JPH10335703A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH10335703A JPH10335703A JP14013597A JP14013597A JPH10335703A JP H10335703 A JPH10335703 A JP H10335703A JP 14013597 A JP14013597 A JP 14013597A JP 14013597 A JP14013597 A JP 14013597A JP H10335703 A JPH10335703 A JP H10335703A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子の高精細化が困難であり、光の取り
出し効率が悪いという問題があった。 【解決手段】 単結晶基板１上に、一導電型半導体層２
と逆導電型半導体層３から成る島状半導体層６を単結晶
基板１上の＜００１＞方向に多数列状に形成し、この島
状半導体層６の側壁部が前記単結晶基板１の＜０１１＞
方向と＜０−１１＞方向を向くように形成し、この一導
電型半導体層２に共通電極５を接続して設けると共に、
逆導電型半導体層３に個別電極４を接続して設けた半導
体発光装置において、前記一導電型半導体層２における
＜０１０＞方向の端部が隣接する一導電型半導体層２ご
とに交互に一部露出するように前記逆導電型半導体層３
を前記一導電型半導体層２上に形成すると共に、同じ端
部側が露出した一導電型半導体層２毎に異なる同じ共通
電極５に接続し、異なる共通電極５に接続した一導電型
半導体層２上の隣接する逆導電型半導体層３毎に同じ個
別電極４に接続した。
出し効率が悪いという問題があった。 【解決手段】 単結晶基板１上に、一導電型半導体層２
と逆導電型半導体層３から成る島状半導体層６を単結晶
基板１上の＜００１＞方向に多数列状に形成し、この島
状半導体層６の側壁部が前記単結晶基板１の＜０１１＞
方向と＜０−１１＞方向を向くように形成し、この一導
電型半導体層２に共通電極５を接続して設けると共に、
逆導電型半導体層３に個別電極４を接続して設けた半導
体発光装置において、前記一導電型半導体層２における
＜０１０＞方向の端部が隣接する一導電型半導体層２ご
とに交互に一部露出するように前記逆導電型半導体層３
を前記一導電型半導体層２上に形成すると共に、同じ端
部側が露出した一導電型半導体層２毎に異なる同じ共通
電極５に接続し、異なる共通電極５に接続した一導電型
半導体層２上の隣接する逆導電型半導体層３毎に同じ個
別電極４に接続した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光装置に関
し、特にページプリンタ用感光ドラムの除電用光源やフ
ァクシミリの原稿読み取り用光源などに用いられる半導
体発光装置に関する。
し、特にページプリンタ用感光ドラムの除電用光源やフ
ァクシミリの原稿読み取り用光源などに用いられる半導
体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体発光装置を図３および図４
に示す。図３および図４において、１１は単結晶基板、
１２は一導電型半導体層、１３は逆導電型半導体層、１
４は個別電極、１５は共通電極である。単結晶基板１１
はシリコンやガリウム砒素などから成り、一導電型半導
体層１２はシリコン（Ｓｉ）やテルル（Ｔｅ）やセレン
（Ｓｅ）などを含有するガリウム砒素やアルミニウムガ
リウム砒素などから成り、逆導電型半導体層１３は亜鉛
（Ｚｎ）やカドミュウム（Ｃｄ）などを含有するガリウ
ム砒素やアルミニウムガリウム砒素などから成る。逆導
電型半導体層１３は、一導電型半導体層１２の一端部側
が隣接する一導電型半導体層１２毎に交互に露出するよ
うに、一導電型半導体層１２よりも小面積に形成され
る。同じ側が露出した一導電型半導体層１２が同じ共通
電極１５に接続されている。また、異なる共通電極１５
に接続された隣接する一導電型半導体層１２上の逆導電
型半導体層１３が同じ個別電極１４に接続されている。
に示す。図３および図４において、１１は単結晶基板、
１２は一導電型半導体層、１３は逆導電型半導体層、１
４は個別電極、１５は共通電極である。単結晶基板１１
はシリコンやガリウム砒素などから成り、一導電型半導
体層１２はシリコン（Ｓｉ）やテルル（Ｔｅ）やセレン
（Ｓｅ）などを含有するガリウム砒素やアルミニウムガ
リウム砒素などから成り、逆導電型半導体層１３は亜鉛
（Ｚｎ）やカドミュウム（Ｃｄ）などを含有するガリウ
ム砒素やアルミニウムガリウム砒素などから成る。逆導
電型半導体層１３は、一導電型半導体層１２の一端部側
が隣接する一導電型半導体層１２毎に交互に露出するよ
うに、一導電型半導体層１２よりも小面積に形成され
