JPH10326802A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH10326802A
JPH10326802A JP9135366A JP13536697A JPH10326802A JP H10326802 A JPH10326802 A JP H10326802A JP 9135366 A JP9135366 A JP 9135366A JP 13536697 A JP13536697 A JP 13536697A JP H10326802 A JPH10326802 A JP H10326802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
semiconductor device
manufacturing
wires
bonding pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9135366A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Sone
応顕 曽根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP9135366A priority Critical patent/JPH10326802A/ja
Publication of JPH10326802A publication Critical patent/JPH10326802A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4905—Shape
    • H01L2224/49051—Connectors having different shapes
    • H01L2224/49052—Different loop heights
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体素子上のボンディングパッドとリードと
を金線等のワイヤで接続する構造を有する半導体装置に
おいて、樹脂封止工程におけるワイヤ間の短絡を防止す
る製造方法を確立する。 【解決手段】金線等のワイヤ高さを複数設定する。半導
体素子４上にあるボンディングパッド８−１とインナー
リード５−１、ボンディングパッド８−２とインナーリ
ード５−２、ボンディングパッド８−３とインナーリー
ド５−３をそれぞれ高さの異なるワイヤ６−１，６−
２，６−３によりワイヤボンディングする。６−１，６
−２，６−３の順にボンディングするとすれば、ワイヤ
高さは６−１，６−２，６−３の順に高くする。すなわ
ち、ワイヤ高さは前に打ったワイヤより高く設定する。
金線等のワイヤ高さを複数設定することにより、樹脂封
止工程におけるワイヤ間の短絡を防止し、信頼性を向上
させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係わり、さらに詳しくは半導体素子端子間の短絡
を防止し信頼性を高めることのできる半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の一般的な半導体装置の断面
図である。図２において、１はリードフレームで、中央
部には支持腕３で支持されているダイパッド２が設けら
れている。４はＩＣチップ（以下、「半導体素子」とい
う）であり、ダイパッド２上に接着剤を介して取り付け
られており、半導体素子４の各ボンディングパッドとこ
れに対応して接続されるべく各リード５とが、それぞれ
ワイヤ６により接続されている。ワイヤには金線等が用
いられている。７は、エポキシ等の封止用樹脂（以下、
「樹脂」という）である。封止後、外部に突出したリー
ドを折り曲げ成形して端子とし、半導体装置が製造され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の図２に示すよう
な半導体装置の場合、樹脂封止時に金線等のワイヤが樹
脂の流れの影響を受けて湾曲することによりとなり合う
ワイヤと接触することがあり、電気的に短絡することで
電気回路として成り立たないといった不具合の発生する
場合があるという課題があった。
【０００４】そこで本発明は上記の課題を解決するため
になされたもので、信頼性を高められる半導体装置の製
造方法を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
すべくなされたもので、請求項１に記載の半導体装置の
製造方法は、半導体素子と外部接続端子とを金線等のワ
イヤにより接続される半導体装置の製造方法であって、
金線等のワイヤ高さを複数設定することを特徴とする。
ワイヤ高さを複数設定することにより、樹脂封止時にワ
イヤの湾曲が発生してもワイヤ間の短絡を防止すること
ができ、より信頼性の高い半導体装置を提供できること
になる。
【０００６】さらに上述の方法に加え、請求項２に記載
の製造方法では、となり合う前記金線等のワイヤを必ず
異なるワイヤ高さに設定することを特徴とする。このよ
うにすれば、より確実に樹脂封止時のワイヤ間の短絡を
防止することができる。
【０００７】請求項３に記載の半導体装置の製造方法で
は、上述の方法に加え、１個のワイヤボンディングプロ
グラム中で複数のワイヤ高さを設定することを特徴とす
る。このようにすれば、ワイヤボンディング工程におけ
る動作時間を従来と同等に維持しながら樹脂封止時のワ
イヤ間の短絡を防止できることになる。
【０００８】請求項４に記載の半導体装置の製造方法で
は、１個のワイヤボンディングプログラムを複数のプロ
グラムに分割し、それぞれ異なるワイヤ高さを設定する
ことを特徴とする。このようにすれば、中継ボンディン
グ併用等、ワイヤ長が著しく異なるワイヤボンディング
を行う場合、ワイヤ形状を安定させながら樹脂封止時の
ワイヤ間の短絡を防止できることになる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の製造方法を示し
たものである。半導体素子４上にあるボンディングパッ
ド８−１とインナーリード５−１、ボンディングパッド
８−２とインナーリード５−２、ボンディングパッド８
−３とインナーリード５−３をそれぞれ高さの異なるワ
イヤ６−１，６−２，６−３によりワイヤボンディング
すると仮定する。６−１，６−２，６−３の順にボンデ
ィングするとするば、ワイヤ高さは６−１，６−２，６
−３の順に高くする。すなわち、ワイヤ高さは前に打っ
たワイヤより高く設定する。
【００１０】これにはボンディングツール（キャピラリ
ー）に前に打ったワイヤが接触するのを防ぐ目的があ
り、請求項３および４に記載の製造方法の場合も同様で
ある。
【００１１】上記の方法により、樹脂封止工程において
ワイヤの湾曲が発生してもワイヤ間の短絡を防ぐことが
できる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明した通り、樹脂封止工程でのワ
イヤ間の短絡を防ぐことができ、信頼性の高い半導体装
置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法を示す図。
【図２】従来の一般的な半導体装置の断面図。
【符号の説明】
１・・・リードフレーム ２・・・ダイパッド ３・・・支持腕 ４・・・半導体素子 ５・・・リード ６・・・ワイヤ ７・・・樹脂 ８・・・ボンディングパッド

