JPH10330157A - セラミックス誘電体材料およびその製造方法 - Google Patents
セラミックス誘電体材料およびその製造方法Info
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- JPH10330157A JPH10330157A JP9141307A JP14130797A JPH10330157A JP H10330157 A JPH10330157 A JP H10330157A JP 9141307 A JP9141307 A JP 9141307A JP 14130797 A JP14130797 A JP 14130797A JP H10330157 A JPH10330157 A JP H10330157A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高価な希土類元素を含まず、高誘電率を有し、
かつＱ値が高いセラミックス誘電体材料、およびその製
造方法を提供する。 【解決手段】（１）組成が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）4 Ｔｉ3
Ｏ10（ただし、０≦ｘ≦０．５）で表され、正方晶Ｓｒ
4 Ｔｉ3 Ｏ10型結晶構造を有するセラミックス誘電体材
料。（２）組成が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ2 Ｏ7 （た
だし、０≦ｘ≦０．５）で表され、正方晶Ｓｒ3 Ｔｉ2
Ｏ7 型結晶構造を有するセラミックス誘電体材料。
（３）これらの材料は、Ｃａ、ＳｒおよびＴｉのそれぞ
れについて、その酸化物、塩化物、硝酸塩、シュウ酸塩
および炭酸化物のうちの少なくとも１種の粉末を（１）
または（２）の組成物が得られるように混合し、１２０
０℃以上の温度域で１時間以上保持することにより製造
することができる。
かつＱ値が高いセラミックス誘電体材料、およびその製
造方法を提供する。 【解決手段】（１）組成が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）4 Ｔｉ3
Ｏ10（ただし、０≦ｘ≦０．５）で表され、正方晶Ｓｒ
4 Ｔｉ3 Ｏ10型結晶構造を有するセラミックス誘電体材
料。（２）組成が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ2 Ｏ7 （た
だし、０≦ｘ≦０．５）で表され、正方晶Ｓｒ3 Ｔｉ2
Ｏ7 型結晶構造を有するセラミックス誘電体材料。
（３）これらの材料は、Ｃａ、ＳｒおよびＴｉのそれぞ
れについて、その酸化物、塩化物、硝酸塩、シュウ酸塩
および炭酸化物のうちの少なくとも１種の粉末を（１）
または（２）の組成物が得られるように混合し、１２０
０℃以上の温度域で１時間以上保持することにより製造
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波を利用
する通信に用いられる誘電体共振器フィルター等に使用
される誘電体材料、あるいは、マイクロストリップ構造
やストリップ構造のフィルターの基板として使用される
誘電体材料、およびその製造方法に関する。
する通信に用いられる誘電体共振器フィルター等に使用
される誘電体材料、あるいは、マイクロストリップ構造
やストリップ構造のフィルターの基板として使用される
誘電体材料、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波を利用する通信に使用される
誘電体共振器フィルター等、あるいはマイクロストリッ
プ構造やストリップ構造のフィルターの基板など、電子
部品用の材料として、磁器（セラミックス）製の誘電体
材料がよく用いられている。これら誘電体材料において
は、誘電率が大きく、誘電損失（１／Ｑ）が小さいこと
（すなわち、Ｑ値が大きいこと）が要求される。誘電率
が大きければ、フィルター等、電子部品の小型化が容易
になるからである。
誘電体共振器フィルター等、あるいはマイクロストリッ
プ構造やストリップ構造のフィルターの基板など、電子
部品用の材料として、磁器（セラミックス）製の誘電体
材料がよく用いられている。これら誘電体材料において
は、誘電率が大きく、誘電損失（１／Ｑ）が小さいこと
