている。
は、膜厚が１００μｍ程度の有機フィルム基板に、微細
な多数のビアホールを、安価なコストで、しかも高速に
形成する方法が求められている。
【０００４】この種の有機フィルム加工方法として、本
発明者らは、例えば特願平７−１４５６８７号に有機絶
縁膜と導電層からなるフィルム基板に高いアスペクト比
を持ち導電層との界面に絶縁層を残さずに信頼性に優れ
る、ビアホールを形成する方法を提案している。即ち、
上記特願平７−１４５６８７号には、有機物質を含有す
る絶縁フィルムからなる基板において、ビアホールの形
成箇所に、基板に吸収のある波長のパルスレーザ光を照
射した後、一の照射部のビアホール底部の残留膜をパル
ス幅２００ｎｓ以下の第２のパルスレーザ光の照射によ
り蒸散除去し、さらに、基板を超音波洗浄することによ
り、ビアホール側壁部の付着物を洗浄除去して、微細な
ビアホールを高いスループットで形成できることが記載
されている。
発明者らは、例えば特願平７−１４５６８７号に有機絶
縁膜と導電層からなるフィルム基板に高いアスペクト比
を持ち導電層との界面に絶縁層を残さずに信頼性に優れ
る、ビアホールを形成する方法を提案している。即ち、
上記特願平７−１４５６８７号には、有機物質を含有す
る絶縁フィルムからなる基板において、ビアホールの形
成箇所に、基板に吸収のある波長のパルスレーザ光を照
射した後、一の照射部のビアホール底部の残留膜をパル
ス幅２００ｎｓ以下の第２のパルスレーザ光の照射によ
り蒸散除去し、さらに、基板を超音波洗浄することによ
り、ビアホール側壁部の付着物を洗浄除去して、微細な
ビアホールを高いスループットで形成できることが記載
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
願平７−１４５６８７号に記載された、従来のビアホー
ル形成法においては、工程の最後に、超音波洗浄が必要
とされており、このため工程数が増加し、製造コストを
低減することが難しい。
願平７−１４５６８７号に記載された、従来のビアホー
ル形成法においては、工程の最後に、超音波洗浄が必要
とされており、このため工程数が増加し、製造コストを
低減することが難しい。
【０００６】また、上記公報に記載の従来の方法におい
ては、プリンタヘッドへ微細なビアホールを形成する用
途においては、絶縁フィルムに機構保持部品が組付けら
れた状態で加工する必要が生じることから、超音波洗浄
で必要とされる溶液処理工程を適用することができない
場合もある。
ては、プリンタヘッドへ微細なビアホールを形成する用
途においては、絶縁フィルムに機構保持部品が組付けら
れた状態で加工する必要が生じることから、超音波洗浄
で必要とされる溶液処理工程を適用することができない
場合もある。
【０００７】従って、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたものであって、レーザ照射工程のみで有機フィル
ム加工を可能とし、低コスト、かつウェットプロセスを
不要とした有機フィルム加工方法を提供することを目的
とする。
されたものであって、レーザ照射工程のみで有機フィル
ム加工を可能とし、低コスト、かつウェットプロセスを
不要とした有機フィルム加工方法を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、有機物質を含む絶縁層と金属層とを積層
してなるフィルム基板へ、第１の所定時間幅のパルス幅
を有する第１のパルスレーザ光を、１ショット以上、前
記フィルム基板のビアホール形成部に対して照射し、前
記絶縁層のレーザ光照射部を熱分解、又は熱分解に伴う
ガス発生の少なくともいずれかの反応を起こさせる工程
と、前記絶縁層における前記第１のパルスレーザ光の照
射部に、第２の所定時間幅の第２のパルスレーザ光を照
射してビアホール底部の残留膜を蒸散除去する工程と、
を含む有機フィルム加工形成方法において、前記第２の
パルスレーザ光の照射ビーム径を、前記第１のパルスレ
ーザ光のビーム径よりも大とし、前記絶縁層の熱変性し
た領域を覆う範囲にまで拡大したことを特徴とする有機
フィルム加工方法を提供する。
め、本発明は、有機物質を含む絶縁層と金属層とを積層
してなるフィルム基板へ、第１の所定時間幅のパルス幅
を有する第１のパルスレーザ光を、１ショット以上、前
記フィルム基板のビアホール形成部に対して照射し、前
記絶縁層のレーザ光照射部を熱分解、又は熱分解に伴う
ガス発生の少なくともいずれかの反応を起こさせる工程
と、前記絶縁層における前記第１のパルスレーザ光の照
射部に、第２の所定時間幅の第２のパルスレーザ光を照
射してビアホール底部の残留膜を蒸散除去する工程と、
を含む有機フィルム加工形成方法において、前記第２の
パルスレーザ光の照射ビーム径を、前記第１のパルスレ
