JP3275787B2 - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム上
に半導体素子を搭載し、その外囲を樹脂で封止した樹脂
封止型半導体装置およびその製造方法に関するものであ
って、特に薄型化を実現し、高信頼性を有する樹脂封止
型半導体装置およびその製造方法に関するものである。
に半導体素子を搭載し、その外囲を樹脂で封止した樹脂
封止型半導体装置およびその製造方法に関するものであ
って、特に薄型化を実現し、高信頼性を有する樹脂封止
型半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。図４は、従来の樹脂封止型半導体装置の構
成図であり、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ），（ｃ）
は断面図であり、それぞれ図４（ａ）のＡ−Ａ１，Ｂ−
Ｂ１箇所の断面図である。なお、図４（ａ）において
は、内部構造を示すため便宜上、一部封止樹脂を透視し
た図としており、また金属細線を省略している。また破
線部分は半導体素子を示している。
て説明する。図４は、従来の樹脂封止型半導体装置の構
成図であり、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ），（ｃ）
は断面図であり、それぞれ図４（ａ）のＡ−Ａ１，Ｂ−
Ｂ１箇所の断面図である。なお、図４（ａ）において
は、内部構造を示すため便宜上、一部封止樹脂を透視し
た図としており、また金属細線を省略している。また破
線部分は半導体素子を示している。
【０００４】図４に示すように従来の樹脂封止型半導体
装置は、リードフレーム１の吊りリード２で支持された
ダイパッド部３上に搭載された半導体素子４と、その半
導体素子４上面の電極とインナーリード部５とを電気的
に接続した金属細線６と、ダイパッド部３の下部と半導
体素子４の上面と金属細線６とを含む半導体素子４の外
囲領域を封止した封止樹脂７と、封止樹脂７の底面領域
に配列され、インナーリード部５と接続した外部端子で
あるアウターリード部８とより構成されている。従来の
樹脂封止型半導体装置は、吊りリード部２がアップセッ
ト処理され、段差部９を有しているので、ダイパッド部
３の下方にも封止樹脂７ａを存在させることができ、薄
型であるが実質的にリードフレームに対して両面封止型
の半導体装置であり、両面封止構造であるために信頼性
を保つことができるものである。また外部端子であるア
ウターリード部８は、封止樹脂７の側面部と実質的に同
一面にあり、従来のように封止樹脂より突出しているも
のではないため、アウターリード部８の変形等を防止で
きる面実装タイプの半導体装置である。
装置は、リードフレーム１の吊りリード２で支持された
ダイパッド部３上に搭載された半導体素子４と、その半
導体素子４上面の電極とインナーリード部５とを電気的
に接続した金属細線６と、ダイパッド部３の下部と半導
体素子４の上面と金属細線６とを含む半導体素子４の外
囲領域を封止した封止樹脂７と、封止樹脂７の底面領域
に配列され、インナーリード部５と接続した外部端子で
あるアウターリード部８とより構成されている。従来の
樹脂封止型半導体装置は、吊りリード部２がアップセッ
ト処理され、段差部９を有しているので、ダイパッド部
３の下方にも封止樹脂７ａを存在させることができ、薄
型であるが実質的にリードフレームに対して両面封止型
の半導体装置であり、両面封止構造であるために信頼性
を保つことができるものである。また外部端子であるア
ウターリード部８は、封止樹脂７の側面部と実質的に同
一面にあり、従来のように封止樹脂より突出しているも
のではないため、アウターリード部８の変形等を防止で
きる面実装タイプの半導体装置である。
【０００５】なお、従来においては図４に示した構造の
樹脂封止型半導体装置以外に、図５に示すような構造も
ある。
樹脂封止型半導体装置以外に、図５に示すような構造も
ある。
【０００６】図５は従来の別の樹脂封止型半導体装置の
構成図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ），
（ｃ）は断面図であり、それぞれ図５（ａ）のＡ−Ａ
１，Ｂ−Ｂ１箇所の断面図である。なお、図５（ａ）に
おいても、内部構造を示すため便宜上、一部封止樹脂を
透視した図としており、金属細線を省略している。
構成図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ），
（ｃ）は断面図であり、それぞれ図５（ａ）のＡ−Ａ
１，Ｂ−Ｂ１箇所の断面図である。なお、図５（ａ）に
おいても、内部構造を示すため便宜上、一部封止樹脂を
透視した図としており、金属細線を省略している。
【０００７】図５に示すように従来の樹脂封止型半導体
装置は、リードフレーム１の吊りリード２で支持された
ダイパッド部３上に搭載された半導体素子４と、その半
導体素子４上面の電極とインナーリード部５とを電気的
に接続した金属細線６と、ダイパッド部３の下部と半導
体素子４の上面とを含む半導体素子４の外囲領域を封止
した封止樹脂７と、封止樹脂７の底面領域に配列され、
インナーリード部５と接続した外部端子であるアウター
リード部８とより構成されている。従来の樹脂封止型半
導体装置は、吊りリード２がアップセット処理され、段
差部９を有しているので、ダイパッド部３の下方にも封
止樹脂７ａを存在させることができ、薄型であるが実質
的にリードフレームに対して両面封止型の半導体装置で
あり、両面封止構造であるために信頼性を保つことがで
きるものである。さらに従来の樹脂封止型半導体装置で
は、ダイパッド部３は、図４に示した従来の樹脂封止型
半導体装置のダイパッド部３よりも小型、すなわち面積
を小さく構成している。
装置は、リードフレーム１の吊りリード２で支持された
ダイパッド部３上に搭載された半導体素子４と、その半
導体素子４上面の電極とインナーリード部５とを電気的
に接続した金属細線６と、ダイパッド部３の下部と半導
体素子４の上面とを含む半導体素子４の外囲領域を封止
した封止樹脂７と、封止樹脂７の底面領域に配列され、
インナーリード部５と接続した外部端子であるアウター
リード部８とより構成されている。従来の樹脂封止型半
導体装置は、吊りリード２がアップセット処理され、段
差部９を有しているので、ダイパッド部３の下方にも封
止樹脂７ａを存在させることができ、薄型であるが実質
的にリードフレームに対して両面封止型の半導体装置で
あり、両面封止構造であるために信頼性を保つことがで
きるものである。さらに従来の樹脂封止型半導体装置で
は、ダイパッド部３は、図４に示した従来の樹脂封止型
半導体装置のダイパッド部３よりも小型、すなわち面積
を小さく構成している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の樹
