JPH10335763A - 回路基板 - Google Patents
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Abstract
経路の特性インピ−ダンスを所定の値、例えば、ケ−ブ
ルの特性インピ−ダンスに整合させ、あるいは近づける
ことができるようにし、高周波回路の調整や検査のため
の測定が高い周波数まで誤差なくできるようにする。 【解決手段】 高周波回路3が構成されるとともに、接
地導体2と、前記高周波回路3に接続された信号導入出
用の導体ランド5とが形成されており、前記接地導体2
に円形状の導体除去部4を形成し、前記導体ランド5を
前記導体除去部4のほぼ中心位置に設けた。
Description
詳しくは、高周波回路を構成するとともに、この高周波
回路の調整あるいは特性検査等をするための信号の入力
用あるいは出力用の導体パタ−ンを設けた回路基板に関
する。
工程の中で高周波回路を調整したりあるいは高周波回路
の特性検査をする工程があり、このような場合には、高
周波回路を構成している回路基板上に、この高周波回路
に接続された導体ランドを設け、この導体ランドに金属
製の接触子を接触させて、接触子を介して高周波回路の
調整や特性測定のための信号の授受を行うようにしてい
る。このような場合における従来の構成並びに方法につ
いて図5及び図6を参照して説明する。
斜視図であり、この回路基板31上には、図示しない回
路パタ−ンとこの回路パタ−ンに接続された図示しない
電子部品等によって高周波回路32が構成されている。
また、回路基板31上には、高周波回路32に接続され
た円形状の導体ランド33が形成されている。そして、
この導体ランド33と高周波回路32とは、導体パタ−
ン34によって相互に接続されている。また、この回路
基板31上には、その周縁に、この回路基板31が、図
示しない金属ケ−スに収納さてた場合に、ハンダ等によ
って金属ケ−スに接続される接地導体35が形成され、
さらに、この接地導体35に接続された接地パタ−ン3
6と、この接地パタ−ン36の先端に設けられた円形状
の接地ランド37とが形成されている。なお、、高周波
回路32に接続された導体ランド33と接地導体35に
接続された接地ランド37とは相互に近接して設けられ
ている。そして、図示しない測定器等からの信号が、導
体ランド33、導体パタ−ン34を介して高周波回路3
2に入力されるようになっている。
ド33と接地ランド37に接触する接触治具38を示
す。接触治具38は、絶縁基板39と、この絶縁基板3
9に植設された金属製の一対の接触ピン40、41とを
有している。接触ピン40、41の一端(図6の下方側
である先端)は先細となっており、他端には、図示はし
ないが、測定器等からのケ−ブルが接続されている。即
ち、図示しないケ−ブルの中心導体が接触ピン41に、
また、ケ−ブルの外導体が接触ピン40に接続されてい
る。
降手段等によって回路基板31上に降下して接触ピン4
0が回路基板31上の接地ランド37に接触し、また、
接触ピン41が導体ランド33に接触するようになって
いる。このように、接触ピン40、41をそれぞれ接地
ランド37、導体ランド33に接触することによって、
図示しない測定器等からの信号が回路基板31上の高周
波回路32に送られるようになっている。
従来の回路基板33においては、導体ランド33と接地
ランド37とは、単に並設された状態であり、従って、
これらの導体ランド33と接地ランド37に接触する接
触ピン40、41も接触治具38の絶縁基板39に並列
に植設された状態となっている。そのため、図示しない
ケ−ブルと接触治具との接続点から高周波回路32まで
の信号伝送経路、即ち、接触治具38の接触ピン40お
よび41、接地ランド37および導体ランド33、 導
体パタ−ン33および接地パタ−ン36のそれぞれにお
ける信号伝送経路としての特性インピ−ダンスが、図示
しないケ−ブルの特性インピ−ダンスに整合もしくは近
づけることが難しかった。その結果、図示しない測定器
からの信号が導体ランド33等において反射されて、高
周波回路に正確な信号のレベルが入力されなかったり、
あるいは、高周波回路からの出力信号のレベルが変化し
た状態で図示しない測定器等に送られたりして正確な調
整や検査が出来ないという問題が生じていた。この問題
は周波数が高くなるほど顕著となるものである。そこ
で、本発明は、回路基板における、測定器からの信号の
伝送経路の特性インピ−ダンスを所定の値、例えば、ケ
−ブルの特性インピ−ダンスに整合させ、あるいは近づ
けることができるようにし、高周波回路の調整や検査の
ための測定が高い周波数まで誤差なくできるようにする