る。同じ側が露出した一導電型半導体層１２が同じ共通
電極１５に接続されている。また、異なる共通電極１５
に接続された隣接する一導電型半導体層１２上の逆導電
型半導体層１３が同じ個別電極１４に接続されている。
【０００３】一導電型半導体層１２と逆導電型半導体層
１３の界面部分で半導体接合部が形成され、個別電極１
４と共通電極１５の組み合わせを選択して電流を流すこ
とによって、多数の発光素子１６を選択して発光させ
る。
１３の界面部分で半導体接合部が形成され、個別電極１
４と共通電極１５の組み合わせを選択して電流を流すこ
とによって、多数の発光素子１６を選択して発光させ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとす課題】ところが、この従来の半
導体発光装置では、単結晶基板１１上に多数の発光素子
１６が列状に形成されているものの、各発光素子１６
は、その側壁部が単結晶基板１１の長手方向と短手方向
の端面と平行になるように形成されていることから、発
光素子１６毎の間隔が大きくなり、一つの発光素子１６
は小さく形成せざるを得ず、高精細化が困難であるとい
う問題があった。すなわち、６００ｄｐｉで発光素子１
６を形成する場合、発光素子１６のピッチはｐ＝４２．
３μｍで形成しなければならないが、発光素子１６の側
壁部のメサ部分も５μｍ程度の幅をもって形成しなけれ
ばならず、発光素子１６の素子幅は最大でも３２．３μ
ｍにしかできないという問題がある。
導体発光装置では、単結晶基板１１上に多数の発光素子
１６が列状に形成されているものの、各発光素子１６
は、その側壁部が単結晶基板１１の長手方向と短手方向
の端面と平行になるように形成されていることから、発
光素子１６毎の間隔が大きくなり、一つの発光素子１６
は小さく形成せざるを得ず、高精細化が困難であるとい
う問題があった。すなわち、６００ｄｐｉで発光素子１
６を形成する場合、発光素子１６のピッチはｐ＝４２．
３μｍで形成しなければならないが、発光素子１６の側
壁部のメサ部分も５μｍ程度の幅をもって形成しなけれ
ばならず、発光素子１６の素子幅は最大でも３２．３μ
ｍにしかできないという問題がある。
【０００５】また、従来の半導体発光装置では、発光素
子１６は矩形状に形成され、発光素子１６上から対向す
る辺側に向けて電流を流すものの、発光素子１６の側壁
は個別電極１４および共通電極１５と平行もしくは垂直
に位置することから、発光した光は発光素子１６の側壁
部から透過し、発光素子１６上への光の取り出し効率が
悪いという問題があった。
子１６は矩形状に形成され、発光素子１６上から対向す
る辺側に向けて電流を流すものの、発光素子１６の側壁
は個別電極１４および共通電極１５と平行もしくは垂直
に位置することから、発光した光は発光素子１６の側壁
部から透過し、発光素子１６上への光の取り出し効率が
悪いという問題があった。
【０００６】本発明は、このような問題点に鑑みて発明
されたものであり、発光素子の高精細化が困難であり、
光の取り出し効率が悪いという従来装置の問題点を解消
した半導体発光装置を提供することを目的とする。
されたものであり、発光素子の高精細化が困難であり、
光の取り出し効率が悪いという従来装置の問題点を解消
した半導体発光装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体発光装置では、単結晶基板上
に、一導電型半導体層と逆導電型半導体層から成る島状
半導体層を単結晶基板上の＜００１＞方向に多数列状に
形成し、この島状半導体層の側壁部が前記単結晶基板の
＜０１１＞方向と＜０−１１＞方向を向くように形成
し、この一導電型半導体層の一端部側に共通電極を接続
して設けると共に、逆導電型半導体層の他の端部側に個
別電極を接続して設けた半導体発光装置において、前記
一導電型半導体層における＜０１０＞方向側の端部が隣
接する一導電型半導体層ごとに交互に一部露出するよう
に前記逆導電型半導体層を前記一導電型半導体層上に形
成すると共に、同じ端部側が露出した一導電型半導体層
毎に同じ共通電極に接続し、異なる共通電極に接続した
一導電型半導体層上の隣接する逆導電型半導体層毎に同
じ個別電極に接続した。
に、本発明に係る半導体発光装置では、単結晶基板上
に、一導電型半導体層と逆導電型半導体層から成る島状
半導体層を単結晶基板上の＜００１＞方向に多数列状に
形成し、この島状半導体層の側壁部が前記単結晶基板の
＜０１１＞方向と＜０−１１＞方向を向くように形成
し、この一導電型半導体層の一端部側に共通電極を接続
して設けると共に、逆導電型半導体層の他の端部側に個
別電極を接続して設けた半導体発光装置において、前記
一導電型半導体層における＜０１０＞方向側の端部が隣
接する一導電型半導体層ごとに交互に一部露出するよう
