JPH10325967A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH10325967A JPH10325967A JP7892498A JP7892498A JPH10325967A JP H10325967 A JPH10325967 A JP H10325967A JP 7892498 A JP7892498 A JP 7892498A JP 7892498 A JP7892498 A JP 7892498A JP H10325967 A JPH10325967 A JP H10325967A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、画素上置き構造を採用した液晶表
示装置において、シール領域を横切る引出し配線の断線
不良を防止することを目的とする。 【解決手段】 絶縁基板１１上に走査線１５、信号線１
９及びＴＦＴ１３が形成され、それらの上に、無機絶縁
膜２０及び有機絶縁膜２１を介して、画素電極２３が配
列される。画素電極２３が配列された表示領域２４の周
囲には走査線１５及び信号線１９に電圧信号を伝送する
駆動回路２５、２６が配置される。表示領域２４と駆動
回路領域との間の境界部（シール領域）にシール材が配
置される。シール領域を横切る引出し配線２７の上方を
覆うように、無機絶縁膜２０の上に、画素電極２３と同
一工程でＩＴＯ膜２８が形成される。
示装置において、シール領域を横切る引出し配線の断線
不良を防止することを目的とする。 【解決手段】 絶縁基板１１上に走査線１５、信号線１
９及びＴＦＴ１３が形成され、それらの上に、無機絶縁
膜２０及び有機絶縁膜２１を介して、画素電極２３が配
列される。画素電極２３が配列された表示領域２４の周
囲には走査線１５及び信号線１９に電圧信号を伝送する
駆動回路２５、２６が配置される。表示領域２４と駆動
回路領域との間の境界部（シール領域）にシール材が配
置される。シール領域を横切る引出し配線２７の上方を
覆うように、無機絶縁膜２０の上に、画素電極２３と同
一工程でＩＴＯ膜２８が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特にアレイ基板に関する。
り、特にアレイ基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置に対して、高開口率
化の要求が高まっている。高開口率化を実現するため
に、画素電極をアレイ基板側の最上層に配置する方法が
採用されている。
化の要求が高まっている。高開口率化を実現するため
に、画素電極をアレイ基板側の最上層に配置する方法が
採用されている。
【０００３】画素上置き構造を採用した場合、画素電極
を構成するＩＴＯ膜のエッチング工程に関して次のよう
な問題点を抱えている。即ち、ＩＴＯ膜をアレイ基板側
の最上層に配置するので、ＩＴＯ膜とその下側の信号線
との間の層間絶縁膜の膜厚を確保するため、層間絶縁膜
を多層構造とし、その上側の層として有機絶縁膜が使用
される。このため、ＩＴＯ膜のエッチング方法としては
ウエットエッチングに限定される。その理由は、ドライ
エッチングを用いると、エッチングの際及びレジスト剥
離の際に、有機絶縁膜との選択比が充分に確保できない
ことによる。
を構成するＩＴＯ膜のエッチング工程に関して次のよう
な問題点を抱えている。即ち、ＩＴＯ膜をアレイ基板側
の最上層に配置するので、ＩＴＯ膜とその下側の信号線
との間の層間絶縁膜の膜厚を確保するため、層間絶縁膜
を多層構造とし、その上側の層として有機絶縁膜が使用
される。このため、ＩＴＯ膜のエッチング方法としては
ウエットエッチングに限定される。その理由は、ドライ
エッチングを用いると、エッチングの際及びレジスト剥
離の際に、有機絶縁膜との選択比が充分に確保できない
ことによる。
【０００４】一般に、ＩＴＯ膜のウエットエッチングに
は、王水、シュウ酸、ＨＢｒ、ＨＩ、等を水で希釈した
強酸のエッチング液、またはそれらを希釈液に塩化鉄あ
るいは塩化銅を加えたエッチング液が使用されるが、こ
れらのエッチング液は信号線の材料として一般的に使用
されているＡｌを腐食する性質を有している。図８に、
アレイ基板の表示領域と駆動回路領域との境界部分の部
分断面図を示す。図中６４はゲート酸化膜、６７は第一
