JPH10335633A - P型領域上の接触 - Google Patents
P型領域上の接触Info
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Abstract
めの軽くドーピングしたP型層上で、直接オーミック接
触をとる接触構造を提供すること。 【解決手段】 本発明は、半導体構成部品の軽くドーピ
ングしたP型領域上の接触構造に関し、このP型領域
は、前記構成部品のオン状態動作中に正にバイアスさ
れ、白金シリサイド、またはP型シリコンとともに白金
シリサイド以下のバリヤ高さを有する金属シリサイドの
層をP領域上に含む。
Description
製造に関する。さらに詳細には、本発明は、軽くドーピ
ングしたP型領域にわたってオーミックな挙動を有する
接触を実施することを目的とする。
ーミック接触を作成するためには、半導体領域の表面密
度を比較的高く(1019原子/cm3 超)しなければな
らないことは半導体の分野では周知である。これによ
り、このような接触の、特にP型半導体領域上での実施
に関する様々な問題が生じる。本明細書では、接触され
るP型領域が、一方向半導体構成部品、すなわちP型領
域が負にバイアスされたときに電流を遮断し、P型領域
が正にバイアスされたときに電流を流す構成部品のアノ
ードを形成する場合についてさらに詳細に考察し、この
正にバイアス(順方向バイアス)された電流の流れは、
制御電流または所定のしきい値を超える電圧を印加され
る場合がある。
流ダイオード、すなわち逆方向バイアスされた場合に比
較的高い電圧に耐えることができるダイオードの構造に
ついて、図1および図2に関連して考察する。
の1例を示す図である。このダイオードは、N型の中央
領域1を含み、その上側表面側にP型の軽くドーピング
した領域2(P- )を含む。PN接合1−2は考察する
ダイオードの接合を形成する。十分な降伏電圧を保証す
るために、このダイオードはプレーナ型にする、すなわ
ち、P- 領域を中央領域の上側表面の一部分のみに形成
し、その周囲を中央領域に対応するN領域によって完全
に取り囲む。
に、中央領域の下側表面は、カソード金属被覆4で被覆
した、重くドーピングしたN+ 型層3を含む。ダイオー
ドの上側表面上で接触をとるために、この上側表面は現
在では酸化ケイ素となる絶縁体領域6で覆われ、その一
部は層2の中央領域を空けた状態にして領域2を覆って
延びる。この中央領域では、アノード金属被覆8で覆わ
れたさらに重くドーピングしたP型(P+ )領域7を形
成することによって、この表面で過剰なドーピングが実
行される。
の例を示す図である。中央領域1、過剰ドーピング領域
3、およびカソード金属被覆4を含むカソード側は、図
1から不変である。アノード側で、アノード金属被覆8
は、P- 型リング11で取り囲まれた重くドーピングし
たP型領域10上にある。PN接合1−10が、この場
合には考察するダイオードの接合を形成する。前述の場
合と同様に、この場合にも酸化物層6が表面に存在し、
領域10の周囲を覆う。
グしたP型領域上に直接金属被覆を形成することによっ
てオーミック接触を作成した。P領域の表面のドーピン
グ・レベルは5・1018原子/cm3 を超えなければな
らないと一般に考えられている。さらに、重くドーピン
グしたP型領域の周囲を、軽くドーピングしたP型領域
で取り囲み、ダイオードの逆降伏電圧を改善する。
々な代替が当該分野では周知である。降伏電圧を改善す
るために、逆方向にバイアスされた接合によって現れた
空間電荷を最良に広げるために、追加の軽くドーピング
したP型保護リング、および/またはこのP- 型領域
(2.11)の周囲にある、例えば酸化物層によって半
導体から分離されたフィールド・プレートが使用され
る。現在停止層と呼ばれるN+ 型領域もまた、逆方向に
バイアスされたP- 型領域(2.11)を超えて延びる
可能性のある電位線を阻止し、こうしてチャネルの漏れ
電流の発生を回避する。
に、重くドーピングしたP型領域は常に存在するが、こ
の領域は必ずしも単一の金属被覆で直接覆われるわけで
はない。現在では、アノードおよびカソード金属被覆4
から8はアルミニウム層から形成されるが、その他の材
料も従来通り使用される(TiNiAu、モリブデ
ン)。場合によってはシリコンを組み込む金属層および
/または合金のパイリングも備える。シリサイドと事前
にスパッタされた金属との間の固体/固体化学反応によ
って形成されたシリサイドの界面(IrSi、PtS
i、NiSi…)を備えることもある。これらは、熱お
よび化学的安定性が高いので、金属/半導体の従来の接
触では広く好まれている。