（すなわち、Ｑ値が大きいこと）が要求される。誘電率
が大きければ、フィルター等、電子部品の小型化が容易
になるからである。
【０００３】比誘電率が６０以上で、ｆＱ値が６０００
ＧＨｚ以上の誘電体材料として、（Ｃａ1-x Ｎｄx ）
2/(x+2) ＴｉＯ3 が知られている。しかし、この誘電体
材料は、高価な希土類元素を用いるのでコスト高になる
という欠点がある。
ＧＨｚ以上の誘電体材料として、（Ｃａ1-x Ｎｄx ）
2/(x+2) ＴｉＯ3 が知られている。しかし、この誘電体
材料は、高価な希土類元素を用いるのでコスト高になる
という欠点がある。
【０００４】一方、希土類元素を用いない高誘電率の材
料としてはＳｒＴｉＯ3 やＣａＴｉＯ3 が知られている
が、ｆＱ値はそれぞれ２０００ＧＨｚおよび５０００Ｇ
Ｈｚ程度と小さい。
料としてはＳｒＴｉＯ3 やＣａＴｉＯ3 が知られている
が、ｆＱ値はそれぞれ２０００ＧＨｚおよび５０００Ｇ
Ｈｚ程度と小さい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような状
況に鑑みなされたもので、高価な希土類元素を用いず、
高誘電率を有し、かつｆＱ値が高いセラミックス誘電体
材料、およびその製造方法を提供することを目的として
いる。
況に鑑みなされたもので、高価な希土類元素を用いず、
高誘電率を有し、かつｆＱ値が高いセラミックス誘電体
材料、およびその製造方法を提供することを目的として
いる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するため検討を重ねた結果、Ｓｒ、Ｃａ、Ｔｉお
よびＯ（酸素）の４元素からなる化合物であって、Ｓｒ
とＣａの比が所定の条件を満たすものが高誘電率、およ
び高Ｑ値を有することを知見し、本発明をなすに至っ
た。
を達成するため検討を重ねた結果、Ｓｒ、Ｃａ、Ｔｉお
よびＯ（酸素）の４元素からなる化合物であって、Ｓｒ
とＣａの比が所定の条件を満たすものが高誘電率、およ
び高Ｑ値を有することを知見し、本発明をなすに至っ
た。
【０００７】本発明の要旨は、下記のセラミックス誘電
体材料（（１）および（２）の発明）、ならびにそれら
の製造方法（（３）および（４）の発明）にある。
体材料（（１）および（２）の発明）、ならびにそれら
の製造方法（（３）および（４）の発明）にある。
【０００８】（１）組成が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）4 Ｔｉ3
Ｏ10（ただし、０≦ｘ≦０．５）で表され、正方晶Ｓｒ
4 Ｔｉ3 Ｏ10型結晶構造を有することを特徴とするセラ
ミックス誘電体材料。
Ｏ10（ただし、０≦ｘ≦０．５）で表され、正方晶Ｓｒ
4 Ｔｉ3 Ｏ10型結晶構造を有することを特徴とするセラ
ミックス誘電体材料。
【０００９】（２）組成が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ2
Ｏ7 （ただし、０≦ｘ≦０．５）で表され、正方晶Ｓｒ
3 Ｔｉ2 Ｏ7 型結晶構造を有することを特徴とするセラ
ミックス誘電体材料。
Ｏ7 （ただし、０≦ｘ≦０．５）で表され、正方晶Ｓｒ
3 Ｔｉ2 Ｏ7 型結晶構造を有することを特徴とするセラ
ミックス誘電体材料。
【００１０】（３）Ｃａ、ＳｒおよびＴｉのそれぞれに
ついて、その酸化物、塩化物、硝酸塩、シュウ酸塩およ
び炭酸化物のうちの少なくとも１種の粉末を、前記金属
元素の比が上記（１）に記載される組成におけるこれら
金属元素の比の範囲内に入るように混合し、１２００℃
以上の温度域で１時間以上保持することを特徴とする上
記（１）に記載のセラミックス誘電体材料の製造方法。
ついて、その酸化物、塩化物、硝酸塩、シュウ酸塩およ
び炭酸化物のうちの少なくとも１種の粉末を、前記金属
元素の比が上記（１）に記載される組成におけるこれら
金属元素の比の範囲内に入るように混合し、１２００℃
以上の温度域で１時間以上保持することを特徴とする上
記（１）に記載のセラミックス誘電体材料の製造方法。
【００１１】（４）Ｃａ、ＳｒおよびＴｉのそれぞれに
ついて、その酸化物、塩化物、硝酸塩、シュウ酸塩およ
び炭酸化物のうちの少なくとも１種の粉末を、前記金属
元素の比が上記（２）に記載される組成におけるこれら