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】リードフレーム上に半導体素子を接着固定
    し、半導体素子のボンディングパッドとインナーリード
    とを金線等のワイヤにて接続した後、樹脂等で封止して
    なる半導体装置の製造方法であって、金線等のワイヤ高
    さを複数設定することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  2. 【請求項２】前記半導体装置の製造方法において、とな
    り合う金線等のワイヤ高さが必ず異なっていることを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】前記半導体装置の製造方法において、ワイ
    ヤボンディング装置の１動作プログラム中に複数のワイ
    ヤ高さを設定し、ワイヤボンディングを行うことを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】前記半導体装置の製造方法において、ワイ
    ヤボンディング装置で１半導体素子へのワイヤボンディ
    ングプログラムを複数に分割し、それぞれ異なるワイヤ
    高さを設定し、それらワイヤボンディングプログラムを
    連続して動作させることを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
JP9135366A 1997-05-26 1997-05-26 半導体装置の製造方法 Withdrawn JPH10326802A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9135366A JPH10326802A (ja) 1997-05-26 1997-05-26 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9135366A JPH10326802A (ja) 1997-05-26 1997-05-26 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10326802A true JPH10326802A (ja) 1998-12-08

Family

ID=15150057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9135366A Withdrawn JPH10326802A (ja) 1997-05-26 1997-05-26 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10326802A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104103534A (zh) * 2013-04-02 2014-10-15 瑞萨电子株式会社 半导体器件制造方法和半导体器件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104103534A (zh) * 2013-04-02 2014-10-15 瑞萨电子株式会社 半导体器件制造方法和半导体器件
JP2014203879A (ja) * 2013-04-02 2014-10-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013141009A (ja) 半導体装置
JPH1167809A (ja) 半導体装置
JP4547086B2 (ja) 半導体装置
JPH10326802A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3424184B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP3036339B2 (ja) 半導体装置
JP3109490B2 (ja) 半導体装置
JP2001267484A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH11111750A (ja) 半導体装置
KR940008340B1 (ko) 반도체 장치용 리이드 프레임
JP3854459B2 (ja) 半導体装置
JPH07283356A (ja) 樹脂封止型回路装置の製造方法
JP3891772B2 (ja) 半導体装置
JP3275787B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2698452B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその組立方法
JP3342292B2 (ja) 半導体装置
JPH05243307A (ja) 半導体装置
JPH1168015A (ja) リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法
JP2005135938A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH1197472A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH03265148A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0595018A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH08316371A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH11191608A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0738045A (ja) 半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20031202