脂封止型半導体装置の構造では、樹脂封止型半導体装置
の大きさが大きくなると半導体素子も大きくなり、樹脂
封止時に、アップセットされたダイパッドのアップセッ
ト量が変化し、封止樹脂での成形が困難になり、薄型化
を実現できる樹脂封止型半導体装置の大きさに制限があ
った。またダイパッドを支持する吊りリード部の一部が
樹脂封止型半導体装置の外部端子部と同一面上に露出し
てしまうという課題もあった。
脂封止型半導体装置の構造では、樹脂封止型半導体装置
の大きさが大きくなると半導体素子も大きくなり、樹脂
封止時に、アップセットされたダイパッドのアップセッ
ト量が変化し、封止樹脂での成形が困難になり、薄型化
を実現できる樹脂封止型半導体装置の大きさに制限があ
った。またダイパッドを支持する吊りリード部の一部が
樹脂封止型半導体装置の外部端子部と同一面上に露出し
てしまうという課題もあった。
【０００９】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できる樹脂封止型半導体装置を
提供するものであり、従来まで出来なかった大きさの樹
脂封止型半導体装置の薄型化を実現し、かつ吊りリード
を使用しない構造の場合は、樹脂封止型半導体装置の実
装面側に外部端子以外の部分は封止樹脂のみとする構造
の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
半導体装置の動向に対応できる樹脂封止型半導体装置を
提供するものであり、従来まで出来なかった大きさの樹
脂封止型半導体装置の薄型化を実現し、かつ吊りリード
を使用しない構造の場合は、樹脂封止型半導体装置の実
装面側に外部端子以外の部分は封止樹脂のみとする構造
の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、リードフレームの吊りリードもしくはインナ
ーリードの延長上、すなわち先端部に接合材料を介して
搭載された半導体素子と、その半導体素子の上面の電極
とインナーリードを電気的に接続した金属細線と、半導
体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領
域を封止した封止樹脂と、その封止樹脂の底面領域に配
列され、インナーリード部と接続した外部端子とよりな
る樹脂封止型半導体装置であって、インナーリードの一
部は半導体素子下部まで延長され、両者は接合材料を介
して接合され、吊りリードもしくはインナーリード部の
先端部はハーフエッチ部を有し、そのハーフエッチ部の
下面側はハーフエッチ分の厚みで封止樹脂に覆われてお
り、樹脂封止型半導体装置の底面側に露出する外部端子
形状は延長部を有しない他の外部端子形状となんら変わ
ることのないよう封止樹脂で覆われているものである。
体装置は、リードフレームの吊りリードもしくはインナ
ーリードの延長上、すなわち先端部に接合材料を介して
搭載された半導体素子と、その半導体素子の上面の電極
とインナーリードを電気的に接続した金属細線と、半導
体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領
域を封止した封止樹脂と、その封止樹脂の底面領域に配
列され、インナーリード部と接続した外部端子とよりな
る樹脂封止型半導体装置であって、インナーリードの一
部は半導体素子下部まで延長され、両者は接合材料を介
して接合され、吊りリードもしくはインナーリード部の
先端部はハーフエッチ部を有し、そのハーフエッチ部の
下面側はハーフエッチ分の厚みで封止樹脂に覆われてお
り、樹脂封止型半導体装置の底面側に露出する外部端子
形状は延長部を有しない他の外部端子形状となんら変わ
ることのないよう封止樹脂で覆われているものである。
【００１１】また、樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、延長されている吊りリードもしくはインナーリード
の先端部上に接合材料を塗布し、その吊りリードもしく
はインナーリードの尖端部上に塗布された接合材料上に
球状ボールを設置する工程と、接合材料が塗布されたリ
ード上に半導体素子を搭載して接合する工程と、半導体
素子の電極とリードフレームのインナーリード部とを金
属細線により電気的に接続する工程と、半導体素子の上
面の前記金属細線で電気的に接続した領域と、半導体素
子下部と延長された吊りリードもしくはインナーリード
の先端部分のハーフエッチされた下部領域とを封止して
封止樹脂部を形成する工程と、吊りリードと、インナー
リード部と接続した外部端子であるアウターリード部を
成形して前記封止樹脂と同一面に成形する工程とよりな
る樹脂封止型半導体装置であり、封止工程は、半導体素
子下部の封止樹脂厚は、インナーリード部の底面と同一
面になるような厚さであり、半導体素子の上面の封止樹
脂厚は、金属細線のループ高さ以上の厚さになるように
封止する工程である。
は、延長されている吊りリードもしくはインナーリード
の先端部上に接合材料を塗布し、その吊りリードもしく
はインナーリードの尖端部上に塗布された接合材料上に
球状ボールを設置する工程と、接合材料が塗布されたリ
ード上に半導体素子を搭載して接合する工程と、半導体
素子の電極とリードフレームのインナーリード部とを金
属細線により電気的に接続する工程と、半導体素子の上
面の前記金属細線で電気的に接続した領域と、半導体素
子下部と延長された吊りリードもしくはインナーリード
の先端部分のハーフエッチされた下部領域とを封止して
封止樹脂部を形成する工程と、吊りリードと、インナー
リード部と接続した外部端子であるアウターリード部を
成形して前記封止樹脂と同一面に成形する工程とよりな
る樹脂封止型半導体装置であり、封止工程は、半導体素
子下部の封止樹脂厚は、インナーリード部の底面と同一
面になるような厚さであり、半導体素子の上面の封止樹
脂厚は、金属細線のループ高さ以上の厚さになるように
封止する工程である。
【００１２】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置は、吊りリードもしくはインナーリード部の一部
を延長し、延長した先端部のリード上に球状フィラーを
混入させた接合材料を塗布などにより形成し、半導体素
子をその接合材料を介して接合することでアップセット
されたダイパッド部を不要にし、構造を簡素化し、封止
樹脂の占める体積を多くし、また接合された接合材料の
厚みをインナーリード部の厚みの１／２〜１／１０の厚
みになるように接合材料の中にインナーリード部の厚み
の１／２〜１／１０の大きさの球状の固形物を混入する
ことにより、接合部厚みを制御し、半導体素子の上下の
封止樹脂の体積のバランスを均一にし、従来ではできな
かった樹脂封止型半導体装置の大きさの薄型化を実現で
きる。またインナーリード部の一部で半導体素子を保持
した場合、吊りリードが存在しない構造となり、樹脂封