層間絶縁膜、６９は信号線の引出し配線、７０は無機材
料からなる絶縁膜（第二層間絶縁膜の下層部分）、７１
は有機材料からなる絶縁膜（第二層間絶縁膜の上層部
分）、７３はＩＴＯからなる画素電極を表わす。また、
破線Ｂの左側が表示領域、破線Ｃの右側が駆動回路領域
であり、二つの破線Ｂ、Ｃで挟まれた境界部分がシール
領域８１となる。
は、王水、シュウ酸、ＨＢｒ、ＨＩ、等を水で希釈した
強酸のエッチング液、またはそれらを希釈液に塩化鉄あ
るいは塩化銅を加えたエッチング液が使用されるが、こ
れらのエッチング液は信号線の材料として一般的に使用
されているＡｌを腐食する性質を有している。図８に、
アレイ基板の表示領域と駆動回路領域との境界部分の部
分断面図を示す。図中６４はゲート酸化膜、６７は第一
層間絶縁膜、６９は信号線の引出し配線、７０は無機材
料からなる絶縁膜（第二層間絶縁膜の下層部分）、７１
は有機材料からなる絶縁膜（第二層間絶縁膜の上層部
分）、７３はＩＴＯからなる画素電極を表わす。また、
破線Ｂの左側が表示領域、破線Ｃの右側が駆動回路領域
であり、二つの破線Ｂ、Ｃで挟まれた境界部分がシール
領域８１となる。
【０００５】このシール領域８１の上に、対向基板をア
レイ基板の上に接着するシール材が配置される。対向基
板との接着力を確保するために、シール領域８１の上か
らは有機絶縁膜７１が除去されている。従って、シール
領域８１に関しては、信号線の引出し配線６９の上に、
層間絶縁膜として無機材料からなる絶縁膜７０のみしか
存在していない。この結果、絶縁膜７０にピンホールな
どの欠陥があると、信号線の材料であるＡｌが腐食して
断線に至ることがある。このため、シール領域８１の部
分は、断線不良が発生しやすい部位となっている。
レイ基板の上に接着するシール材が配置される。対向基
板との接着力を確保するために、シール領域８１の上か
らは有機絶縁膜７１が除去されている。従って、シール
領域８１に関しては、信号線の引出し配線６９の上に、
層間絶縁膜として無機材料からなる絶縁膜７０のみしか
存在していない。この結果、絶縁膜７０にピンホールな
どの欠陥があると、信号線の材料であるＡｌが腐食して
断線に至ることがある。このため、シール領域８１の部
分は、断線不良が発生しやすい部位となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
のような画素上置き構造を採用した液晶表示装置におい
て、シール領域を横切る配線の引出し部分に断線不良が
発生しにくい構造を提供することにある。また、本発明
の目的は、シール材の位置を安定させることができるシ
ール領域の構造を提供することにある。
のような画素上置き構造を採用した液晶表示装置におい
て、シール領域を横切る配線の引出し部分に断線不良が
発生しにくい構造を提供することにある。また、本発明
の目的は、シール材の位置を安定させることができるシ
ール領域の構造を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、シールを介し
て対向配置されたアレイ基板および対向基板と、この間
隙に封入された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記液晶表示装置は、前記シールが形成されるシール領
域と、前記シールにより封止されたシール内領域と、を
有し、前記アレイ基板の前記シール内領域は、基板上に
形成された配線と、前記配線に接続して形成されたスイ
ッチング素子と、前記配線及び前記スイッチング素子を
覆って形成された無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜上に形
成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成され、
前記無機絶縁膜および前記有機絶縁膜に形成されたコン
タクトホールを介して前記スイッチング素子に接続され
た画素電極と、を有し、前記アレイ基板の前記シール領
域は、前記シール内領域から延在された前記配線および
前記無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜の直上に前記配線に
重畳して形成された無機膜と、を有することを特徴とす
る液晶表示装置、である。