金属元素の比の範囲内に入るように混合し、１２００℃
以上の温度域で１時間以上保持することを特徴とする上
記（２）に記載のセラミックス誘電体材料の製造方法。
ついて、その酸化物、塩化物、硝酸塩、シュウ酸塩およ
び炭酸化物のうちの少なくとも１種の粉末を、前記金属
元素の比が上記（２）に記載される組成におけるこれら
金属元素の比の範囲内に入るように混合し、１２００℃
以上の温度域で１時間以上保持することを特徴とする上
記（２）に記載のセラミックス誘電体材料の製造方法。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明（上記（１）〜
（４）の発明）を詳しく説明する。
（４）の発明）を詳しく説明する。
【００１３】上記（１）の発明は、組成が（Ｓｒ1-x Ｃ
ａx ）4 Ｔｉ3 Ｏ10（ただし、０≦ｘ≦０．５）で表さ
れ、Ｓｒ4 Ｔｉ3 Ｏ10型結晶構造を有するセラミックス
誘電体材料である。ｘを０．５以下（０を含む）に限定
する理由は、ｘが０．５を超えると、ｆＱ値が６０００
ＧＨｚより小さく、したがって、誘電損失が大きくな
り、マイクロ波フィルター材料として適さないからであ
る。なお、Ｓｒ4 Ｔｉ3Ｏ10型結晶構造以外のものが含
まれる場合は、（Ｓｒ1-x Ｃａx ）4 Ｔｉ3 Ｏ10（ただ
し、０≦ｘ≦０．５）のみではなく、多種の化合物の混
合物となり、誘電特性のよいものは得られない。
ａx ）4 Ｔｉ3 Ｏ10（ただし、０≦ｘ≦０．５）で表さ
れ、Ｓｒ4 Ｔｉ3 Ｏ10型結晶構造を有するセラミックス
誘電体材料である。ｘを０．５以下（０を含む）に限定
する理由は、ｘが０．５を超えると、ｆＱ値が６０００
ＧＨｚより小さく、したがって、誘電損失が大きくな
り、マイクロ波フィルター材料として適さないからであ
る。なお、Ｓｒ4 Ｔｉ3Ｏ10型結晶構造以外のものが含
まれる場合は、（Ｓｒ1-x Ｃａx ）4 Ｔｉ3 Ｏ10（ただ
し、０≦ｘ≦０．５）のみではなく、多種の化合物の混
合物となり、誘電特性のよいものは得られない。
【００１４】上記（２）の発明は、組成が（Ｓｒ1-x Ｃ
ａx ）3 Ｔｉ2 Ｏ7 （ただし、０≦ｘ≦０．５）で表さ
れ、Ｓｒ3 Ｔｉ2 Ｏ7 型結晶構造を有するセラミックス
誘電体材料である。ｘを０．５以下（０を含む）に限定
するのは、（１）の発明におけると同様、ｘが０．５を
超えると、ｆＱ値が６０００ＧＨｚより小さく、誘電損
失が大きくなり、マイクロ波フィルター材料としては不
適当だからである。なお、（１）の発明におけると同
様、Ｓｒ3 Ｔｉ2 Ｏ7 型結晶構造以外のものが含まれる
場合は、（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ2 Ｏ7 （ただし、０
≦ｘ≦０．５）のみではなく、多種の化合物の混合物と
なり、やはり誘電特性のよいものは得られない。
ａx ）3 Ｔｉ2 Ｏ7 （ただし、０≦ｘ≦０．５）で表さ
れ、Ｓｒ3 Ｔｉ2 Ｏ7 型結晶構造を有するセラミックス
誘電体材料である。ｘを０．５以下（０を含む）に限定
するのは、（１）の発明におけると同様、ｘが０．５を
超えると、ｆＱ値が６０００ＧＨｚより小さく、誘電損
失が大きくなり、マイクロ波フィルター材料としては不
適当だからである。なお、（１）の発明におけると同
様、Ｓｒ3 Ｔｉ2 Ｏ7 型結晶構造以外のものが含まれる
場合は、（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ2 Ｏ7 （ただし、０
≦ｘ≦０．５）のみではなく、多種の化合物の混合物と
なり、やはり誘電特性のよいものは得られない。
【００１５】上記（１）および（２）のセラミックス誘
電体材料は、高誘電率を有し、かつｆＱ値も高く、マイ
クロ波フィルター材料として好適である。
電体材料は、高誘電率を有し、かつｆＱ値も高く、マイ
クロ波フィルター材料として好適である。
【００１６】上記（３）および（４）の発明は、それぞ
れ（１）の誘電体材料の製造方法、および（２）の誘電
体材料の製造方法である。
れ（１）の誘電体材料の製造方法、および（２）の誘電
体材料の製造方法である。
【００１７】（３）の方法においては、Ｃａ、Ｓｒおよ
びＴｉの化合物の粉末を、これら金属元素の比が上記