止型半導体装置の底面部分に露出する外部端子以外の部
分はすべて封止樹脂で覆われる樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。
体装置は、吊りリードもしくはインナーリード部の一部
を延長し、延長した先端部のリード上に球状フィラーを
混入させた接合材料を塗布などにより形成し、半導体素
子をその接合材料を介して接合することでアップセット
されたダイパッド部を不要にし、構造を簡素化し、封止
樹脂の占める体積を多くし、また接合された接合材料の
厚みをインナーリード部の厚みの１／２〜１／１０の厚
みになるように接合材料の中にインナーリード部の厚み
の１／２〜１／１０の大きさの球状の固形物を混入する
ことにより、接合部厚みを制御し、半導体素子の上下の
封止樹脂の体積のバランスを均一にし、従来ではできな
かった樹脂封止型半導体装置の大きさの薄型化を実現で
きる。またインナーリード部の一部で半導体素子を保持
した場合、吊りリードが存在しない構造となり、樹脂封
止型半導体装置の底面部分に露出する外部端子以外の部
分はすべて封止樹脂で覆われる樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００１４】図１は、本発明の第１の実施形態の樹脂封
止型半導体装置の構成図であり、図１（ａ）は平面図、
図１（ｂ），（ｃ）は断面図であり、それぞれ図１
（ａ）のＡ−Ａ１，Ｂ−Ｂ１箇所の断面図である。な
お、図１（ａ）においては内部構造を示すため便宜上、
一部封止樹脂を透視した図としており、金属細線を省略
している。また破線部分は半導体素子を示している。
止型半導体装置の構成図であり、図１（ａ）は平面図、
図１（ｂ），（ｃ）は断面図であり、それぞれ図１
（ａ）のＡ−Ａ１，Ｂ−Ｂ１箇所の断面図である。な
お、図１（ａ）においては内部構造を示すため便宜上、
一部封止樹脂を透視した図としており、金属細線を省略
している。また破線部分は半導体素子を示している。
【００１５】図１に示すように本実施形態の樹脂封止型
半導体装置は、吊りリード２の延長上である先端部２ａ
に塗布された熱硬化性樹脂１０を介して接合、搭載され
た半導体素子４と、その半導体素子４の上面の電極とイ
ンナーリード部５とを電気的に接続した金属細線６と、
半導体素子４の上面と下面を含む外囲領域を封止した封
止樹脂７と、封止樹脂７の底面領域に配列され、インナ
ーリード部５と接続した外部端子であるアウターリード
部８とより構成されている。
半導体装置は、吊りリード２の延長上である先端部２ａ
に塗布された熱硬化性樹脂１０を介して接合、搭載され
た半導体素子４と、その半導体素子４の上面の電極とイ
ンナーリード部５とを電気的に接続した金属細線６と、
半導体素子４の上面と下面を含む外囲領域を封止した封
止樹脂７と、封止樹脂７の底面領域に配列され、インナ
ーリード部５と接続した外部端子であるアウターリード
部８とより構成されている。
【００１６】そして本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、半導体素子４と先端部２ａとの間の接合剤である熱
硬化性樹脂１０の厚みがインナーリード部５の厚みの１
／２〜１／１０の厚みになるように、熱硬化性樹脂１０
中にインナーリード厚みの１／２〜１／１０の大きさの
球状フィラー１１を混入することにより、接合部厚みを
制御し、安定した熱硬化性樹脂１０の接合厚みを確保で
きる。そのため半導体素子４の下面の封止樹脂７ａと上
面の封止樹脂７ｂをバランス良く存在させることがで
き、成形時の封止樹脂７の流動性を良くすると同時に、
応力のバランスも均一にできるので、パッケージ反りに
対しても効果的である。
は、半導体素子４と先端部２ａとの間の接合剤である熱
硬化性樹脂１０の厚みがインナーリード部５の厚みの１
／２〜１／１０の厚みになるように、熱硬化性樹脂１０
中にインナーリード厚みの１／２〜１／１０の大きさの
球状フィラー１１を混入することにより、接合部厚みを
制御し、安定した熱硬化性樹脂１０の接合厚みを確保で
きる。そのため半導体素子４の下面の封止樹脂７ａと上
面の封止樹脂７ｂをバランス良く存在させることがで
き、成形時の封止樹脂７の流動性を良くすると同時に、
応力のバランスも均一にできるので、パッケージ反りに
対しても効果的である。
【００１７】ここで球状フィラー１１がインナーリード
部５の厚みの１／２〜１／１０とすると、インナーリー
ド部５の板厚は０．２［ｍｍ］なので、φ０．１０〜
０．０２［ｍｍ］の範囲となる。熱硬化性樹脂１０中に
混入した球状フィラー１１がφ０．１０［ｍｍ］より大
きくなると、熱硬化性樹脂１０を連続して安定塗布する
ことが困難となり、φ０．０２［ｍｍ］より小さくなる
と半導体素子４がインナーリード部５の上にオーバーラ
ップする場合、インナーリード部５と接触する場合があ
る。
部５の厚みの１／２〜１／１０とすると、インナーリー
ド部５の板厚は０．２［ｍｍ］なので、φ０．１０〜
０．０２［ｍｍ］の範囲となる。熱硬化性樹脂１０中に
混入した球状フィラー１１がφ０．１０［ｍｍ］より大
きくなると、熱硬化性樹脂１０を連続して安定塗布する
ことが困難となり、φ０．０２［ｍｍ］より小さくなる
と半導体素子４がインナーリード部５の上にオーバーラ
ップする場合、インナーリード部５と接触する場合があ
る。
【００１８】また吊りリード部２の延長した先端部２ａ
は、ハーフエッチ部１２を有しているため、封止樹脂７
ａに覆われ、半導体素子４の下面も封止樹脂７ａに覆わ
れるため、外観上は従来の樹脂封止型半導体装置の底面
部分に露出する外部端子形状となんら変わることはな
い。
は、ハーフエッチ部１２を有しているため、封止樹脂７
ａに覆われ、半導体素子４の下面も封止樹脂７ａに覆わ
れるため、外観上は従来の樹脂封止型半導体装置の底面
部分に露出する外部端子形状となんら変わることはな
い。
【００１９】ここで本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、全体厚が０．７［ｍｍ］、実装基板上の取り付け高
さ０．８［ｍｍ］を目標とした。またインナーリード５
の板厚は０．２［ｍｍ］、半導体素子４の厚みは０．２
［ｍｍ］、球状フィラー１１の大きさはφ０．０５［ｍ
ｍ］であり、半導体素子４下面の封止樹脂７ａの厚みは
０．２５［ｍｍ］、また上面の封止樹脂７ｂの厚みも
０．２５［ｍｍ］である。
は、全体厚が０．７［ｍｍ］、実装基板上の取り付け高
さ０．８［ｍｍ］を目標とした。またインナーリード５
の板厚は０．２［ｍｍ］、半導体素子４の厚みは０．２
［ｍｍ］、球状フィラー１１の大きさはφ０．０５［ｍ
ｍ］であり、半導体素子４下面の封止樹脂７ａの厚みは
０．２５［ｍｍ］、また上面の封止樹脂７ｂの厚みも
０．２５［ｍｍ］である。
【００２０】次に図１に示した本実施形態の樹脂封止型
半導体装置の製造方法について、図１に示した構成に基