ーザ光のビーム径よりも大とし、前記絶縁層の熱変性し
た領域を覆う範囲にまで拡大したことを特徴とする有機
フィルム加工方法を提供する。
【０００９】本発明の有機フィルム加工方法は、有機物
質を含む絶縁層と金属層とを積層してなるフィルム基板
へ、１０μｓから２０ｍｓの範囲のパルス幅の第１のパ
ルスレーザ光を、１ショット以上、前記フィルム基板の
ビアホール形成部に照射し、前記第１のパルスレーザ光
の照射による前記絶縁層の温度上昇を介して前記絶縁層
の前記第１のパルスレーザ光照射部を熱分解、又は熱分
解に伴うガス発生の少なくともいずれかの反応を起こさ
せる工程と、前記絶縁層における前記第１のパルスレー
ザ光の照射部に、パルス幅略２００ｎｓ以下、ピークパ
ワー密度略１０ＭＷ／ｃｍ2以上の照射強度の第２のパ
ルスレーザ光を照射して、ビアホール底部の残留膜を蒸
散除去する工程と、を含み、前記第２のパルスレーザ光
の照射ビーム径を、前記第１のパルスレーザ光のビーム
径よりも大とし、前記絶縁層の熱変性した領域を覆う範
囲にまで拡大したことを特徴とする。
質を含む絶縁層と金属層とを積層してなるフィルム基板
へ、１０μｓから２０ｍｓの範囲のパルス幅の第１のパ
ルスレーザ光を、１ショット以上、前記フィルム基板の
ビアホール形成部に照射し、前記第１のパルスレーザ光
の照射による前記絶縁層の温度上昇を介して前記絶縁層
の前記第１のパルスレーザ光照射部を熱分解、又は熱分
解に伴うガス発生の少なくともいずれかの反応を起こさ
せる工程と、前記絶縁層における前記第１のパルスレー
ザ光の照射部に、パルス幅略２００ｎｓ以下、ピークパ
ワー密度略１０ＭＷ／ｃｍ2以上の照射強度の第２のパ
ルスレーザ光を照射して、ビアホール底部の残留膜を蒸
散除去する工程と、を含み、前記第２のパルスレーザ光
の照射ビーム径を、前記第１のパルスレーザ光のビーム
径よりも大とし、前記絶縁層の熱変性した領域を覆う範
囲にまで拡大したことを特徴とする。
【００１０】本発明は、有機物質を含んでなるフィルム
（「有機フィルム」という）へ、第１の所定時間幅のパ
ルス幅を有する第１のパルスレーザ光を、１ショット以
上、前記有機フィルムのビアホール形成部に対して照射
し、前記第１のパルスレーザ光の照射部において前記有
機フィルムに熱分解、又は熱分解に伴うガス発生の少な
くともいずれかの反応を起こさせる工程と、前記有機フ
ィルムにおける前記第１のパルスレーザ光の照射部に、
前記第１のパルスレーザ光よりも大の、前記有機フィル
ムの熱変性した領域を覆う範囲にまで広げたビーム径
と、第２の所定時間幅のパルス幅と、を有する第２のパ
ルスレーザ光を照射する工程と、を含むことを特徴とす
る有機フィルム加工方法を提供する。
（「有機フィルム」という）へ、第１の所定時間幅のパ
ルス幅を有する第１のパルスレーザ光を、１ショット以
上、前記有機フィルムのビアホール形成部に対して照射
し、前記第１のパルスレーザ光の照射部において前記有
機フィルムに熱分解、又は熱分解に伴うガス発生の少な
くともいずれかの反応を起こさせる工程と、前記有機フ
ィルムにおける前記第１のパルスレーザ光の照射部に、
前記第１のパルスレーザ光よりも大の、前記有機フィル
ムの熱変性した領域を覆う範囲にまで広げたビーム径
と、第２の所定時間幅のパルス幅と、を有する第２のパ
ルスレーザ光を照射する工程と、を含むことを特徴とす
る有機フィルム加工方法を提供する。
【００１１】また、本発明の有機フィルム加工方法は、
有機物質を含んでなるフィルム（「有機フィルム」）
へ、１０μｓから２０ｍｓの範囲のパルス幅の第１のパ
ルスレーザ光を、１ショット以上、前記有機フィルムの
ビアホール形成部に対して照射し、前記第１のパルスレ
ーザ光の照射による前記有機フィルムの温度上昇を介し
て、前記有機フィルムの前記第１のパルスレーザ光照射
部を熱分解、又は熱分解に伴うガス発生の少なくともい
ずれかの反応を起こさせる工程と、前記有機フィルムに
おける前記第１のパルスレーザ光の照射部に、照射ビー
ム径を前記第１のパルスレーザ光よりも大の、前記有機
フィルムの熱変性した領域を覆う範囲にまで広げた、パ
ルス幅略２００ｎｓ以下、ピークパワー密度略１０ＭＷ
／ｃｍ2以上の照射強度の第２のパルスレーザ光を照射
する工程と、を含むことを特徴とする。
有機物質を含んでなるフィルム（「有機フィルム」）
へ、１０μｓから２０ｍｓの範囲のパルス幅の第１のパ
ルスレーザ光を、１ショット以上、前記有機フィルムの
ビアホール形成部に対して照射し、前記第１のパルスレ
ーザ光の照射による前記有機フィルムの温度上昇を介し
て、前記有機フィルムの前記第１のパルスレーザ光照射
部を熱分解、又は熱分解に伴うガス発生の少なくともい
ずれかの反応を起こさせる工程と、前記有機フィルムに
おける前記第１のパルスレーザ光の照射部に、照射ビー
ム径を前記第１のパルスレーザ光よりも大の、前記有機