（１）に記載される組成、すなわち（Ｓｒ1-x Ｃａx ）
4 Ｔｉ3 Ｏ10（ただし、０≦ｘ≦０．５）におけるこれ
ら金属元素の比の範囲内に入るように混合し、１２００
℃以上の温度域で１時間以上保持して反応させ、焼結体
とする。
びＴｉの化合物の粉末を、これら金属元素の比が上記
（１）に記載される組成、すなわち（Ｓｒ1-x Ｃａx ）
4 Ｔｉ3 Ｏ10（ただし、０≦ｘ≦０．５）におけるこれ
ら金属元素の比の範囲内に入るように混合し、１２００
℃以上の温度域で１時間以上保持して反応させ、焼結体
とする。
【００１８】焼結温度を１２００℃以上に限定するの
は、後述する実施例に示すように、１２００℃より低い
温度ではｆＱ値が小さい材料しか得られないからであ
る。上限は特に限定しないが、１４００℃を超えてもｆ
Ｑ値はほとんど変化せず、製造コストが嵩むだけなの
で、１４００℃とするのが好ましい。
は、後述する実施例に示すように、１２００℃より低い
温度ではｆＱ値が小さい材料しか得られないからであ
る。上限は特に限定しないが、１４００℃を超えてもｆ
Ｑ値はほとんど変化せず、製造コストが嵩むだけなの
で、１４００℃とするのが好ましい。
【００１９】焼結時間は、１時間に満たないと焼結が十
分に進行せず、緻密な材料が得られないため誘電率が小
さくなるので、１時間以上とする。上限は特に限定しな
いが、１０時間以上加熱しても特性の向上はほとんどみ
られないので、１０時間とするのが好ましい。
分に進行せず、緻密な材料が得られないため誘電率が小
さくなるので、１時間以上とする。上限は特に限定しな
いが、１０時間以上加熱しても特性の向上はほとんどみ
られないので、１０時間とするのが好ましい。
【００２０】Ｃａ、ＳｒおよびＴｉの化合物としては、
これらそれぞれの金属の酸化物、塩化物、硝酸塩、シュ
ウ酸塩または炭酸化物を用いることができる。いずれの
金属についても、これらの化合物の１種または２種以上
を使用すればよい。
これらそれぞれの金属の酸化物、塩化物、硝酸塩、シュ
ウ酸塩または炭酸化物を用いることができる。いずれの
金属についても、これらの化合物の１種または２種以上
を使用すればよい。
【００２１】なお、使用に際しては、粉末状とする。粉
末の粒径は特に限定しないが、後の工程で焼結処理を行
ったときに、少なくとも１時間で焼結反応が十分に進行
する程度の粒径であればよい。望ましい粒径は３μｍ以
下である。
末の粒径は特に限定しないが、後の工程で焼結処理を行
ったときに、少なくとも１時間で焼結反応が十分に進行
する程度の粒径であればよい。望ましい粒径は３μｍ以
下である。
【００２２】（４）の方法においては、（３）の方法に
おけると同様に、Ｃａ、ＳｒおよびＴｉの化合物の粉末
を、これら金属元素の比が上記（２）に記載される組
成、すなわち（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ2 Ｏ7 （ただ
し、０≦ｘ≦０．５）におけるこれら金属元素の比の範
囲内に入るように混合し、１２００℃以上の温度域で１
時間以上保持して反応させ、焼結体とする。
おけると同様に、Ｃａ、ＳｒおよびＴｉの化合物の粉末
を、これら金属元素の比が上記（２）に記載される組
成、すなわち（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ2 Ｏ7 （ただ
し、０≦ｘ≦０．５）におけるこれら金属元素の比の範
囲内に入るように混合し、１２００℃以上の温度域で１
時間以上保持して反応させ、焼結体とする。
【００２３】（４）の方法において、焼結温度を１２０
０℃以上とし、焼結時間を１時間以上とする理由、なら
びに、焼結温度と焼結時間の好ましい上限値および理由
は、上述した（３）の方法の場合と同じである。
０℃以上とし、焼結時間を１時間以上とする理由、なら
びに、焼結温度と焼結時間の好ましい上限値および理由
は、上述した（３）の方法の場合と同じである。
【００２４】また、Ｃａ、ＳｒおよびＴｉの化合物とし
ては、（３）の方法におけると同様、これらそれぞれの
金属の酸化物、塩化物、硝酸塩、シュウ酸塩または炭酸
化物を用いることができる。いずれの金属についても、
これらの化合物の１種または２種以上を使用すればよ
い。なお、使用に際して粉末状とするのは、（３）の方
法の場合と同じである。