づいて説明する。
半導体装置の製造方法について、図１に示した構成に基
づいて説明する。
【００２１】まず吊りリード２のハーフエッチ部１２を
有する延長されている先端部２ａに接合材料である熱硬
化性樹脂１０を塗布する、ここで熱硬化性樹脂１０には
あらかじめ球状フィラー１１を混入しておく。または熱
硬化性樹脂１０を塗布した後に球状フィラー１１を添加
してもよい。
有する延長されている先端部２ａに接合材料である熱硬
化性樹脂１０を塗布する、ここで熱硬化性樹脂１０には
あらかじめ球状フィラー１１を混入しておく。または熱
硬化性樹脂１０を塗布した後に球状フィラー１１を添加
してもよい。
【００２２】次に半導体素子４を熱硬化性樹脂１０を介
した吊りリード２の先端部２ａ上に搭載し、半導体素子
４の電極とインナーリード部５とを金属細線６により電
気的に接続する。
した吊りリード２の先端部２ａ上に搭載し、半導体素子
４の電極とインナーリード部５とを金属細線６により電
気的に接続する。
【００２３】次にトランスファーモールドにより、半導
体素子４の外囲領域を封止樹脂７により封止する。この
場合、半導体素子４の上面、すなわち金属細線６で電気
的に接続した領域と、半導体素子４と吊りリード２のハ
ーフエッチ部１２の下部領域とを封止し、封止樹脂７
ａ、封止樹脂７ｂを形成する。また封止樹脂７による封
止厚は、半導体素子４下面の封止樹脂７ａでは、インナ
ーリード部５の底面と同一面になるような厚さであり、
半導体素子４の上面の封止樹脂７ｂでは、金属細線６の
ループ高さ以上の厚さになるように封止する。
体素子４の外囲領域を封止樹脂７により封止する。この
場合、半導体素子４の上面、すなわち金属細線６で電気
的に接続した領域と、半導体素子４と吊りリード２のハ
ーフエッチ部１２の下部領域とを封止し、封止樹脂７
ａ、封止樹脂７ｂを形成する。また封止樹脂７による封
止厚は、半導体素子４下面の封止樹脂７ａでは、インナ
ーリード部５の底面と同一面になるような厚さであり、
半導体素子４の上面の封止樹脂７ｂでは、金属細線６の
ループ高さ以上の厚さになるように封止する。
【００２４】そしてアウターリード部８の成形を行い、
封止樹脂７と同一面になるように成形する。
封止樹脂７と同一面になるように成形する。
【００２５】以上のような工程により、アップセットを
有したダイパッドを使用することなく両面封止型の樹脂
封止型半導体装置を実現することができる。さらに接合
材料の厚みを制御しているため、安定した接合厚みが確
保でき、半導体素子上下の封止樹脂のバランスを均一に
でき、発生する応力を最小限に抑制し、信頼性を保つこ
とができるものである。
有したダイパッドを使用することなく両面封止型の樹脂
封止型半導体装置を実現することができる。さらに接合
材料の厚みを制御しているため、安定した接合厚みが確
保でき、半導体素子上下の封止樹脂のバランスを均一に
でき、発生する応力を最小限に抑制し、信頼性を保つこ
とができるものである。
【００２６】次に本発明の第２の実施形態の樹脂封止型
半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
【００２７】図２は、本発明の第２の実施形態の樹脂封
止型半導体装置の構成図であり、図２（ａ）は平面図、
図２（ｂ），（ｃ）は断面図であり、それぞれ図２
（ａ）のＡ−Ａ１，Ｂ−Ｂ１箇所の断面図である。な
お、図２（ａ）においては、内部構造を示すため便宜
上、一部封止樹脂を透視した図としており、金属細線は
省略している。また破線部分は半導体素子を示してい
る。
止型半導体装置の構成図であり、図２（ａ）は平面図、
図２（ｂ），（ｃ）は断面図であり、それぞれ図２
（ａ）のＡ−Ａ１，Ｂ−Ｂ１箇所の断面図である。な
お、図２（ａ）においては、内部構造を示すため便宜
上、一部封止樹脂を透視した図としており、金属細線は
省略している。また破線部分は半導体素子を示してい
る。
【００２８】図２に示すように本実施形態の樹脂封止型
半導体装置は、３２本あるインナーリード部５の内、４
本のリードが延長され、延長されたリード上に塗布され
た熱硬化性樹脂１０を介して接合、搭載された半導体素
子４と、その半導体素子４上面の電極とインナーリード
部５とを電気的に接続した金属細線６と、半導体素子４
の上面と下面を含む外囲領域を封止した封止樹脂７と、
封止樹脂７の底面領域に配列され、インナーリード部５
と接続した外部端子であるアウターリード部８とより構
成されている。本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、
インナーリード部の厚みの１／２〜１／１０の厚みにな
るように、熱硬化性樹脂１０中にインナーリード部の厚
みの１／２〜１／１０の大きさの球状フィラー１１を混
入することにより接合部厚みを制御し、安定した熱硬化
性樹脂１０の接合厚みを確保でき、半導体素子４の下面
の封止樹脂７ａと上面の封止樹脂７ｂをバランス良く存
在させることができ、成形時の封止樹脂７の流動性を良
くすると同時に、応力のバランスも均一にできるので、
パッケージ反りに対しても効果的である。
半導体装置は、３２本あるインナーリード部５の内、４
本のリードが延長され、延長されたリード上に塗布され
た熱硬化性樹脂１０を介して接合、搭載された半導体素
子４と、その半導体素子４上面の電極とインナーリード
部５とを電気的に接続した金属細線６と、半導体素子４
の上面と下面を含む外囲領域を封止した封止樹脂７と、
封止樹脂７の底面領域に配列され、インナーリード部５
と接続した外部端子であるアウターリード部８とより構
成されている。本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、
インナーリード部の厚みの１／２〜１／１０の厚みにな
るように、熱硬化性樹脂１０中にインナーリード部の厚
みの１／２〜１／１０の大きさの球状フィラー１１を混
入することにより接合部厚みを制御し、安定した熱硬化
性樹脂１０の接合厚みを確保でき、半導体素子４の下面
の封止樹脂７ａと上面の封止樹脂７ｂをバランス良く存
在させることができ、成形時の封止樹脂７の流動性を良
くすると同時に、応力のバランスも均一にできるので、
パッケージ反りに対しても効果的である。
【００２９】ここで球状フィラー１１がインナーリード
部５の厚みの１／２〜１／１０とすると、インナーリー
ド部５の板厚は０．２［ｍｍ］なので、φ０．１０〜
０．０２［ｍｍ］の範囲となる。熱硬化性樹脂１０中に
混入した球状フィラー１１がφ０．１０［ｍｍ］より大
きくなると、連続して安定塗布することが困難になり、
φ０．０２［ｍｍ］より小さくなると半導体素子４がイ
ンナーリード部５の上にオーバーラップする場合、接触
する場合がある。
部５の厚みの１／２〜１／１０とすると、インナーリー
ド部５の板厚は０．２［ｍｍ］なので、φ０．１０〜
０．０２［ｍｍ］の範囲となる。熱硬化性樹脂１０中に