に前記逆導電型半導体層を前記一導電型半導体層上に形
成すると共に、同じ端部側が露出した一導電型半導体層
毎に同じ共通電極に接続し、異なる共通電極に接続した
一導電型半導体層上の隣接する逆導電型半導体層毎に同
じ個別電極に接続した。
【０００８】また、本発明に係る半導体発光装置では、
同じ個別電極に接続された逆導電型半導体層下部の一導
電型半導体層を連続して形成することが望ましい。
同じ個別電極に接続された逆導電型半導体層下部の一導
電型半導体層を連続して形成することが望ましい。
【０００９】さらに、本発明に係る半導体発光装置で
は、前記島状半導体層の隣接する端部がこの島状半導体
層の配列方向において一部重なっていることが望まし
い。
は、前記島状半導体層の隣接する端部がこの島状半導体
層の配列方向において一部重なっていることが望まし
い。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。なお、本明細書において、結晶方位の
＜−１＞はバー１を意味する。図１は本発明に係る半導
体発光装置の一実施形態を示す平面図であり、図２
（ａ）は一つの発光素子を拡大して示す平面図であり、
図２（ｂ）は断面図である。図１および図２において、
１は単結晶基板、２は一導電型半導体層、３は逆導電型
半導体層、４は個別電極、５は共通電極である。 単結
晶基板１はシリコンやガリウム砒素などの半導体基板、
或いはサファイアなどの絶縁基板などから成る。この単
結晶基板１には、（１００）面の基板、もしくは（１０
０）面が＜００１＞方向もしくは＜０１１＞方向に２〜
８°オフした基板などが用いられる。
詳細に説明する。なお、本明細書において、結晶方位の
＜−１＞はバー１を意味する。図１は本発明に係る半導
体発光装置の一実施形態を示す平面図であり、図２
（ａ）は一つの発光素子を拡大して示す平面図であり、
図２（ｂ）は断面図である。図１および図２において、
１は単結晶基板、２は一導電型半導体層、３は逆導電型
半導体層、４は個別電極、５は共通電極である。 単結
晶基板１はシリコンやガリウム砒素などの半導体基板、
或いはサファイアなどの絶縁基板などから成る。この単
結晶基板１には、（１００）面の基板、もしくは（１０
０）面が＜００１＞方向もしくは＜０１１＞方向に２〜
８°オフした基板などが用いられる。
【００１１】一導電型半導体層２は、ガリウム砒素やア
ルミニウムガリウム砒素などから成り、シリコン（Ｓ
ｉ）やテルル（Ｔｅ）やセレン（Ｓｅ）などの一導電型
半導体不純物を１×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3
程度含有する。単結晶基板１と一導電型半導体層２との
間には、単結晶基板１と一導電型半導体層２との格子定
数の相違に基づくミスフィット転位を不連続とするため
に、厚み２μｍ程度のバッファ層を設けることが望まし
い。また、図示されていないが、後述する共通電極５と
の接触部分は一導電型半導体不純物を高濃度に含有する
オーミックコンタクト層を設けることが望ましい。
ルミニウムガリウム砒素などから成り、シリコン（Ｓ
ｉ）やテルル（Ｔｅ）やセレン（Ｓｅ）などの一導電型
半導体不純物を１×１０16〜１０18ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3
程度含有する。単結晶基板１と一導電型半導体層２との
間には、単結晶基板１と一導電型半導体層２との格子定
数の相違に基づくミスフィット転位を不連続とするため
に、厚み２μｍ程度のバッファ層を設けることが望まし
い。また、図示されていないが、後述する共通電極５と
の接触部分は一導電型半導体不純物を高濃度に含有する
オーミックコンタクト層を設けることが望ましい。
【００１２】逆導電型半導体層３は、ガリウム砒素やア
ルミニウムガリウム砒素などから成り、亜鉛（Ｚｎ）や
カドミュウム（Ｃｄ）などの逆導電型半導体不純物を１
×１０16〜１０20ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度含有する。こ
の逆導電型半導体層３の下層部は、キャリアを閉じ込め
て高い輝度の発光を得るために、逆導電型半導体層３の
上層部や一導電型半導体層２の上層部に比べてエネルギ
ーバンドギャップの狭い材料で構成していわゆるダブル
ヘテロ構造とすることが望ましい。逆導電型半導体層３
の下層部を例えばガリウム砒素で形成する場合、その上
下層を例えばアルミニウムガリウム砒素で形成すればよ
く、また逆導電型半導体層３の下層部を例えばアルミニ
ウムガリウム砒素で形成する場合、その上下層をアルミ
ニウム砒素の混晶比がより大きいアルミニウムガリウム
砒素で形成すればよい。また、この逆導電型半導体層３
のうち、後述する個別電極４との接触部分はオーミック