ては、（３）の方法におけると同様、これらそれぞれの
金属の酸化物、塩化物、硝酸塩、シュウ酸塩または炭酸
化物を用いることができる。いずれの金属についても、
これらの化合物の１種または２種以上を使用すればよ
い。なお、使用に際して粉末状とするのは、（３）の方
法の場合と同じである。
【００２５】これら（３）および（４）の方法によれ
ば、前記の（１）および（２）の高誘電率で、かつ高Ｑ
値のセラミックス誘電体材料を容易に製造することがで
きる。
ば、前記の（１）および（２）の高誘電率で、かつ高Ｑ
値のセラミックス誘電体材料を容易に製造することがで
きる。
【００２６】
（実施例１）ＳｒＣＯ3 、ＴｉＯ2 およびＣａＣＯ3 を
金属元素の比が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）4 Ｔｉ3 Ｏ10におけ
るこれら金属元素の比（ただし、ｘは０〜０．７の範囲
内で変化させた）になるように混合し、電気炉で１００
０℃に１時間保持した後、粉砕、混合し、直径が３０ｍ
ｍで、高さが２０ｍｍの円筒状のペレットに整形し、電
気炉で１４００℃に１時間保持して焼結した。
金属元素の比が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）4 Ｔｉ3 Ｏ10におけ
るこれら金属元素の比（ただし、ｘは０〜０．７の範囲
内で変化させた）になるように混合し、電気炉で１００
０℃に１時間保持した後、粉砕、混合し、直径が３０ｍ
ｍで、高さが２０ｍｍの円筒状のペレットに整形し、電
気炉で１４００℃に１時間保持して焼結した。
【００２７】得られた焼結体（試料）の誘電率およびＱ
値をネットワークアナライザーＨＰ８５１０を用いて測
定した。
値をネットワークアナライザーＨＰ８５１０を用いて測
定した。
【００２８】結果を表１に示す。
【００２９】この結果から明らかなように、比誘電率は
ｘが増すにつれて多少減少したが、ｘが０．５以下のと
きには、９０を超える高い値が得られた。また、ｆＱ値
は、ｘが０．２のとき最高で、０≦ｘ≦０．５の範囲で
は６０００ＧＨｚ以上の高い値が得られた。
ｘが増すにつれて多少減少したが、ｘが０．５以下のと
きには、９０を超える高い値が得られた。また、ｆＱ値
は、ｘが０．２のとき最高で、０≦ｘ≦０．５の範囲で
は６０００ＧＨｚ以上の高い値が得られた。
【００３０】図１は、（Ｓｒ1-x Ｃａx ）4 Ｔｉ3 Ｏ10
についての焼結温度とＱ値（ｆＱ値で表示）の関係を示
す図である。すなわち、ＳｒＣＯ3 、ＴｉＯ2 およびＣ
ａＣＯ3 を金属元素の比が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）4 Ｔｉ3
Ｏ10におけるこれら金属元素の比（ただし、ｘ＝０．
４、またはｘ＝０．１）になるように混合し、１１００
℃で１時間仮焼した後、粉砕、混合し、上記と同様に整
形し、その後、焼結温度を１１００〜１６００℃の範囲
で変えて焼結し、得られた焼結体のＱ値を測定した結果
である。なお、図中の●印はｘ＝０．４の場合、○印は
ｘ＝０．１の場合である。
についての焼結温度とＱ値（ｆＱ値で表示）の関係を示
す図である。すなわち、ＳｒＣＯ3 、ＴｉＯ2 およびＣ
ａＣＯ3 を金属元素の比が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）4 Ｔｉ3
Ｏ10におけるこれら金属元素の比（ただし、ｘ＝０．
４、またはｘ＝０．１）になるように混合し、１１００
℃で１時間仮焼した後、粉砕、混合し、上記と同様に整
形し、その後、焼結温度を１１００〜１６００℃の範囲
で変えて焼結し、得られた焼結体のＱ値を測定した結果
である。なお、図中の●印はｘ＝０．４の場合、○印は
ｘ＝０．１の場合である。
【００３１】この図に示されるように、ｘ＝０．４、ｘ
＝０．１のいずれの場合も、１２００℃以上の温度域
で、ｆＱ値が６０００ＧＨｚ以上の高い値が得られた。
なお、焼結温度が１４００℃を超えてもｆＱ値はほとん
ど変化しない。したがって、焼結温度の上限は１４００
℃とするのが好ましい。
＝０．１のいずれの場合も、１２００℃以上の温度域
で、ｆＱ値が６０００ＧＨｚ以上の高い値が得られた。
なお、焼結温度が１４００℃を超えてもｆＱ値はほとん
ど変化しない。したがって、焼結温度の上限は１４００