混入した球状フィラー１１がφ０．１０［ｍｍ］より大
きくなると、連続して安定塗布することが困難になり、
φ０．０２［ｍｍ］より小さくなると半導体素子４がイ
ンナーリード部５の上にオーバーラップする場合、接触
する場合がある。
【００３０】また外部端子であるインナーリード部５の
延長部はハーフエッチ部１２を有しているため、封止樹
脂７ａに覆われ、半導体素子４の下面も封止樹脂７ａに
覆われるため、外観上は従来の樹脂封止型半導体装置の
底面部分に露出する外部端子形状となんら変わることは
ない。さらに前記した図１の実施形態の樹脂封止型半導
体装置のように吊りリード部２が存在しないため、本実
施形態の樹脂封止型半導体装置の底面部分に露出リード
は外部端子のみである。
延長部はハーフエッチ部１２を有しているため、封止樹
脂７ａに覆われ、半導体素子４の下面も封止樹脂７ａに
覆われるため、外観上は従来の樹脂封止型半導体装置の
底面部分に露出する外部端子形状となんら変わることは
ない。さらに前記した図１の実施形態の樹脂封止型半導
体装置のように吊りリード部２が存在しないため、本実
施形態の樹脂封止型半導体装置の底面部分に露出リード
は外部端子のみである。
【００３１】ここで本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、全体厚が０．７［ｍｍ］、実装基板上の取り付け高
さ０．８［ｍｍ］を目標とした。またインナーリード５
の板厚は０．２［ｍｍ］、半導体素子４の厚みは０．２
［ｍｍ］、球状フィラー１１の大きさはφ０．０５［ｍ
ｍ］であり、半導体素子４下面の封止樹脂７ａの厚みは
０．２５［ｍｍ］、また上面の封止樹脂７ｂの厚みも
０．２５［ｍｍ］である。
は、全体厚が０．７［ｍｍ］、実装基板上の取り付け高
さ０．８［ｍｍ］を目標とした。またインナーリード５
の板厚は０．２［ｍｍ］、半導体素子４の厚みは０．２
［ｍｍ］、球状フィラー１１の大きさはφ０．０５［ｍ
ｍ］であり、半導体素子４下面の封止樹脂７ａの厚みは
０．２５［ｍｍ］、また上面の封止樹脂７ｂの厚みも
０．２５［ｍｍ］である。
【００３２】次に図２に示した本実施形態の樹脂封止型
半導体装置の製造方法について、図２に示した構成に基
づいて説明する。
半導体装置の製造方法について、図２に示した構成に基
づいて説明する。
【００３３】まず３２本あるインナーリード５の内の４
本の延長された部分があるインナーリード５のハーフエ
ッチ部１２を有する延長されている部分に接合材料であ
る熱硬化性樹脂１０を塗布して設置する、ここで熱硬化
性樹脂１０にはあらかじめ球状フィラー１１が混入され
ている。
本の延長された部分があるインナーリード５のハーフエ
ッチ部１２を有する延長されている部分に接合材料であ
る熱硬化性樹脂１０を塗布して設置する、ここで熱硬化
性樹脂１０にはあらかじめ球状フィラー１１が混入され
ている。
【００３４】次に半導体素子４を熱硬化性樹脂１０を介
した延長されたインナーリード部５上に搭載し、半導体
素子４の電極とインナーリード部５とを金属細線６によ
り電気的に接続する。
した延長されたインナーリード部５上に搭載し、半導体
素子４の電極とインナーリード部５とを金属細線６によ
り電気的に接続する。
【００３５】次にトランスファーモールドにより、半導
体素子４の外囲領域を封止樹脂７により封止する。この
場合、半導体素子４の上面、すなわち金属細線６で電気
的に接続した領域と、半導体素子４とインナーリード部
５のハーフエッチ部１２の下部領域とを封止し、封止樹
脂７ａ、封止樹脂７ｂを形成する。また封止樹脂７によ
る封止厚は、半導体素子４下面の封止樹脂７ａでは、イ
ンナーリード部５の底面と同一面になるような厚さであ
り、半導体素子４の上面の封止樹脂７ｂでは、金属細線
６のループ高さ以上の厚さになるように封止する。
体素子４の外囲領域を封止樹脂７により封止する。この
場合、半導体素子４の上面、すなわち金属細線６で電気
的に接続した領域と、半導体素子４とインナーリード部
５のハーフエッチ部１２の下部領域とを封止し、封止樹
脂７ａ、封止樹脂７ｂを形成する。また封止樹脂７によ
る封止厚は、半導体素子４下面の封止樹脂７ａでは、イ
ンナーリード部５の底面と同一面になるような厚さであ
り、半導体素子４の上面の封止樹脂７ｂでは、金属細線
６のループ高さ以上の厚さになるように封止する。
【００３６】そしてアウターリード部８の成形を行い、
封止樹脂７と同一面になるように成形する。
封止樹脂７と同一面になるように成形する。
【００３７】以上のような工程により、アップセットを
有したダイパッドを使用することなく両面封止型の樹脂
封止型半導体装置を実現することができる。さらに接合
材料の厚みを制御しているため、安定した接合厚みが確
保でき、半導体素子上下の封止樹脂のバランスを均一に
でき、発生する応力を最小限に抑制し、信頼性を保つこ
とができるものである。
有したダイパッドを使用することなく両面封止型の樹脂
封止型半導体装置を実現することができる。さらに接合
材料の厚みを制御しているため、安定した接合厚みが確
保でき、半導体素子上下の封止樹脂のバランスを均一に
でき、発生する応力を最小限に抑制し、信頼性を保つこ
とができるものである。
【００３８】次に本発明の第３の実施形態の樹脂封止型
半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
【００３９】図３は本発明の第３の実施形態の樹脂封止
型半導体装置の構成を示す図であり、図３（ａ）は平面
図、図３（ｂ），（ｃ）は断面図であり、それぞれ図３
（ａ）のＡ−Ａ１，Ｂ−Ｂ１箇所の断面図である。な
お、図３（ａ）においては、内部構造を示すため便宜
上、一部封止樹脂を透視した図としており、金属細線は
省略している。また破線部分は半導体素子を示してい
る。
型半導体装置の構成を示す図であり、図３（ａ）は平面
図、図３（ｂ），（ｃ）は断面図であり、それぞれ図３
（ａ）のＡ−Ａ１，Ｂ−Ｂ１箇所の断面図である。な
お、図３（ａ）においては、内部構造を示すため便宜
上、一部封止樹脂を透視した図としており、金属細線は
省略している。また破線部分は半導体素子を示してい
る。
【００４０】図３に示すように本実施形態の樹脂封止型
半導体装置は、吊りリード２の延長上に設けられた、リ
ード窪み部１３に設置された金属ボール１４を介して接
合、搭載された半導体素子４と、その半導体素子４上面
の電極とインナーリード部５とを電気的に接続した金属
細線６と、半導体素子４の上面と下面を含む外囲領域を
封止した封止樹脂７と、封止樹脂７の底面領域に配列さ
れ、インナーリード部５と接続した外部端子であるアウ
ターリード部８とより構成されている。本実施形態の樹
脂封止型半導体装置は、インナーリード部の厚み、１／
２〜１／１０の厚みになるように金属ボール１４の大き
さを決め、また金属ボール１４の材料は銅材を使用し、
金属ボール１４の銅材の表面は接合材料となる半田で覆