ものである。
め、本発明の回路基板は、高周波回路が構成されるとと
もに、接地導体と、前記高周波回路に接続された信号導
入出用の導体ランドとが形成されており、前記接地導体
に円形状の導体除去部を形成し、前記導体ランドを前記
導体除去部のほぼ中心位置に設けた。
路と、前記高周波回路に接続された導体パタ−ンとを前
記回路基板の一方の面に設け、前記接地導体と前記導体
ランドとを前記回路基板の他方の面に形成し、前記導体
パタ−ンを、前記接地導体に対向させるとともに前記導
体ランドに接続した。
に接続されるとともに、前記円形状の導体除去部を中心
に有するリング状の接地導体部を設け、前記導体除去部
のほぼ中心に前記導体ランドを設けた。
の接地導体部に、前記導体パタ−ンで前記リング状の接
地導体部を分断する第二の導体除去部を形成し、前記導
体パタ−ンを前記第二の導体除去部に配置した。
−ンに近接するとともに、前記導体パタ−ンに沿って前
記リング状の接地導体部から延在した平行接地導体部を
形成した。
形態を図1乃至図4により説明する。先ず、図1は本発
明の回路基板の一部の斜視図であり、回路基板1の上面
には、この回路基板1が、図示しない金属ケ−スに収納
された場合に、ハンダ等によって金属ケ−スに接続され
る接地導体2がほぼ全面にわたって形成され、一方、こ
の回路基板1の裏面には高周波回路3が構成されてい
る。また、回路基板1の上面には、高周波回路3が構成
されている領域の近傍の位置に、この接地導体2の一部
を除去した円形状の導体除去部4が形成され、さらに、
この導体除去部4のほぼ中心位置に、島状の導体ランド
5が形成されている。そして、この導体ランド5と高周
波回路3とは、回路基板1の裏面に形成した導体パタ−
ン6によって相互に接続されている。なお、導体ランド
5と導体パタ−ン6とは、例えば、スル−ホ−ルメッキ
により接続される。
ランド5に接触する接触治具について、図2により説明
する。接触治具11は、同軸コネクタ12に接触子13
を接続して構成されている。先ず、同軸コネクタ12は
外導体14、誘電体15、中心導体16とが同軸構造と
なって構成されており、外導体14にはネジ部14aが
形成されている。一方、接触子13は、円筒形の金属管
からなる外導体17の内部に、絶縁体18によって外導
体17から絶縁した中心導体19を同軸的に収納するこ
とによって構成されている。このため、接触子13は、
同軸コネクタとともに、いわゆる同軸ケ−ブルと同じ構
成になり、その特性インピ−ダンスは外導体17、絶縁
体18、中心導体19の機械的寸法等によって決定され
ることになる。
この金属管20内に摺動自在に収納された、金属ピン2
1およびコイルバネ22とから構成されている。そし
て、金属ピン21は、コイルバネ22によって先端方向
に付勢されるとともに適宜手段によって抜け止めされて
いる。また、金属ピン21の先端を外導体17よりも軸
方向に突出させている。そして、接触子13は、金属ピ
ン21が突出する側とは反対側の端部が同軸コネクタ1
2の外導体14内に挿入され、同軸コネクタ12の外導
体14と接触子13の外導体17、および同軸コネクタ
12の内導体16と接触子13の内導体19とが、適宜
手段、例えば、ハンダ23等によって相互に固定され接
触治具11が構成されている。
図1に示すように、接地導体2に円形状の導体除去部4
を形成して、この導体除去部4の中心に導体ランド5を
形成したので、図2に示すような同軸型の接触治具11
を使用することが可能となる。ここで、接触治具11に
おける接触子13の外導体17の径は、回路基板1の接
地導体2における導体除去部4の径よりも若干大きくな
っている。そして、接触治具11の金属ピン21の先端
を、例えば、図1の導体ランド5に当接させ、さらに、
接続治具11を回路基板1側に押すことによって金属ピ
ン21がコイルバネ22の付勢力に抗して摺動し、接触
子13の外導体17の先端17aを接地導体2に当接さ
せることが出来る。
体2と導体ランド5も、いわゆる同軸的な配置となり、
しかも、導体ランド5と高周波回路3とを接続する導体
パタ−ン6は、接地導体2に対向して回路基板1の裏面
に形成されているので、いわゆるマイクロストリップラ
イン構造となり、接触治具11から高周波回路3までの
信号伝送経路の特性インピ−ダンスを、図示しない同軸
ケ−ブルの特性インピ−ダンスに比較的近づけたものと
することができる。
路基板1の導体ランド5等において反射することがなく
高周波回路3の正確な測定等が可能となる。さらに、図
示しない測定器からの同軸ケ−ブルをこの接続治具11
の同軸コネクタ12のネジ部14aに適宜の手段で螺合