て対向配置されたアレイ基板および対向基板と、この間
隙に封入された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記液晶表示装置は、前記シールが形成されるシール領
域と、前記シールにより封止されたシール内領域と、を
有し、前記アレイ基板の前記シール内領域は、基板上に
形成された配線と、前記配線に接続して形成されたスイ
ッチング素子と、前記配線及び前記スイッチング素子を
覆って形成された無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜上に形
成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成され、
前記無機絶縁膜および前記有機絶縁膜に形成されたコン
タクトホールを介して前記スイッチング素子に接続され
た画素電極と、を有し、前記アレイ基板の前記シール領
域は、前記シール内領域から延在された前記配線および
前記無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜の直上に前記配線に
重畳して形成された無機膜と、を有することを特徴とす
る液晶表示装置、である。
【０００８】また、本発明は、シールを介して対向配置
されたアレイ基板および対向基板と、この間隙に封入さ
れた液晶とを有する液晶表示装置において、前記液晶表
示装置は、前記シールが形成されるシール領域と、前記
シールにより封止されたシール内領域と、前記シールを
挟んで前記シール内領域の反対側に存在するシール外領
域と、を有し、前記アレイ基板は、基板上に形成された
スイッチング素子と、前記スイッチング素子を含む基板
を覆って形成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に
形成され、前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホー
ルを介して前記スイッチング素子に接続された画素電極
と、を有し、前記有機絶縁膜は、前記シール領域を除い
て前記シール内領域と前記シール外領域とに形成され、
前記シールは、前記シール内領域に形成された前記有機
絶縁膜または前記シール外領域に形成された前記有機絶
縁膜の少なくとも一方に接していることを特徴とする液
晶表示装置、である。
されたアレイ基板および対向基板と、この間隙に封入さ
れた液晶とを有する液晶表示装置において、前記液晶表
示装置は、前記シールが形成されるシール領域と、前記
シールにより封止されたシール内領域と、前記シールを
挟んで前記シール内領域の反対側に存在するシール外領
域と、を有し、前記アレイ基板は、基板上に形成された
スイッチング素子と、前記スイッチング素子を含む基板
を覆って形成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に
形成され、前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホー
ルを介して前記スイッチング素子に接続された画素電極
と、を有し、前記有機絶縁膜は、前記シール領域を除い
て前記シール内領域と前記シール外領域とに形成され、
前記シールは、前記シール内領域に形成された前記有機
絶縁膜または前記シール外領域に形成された前記有機絶
縁膜の少なくとも一方に接していることを特徴とする液
晶表示装置、である。
【０００９】また、本発明は、シールを介して対向配置
されたアレイ基板および対向基板と、この間隙に封入さ
れた液晶とを有する液晶表示装置の製造方法において、
前記アレイ基板の製造工程は、基板上に配線と前記配線
に接続されるスイッチング素子を形成する工程と、前記
配線及び前記スイッチング素子を覆うように無機絶縁膜
を形成する工程と、前記無機絶縁膜上に有機絶縁膜を形
成する工程と、前記シールが形成されるシール領域の前
記有機絶縁膜を除去する工程と、基板全面に導電膜を形
成する工程と、前記導電膜上にレジストを形成する工程
と、画素を形成する領域、および前記シール領域の少な
くとも前記配線上に前記レジストを残してレジストパタ
ーンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスク
として前記導電膜をウェットエッチングによりパターニ
ングする工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置
の製造方法である。
されたアレイ基板および対向基板と、この間隙に封入さ
れた液晶とを有する液晶表示装置の製造方法において、
前記アレイ基板の製造工程は、基板上に配線と前記配線
に接続されるスイッチング素子を形成する工程と、前記
配線及び前記スイッチング素子を覆うように無機絶縁膜
を形成する工程と、前記無機絶縁膜上に有機絶縁膜を形
成する工程と、前記シールが形成されるシール領域の前
記有機絶縁膜を除去する工程と、基板全面に導電膜を形
成する工程と、前記導電膜上にレジストを形成する工程
と、画素を形成する領域、および前記シール領域の少な
くとも前記配線上に前記レジストを残してレジストパタ
ーンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスク
として前記導電膜をウェットエッチングによりパターニ
ングする工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置
の製造方法である。
【００１０】
（実施例１）本発明の実施の形態の一例を図１から図３
を使用して説明する。なお、この例において、液晶表示
装置は駆動回路一体型のアクティブマトリクス型液晶表
示装置である。表示領域の周囲のアレイ基板上には、走
査線に走査信号を伝送するＹ方向駆動回路、及び信号線
に画像信号を伝送するＸ方向駆動回路が配置される。ス
イッチング素子としてポリシリコンＴＦＴが採用されて
いる。なお、詳細な説明はＴＦＴ完成後、即ち信号線の
形成工程が終了した後からとする。
を使用して説明する。なお、この例において、液晶表示
装置は駆動回路一体型のアクティブマトリクス型液晶表
示装置である。表示領域の周囲のアレイ基板上には、走
査線に走査信号を伝送するＹ方向駆動回路、及び信号線
に画像信号を伝送するＸ方向駆動回路が配置される。ス
イッチング素子としてポリシリコンＴＦＴが採用されて
いる。なお、詳細な説明はＴＦＴ完成後、即ち信号線の
形成工程が終了した後からとする。
【００１１】図１は信号線１９の形成が終了した段階で
の、アレイ基板の断面図である。図１に示すように、ガ
ラス基板１１の上に酸化珪素膜と窒化珪素膜の二層構造
からなるアンダーコーティング膜１２が形成され、その
上に半導体活性層１３（チャネル）、ソース・ドレイン
となる高濃度不純物領域１６、ゲート酸化膜１４、ゲー
ト電極１５などによって、コプラナー型のポリシリコン
ＴＦＴが形成されている。なお、走査線はゲート電極１
５と同一の工程で形成される。走査線及びゲート電極１
５の上には、酸化膜によって第一層間絶縁膜１７が形成
される。第一層間絶縁膜１７の上にＭｏとＡｌの二層構
造からなる信号線１９が形成される。信号線１９は、第
一層間絶縁膜１７及びゲート酸化膜１４を貫通する第一
のコンタクトホール１８を介して、高濃度不純物領域１
６に接続されている。
の、アレイ基板の断面図である。図１に示すように、ガ
ラス基板１１の上に酸化珪素膜と窒化珪素膜の二層構造
からなるアンダーコーティング膜１２が形成され、その
上に半導体活性層１３（チャネル）、ソース・ドレイン
となる高濃度不純物領域１６、ゲート酸化膜１４、ゲー
ト電極１５などによって、コプラナー型のポリシリコン
ＴＦＴが形成されている。なお、走査線はゲート電極１
５と同一の工程で形成される。走査線及びゲート電極１
５の上には、酸化膜によって第一層間絶縁膜１７が形成
される。第一層間絶縁膜１７の上にＭｏとＡｌの二層構
造からなる信号線１９が形成される。信号線１９は、第
一層間絶縁膜１７及びゲート酸化膜１４を貫通する第一
のコンタクトホール１８を介して、高濃度不純物領域１
６に接続されている。
【００１２】次に図２に示すように、信号線１９の上
に、プラズマＣＶＤ法を用いて酸化珪素膜と窒化珪素膜
の二層構造からなる無機絶縁膜２０を膜厚０．４５μｍ
で堆積する。リアクティブイオンエッチング法によって
無機絶縁膜２０をエッチングして、第二のコンタクトホ
ール２２を信号線１９まで開口する。感光性を有する有
機材料を塗布した後、露光、現像、エッチングを行って
有機絶縁膜２１を形成する。この有機絶縁膜２１に、第
二のコンタクトホール２２を開口する。なお、この例で