われている。この金属ボール１４を使用し、接合部厚み
を制御し、安定した接合厚みを確保し、半導体素子４の
下面の封止樹脂７ａと上面の封止樹脂７ｂをバランスを
均一にし、成形時の封止樹脂７の流動性を良くすると同
時に、応力のバランスも均一にできるので、パッケージ
反りに対しても効果的である。
半導体装置は、吊りリード２の延長上に設けられた、リ
ード窪み部１３に設置された金属ボール１４を介して接
合、搭載された半導体素子４と、その半導体素子４上面
の電極とインナーリード部５とを電気的に接続した金属
細線６と、半導体素子４の上面と下面を含む外囲領域を
封止した封止樹脂７と、封止樹脂７の底面領域に配列さ
れ、インナーリード部５と接続した外部端子であるアウ
ターリード部８とより構成されている。本実施形態の樹
脂封止型半導体装置は、インナーリード部の厚み、１／
２〜１／１０の厚みになるように金属ボール１４の大き
さを決め、また金属ボール１４の材料は銅材を使用し、
金属ボール１４の銅材の表面は接合材料となる半田で覆
われている。この金属ボール１４を使用し、接合部厚み
を制御し、安定した接合厚みを確保し、半導体素子４の
下面の封止樹脂７ａと上面の封止樹脂７ｂをバランスを
均一にし、成形時の封止樹脂７の流動性を良くすると同
時に、応力のバランスも均一にできるので、パッケージ
反りに対しても効果的である。
【００４１】ここで前記リード窪み部を深さを０．０３
［ｍｍ］として、金属ボール１４を含む接合厚みがイン
ナーリード部５の厚みの１／２〜１／１０とすると、イ
ンナーリード部５の板厚は０．２［ｍｍ］なので、φ
０．１３〜０．０５［ｍｍ］の範囲となる。そして金属
ボールがφ０．１３［ｍｍ］より大きくなると、寸法
上、吊りリード２の延長上に設置することが困難にな
り、φ０．０５［ｍｍ］より小さくなると半導体素子４
がインナーリード部５の上にオーバーラップする場合、
接触する場合がある。
［ｍｍ］として、金属ボール１４を含む接合厚みがイン
ナーリード部５の厚みの１／２〜１／１０とすると、イ
ンナーリード部５の板厚は０．２［ｍｍ］なので、φ
０．１３〜０．０５［ｍｍ］の範囲となる。そして金属
ボールがφ０．１３［ｍｍ］より大きくなると、寸法
上、吊りリード２の延長上に設置することが困難にな
り、φ０．０５［ｍｍ］より小さくなると半導体素子４
がインナーリード部５の上にオーバーラップする場合、
接触する場合がある。
【００４２】また外部端子である吊りリード部２の延長
部はハーフエッチ部１２を有しているため、封止樹脂７
ａに覆われ、半導体素子４の下面も封止樹脂７ａに覆わ
れるため、外観上は従来の樹脂封止型半導体装置の底面
部分に露出する外部端子形状となんら変わることはな
い。
部はハーフエッチ部１２を有しているため、封止樹脂７
ａに覆われ、半導体素子４の下面も封止樹脂７ａに覆わ
れるため、外観上は従来の樹脂封止型半導体装置の底面
部分に露出する外部端子形状となんら変わることはな
い。
【００４３】ここで本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、全体厚が０．７［ｍｍ］、実装基板上の取り付け高
さ０．８［ｍｍ］を目標とした。またインナーリード部
５の板厚は０．２［ｍｍ］、半導体素子４の厚みは０．
２［ｍｍ］、金属ボールの大きさはφ０．０８［ｍｍ］
であり、リード窪み１３の深さは０．０３［ｍｍ］、半
導体素子４下面の封止樹脂７ａの厚みは０．２５［ｍ
ｍ］、また上面の封止樹脂７ｂの厚みも０．２５［ｍ
ｍ］である。
は、全体厚が０．７［ｍｍ］、実装基板上の取り付け高
さ０．８［ｍｍ］を目標とした。またインナーリード部
５の板厚は０．２［ｍｍ］、半導体素子４の厚みは０．
２［ｍｍ］、金属ボールの大きさはφ０．０８［ｍｍ］
であり、リード窪み１３の深さは０．０３［ｍｍ］、半
導体素子４下面の封止樹脂７ａの厚みは０．２５［ｍ
ｍ］、また上面の封止樹脂７ｂの厚みも０．２５［ｍ
ｍ］である。
【００４４】次に図３に示した本実施形態の樹脂封止型
半導体装置の製造方法について、図３に示した構成に基
づいて説明する。
半導体装置の製造方法について、図３に示した構成に基
づいて説明する。
【００４５】まず吊りリード２のハーフエッチ部１２を
有する延長されている部分のリード窪み部１３に接合材
料である金属ボール１４を設置する、ここで金属ボール
１４の材質は銅であり、表面はあらかじめ半田で覆われ
ている。
有する延長されている部分のリード窪み部１３に接合材
料である金属ボール１４を設置する、ここで金属ボール
１４の材質は銅であり、表面はあらかじめ半田で覆われ
ている。
【００４６】次に半導体素子４を金属ボール１４を介し
た吊りリード２上に搭載し、半導体素子４の電極とイン
ナーリード部５とを金属細線６により電気的に接続す
る。
た吊りリード２上に搭載し、半導体素子４の電極とイン
ナーリード部５とを金属細線６により電気的に接続す
る。
【００４７】次にトランスファーモールドにより、半導
体素子４の外囲領域を封止樹脂７により封止する。この
場合、半導体素子４の上面、すなわち金属細線６で電気
的に接続した領域と、半導体素子４と吊りリード２のハ
ーフエッチ部１２の下部領域とを封止し、封止樹脂７
ａ、封止樹脂７ｂを形成する。また封止樹脂７による封
止厚は、半導体素子４下面の封止樹脂７ａでは、インナ
ーリード部５の底面と同一面になるような厚さであり、
半導体素子４の上面の封止樹脂７ｂでは、金属細線６の
ループ高さ以上の厚さになるように封止する。
体素子４の外囲領域を封止樹脂７により封止する。この
場合、半導体素子４の上面、すなわち金属細線６で電気
的に接続した領域と、半導体素子４と吊りリード２のハ
ーフエッチ部１２の下部領域とを封止し、封止樹脂７
ａ、封止樹脂７ｂを形成する。また封止樹脂７による封
止厚は、半導体素子４下面の封止樹脂７ａでは、インナ
ーリード部５の底面と同一面になるような厚さであり、
半導体素子４の上面の封止樹脂７ｂでは、金属細線６の
ループ高さ以上の厚さになるように封止する。
【００４８】そしてアウターリード部８の成形を行い、
封止樹脂７と同一面になるように成形する。
封止樹脂７と同一面になるように成形する。
【００４９】以上のような工程により、アップセットを
有したダイパッドを使用することなく両面封止型の樹脂
封止型半導体装置を実現することができる。さらに接合
材料の厚みを制御しているため、安定した接合厚みが確
保でき、半導体素子上下の封止樹脂のバランスを均一に
でき、発生する応力を最小限に抑制し、信頼性を保つこ
とができるものである。
有したダイパッドを使用することなく両面封止型の樹脂
封止型半導体装置を実現することができる。さらに接合
材料の厚みを制御しているため、安定した接合厚みが確
保でき、半導体素子上下の封止樹脂のバランスを均一に
でき、発生する応力を最小限に抑制し、信頼性を保つこ
とができるものである。
【００５０】以上、実施形態で示したように、吊りリー