℃とするのが好ましい。
【００３２】
【表１】
【００３３】（実施例２）ＳｒＣＯ3 、ＴｉＯ2 および
ＣａＣＯ3 を金属元素の比が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ
2 Ｏ7 におけるこれら金属元素の比（ただし、ｘは０〜
０．７の範囲内で変化させた）になるように混合し、電
気炉で１０００℃に１時間保持した後、粉砕、混合し、
直径が３０ｍｍで、高さが２０ｍｍの円筒状のペレット
に整形し、電気炉で１４００℃に１時間保持して反応さ
せ、焼結した。
ＣａＣＯ3 を金属元素の比が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ
2 Ｏ7 におけるこれら金属元素の比（ただし、ｘは０〜
０．７の範囲内で変化させた）になるように混合し、電
気炉で１０００℃に１時間保持した後、粉砕、混合し、
直径が３０ｍｍで、高さが２０ｍｍの円筒状のペレット
に整形し、電気炉で１４００℃に１時間保持して反応さ
せ、焼結した。
【００３４】得られた焼結体（試料）の誘電率およびＱ
値をネットワークアナライザーＨＰ８５１０を用いて測
定した。
値をネットワークアナライザーＨＰ８５１０を用いて測
定した。
【００３５】結果を表２に示す。
【００３６】この結果から明らかなように、誘電率はｘ
が増すにつれて多少減少したが、ｘが０．５以下のとき
には、６０を超える高い値が得られた。また、ｆＱ値
は、ｘが０．２のとき最高で、０≦ｘ≦０．５の範囲で
は６０００ＧＨｚ以上の高い値が得られた。
が増すにつれて多少減少したが、ｘが０．５以下のとき
には、６０を超える高い値が得られた。また、ｆＱ値
は、ｘが０．２のとき最高で、０≦ｘ≦０．５の範囲で
は６０００ＧＨｚ以上の高い値が得られた。
【００３７】図２は、（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ2 Ｏ7
についての焼結温度とＱ値（ｆＱ値で表示）の関係を示
す図である。すなわち、ＳｒＣＯ3 、ＴｉＯ2 およびＣ
ａＣＯ3 を金属元素の比が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ2
Ｏ7 におけるこれら金属元素の比（ただし、ｘ＝０．
４、またはｘ＝０．１）になるように混合し、１１００
℃で１時間仮焼した後、粉砕、混合し、上記と同様に整
形し、その後、焼結温度を１１００〜１６００℃の範囲
で変えて焼結し、得られた焼結体のＱ値を測定した結果
である。なお、図中の●印はｘ＝０．４の場合、○印は
ｘ＝０．１の場合である。
についての焼結温度とＱ値（ｆＱ値で表示）の関係を示
す図である。すなわち、ＳｒＣＯ3 、ＴｉＯ2 およびＣ
ａＣＯ3 を金属元素の比が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ2
Ｏ7 におけるこれら金属元素の比（ただし、ｘ＝０．
４、またはｘ＝０．１）になるように混合し、１１００
℃で１時間仮焼した後、粉砕、混合し、上記と同様に整
形し、その後、焼結温度を１１００〜１６００℃の範囲
で変えて焼結し、得られた焼結体のＱ値を測定した結果
である。なお、図中の●印はｘ＝０．４の場合、○印は
ｘ＝０．１の場合である。
【００３８】この図に示されるように、ｘ＝０．４、ｘ
＝０．１のいずれの場合も、１２００℃以上の温度域
で、ｆＱ値が６０００ＧＨｚ以上の高い値が得られた。
なお、焼結温度が１４００℃を超えてもｆＱ値はほとん
ど変化しない。したがって、焼結温度の上限は１４００
℃とするのが好ましい。
＝０．１のいずれの場合も、１２００℃以上の温度域
で、ｆＱ値が６０００ＧＨｚ以上の高い値が得られた。
なお、焼結温度が１４００℃を超えてもｆＱ値はほとん
ど変化しない。したがって、焼結温度の上限は１４００
℃とするのが好ましい。
【００３９】
【表２】
【００４０】
【発明の効果】本発明のセラミックス誘電体材料は、高
価な希土類元素が含まれておらず、高誘電率を有し、か
つＱ値が高く、フィルター等の電子部品用材料として好
適である。この材料は本発明方法により容易に製造する
ことができる。
価な希土類元素が含まれておらず、高誘電率を有し、か
つＱ値が高く、フィルター等の電子部品用材料として好