フィルムの熱変性した領域を覆う範囲にまで広げた、パ
ルス幅略２００ｎｓ以下、ピークパワー密度略１０ＭＷ
／ｃｍ2以上の照射強度の第２のパルスレーザ光を照射
する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明の原理・作用を以下に説明する。本発明
は、第１のパルスレーザ光の照射により生じたビアホー
ル側壁部の付着物を、レーザビーム径を、第１のパルス
レーザ光照射よりも、熱分解物が付着する範囲を含むよ
うに、拡大させてなるパルス幅が好ましくは２００ｎｓ
以下の第２のパルスレーザ光を、第１のパルスレーザ光
照射部に続けて照射することにより、付着物そのものの
吸収により発生する衝撃波を利用して、吹き飛ばすこと
が可能であるとの、実験結果に基づき、完成されたもの
である。
は、第１のパルスレーザ光の照射により生じたビアホー
ル側壁部の付着物を、レーザビーム径を、第１のパルス
レーザ光照射よりも、熱分解物が付着する範囲を含むよ
うに、拡大させてなるパルス幅が好ましくは２００ｎｓ
以下の第２のパルスレーザ光を、第１のパルスレーザ光
照射部に続けて照射することにより、付着物そのものの
吸収により発生する衝撃波を利用して、吹き飛ばすこと
が可能であるとの、実験結果に基づき、完成されたもの
である。
【００１３】従来、絶縁膜と導電膜が積層された基板へ
のビアホール形成方法において、ビアホール底の残留膜
を短パルスレーザ光を照射することにより蒸散除去でき
ることは知られていたが、蒸散除去用の照射ビームが第
１のパルスレーザ光のビーム径と同じであったがため
に、第２のパルスレーザ光を照射した後にも、なお、ビ
アホール側壁の付着物は除去されず、このため、第２の
パルスレーザ光照射後において、ビアホール側壁の付着
物を除去するための超音波洗浄工程が必要とされてい
た。
のビアホール形成方法において、ビアホール底の残留膜
を短パルスレーザ光を照射することにより蒸散除去でき
ることは知られていたが、蒸散除去用の照射ビームが第
１のパルスレーザ光のビーム径と同じであったがため
に、第２のパルスレーザ光を照射した後にも、なお、ビ
アホール側壁の付着物は除去されず、このため、第２の
パルスレーザ光照射後において、ビアホール側壁の付着
物を除去するための超音波洗浄工程が必要とされてい
た。
【００１４】これに対して、本発明によれば、ビアホー
ル側壁部の付着物除去のための超音波洗浄工程を不用と
したものであり、少ない工程数で、微細なビアホールを
制御性よく、且つ高いスループットで形成することを可
能としたものである。このように、本発明は、加工工程
中にウェットプロセスを不要としたことから、適用可能
な加工対象を拡大でき、かつ、製造コストを大幅に低減
することができるという利点を有する。
ル側壁部の付着物除去のための超音波洗浄工程を不用と
したものであり、少ない工程数で、微細なビアホールを
制御性よく、且つ高いスループットで形成することを可
能としたものである。このように、本発明は、加工工程
中にウェットプロセスを不要としたことから、適用可能
な加工対象を拡大でき、かつ、製造コストを大幅に低減
することができるという利点を有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図面を
参照して以下に詳細に説明する。
参照して以下に詳細に説明する。
【００１６】
【実施形態１】図１は、本発明の一実施形態に係る加工
工程を工程順に模式的に示す図である。
工程を工程順に模式的に示す図である。
【００１７】被加工基板は、厚さ３０μｍのポリイミド
２、厚さ１０μｍの銅３からなる実装用フィルム基板と
した。レーザ光照射中は、窒素ガスを１０リットル／分
の流量で基板上の照射部に吹き付けて加工を行なった。
２、厚さ１０μｍの銅３からなる実装用フィルム基板と
した。レーザ光照射中は、窒素ガスを１０リットル／分
の流量で基板上の照射部に吹き付けて加工を行なった。
【００１８】第１の工程においては、図１（Ａ）に示す
ように、波長５１５ｎｍのアルゴンレーザ光を超音波変
調器で０．３ｍｓのパルス幅にして得た第１のパルスレ
ーザ光１を、照射ビーム径４０μｍ、照射間隔１０ｍｓ
で２ショット照射した。照射強度は５００ｋＷ／ｃｍ2
である。
ように、波長５１５ｎｍのアルゴンレーザ光を超音波変
調器で０．３ｍｓのパルス幅にして得た第１のパルスレ
ーザ光１を、照射ビーム径４０μｍ、照射間隔１０ｍｓ
で２ショット照射した。照射強度は５００ｋＷ／ｃｍ2
である。
【００１９】図１（Ｂ）に、第１のパルスレーザ光の照
射後の加工形状を断面図にて示す。図１（Ｂ）におい
て、ビアホールは底部径は４０μｍで、上部径は７０μ
ｍであった。ビアホール側壁部には、厚さ３０μｍ程度
の分解物４が付着し（「付着物」という）、ビアホール