ドもしくはインナーリード部の延長上に接合材料を設置
し、接合された接合材料の厚みをインナーリード部の厚
みの１／２〜１／１０の厚みになるように接合材料の中
にインナーリード部の厚みの１／２〜１／１０の大きさ
の球状の固形物を１個以上、接合材料中に混入もしくは
金属ボールを単体で設置することにより接合部厚みを制
御した。その結果、従来ではできなかった樹脂封止型半
導体装置の大きさの薄型化を実現でき、従来の樹脂封止
型半導体装置に比べて、構造的に簡素となるので、量産
性、コスト性などの面においても、従来の半導体装置よ
りも有利となる。
ドもしくはインナーリード部の延長上に接合材料を設置
し、接合された接合材料の厚みをインナーリード部の厚
みの１／２〜１／１０の厚みになるように接合材料の中
にインナーリード部の厚みの１／２〜１／１０の大きさ
の球状の固形物を１個以上、接合材料中に混入もしくは
金属ボールを単体で設置することにより接合部厚みを制
御した。その結果、従来ではできなかった樹脂封止型半
導体装置の大きさの薄型化を実現でき、従来の樹脂封止
型半導体装置に比べて、構造的に簡素となるので、量産
性、コスト性などの面においても、従来の半導体装置よ
りも有利となる。
【００５１】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置に
より、吊りリードもしくはインナーリード部の一部を延
長することにより、その延長させた先端部上に接合材料
を設置し、吊りリードもしくはインナーリード部と半導
体素子とを接合する構造にしたため、従来のようなアッ
プセット部を有したダイパッド部が不要となった。また
接合材料の厚みをインナーリード部の１／２〜１／１０
で制御することで、半導体素子の大きさが接合されてい
ない他のインナーリード部上にオーバーラップしても接
触することがなく、半導体素子の厚みの変化の対応も可
能となり、また半導体素子、上面と下面の樹脂体積バラ
ンスを安定させることができるため、封止樹脂の成形性
を改善させる点が特に重要であり、従来ではできなかっ
た大きさの樹脂封止型半導体装置の薄型化を実現するこ
とができるものである。
より、吊りリードもしくはインナーリード部の一部を延
長することにより、その延長させた先端部上に接合材料
を設置し、吊りリードもしくはインナーリード部と半導
体素子とを接合する構造にしたため、従来のようなアッ
プセット部を有したダイパッド部が不要となった。また
接合材料の厚みをインナーリード部の１／２〜１／１０
で制御することで、半導体素子の大きさが接合されてい
ない他のインナーリード部上にオーバーラップしても接
触することがなく、半導体素子の厚みの変化の対応も可
能となり、また半導体素子、上面と下面の樹脂体積バラ
ンスを安定させることができるため、封止樹脂の成形性
を改善させる点が特に重要であり、従来ではできなかっ
た大きさの樹脂封止型半導体装置の薄型化を実現するこ
とができるものである。
【図１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
示す図
【図４】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
１ リードフレーム ２ 吊りリード部 ３ ダイパッド部 ４ 半導体素子 ５ インナーリード部 ６ 金属細線 ７ 封止樹脂 ８ アウターリード部 ９ 段差部 １０ 熱硬化性樹脂 １１ 球状フィラー １２ ハーフエッチ部 １３ リード窪み部 １４ 金属ボール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−293963（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−54749（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−106455（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−169780（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−312405（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−8285（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−306853（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−92775（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 H01L 23/50 H01L 21/60
Claims (5)
- 【請求項１】 リードフレームの吊りリードの先端部上
に接合材料を介して搭載された半導体素子と、前記半導
体素子の上面の電極とインナーリードを電気的に接続し
た金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を
含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記
封止樹脂の底面領域に配列され、前記インナーリード部
と接続した外部端子とよりなる樹脂封止型半導体装置で
あって、前記吊りリードの先端部は前記半導体素子下部
まで延長され、両者は熱硬化性の接合材料を介して接合
され、前記接合材料中にインナーリードの厚みの１／２
〜１／１０の大きさの球状フィラーを混入することによ
り、接合部厚みをインナーリードの厚みの１／２〜１／
１０で制御し、前記吊りリードの先端部はハーフエッチ
部を有し、前記ハーフエッチ部の下面はハーフエッチ分
の厚みで封止樹脂に覆われており、前記半導体素子の下
面も封止樹脂で覆われていることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。 - 【請求項２】 リードフレームのインナーリードの先端
部上に接合材料を介して搭載された半導体素子と、前記
半導体素子の上面の電極とインナーリードを電気的に接
続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領
域を含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、
前記封止樹脂の底面領域に配列され、前記インナーリー
ド部と接続した外部端子とよりなる樹脂封止型半導体装
置であって、前記インナーリードの先端部は前記半導体
素子下部まで延長され、両者は熱硬化性の接合材料を介
して接合され、前記接合材料中にインナーリードの厚み
の１／２〜１／１０の大きさの球状フィラーを混入する
ことにより、接合部厚みをインナーリードの厚みの１／
２〜１／１０で制御し、前記インナーリードの先端部は