る(図2)、または軽くドーピングしたN型領域と接触
する軽くドーピングしたP型領域自体と接触して(図
1)、アノード層が重くドーピングしたP型領域から形
成されることには、様々な欠点がある。
域およびその周囲に軽くドーピングしたP型領域を備え
る必要があることである。これは、複数のマスキング段
階を設けることを必要とし、製造プロセスを複雑にす
る。
たP型領域を提供しなければならないということであ
り、これは例えば1150℃超で数時間など、持続時間
の比較的長い比較的高温になるアニール段階を設ける必
要があることを意味し、これは製造時間を長くし、シリ
コンの結晶の品質に有害である。
イオードまたは別の高速構成部品を作成することが望ま
しい場合には、重くドーピングしたP層が存在すること
によって、このP層をアノードとして含む構成部品の動
的性能は低下する。実際に、ダイオードに印加された電
圧が逆である場合には、ダイオードは通常は、オン状態
からオフ状態に切り換わらなければならない。しかし、
ダイオードがその阻止能力を回復するまでに、ある量の
時間が経過することは周知である。この時間は、現在で
は回復時間と呼ばれ、オン状態動作中に事前にアノード
領域から注入され、依然として中央領域1中に蓄積され
ているキャリアを排出するのに必要な時間である。この
キャリア注入はP型領域のドーピングが増加するにつれ
て高くなる。したがって、ダイオードがオフ状態に切り
換わる速度は、重くドーピングしたP型領域が存在する
ことによって制限される。この欠点を克服するために、
中央領域とりわけダイオードのPN接合付近での欠陥の
生成が、従来技術では例えば金や白金などの金属を拡散
させる、あるいは電子または陽子衝撃その他によって提
供されてきた。しかしながら、この解決法により他の欠
点が生じ、特にダイオードの順方向電圧降下が増大す
る。
目的は、ダイオードやサイリスタなどの一方向構成部
品、または一方向モードで動作するバイポーラ・トラン
ジスタなどの構成部品の上述の欠点を克服し、回復時
間、すなわちオフ状態に切り換わる時間を改善すること
である。
明は、一方向構成部品のアノードとして使用するための
軽くドーピングしたP型層上で、直接オーミック接触を
とる接触構造を提供する。
品の軽くドーピングしたP型領域上の接触構造を提供
し、このP型領域は、前記構成部品のオン状態動作中に
正にバイアスされ、白金シリサイド、またはP型シリコ
ンとともに白金シリサイド以下のバリヤ高さを有する金
属シリサイドの層をP領域上に含む。
はイリジウム・シリサイドである。
1015から1016原子/cm3 程度の表面ドーピング・
レベルを有する。
ングしたP型領域の周囲は、酸化物層で覆われる。
N型領域の上側表面の一部分に形成される。
イオードのアノードとなる。
イリスタのアノードとなる。
イリスタのゲートとなる。
NP型バイポーラ・トランジスタのコレクタとなる。
域がアノードとなる構成部品は、縦型構成部品である。
ついて、以下の特定の実施態様の非制限的な説明で、添
付の図面に関連して詳細に論じる。
習通り、構成部品の様々な断面図は非常に簡略化し、一
定の比率では描いていない。当業者なら、中央領域の厚
さ、接合深さ、および構成部品の横方向の寸法を、所望
の降伏電圧および電力性能に従ってどのように選択する
かを理解するであろう。
ドの簡略な断面図である。ダイオードのカソード領域
は、図1および図2の例と同様に、軽くドーピングした
N型中央領域1、重くドーピングしたN型領域3、およ
びカソード金属被覆4を含む。ダイオードのアノード領
域は、その周囲が例えば酸化ケイ素の絶縁体21の層で
覆われてP- 領域上に中央接触領域を画定する、軽くド
ーピングしたP型(P-)領域20を含む。その上にア
ノード金属被覆8が形成され、各層の間に入ることがで
き拡散バリヤとして使用される白金シリサイド層23
が、この中央領域に形成される。
法は当該分野では周知であり、例えば白金堆積を実行
し、次いで500から600℃の間の温度でアニール
し、過剰な白金を選択的にエッチングする。このような
シリサイド層はそれ自体で周知であり、基本的にショッ
トキー・ダイオードを作成し、抵抗の低い接続を得るた
めに使用される(基本的に集積回路の製造分野におい
て)。本発明によれば、白金シリサイド層は、これら2
つの従来通りの目的(ショットキー・ダイオードまたは
接続抵抗の低下)のいずれにも使用せず、オーミック接
触を実施するために使用する。
る。この等価回路は、アノード端子8とカソード端子4
の間に、領域20と中央領域1の間のPN接合に対応す
るバイポーラ・ダイオードDならびにショットキー・ダ
イオードDSを含み、ダイオードDのアノードはダイオ