は、有機絶縁膜２１の膜厚は０．２μｍである。以上の
ように、無機絶縁膜２０及びその上に形成された有機絶
縁膜２１によって、第二層間絶縁膜３９が構成される。
に、プラズマＣＶＤ法を用いて酸化珪素膜と窒化珪素膜
の二層構造からなる無機絶縁膜２０を膜厚０．４５μｍ
で堆積する。リアクティブイオンエッチング法によって
無機絶縁膜２０をエッチングして、第二のコンタクトホ
ール２２を信号線１９まで開口する。感光性を有する有
機材料を塗布した後、露光、現像、エッチングを行って
有機絶縁膜２１を形成する。この有機絶縁膜２１に、第
二のコンタクトホール２２を開口する。なお、この例で
は、有機絶縁膜２１の膜厚は０．２μｍである。以上の
ように、無機絶縁膜２０及びその上に形成された有機絶
縁膜２１によって、第二層間絶縁膜３９が構成される。
【００１３】さらに、第二層間絶縁膜３９の上に、ＩＴ
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）をスパッタ法
により堆積する。その上に、フォトレジストを膜厚１．
２μｍで塗布し、露光、現像の後、ウエットエッチング
を行って画素電極２３を形成する。
Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）をスパッタ法
により堆積する。その上に、フォトレジストを膜厚１．
２μｍで塗布し、露光、現像の後、ウエットエッチング
を行って画素電極２３を形成する。
【００１４】図３（ａ）に、画素電極２３の形成工程が
終了した後のアレイ基板を上方から見た概要図を示す。
アレイ基板の中央部には表示領域２４があり、表示領域
２４の左右に当たるアレイ基板の周辺部にＹ方向駆動回
路２５、表示領域２４の上下に当たるアレイ基板の周辺
部にＸ方向駆動回路２６が配置されている。信号線の引
出し配線２７によって表示領域２４の内部とＸ方向駆動
回路２６とが互いに接続され、走査線の引出し配線３７
によって表示領域２４の内部とＹ方向駆動回路２５とが
互いに接続されている。
終了した後のアレイ基板を上方から見た概要図を示す。
アレイ基板の中央部には表示領域２４があり、表示領域
２４の左右に当たるアレイ基板の周辺部にＹ方向駆動回
路２５、表示領域２４の上下に当たるアレイ基板の周辺
部にＸ方向駆動回路２６が配置されている。信号線の引
出し配線２７によって表示領域２４の内部とＸ方向駆動
回路２６とが互いに接続され、走査線の引出し配線３７
によって表示領域２４の内部とＹ方向駆動回路２５とが
互いに接続されている。
【００１５】なお、冗長性を考慮して両側駆動としてい
るので、Ｘ方向駆動回路２６及びＹ方向駆動回路２５
は、それぞれ、上下、左右に一対ずつ設けられている。
また、信号線の引出し配線２７は、工程数の増加を避け
るため、信号線と同一の工程で形成されるのでＭｏとＡ
ｌの二層配線である。
るので、Ｘ方向駆動回路２６及びＹ方向駆動回路２５
は、それぞれ、上下、左右に一対ずつ設けられている。
また、信号線の引出し配線２７は、工程数の増加を避け
るため、信号線と同一の工程で形成されるのでＭｏとＡ
ｌの二層配線である。
【００１６】ここで、本発明に基づく液晶表示装置で
は、画素電極２３を構成するＩＴＯ膜をパターニングす
る際、図３（ａ）に示すように、表示領域２４とＸ方向
駆動回路２６との間の境界領域（シール領域）にあるＩ
ＴＯ膜２８を残す。
は、画素電極２３を構成するＩＴＯ膜をパターニングす
る際、図３（ａ）に示すように、表示領域２４とＸ方向
駆動回路２６との間の境界領域（シール領域）にあるＩ
ＴＯ膜２８を残す。
【００１７】図３（ｂ）に図３（ａ）中のＡ部の拡大
図、即ち、アレイ基板の表示領域２４とＸ方向駆動回路
２６との境界領域部分の部分拡大図を示す。図３（ｃ）
に図３（ｂ）中のＤ−Ｄ部の部分拡大断面図を示す。図
中、２７は信号線の引出し配線、２８はＩＴＯ膜、１４
はゲート酸化膜、１７は第一層間絶縁膜、２０は無機材
料からなる絶縁膜（第二層間絶縁膜の下層部分）、２１
は有機材料からなる絶縁膜（第二層間絶縁膜の上層部
分）、２３は画素電極を構成するＩＴＯ膜を表わす。
図、即ち、アレイ基板の表示領域２４とＸ方向駆動回路
２６との境界領域部分の部分拡大図を示す。図３（ｃ）
に図３（ｂ）中のＤ−Ｄ部の部分拡大断面図を示す。図