することが可能であるので接触治具11と図示しない同
軸ケ−ブルとの接続も簡単になる。また、導体ランド5
と高周波回路3とを接続する導体パタ−ン6は裏面に設
けられるので、接地導体2とは関係なく短くできる。
接地導体2を上面全体にわたって形成し、この接地導体
2の導体除去部4の中心に導体ランド5を形成したが、
必ずしもその必要はなく、図3に示すように、回路基板
1の上面の一部に、図示しない金属ケ−スとの接続用の
接地導体7を形成し、この接地導体7に接続されるとと
もに、中心に導体除去部4を有し、前記接地導体7の一
部となるリング状の接地導体部25を形成し、導体除去
部4に中心に導体ランド5を設けてもよい。この場合に
おいても、接触治具11における接触子13の金属ピン
21を導体ランド5に接触させるとともに、接触子13
の外導体17をリング状の接地導体部25に接触させる
ことができ、図1の回路基板と同様に、接触治具11に
接触するリング状の接地導体部25と導体ランド5が、
いわゆる同軸的な配置となっており、しかも、導体ラン
ド5と高周波回路3とを接続する導体パタ−ン6が、い
わゆるマイクロストリップライン構造となっているの
で、接触治具11から高周波回路3までの信号伝送経路
の特性インピ−ダンスを、図示しない同軸ケ−ブルの特
性インピ−ダンスに比較的近づけたものとすることがで
きる。
形成した接地導体7の面積が少なくなっているので、こ
の接地導体7を形成した領域以外に、他の高周波回路等
を形成できるので、高周波電子機器の小型化に寄与す
る。
導体ランド5およびこの導体ランド5を囲む接地導体2
またはリング状の接地導体部25を形成した面とは反対
の面に、高周波回路3を構成しているが、図4に示すよ
うに、導体ランド5およびこの導体ランド5を囲む接地
導体部26と、高周波回路3とを同一面に形成した場合
においても本発明の回路基板1の実施が可能である。即
ち、図4に示すように、先ず、回路基板1の上面の一部
に、図示しない金属ケ−スとの接続用の接地導体7を形
成し、中心に導体除去部4を有して、接地導体7に接続
されるとともに前記接地導体7の一部となるリング状の
接地導体部26を形成し、導体除去部4の中心に導体ラ
ンド5を設ける。そして、このリング状の接地導体部2
6の一部に、このリング状の接地導体部26を分断する
第二の導体除去部27を形成し、導体ランド5と高周波
回路3とを接続する導体パタ−ン6をこの第二の導体除
去部27に配設するようにする。従って、リング状の接
地導体部26は、導体パタ−ンによって分断されるよう
になっている。
びこの導体ランド5を囲むリング状の接地導体部26が
形成された面と同一面に構成する。そして、前述したよ
うに、導体ランド5と高周波回路3とを、リング状の接
地導体部26に形成した導体除去部27に配設した導体
パタ−ン6によって接続するようにする。このようにす
ることによって、回路基板1は、いわゆる片面銅張積層
基板を使用することができる。
導体ランド5と高周波回路3とを接続する導体パタ−ン
6に近接するとともに、この導体パタ−ン6の両側に沿
って、リング状の接地導体部26を延在して形成した平
行接地導体部28を設けることができる。このようにす
ると、導体パタ−ン6と平行接地導体部28とはいわゆ
る平行二線型の伝送線路となり導体パタ−ン6と平行接
地導体部28との間隔等の設定によってこの導体パタ−
ンの特性インピ−ダンスを所定の値に設定可能となる。
従って、導体パタ−ン6の特性インピ−ダンスを、例え
ば、図示しない同軸ケ−ブルの特性インピ−ダンスに近
づけることが可能となり、高周波回路3の特性測定にお
いて、測定誤差を少なくすることができる。
周波回路が構成されるとともに、接地導体と、前記高周
波回路に接続された信号導入出用の導体ランドとが形成
されており、前記接地導体に円形状の導体除去部を形成
し、前記導体ランドを前記導体除去部のほぼ中心位置に
設けたので、この導体ランドと接地導体とは同軸的に配
置され、これらの導体ランドと接地導体に接続する接触
子に同軸型の接触子を用いることができる、従って、測
定用の信号の伝送経路の特性インピ−ダンスを所定の値
にあわせることができ、高周波回路の測定時に信号の反
射を抑えて正確な測定が可能となる。
路と、前記高周波回路に接続された導体パタ−ンとを前
記回路基板の一方の面に設け、前記接地導体と前記導体
ランドとを前記回路基板の他方の面に形成し、前記導体
パタ−ンを、前記接地導体に対向させるとともに前記導
体ランドに接続したので、導体ランドと高周波回路とを
接続する導体パタ−ンを短くできて、接地導体の配置に
関係なく最短距離で接続ができる。従って導体ランドと
高周波回路回路とを接続する導体パタ−ンにおけるイン