コンタクトをとるために逆導電型半導体不純物を高濃度
に含有させることが望ましい。逆導電型半導体層３内に
形成される発光層やその上下に形成されるクラッド層は
０．１〜２μｍ程度の厚みに形成される。また、オーミ
ックコンタクト層は数１００〜数１０００Åの厚みでよ
い。
ルミニウムガリウム砒素などから成り、亜鉛（Ｚｎ）や
カドミュウム（Ｃｄ）などの逆導電型半導体不純物を１
×１０16〜１０20ａｔｏｍｓ・ｃｍ-3程度含有する。こ
の逆導電型半導体層３の下層部は、キャリアを閉じ込め
て高い輝度の発光を得るために、逆導電型半導体層３の
上層部や一導電型半導体層２の上層部に比べてエネルギ
ーバンドギャップの狭い材料で構成していわゆるダブル
ヘテロ構造とすることが望ましい。逆導電型半導体層３
の下層部を例えばガリウム砒素で形成する場合、その上
下層を例えばアルミニウムガリウム砒素で形成すればよ
く、また逆導電型半導体層３の下層部を例えばアルミニ
ウムガリウム砒素で形成する場合、その上下層をアルミ
ニウム砒素の混晶比がより大きいアルミニウムガリウム
砒素で形成すればよい。また、この逆導電型半導体層３
のうち、後述する個別電極４との接触部分はオーミック
コンタクトをとるために逆導電型半導体不純物を高濃度
に含有させることが望ましい。逆導電型半導体層３内に
形成される発光層やその上下に形成されるクラッド層は
０．１〜２μｍ程度の厚みに形成される。また、オーミ
ックコンタクト層は数１００〜数１０００Åの厚みでよ
い。
【００１３】この一導電型半導体層２と逆導電型半導体
層３は、積層して多数の島状に形成される。島状部６
は、単結晶基板１の（１００）面上の＜００１＞方向に
沿って配列形成されるが、島状部６の側壁部は＜０１１
＞方向と＜０−１１＞方向を向けて形成される。このよ
うに、島状部６を単結晶基板１の（１００）面上の＜０
０１＞方向に沿って配列形成すると共に、島状部６の側
壁部を＜０１１＞方向と＜０−１１＞方向を向けて形成
すると、島状部６の全ての側壁部は単結晶基板１に対し
て５０〜７０°の切り立ち角度をもつメサ構造になり、
保護膜７や電極４、５の形成が容易になると共に、複数
の島状部６の隣接する端部を島状部６の配列方向で重な
って配列させることができ、６００ｄｐｉで発光素子を
形成する場合でも、見かけ上の発光素子幅は４２．３μ
ｍにすることができ、高精細化が可能になる。
層３は、積層して多数の島状に形成される。島状部６
は、単結晶基板１の（１００）面上の＜００１＞方向に
沿って配列形成されるが、島状部６の側壁部は＜０１１
＞方向と＜０−１１＞方向を向けて形成される。このよ
うに、島状部６を単結晶基板１の（１００）面上の＜０
０１＞方向に沿って配列形成すると共に、島状部６の側
壁部を＜０１１＞方向と＜０−１１＞方向を向けて形成
すると、島状部６の全ての側壁部は単結晶基板１に対し
て５０〜７０°の切り立ち角度をもつメサ構造になり、
保護膜７や電極４、５の形成が容易になると共に、複数
の島状部６の隣接する端部を島状部６の配列方向で重な
って配列させることができ、６００ｄｐｉで発光素子を
形成する場合でも、見かけ上の発光素子幅は４２．３μ
ｍにすることができ、高精細化が可能になる。
【００１４】逆導電型半導体層３は、一導電型半導体層
２の＜０１０＞方向側端部が隣接する一導電型半導体層
２毎に交互に露出するように一導電型半導体層２よりも
小面積に形成されている。この一導電型半導体層２の露
出部分に共通電極５が接続される。この場合、同じ側が
露出している一導電型半導体層２が同じ共通電極５に接
続され、単結晶基板１の長手方向の両側に振り分けて二
つの共通電極５に接続されている。また、異なる共通電
極５に接続された隣接する一導電型半導体層２上の二つ
の逆導電型半導体層３の他の端部側に一つの個別電極４
が接続されている。島状半導体層６のうち、電極４、５
で被覆されていない部分が光取り出し面となる。
２の＜０１０＞方向側端部が隣接する一導電型半導体層
２毎に交互に露出するように一導電型半導体層２よりも
小面積に形成されている。この一導電型半導体層２の露
出部分に共通電極５が接続される。この場合、同じ側が
露出している一導電型半導体層２が同じ共通電極５に接
続され、単結晶基板１の長手方向の両側に振り分けて二
つの共通電極５に接続されている。また、異なる共通電
極５に接続された隣接する一導電型半導体層２上の二つ
の逆導電型半導体層３の他の端部側に一つの個別電極４
が接続されている。島状半導体層６のうち、電極４、５
で被覆されていない部分が光取り出し面となる。
【００１５】この場合、個別電極４と共通電極５の組み
合わせを選択して半導体接合部に電流を流すことによ
り、個々の発光素子が選択的に発光する。すなわち、半
導体接合部に順方向に電流を流すと電位障壁が低くなっ
てｎ側伝導帯の電子が接合層を越えて少数キャリアとし