適である。この材料は本発明方法により容易に製造する
ことができる。
【図１】（Ｓｒ1-x Ｃａx ）4 Ｔｉ3 Ｏ10についての焼
結温度とｆＱ値の関係を示す図である。
結温度とｆＱ値の関係を示す図である。
【図２】（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ2 Ｏ7 についての焼
結温度とｆＱ値の関係を示す図である。
結温度とｆＱ値の関係を示す図である。
Claims (4)
- 【請求項１】組成が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）4 Ｔｉ3 Ｏ
10（ただし、０≦ｘ≦０．５）で表され、正方晶Ｓｒ4
Ｔｉ3 Ｏ10型結晶構造を有することを特徴とするセラミ
ックス誘電体材料。 - 【請求項２】組成が（Ｓｒ1-x Ｃａx ）3 Ｔｉ2 Ｏ7
（ただし、０≦ｘ≦０．５）で表され、正方晶Ｓｒ3 Ｔ
ｉ2 Ｏ7 型結晶構造を有することを特徴とするセラミッ
クス誘電体材料。 - 【請求項３】Ｃａ、ＳｒおよびＴｉのそれぞれについ
て、その酸化物、塩化物、硝酸塩、シュウ酸塩および炭
酸化物のうちの少なくとも１種の粉末を、前記金属元素
の比が請求項１に記載される組成におけるこれら金属元
素の比の範囲内に入るように混合し、１２００℃以上の
温度域で１時間以上保持することを特徴とする請求項１
に記載のセラミックス誘電体材料の製造方法。 - 【請求項４】Ｃａ、ＳｒおよびＴｉのそれぞれについ
て、その酸化物、塩化物、硝酸塩、シュウ酸塩および炭
酸化物のうちの少なくとも１種の粉末を、前記金属元素
の比が請求項２に記載される組成におけるこれら金属元
素の比の範囲内に入るように混合し、１２００℃以上の
温度域で１時間以上保持することを特徴とする請求項２
に記載のセラミックス誘電体材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9141307A JPH10330157A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | セラミックス誘電体材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9141307A JPH10330157A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | セラミックス誘電体材料およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10330157A true JPH10330157A (ja) | 1998-12-15 |
Family
ID=15288855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9141307A Pending JPH10330157A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | セラミックス誘電体材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10330157A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7622411B2 (en) * | 2003-03-26 | 2009-11-24 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Thermal barrier coating material |
-
1997
- 1997-05-30 JP JP9141307A patent/JPH10330157A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7622411B2 (en) * | 2003-03-26 | 2009-11-24 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Thermal barrier coating material |
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