中、２７は信号線の引出し配線、２８はＩＴＯ膜、１４
はゲート酸化膜、１７は第一層間絶縁膜、２０は無機材
料からなる絶縁膜（第二層間絶縁膜の下層部分）、２１
は有機材料からなる絶縁膜（第二層間絶縁膜の上層部
分）、２３は画素電極を構成するＩＴＯ膜を表わす。
【００１８】図３（ｂ）中、破線Ｂの下方側が表示領域
であり、破線Ｃの上方側がＸ方向駆動回路領域、二つの
破線で挟まれた部分が境界領域となる。また、図３
（ｃ）中、破線Ｂの左側が表示領域、破線Ｃの右側がＸ
方向駆動回路領域であり、二つの破線で挟まれた部分が
境界領域となる。
であり、破線Ｃの上方側がＸ方向駆動回路領域、二つの
破線で挟まれた部分が境界領域となる。また、図３
（ｃ）中、破線Ｂの左側が表示領域、破線Ｃの右側がＸ
方向駆動回路領域であり、二つの破線で挟まれた部分が
境界領域となる。
【００１９】図３（ｃ）に示すように、境界領域の上で
は有機絶縁膜２１が除去されている。これは、先に説明
したように、境界領域の上に後続の工程でシール材が配
置されるためである。また、図中、２８は画素電極と同
じ工程で形成されるＩＴＯ膜であり、このＩＴＯ膜２８
は無機絶縁膜２０を介して信号線の引出し配線２７の上
方を覆うように形成される。ＩＴＯ膜２８を形成するこ
とによって、画素電極２３のパターニングの工程におい
て、ＩＴＯ膜専用のエッチング液による信号線の引出し
配線２７の腐食が防止される。即ち、画素電極２３のフ
ォトリソグラフィーの工程の際、無機絶縁膜２０に加え
て、ＩＴＯ膜２８の上に形成されているフォトレジスト
（図示せず）が、引出し配線２７をＩＴＯ膜用のエッチ
ング液から保護する機能を担う。
は有機絶縁膜２１が除去されている。これは、先に説明
したように、境界領域の上に後続の工程でシール材が配
置されるためである。また、図中、２８は画素電極と同
じ工程で形成されるＩＴＯ膜であり、このＩＴＯ膜２８
は無機絶縁膜２０を介して信号線の引出し配線２７の上
方を覆うように形成される。ＩＴＯ膜２８を形成するこ
とによって、画素電極２３のパターニングの工程におい
て、ＩＴＯ膜専用のエッチング液による信号線の引出し
配線２７の腐食が防止される。即ち、画素電極２３のフ
ォトリソグラフィーの工程の際、無機絶縁膜２０に加え
て、ＩＴＯ膜２８の上に形成されているフォトレジスト
（図示せず）が、引出し配線２７をＩＴＯ膜用のエッチ
ング液から保護する機能を担う。
【００２０】（実施例２）本発明の実施の形態の他の例
を、図４に示す。図４（ａ）は、画素電極２３の形成工
程が終了した後のアレイ基板を上方から見た概要図であ
り、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＡ部の部分拡大図であ
る。
を、図４に示す。図４（ａ）は、画素電極２３の形成工
程が終了した後のアレイ基板を上方から見た概要図であ
り、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＡ部の部分拡大図であ
る。
【００２１】この例では、画素電極と同じ工程で形成さ
れるＩＴＯ膜２８は、各信号線の引出し配線２７の上方
に、各引出し配線毎にそれぞれ電気的に独立して形成さ
れている。ＩＴＯ膜２８を、このように形成することに
よって、仮に無機絶縁膜２０（図３（ｃ））にピンホー
ルなどの欠陥があってＩＴＯ膜２８と各信号線の引出し
配線２７とが短絡した場合にも、アレイ基板の機能不良
には至らない。従って、このような構造は歩留まりの向
上に効果がある。
れるＩＴＯ膜２８は、各信号線の引出し配線２７の上方
に、各引出し配線毎にそれぞれ電気的に独立して形成さ
れている。ＩＴＯ膜２８を、このように形成することに
よって、仮に無機絶縁膜２０（図３（ｃ））にピンホー
ルなどの欠陥があってＩＴＯ膜２８と各信号線の引出し
配線２７とが短絡した場合にも、アレイ基板の機能不良
には至らない。従って、このような構造は歩留まりの向
上に効果がある。
【００２２】（実施例３）本発明の実施の形態の他の例
を、図５に示す。図５（ａ）は、画素電極２３の形成工
程が終了した後のアレイ基板を上方から見た概要図であ
り、図５（ｂ）は図５（ａ）中のＡ部の部分拡大図であ
る。
を、図５に示す。図５（ａ）は、画素電極２３の形成工
程が終了した後のアレイ基板を上方から見た概要図であ
り、図５（ｂ）は図５（ａ）中のＡ部の部分拡大図であ