底部にはポリイミドの変性した残留膜７が薄く残ってい
る。
射後の加工形状を断面図にて示す。図１（Ｂ）におい
て、ビアホールは底部径は４０μｍで、上部径は７０μ
ｍであった。ビアホール側壁部には、厚さ３０μｍ程度
の分解物４が付着し（「付着物」という）、ビアホール
底部にはポリイミドの変性した残留膜７が薄く残ってい
る。
【００２０】続いて第２の工程において、図１（Ｃ）に
示すように、ＱｓｗＹＡＧレーザの第２高調波からなる
第２のパルスレーザ光５（照射ビーム径７０μｍ、パル
ス幅１０ｎｓ、照射ピークパワー密度１００ＭＷ／ｃｍ
2）を１ショット照射する。
示すように、ＱｓｗＹＡＧレーザの第２高調波からなる
第２のパルスレーザ光５（照射ビーム径７０μｍ、パル
ス幅１０ｎｓ、照射ピークパワー密度１００ＭＷ／ｃｍ
2）を１ショット照射する。
【００２１】図１（Ｄ）に、第２のパルスレーザ光５照
射後の加工形状を断面図にて示す。図１（Ｄ）に示すよ
うに、ビアホール底部の残留膜と同時にビアホール側壁
の付着物も吹き飛ばされ、側壁の滑らかなビアホール６
を形成することができた。また電子顕微鏡による観察で
も、ビアホール側壁部に付着物の残留は見られなかっ
た。
射後の加工形状を断面図にて示す。図１（Ｄ）に示すよ
うに、ビアホール底部の残留膜と同時にビアホール側壁
の付着物も吹き飛ばされ、側壁の滑らかなビアホール６
を形成することができた。また電子顕微鏡による観察で
も、ビアホール側壁部に付着物の残留は見られなかっ
た。
【００２２】そして、形成したビアホールに電界メッキ
により銅を埋め込んだ所、１００％近い歩留まりで、再
現性よくきれいにビアホールを埋め込むことができた。
このことは、本発明によるビアホールの形状の再現性が
よいこと、及び付着物をきれいに除去できていることを
示す別の証拠である。
により銅を埋め込んだ所、１００％近い歩留まりで、再
現性よくきれいにビアホールを埋め込むことができた。
このことは、本発明によるビアホールの形状の再現性が
よいこと、及び付着物をきれいに除去できていることを
示す別の証拠である。
【００２３】一方、比較例として、第２のパルスレーザ
光５の照射ビーム径を、第１のパルスレーザ光１と同じ
４０μｍにして照射した場合には、低部の残留膜はきれ
いに除去されるのに対し、ビアホール側壁の付着物は除
去できなかった。
光５の照射ビーム径を、第１のパルスレーザ光１と同じ
４０μｍにして照射した場合には、低部の残留膜はきれ
いに除去されるのに対し、ビアホール側壁の付着物は除
去できなかった。
【００２４】
【実施形態２】以上、上記実施形態の説明では、電子部
品の実装基板へのビアホール形成に本発明を適用した場
合について説明したが、次に、本発明の第２の実施形態
として、プリンタヘッド等への応用において実用に供さ
れる厚さ１００μｍ程度のポリイミドフィルムへの微細
な穴開けの例を以下に説明する。
品の実装基板へのビアホール形成に本発明を適用した場
合について説明したが、次に、本発明の第２の実施形態
として、プリンタヘッド等への応用において実用に供さ
れる厚さ１００μｍ程度のポリイミドフィルムへの微細
な穴開けの例を以下に説明する。
【００２５】本実施形態においては、前記第１の実施形
態と同様な構成のレーザ光源を用い、ポリイミドフィル
ムへ貫通穴を開けた。
態と同様な構成のレーザ光源を用い、ポリイミドフィル
ムへ貫通穴を開けた。
【００２６】第１の工程における第１のパルスレーザ光
１（図１（Ａ）参照）の照射条件は、ビーム径４０μ
ｍ、パルス幅０．３ｍｓ、パルス数６ショット、照射間
隔１０ｍｓ、照射強度５００ｋＷ／ｃｍ2とした。
１（図１（Ａ）参照）の照射条件は、ビーム径４０μ
ｍ、パルス幅０．３ｍｓ、パルス数６ショット、照射間
隔１０ｍｓ、照射強度５００ｋＷ／ｃｍ2とした。
【００２７】また、第２の工程における第２のパルスレ
ーザ光５（図１（Ｃ）参照）の照射条件は、照射ビーム
径１２０μｍ、パルス幅１０ｎｓ、照射ピークパワー密
度１００ＭＷｃｍ2、１ショットとした。
ーザ光５（図１（Ｃ）参照）の照射条件は、照射ビーム
径１２０μｍ、パルス幅１０ｎｓ、照射ピークパワー密
度１００ＭＷｃｍ2、１ショットとした。
【００２８】得られたビアホールは、底径８０μｍ、上
部径１１０μｍであった。本実施形態で用いたポリイミ
ドフィルムは、実装基板とは異なり、熱伝導のよい銅箔
がないために、ポリイミド膜内の熱拡散により、ビアホ
ール径は横方向に拡大するが、第２のパルスレーザ光５
の照射後のビアホール側壁には付着物は残らず、前記第
１の実施形態の場合に比べ、側壁の滑らかさに優れる傾
向が観測された。
部径１１０μｍであった。本実施形態で用いたポリイミ
ドフィルムは、実装基板とは異なり、熱伝導のよい銅箔
がないために、ポリイミド膜内の熱拡散により、ビアホ
ール径は横方向に拡大するが、第２のパルスレーザ光５