ピ−ダンスを無視できて、この導体パタ−ンにおける特
性インピ−ダンスによる測定ようの信号の反射をなくす
ことができる。
に接続されるとともに、前記円形状の導体除去部を中心
に有するリング状の接地導体部を設け、前記導体除去部
のほぼ中心に前記導体ランドを設けたので、接地導体の
占める面積を少なくすることができ、その分、他の回路
を余分に構成できる。
の接地導体部に、前記導体パタ−ンで前記リング状の接
地導体部を分断する第二の導体除去部を形成し、前記導
体パタ−ンを前記第二の導体除去部に配置したので、高
周波回路と導体ランドとリング状の接地導体とを、回路
基板の同一面に形成することができる。従って、回路基
板には、いわゆる片面銅張積層基板を使用することがで
きる。
−ンに近接するとともに、前記導体パタ−ンに沿って前
記リング状の接地導体部から延在した平行接地導体部を
形成したので、導体パタ−ンにおいても特性インピ−ダ
ンスを所定の値に設定することができる。
の側面図である。
視図である。
視図である。
断面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 高周波回路が構成されるとともに、接地
導体と、前記高周波回路に接続された信号導入出用の導
体ランドとが形成されており、前記接地導体に円形状の
導体除去部を形成し、前記導体ランドを前記導体除去部
のほぼ中心位置に設けたことを特徴とする回路基板。 - 【請求項2】 前記高周波回路と、前記高周波回路に接
続された導体パタ−ンとを前記回路基板の一方の面に設
け、前記接地導体と前記導体ランドとを前記回路基板の
他方の面に形成し、前記導体パタ−ンを、前記接地導体
に対向させるとともに前記導体ランドに接続したことを
特徴とする請求項1記載の回路基板。 - 【請求項3】 前記接地導体に接続されるとともに、前
記円形状の導体除去部を中心に有するリング状の接地導
体部を設け、前記導体除去部のほぼ中心に前記導体ラン
ドを設けたことを特徴とする請求項1または2記載の回
路基板。 - 【請求項4】 前記リング状の接地導体部に、前記導体
パタ−ンで前記リング状の接地導体部を分断する第二の
導体除去部を形成し、前記導体パタ−ンを前記第二の導
体除去部に配置したを特徴とする請求項3記載の回路基
板。 - 【請求項5】 前記導体パタ−ンに近接するとともに、
前記導体パタ−ンに沿って前記リング状の接地導体部か
ら延在した平行接地導体部を形成したことを特徴とする
請求項4記載の回路基板。
Priority Applications (4)
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CN (1) | CN1084584C (ja) |
GB (1) | GB9807866D0 (ja) |
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CN105142341A (zh) * | 2015-09-11 | 2015-12-09 | 禾邦电子(中国)有限公司 | Pcb线圈 |
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- 1997-05-27 JP JP13695397A patent/JP3552877B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-15 GB GBGB9807866.0A patent/GB9807866D0/en active Pending
- 1998-05-26 KR KR1019980018945A patent/KR100293422B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-05-27 CN CN98102177A patent/CN1084584C/zh not_active Expired - Fee Related
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CN1201361A (zh) | 1998-12-09 |
CN1084584C (zh) | 2002-05-08 |
JP3552877B2 (ja) | 2004-08-11 |
KR19980087354A (ko) | 1998-12-05 |
GB9807866D0 (en) | 1998-06-10 |
KR100293422B1 (ko) | 2001-09-17 |
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