ハーフエッチ部を有し、前記ハーフエッチ部の下面はハ
ーフエッチ分の厚みで封止樹脂に覆われており、前記半
導体素子の下面も封止樹脂で覆われていることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 リードフレームの吊りリードの先端部上
に接合材料を介して搭載された半導体素子と、前記半導
体素子の上面の電極とインナーリードを電気的に接続し
た金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を
含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記
封止樹脂の底面領域に配列され、前記インナーリード部
と接続した外部端子とよりなる樹脂封止型半導体装置で
あって、前記吊りリードの一部は前記半導体素子下部ま
で延長され、吊りリードの先端部に窪みが設けられ、そ
の前記窪みに接合材料である金属ボールを設置し、設置
された前記金属ボールは半田でも銅に半田を被覆しても
良く、前記半導体素子と前記吊りリードは導電材料を介
して接合されることにより、接合部厚みをインナーリー
ドの厚みの１／２〜１／１０で制御し、前記吊りリード
の先端部はハーフエッチ部を有し、前記ハーフエッチ部
の下面はハーフエッチ分の厚みで封止樹脂に覆われてお
り、前記半導体素子の下面も封止樹脂で覆われているこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 リードフレームのリードの先端部上にイ
ンナーリードの厚みの１／２〜１／１０の大きさの球状
フィラーを含有させた接合材料を塗布し、前記接合材料
を介して半導体素子を前記吊りリードの先端部に接合す
る工程と、前記半導体素子とリードフレームのインナー
リードとを金属細線で接続する工程と、前記半導体素子
の上面および半導体素子の下面であって前記吊りリード
の先端部の下面領域を封止樹脂で封止する工程とを有す
る樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記接合
材料を介して半導体素子を吊りリードの先端部に接合す
る工程は、接合材に球状フィラーを含有させることによ
り、接合部の厚みをインナーリードの厚みの１／２〜１
／１０で制御して接合する工程であることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 リードフレームのリードの先端部上に接
合材料を塗布し、インナーリードの厚みの１／２〜１／
１０の大きさの球状フィラーを混入させ、前記接合材料
を介して半導体素子を前記吊りリードの先端部に接合す
る工程と、前記半導体素子とリードフレームのインナー
リードとを金属細線で接続する工程と、前記半導体素子
の上面および半導体素子の下面であって前記吊りリード
の先端部の下面領域を封止樹脂で封止する工程とを有す
る樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記接合
材料を介して半導体素子を吊りリードの先端部に接合す
る工程は、接合材に球状フィラーを含有させることによ
り、接合部の厚みをインナーリードの厚みの１／２〜１
／１０で制御して接合する工程であることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20884797A JP3275787B2 (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20884797A JP3275787B2 (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154551A JPH1154551A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3275787B2 true JP3275787B2 (ja) | 2002-04-22 |
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ID=16563096
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20884797A Expired - Fee Related JP3275787B2 (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
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| JP (1) | JP3275787B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100621555B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2006-09-14 | 삼성전자주식회사 | 리드 프레임, 이를 이용한 반도체 칩 패키지 및 그의 제조방법 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293963A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS6454749A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
| JPH01106455A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JP3036339B2 (ja) * | 1993-12-16 | 2000-04-24 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
| JP3243116B2 (ja) * | 1994-05-17 | 2002-01-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JPH088285A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH08306853A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法及びリードフレームの製造方法 |
| JP3163961B2 (ja) * | 1995-09-22 | 2001-05-08 | 日立電線株式会社 | 半導体装置 |
-
1997
- 1997-08-04 JP JP20884797A patent/JP3275787B2/ja not_active Expired - Fee Related
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