てｐ側の伝導帯へ注入され、そこで多数キャリアの正孔
と再結合して発光する。この場合、島状半導体層６の一
角部から対向する角部に向けて電流Ｉが流れ（電子は逆
方向）、発光する光ＨV は島状半導体層６の壁面Ｗで反
射して島状半導体層６の中央部分に導かれることから、
一辺側から対向する辺側に向けて電流を流す従来の発光
素子に比較して光の取り出し効率が向上し、高輝度に発
光する。
合わせを選択して半導体接合部に電流を流すことによ
り、個々の発光素子が選択的に発光する。すなわち、半
導体接合部に順方向に電流を流すと電位障壁が低くなっ
てｎ側伝導帯の電子が接合層を越えて少数キャリアとし
てｐ側の伝導帯へ注入され、そこで多数キャリアの正孔
と再結合して発光する。この場合、島状半導体層６の一
角部から対向する角部に向けて電流Ｉが流れ（電子は逆
方向）、発光する光ＨV は島状半導体層６の壁面Ｗで反
射して島状半導体層６の中央部分に導かれることから、
一辺側から対向する辺側に向けて電流を流す従来の発光
素子に比較して光の取り出し効率が向上し、高輝度に発
光する。
【００１６】なお、隣接する島状半導体層６において
は、逆導電型半導体層３が完全に分離されていればよ
く、異なる共通電極５に接続された隣接する一導電型半
導体層２は連続していてもよい。
は、逆導電型半導体層３が完全に分離されていればよ
く、異なる共通電極５に接続された隣接する一導電型半
導体層２は連続していてもよい。
【００１７】上述のような半導体発光装置は、単結晶基
板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法で一導電型半導体層２
と逆導電型半導体層３を形成して、その側壁部が＜０１
１＞方向と＜０−１１＞方向を向くように酸系のエッチ
ャントでメサエッチングし、次に一導電型半導体層２の
＜０１０＞方向側端部が交互に露出するように逆導電型
半導体層３の一部をエッチングし、次にプラズマＣＶＤ
法などで保護膜７を形成して所定部分にスルーホールを
形成した後、金ゲルマニウムや金クロムなどから成る個
別電極４と共通電極５を真空蒸着法などで形成してパタ
ーニングすることにより形成される。ＭＯＣＶＤ法で形
成する場合、ガリウムの原料としては（（ＣＨ3 ）3 Ｇ
ａ）や（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）などが用いられ、砒素の
原料としてはＡｓＨ3 などが用いられ、アルミニウムの
原料としては（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）や（（Ｃ2 Ｈ5 ）3
Ａｌ）などが用いられる。
板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法で一導電型半導体層２
と逆導電型半導体層３を形成して、その側壁部が＜０１
１＞方向と＜０−１１＞方向を向くように酸系のエッチ
ャントでメサエッチングし、次に一導電型半導体層２の
＜０１０＞方向側端部が交互に露出するように逆導電型
半導体層３の一部をエッチングし、次にプラズマＣＶＤ
法などで保護膜７を形成して所定部分にスルーホールを
形成した後、金ゲルマニウムや金クロムなどから成る個
別電極４と共通電極５を真空蒸着法などで形成してパタ
ーニングすることにより形成される。ＭＯＣＶＤ法で形
成する場合、ガリウムの原料としては（（ＣＨ3 ）3 Ｇ
ａ）や（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）などが用いられ、砒素の
原料としてはＡｓＨ3 などが用いられ、アルミニウムの
原料としては（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）や（（Ｃ2 Ｈ5 ）3
Ａｌ）などが用いられる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体発光
装置によれば、一導電型半導体層における＜０１０＞方
向の端部が隣接する一導電型半導体層ごとに交互に一部
露出するように逆導電型半導体層を一導電型半導体層上
に形成すると共に、同じ端部側が露出した一導電型半導
体層毎に同じ共通電極に接続し、異なる共通電極に接続
した一導電型半導体層上の隣接する逆導電型半導体層ご
とに同じ個別電極に接続したことから、島状半導体層を
その配列方向において間隔を設けずに配設することがで
き、発光素子の高精細化を図ることができる。また、電
流は島状半導体層の一角部から対向する角部に流れ、発
光した光は島状半導体層の壁面で反射して中央部分に導
かれ、光の取り出し効率が向上し、高輝度に発光する。
装置によれば、一導電型半導体層における＜０１０＞方
向の端部が隣接する一導電型半導体層ごとに交互に一部