の照射後のビアホール側壁には付着物は残らず、前記第
１の実施形態の場合に比べ、側壁の滑らかさに優れる傾
向が観測された。
【００２９】プリンタヘッド等のビアホール形成では、
インクの流れを制御するため、側壁の滑らかさに優れる
こと、及びビアホールの傾斜角が制御できること、が重
要であるが、本実施形態に係るビアホールの形成方法に
よれば、側壁の滑らかさに優れること、傾斜角は、第１
のパルスレーザ光１のショット数により変化させること
ができるので、実用的に有効な方法であることが判っ
た。
インクの流れを制御するため、側壁の滑らかさに優れる
こと、及びビアホールの傾斜角が制御できること、が重
要であるが、本実施形態に係るビアホールの形成方法に
よれば、側壁の滑らかさに優れること、傾斜角は、第１
のパルスレーザ光１のショット数により変化させること
ができるので、実用的に有効な方法であることが判っ
た。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
少ない工程数で微細なビアホールを制御性よく、且つ高
いスループットで形成することができるという効果を有
すると共に、加工工程中にウェットプロセスが不要とさ
れているため、加工対象をひろくでき、且つ製造コスト
を大幅に低減できるという効果を有する。
少ない工程数で微細なビアホールを制御性よく、且つ高
いスループットで形成することができるという効果を有
すると共に、加工工程中にウェットプロセスが不要とさ
れているため、加工対象をひろくでき、且つ製造コスト
を大幅に低減できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施形態の加工工程を工程順に模式
的に示す図である。
的に示す図である。
１ 第１のパルスレーザ光 ２ ポリイミド ３ 銅 ４ 分解物 ５ 第２のパルスレーザ光 ６ ビアホール ７ 残留膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｌ 23/14 (72)発明者 石川 和幸 東京都港区新橋５丁目11番３号 住友金属 鉱山株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】有機物質を含む絶縁層と金属層とを積層し
てなるフィルム基板へ、第１の所定時間幅のパルス幅を
有する第１のパルスレーザ光を、１ショット以上、前記
フィルム基板のビアホール形成部に対して照射し、前記
絶縁層のレーザ光照射部を熱分解、又は熱分解に伴うガ
ス発生の少なくともいずれかの反応を起こさせる工程
と、 前記絶縁層における前記第１のパルスレーザ光の照射部
に、第２の所定時間幅の第２のパルスレーザ光を照射し
てビアホール底部の残留膜を蒸散除去する工程と、 を含む有機フィルム加工形成方法において、 前記第２のパルスレーザ光の照射ビーム径を、前記第１
のパルスレーザ光のビーム径よりも大とし、前記絶縁層
の熱変性した領域を覆う範囲にまで拡大したことを特徴
とする有機フィルム加工方法。 - 【請求項２】有機物質を含む絶縁層と金属層とを積層し
てなるフィルム基板へ、１０μｓから２０ｍｓの範囲の
パルス幅の第１のパルスレーザ光を、１ショット以上、
前記フィルム基板のビアホール形成部に照射し、前記第
１のパルスレーザ光の照射による前記絶縁層の温度上昇
を介して前記絶縁層の前記第１のパルスレーザ光照射部
を熱分解、又は熱分解に伴うガス発生の少なくともいず
れかの反応を起こさせる工程と、 前記絶縁層における前記第１のパルスレーザ光の照射部
に、パルス幅略２００ｎｓ以下、ピークパワー密度略１
０ＭＷ／ｃｍ2以上の照射強度の第２のパルスレーザ光
を照射して、ビアホール底部の残留膜を蒸散除去する工
程と、 を含み、 前記第２のパルスレーザ光の照射ビーム径を、前記第１
のパルスレーザ光のビーム径よりも大とし、前記絶縁層
の熱変性した領域を覆う範囲にまで拡大したことを特徴
とする有機フィルム加工方法。 - 【請求項３】有機物質を含んでなるフィルム（「有機フ
ィルム」という）へ、第１の所定時間幅のパルス幅を有
する第１のパルスレーザ光を、１ショット以上、前記有
機フィルムのビアホール形成部に対して照射し、前記第
１のパルスレーザ光の照射部において前記有機フィルム
に熱分解、又は熱分解に伴うガス発生の少なくともいず
れかの反応を起こさせる工程と、 前記有機フィルムにおける前記第１のパルスレーザ光の
照射部に、前記第１のパルスレーザ光のビーム径よりも
大の、前記有機フィルムの熱変性した領域を覆う範囲に
まで広げたビーム径と、第２の所定時間幅のパルス幅
と、を有する第２のパルスレーザ光を照射する工程と、 を含むことを特徴とする有機フィルム加工方法。 - 【請求項４】有機物質を含んでなるフィルム（「有機フ
ィルム」）へ、１０μｓから２０ｍｓの範囲のパルス幅