ードDSのアノードに接続される。ダイオードDSは白
金シリサイド領域23と領域20の間の界面に対応す
る。このような構造では、ダイオードDが導通する(ア
ノード8に正の電圧が印加される)可能性が高い場合、
すなわちダイオードDが順方向にバイアスされ、ショッ
トキー・ダイオードDSが逆方向にバイアスされたとき
に、オーミックな挙動を有する接触が得られる。これに
ついて図4に関連して説明する。
の順方向特性31および逆方向特性32を示す図であ
る。曲線41および42はそれぞれ、白金シリサイド領
域と軽くドーピングしたP型領域の間の界面から形成さ
れるショットキー・ダイオードの順方向および逆方向特
性を示す。図4では、ショットキー・ダイオードの順方
向動作象限(曲線31および41)および逆方向動作象
限(曲線32および42)では、電圧および電流の比率
が同一でない。
ー・ダイオード、例えば軽くドーピングしたP型領域上
に形成した、チタン・シリサイド(TiSi2 )から形
成したショットキー・ダイオードの特性を示す。
ドとして使用され、シリサイド層がカソードとして使用
されるショットキー・ダイオードの特性は、従来通りの
順方向ダイオードの特性である。ダイオードの両端間の
電圧がこのダイオードのしきい値オン電圧VT1、例えば
0.35ボルト程度の電圧に到達するまで、電流はほぼ
ゼロのままであり、次いで電圧がこの0.35ボルトの
値を超えると、ダイオードの両端間の電圧降下は、この
構造の直列抵抗によるオーミックな電圧降下によって基
本的に制御される。
特性が得られる。例えば50V程度の降伏電圧VBR1
になるまで、ダイオードはいかなる逆方向電流もほとん
ど阻止する。
リサイドの間に作成されたショットキー・ダイオードの
場合には、順方向特性41の形状は、前述の順方向特性
31とそれほど違いはない。本質的な差異は、オンしき
い値VT2がVT1より低く、例えば0.35ボルト以上に
はならずに0.1ボルト程度であることである。しかし
大抵は、逆方向特性42の形状は相当に変更される。逆
方向電圧を印加した初期領域43では、この特性はほぼ
非常に抵抗値の低い抵抗器の特性となる。実際に、高圧
ダイオードの典型的な動作状態である2A/mm2 の電
流密度が流れた時には、ダイオードの両端間の電圧降下
は100mVより低い。電流密度が10A/mm2 程度
より低い値で循環する傾向がある限りは、ダイオードの
両端間の電圧降下は非常に低い(1ボルト程度)ままで
ある。
白金シリサイドの間に形成されたショットキー・ダイオ
ードの逆方向特性であるこの部分43を使用して、軽く
ドーピングしたP型領域上にオーミック接触を作成す
る。明らかに、本発明は、P型領域を構成部品のアノー
ドとして使用する場合、すなわちショットキー・ダイオ
ードが逆方向にバイアスされる場合に限定される。
を、時には逆方向に時には順方向に使用して0.1ボル
ト程度の低い順方向電圧降下を無視する従来の場合とは
完全に異なることに留意されたい。実際に、順方向に
は、低い電圧降下ではもはやオーミックに挙動すること
はなく、非オーミックに挙動するのみである。これは、
例えばダイオード中の電流10A/mm2 に対して1W
/mm2 となる電力消費が、オーミック損失に追加され
ることを意味する。
ードの動的特性にもたらされた改善を示す図である。
て電流の曲線をアンペア単位で示す図である。これらの
曲線では、時間ゼロは、最初に導通状態でダイオードに
印加された電圧が逆転した時間に対応する。したがっ
て、最初に、10アンペアをわずかに下回る電流がダイ
オードを通って流れる。次いで、この電流が急速に減衰
して逆になり、すなわちダイオードが一時的に逆方向に
導通し、その後電流がゼロに等しくなる阻止状態に戻
る。明らかに、実際問題としてこの逆方向の導通を可能
な限り低下させることが望ましい。逆電流のピークは一
般に参照符IRMで示し、曲線の2つのゼロの交点の間
の時間間隔は回復時間と呼び、参照符tq で示す。
2などの従来の高圧パワー・ダイオードに対応し、曲線
52は、これと同じ寸法の図3Aに示すタイプの本発明
によるダイオードに対応する。従来のダイオードの逆電
流のピークIRM1 は35アンペア程度であるが、逆電
流のピークIRM2 は20Aより低い。従来のダイオー
ドの回復時間tq1は550ナノ秒程度であるが、本発明
によるダイオードの回復時間tq2は390ナノ秒程度で
しかない。したがって本発明によるダイオードは、従来
のP+ 型領域上にアノード接触領域を有するダイオード
に対して、明らかにかなり改善された動的動作を有す
る。
いつくであろう様々な代替、修正、改良を有する可能性
が高い。
オードに従来通りにもたらされる改良を本発明に適用