露出するように逆導電型半導体層を一導電型半導体層上
に形成すると共に、同じ端部側が露出した一導電型半導
体層毎に同じ共通電極に接続し、異なる共通電極に接続
した一導電型半導体層上の隣接する逆導電型半導体層ご
とに同じ個別電極に接続したことから、島状半導体層を
その配列方向において間隔を設けずに配設することがで
き、発光素子の高精細化を図ることができる。また、電
流は島状半導体層の一角部から対向する角部に流れ、発
光した光は島状半導体層の壁面で反射して中央部分に導
かれ、光の取り出し効率が向上し、高輝度に発光する。
【図１】本発明に係る半導体発光装置の一実施形態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】本発明に係る半導体発光装置の要部を拡大して
示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であ
る。
示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であ
る。
【図３】従来の半導体発光装置を示す図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
１………単結晶基板、２………一導電型半導体層、３…
……逆導電型半導体層、４………個別電極、５………共
通電極、６………島状半導体層、７………保護膜
……逆導電型半導体層、４………個別電極、５………共
通電極、６………島状半導体層、７………保護膜
Claims (3)
- 【請求項１】 単結晶基板上に、一導電型半導体層と逆
導電型半導体層から成る島状半導体層を単結晶基板上の
＜００１＞方向に多数列状に形成し、この島状半導体層
の側壁部が前記単結晶基板の＜０１１＞方向と＜０−１
１＞方向を向くように形成し、この一導電型半導体層の
一端部側に共通電極を接続して設けると共に、逆導電型
半導体層の他の端部側に個別電極を接続して設けた半導
体発光装置において、前記一導電型半導体層における＜
０１０＞方向側の端部が隣接する一導電型半導体層ごと
に交互に一部露出するように前記逆導電型半導体層を前
記一導電型半導体層上に形成すると共に、同じ端部側が
露出した一導電型半導体層毎に同じ共通電極に接続し、
異なる共通電極に接続した一導電型半導体層上の隣接す
る逆導電型半導体層毎に同じ個別電極に接続したことを
特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 同じ個別電極に接続された前記逆導電型
半導体層下部の一導電型半導体層を連続して形成したこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。 - 【請求項３】 前記島状半導体層の隣接する端部がこの
島状半導体層の配列方向において一部重なっていること
を特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14013597A JP3450992B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14013597A JP3450992B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335703A true JPH10335703A (ja) | 1998-12-18 |
| JP3450992B2 JP3450992B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=15261705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14013597A Expired - Fee Related JP3450992B2 (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3450992B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009176906A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
-
1997
- 1997-05-29 JP JP14013597A patent/JP3450992B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009176906A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3450992B2 (ja) | 2003-09-29 |
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