の第１のパルスレーザ光を、１ショット以上、前記有機
フィルムのビアホール形成部に対して照射し、前記第１
のパルスレーザ光の照射による前記有機フィルムの温度
上昇を介して、前記有機フィルムの前記第１のパルスレ
ーザ光照射部を熱分解、又は熱分解に伴うガス発生の少
なくともいずれかの反応を起こさせる工程と、 前記有機フィルムにおける前記第１のパルスレーザ光の
照射部に、照射ビーム径を前記第１のパルスレーザ光の
ビーム径よりも大の、前記有機フィルムの熱変性した領
域を覆う範囲にまで拡げたビーム径を有し、パルス幅略
２００ｎｓ以下、ピークパワー密度略１０ＭＷ／ｃｍ2
以上の照射強度を有する第２のパルスレーザ光を照射す
る工程と、 を含むことを特徴とする有機フィルム加工方法。 - 【請求項５】レーザ光照射部に、ガスを吹き付けること
を特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載
の有機フィルム加工方法。 - 【請求項６】前記第２のパルスレーザ光の照射ビーム径
が、前記第１のパルスレーザ光の照射により生成された
開口側壁部の熱分解付着物の、前記有機物質を含む絶縁
層又はフィルムの表面側の、外径にまで及ぶように設定
されたことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれ
か一に記載の有機フィルム加工方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8071435A JP2710608B2 (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | 有機フィルム加工方法 |
| SG1997000504A SG55279A1 (en) | 1996-03-01 | 1997-02-27 | Method of working an organic film |
| TW086102390A TW317074B (ja) | 1996-03-01 | 1997-02-27 | |
| DE19708254A DE19708254A1 (de) | 1996-03-01 | 1997-02-28 | Verfahren zum Bearbeiten eines organischen Films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8071435A JP2710608B2 (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | 有機フィルム加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09239573A true JPH09239573A (ja) | 1997-09-16 |
| JP2710608B2 JP2710608B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=13460466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8071435A Expired - Fee Related JP2710608B2 (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | 有機フィルム加工方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2710608B2 (ja) |
| DE (1) | DE19708254A1 (ja) |
| SG (1) | SG55279A1 (ja) |
| TW (1) | TW317074B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267720A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 積層フィルム基材の加工方法 |
| CN111741853A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-10-02 | 大日本印刷株式会社 | 热转印图像接受片 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2766654B1 (fr) * | 1997-07-28 | 2005-05-20 | Matsushita Electric Works Ltd | Procede de fabrication d'une carte de circuit imprime |