し、逆方向降伏電圧および漏れ電流の特性を改善するこ
ともできる。
サイドである場合についてのみ本発明を説明したが、こ
れと同等の任意のシリサイドを採用することができるこ
とは当業者には明らかであろう。その条件は、P- 型領
域上のショットキー・バリヤの高さが0.3ボルト程度
の値以下になることである(逆方向に起こる挙動と同じ
挙動タイプ)。例えば0.19ボルト程度のショットキ
ー・バリヤの高さを有するイリジウム・シリサイドなど
はこれに該当する。この場合、逆方向成分が抵抗値の非
常に低いオーミックになる領域43を含む曲線42によ
って示されるタイプの逆方向特性が得られる。
ることに関連して本発明について説明した。これは一般
に、軽くドーピングしたP型領域上で接触を確立するた
めに望ましい、アノードとして動作するどのようなデバ
イスにも適用されることは明らかであろう。P+ 型層の
抑制は、キャリア注入現象を制限し、オフ状態に切り換
わる際の回復時間を改善する。これは、サイリスタまた
はこれと同等な構成部品のアノード、あるいはPNP型
トランジスタのコレクタに特に有効である(これは対照
的にカソードとして動作するエミッタには適用されな
い)。
イリスタを示す図である。このサイリスタはN型中央領
域1を含む。後面側にはP型アノード31が形成され、
前面側にはP型ゲート領域32が形成される。層31お
よび32は同時に形成されることが好ましい。重くドー
ピングした型のカソード領域33は領域32に形成され
る。カソード金属被覆Kは従来通りカソード領域K上に
形成される。
ドーピングされた媒体であり、アノードおよびゲート接
触AおよびGは白金シリサイド層35および36を介し
てとられる。媒体をドーピングしたアノード領域31を
有することの主な利点は、オフ状態への切換速度が改善
されることである。媒体をドーピングしたゲート層32
を有することの主な利点は、高圧サイリスタでP型保護
リングを使用する必要がなくなることである。もちろ
ん、追加の利点として、注入/拡散段階の数が減少す
る。
ド、サイリスタ、PNPトランジスタ…)に適用するこ
とに関して本発明について説明した。これは、複数の構
成部品、すなわち場合によっては複数の縦型構成部品が
同一チップ上に形成される場合にも適用されることにな
る。複数の白金シリサイド領域を同時に形成することも
でき、これらの領域のうち1つまたは複数は本発明に従
って使用される機能(軽くドーピングしたP型アノード
領域上のオーミック接触領域)を有し、これらの領域の
うち1つまたは複数は従来通りの機能(ショットキー・
ダイオードの形成、接続抵抗の低下)を有する。
示の一部となるものであり、本発明の趣旨および範囲の
範囲内にあるものである。したがって、前述の説明は例
示のみを目的とするものであり、制限を目的とするもの
ではない。本発明は、頭記の特許請求の範囲およびその
均等物に定義されるようにのみ限定される。
施態様を示す図である。
ー・ダイオードの特性を示す概略図である。
オードの動的特性を示す、時間に関する電流の曲線を示
す図である。
る。
Claims (10)
- 【請求項1】 半導体構成部品の軽くドーピングしたP
型領域上の接触構造であり、このP型領域が、前記構成
部品のオン状態動作中に正にバイアスされ、白金シリサ
イド、またはP型シリコンとともに白金シリサイド以下
のバリヤ高さを有する金属シリサイドの層(23)を前
記P領域(20)上に含む接触構造。 - 【請求項2】 シリサイドがイリジウム・シリサイドで
ある、請求項1に記載の接触構造。 - 【請求項3】P型領域(20)が1015から1016原子
/cm3 程度の表面ドーピング・レベルを有する、請求
項1に記載の接触構造。 - 【請求項4】 軽くドーピングしたP型領域の周囲が酸
化物層(21)で覆われる、請求項1から3のいずれか
一項に記載の接触構造。 - 【請求項5】 P型領域がN型領域(1)の上側表面の
一部分に形成される、請求項1から4のいずれか一項に
記載の接触構造。 - 【請求項6】 P領域がダイオードのアノードとなる、
請求項5に記載の接触構造。 - 【請求項7】 P領域がサイリスタのアノードとなる、
請求項1に記載の接触構造。 - 【請求項8】 P領域がサイリスタのゲートとなる、請
求項1に記載の接触構造。 - 【請求項9】 P領域がPNP型バイポーラ・トランジ
スタのコレクタとなる、請求項1に記載の接触構造。 - 【請求項10】 そのP型領域がアノードとなる構成部
品が、縦型構成部品である、請求項6から9のいずれか
一項に記載の接触構造。
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