| DE19739450A1 (de) * | 1997-09-09 | 1999-03-18 | Deutsche Telekom Ag | Anordnung zur Einkopplung von Licht in eine Lichtleitfaser |
| JPH11238831A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-08-31 | Shinko Electric Ind Co Ltd | テープキャリア及びその製造方法 |
| EP1522373B1 (de) * | 2003-10-06 | 2010-11-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Lochs |
| DE102004047798A1 (de) | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Reinigung eines Resonators |
| EP1806203A1 (de) * | 2006-01-10 | 2007-07-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Lochs |
| AT12316U1 (de) | 2008-10-30 | 2012-03-15 | Austria Tech & System Tech | Verfahren zur integration eines elektronischen bauteils in eine leiterplatte |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU5195686A (en) * | 1984-10-16 | 1986-05-02 | Advanced Laser Systems Inc. | Laser drilling apparatus and method |
| DE3742770A1 (de) * | 1987-12-17 | 1989-06-29 | Akzo Gmbh | Mikro-/ultrafiltrationsmembranen mit definierter porengroesse durch bestrahlung mit gepulsten lasern und verfahren zur herstellung |
| US5319183A (en) * | 1992-02-18 | 1994-06-07 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for cutting patterns of printed wiring boards and method and apparatus for cleaning printed wiring boards |
-
1996
- 1996-03-01 JP JP8071435A patent/JP2710608B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-27 TW TW086102390A patent/TW317074B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-02-27 SG SG1997000504A patent/SG55279A1/en unknown
- 1997-02-28 DE DE19708254A patent/DE19708254A1/de not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267720A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 積層フィルム基材の加工方法 |
| JP4502092B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2010-07-14 | 住友金属鉱山株式会社 | 積層フィルム基材の加工方法 |
| CN111741853A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-10-02 | 大日本印刷株式会社 | 热转印图像接受片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW317074B (ja) | 1997-10-01 |
| DE19708254A1 (de) | 1997-09-04 |
| SG55279A1 (en) | 1998-12-21 |
| JP2710608B2 (ja) | 1998-02-10 |
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