る。
【００２３】この例では、画素電極と同じ工程で形成さ
れるＩＴＯ膜２９が、表示領域２４とＸ方向駆動回路２
６との間の境界領域、及び表示領域２４とＹ方向駆動回
路２５との間の境界領域を通って、表示領域２４の周囲
の周囲を取り囲むように電気的に連続して形成されてい
る。このように、表示領域２４の周囲を取り囲むように
ＩＴＯ膜２９を形成することによって、このＩＴＯ膜２
９は、信号線の引出し配線２７を保護すると同時に、ア
レイ基板内での静電気の帯電を防止するガードリングと
しての機能をも備える。
れるＩＴＯ膜２９が、表示領域２４とＸ方向駆動回路２
６との間の境界領域、及び表示領域２４とＹ方向駆動回
路２５との間の境界領域を通って、表示領域２４の周囲
の周囲を取り囲むように電気的に連続して形成されてい
る。このように、表示領域２４の周囲を取り囲むように
ＩＴＯ膜２９を形成することによって、このＩＴＯ膜２
９は、信号線の引出し配線２７を保護すると同時に、ア
レイ基板内での静電気の帯電を防止するガードリングと
しての機能をも備える。
【００２４】（実施例４）本発明の実施の形態の他の例
を、図６に示す。図６（ａ）は、画素電極２３の形成工
程が終了した後のアレイ基板を上方から見た概要図であ
り、図６（ｂ）は図６（ａ）中のＡ部の部分拡大図であ
り、図６（ｃ）は図６（ｂ）中のＤ−Ｄ部の部分拡大断
面図である。
を、図６に示す。図６（ａ）は、画素電極２３の形成工
程が終了した後のアレイ基板を上方から見た概要図であ
り、図６（ｂ）は図６（ａ）中のＡ部の部分拡大図であ
り、図６（ｃ）は図６（ｂ）中のＤ−Ｄ部の部分拡大断
面図である。
【００２５】この例では、画素電極と同じ工程で形成さ
れるＩＴＯ膜２８が、各信号線の引出し配線２７の上方
に各配線毎にそれぞれ電気的に独立して形成される。こ
れに加えて、画素電極と同じ工程で形成されるＩＴＯ膜
２９が、表示領域２４とＸ方向駆動回路２６との間の境
界領域、及び表示領域２４とＹ方向駆動回路領域との間
の境界領域を通って、表示領域２４の周囲を取り囲むよ
うに電気的に連続して形成されている。なお、ＩＴＯ膜
２８とＩＴＯ膜２９とは互いに電気的に隔離されてい
る。
れるＩＴＯ膜２８が、各信号線の引出し配線２７の上方
に各配線毎にそれぞれ電気的に独立して形成される。こ
れに加えて、画素電極と同じ工程で形成されるＩＴＯ膜
２９が、表示領域２４とＸ方向駆動回路２６との間の境
界領域、及び表示領域２４とＹ方向駆動回路領域との間
の境界領域を通って、表示領域２４の周囲を取り囲むよ
うに電気的に連続して形成されている。なお、ＩＴＯ膜
２８とＩＴＯ膜２９とは互いに電気的に隔離されてい
る。
【００２６】この例では、ＩＴＯ膜２８は信号線の引出
し配線２７を保護する機能を受け持ち、一方、ＩＴＯ膜
２９はアレイ基板内での静電気の帯電を防止するガード
リングとしての機能を受け持つ。なお、この場合、ＩＴ
Ｏ膜２９の線幅は、ＩＴＯ膜２９と各信号線の引出し配
線２７との短絡の危険をできるだけ減らすために、ＩＴ
Ｏ膜２８と比べて幅を狭く形成することが望ましい。
し配線２７を保護する機能を受け持ち、一方、ＩＴＯ膜
２９はアレイ基板内での静電気の帯電を防止するガード
リングとしての機能を受け持つ。なお、この場合、ＩＴ
Ｏ膜２９の線幅は、ＩＴＯ膜２９と各信号線の引出し配
線２７との短絡の危険をできるだけ減らすために、ＩＴ
Ｏ膜２８と比べて幅を狭く形成することが望ましい。
【００２７】なお、以上の例において、画素電極部分の
ＩＴＯ膜の下地２１は、有機材料による絶縁膜とした
が、下地に着色レジストを用いる場合にも上記の例と同
様の効果が得られる。従って、着色レジスト上にＩＴＯ
膜を形成した構造についても本発明が適用できる。
ＩＴＯ膜の下地２１は、有機材料による絶縁膜とした
が、下地に着色レジストを用いる場合にも上記の例と同
様の効果が得られる。従って、着色レジスト上にＩＴＯ
膜を形成した構造についても本発明が適用できる。
【００２８】（実施例５）本発明の実施の形態の他の例
を図７に示す。図７は、シール領域４２（境界領域）の
上にシール材４５が配置された状態を表わす部分拡大断
面図である。なお、この例では、シール領域４２の上に
ＩＴＯ膜は設けられていない。
を図７に示す。図７は、シール領域４２（境界領域）の
上にシール材４５が配置された状態を表わす部分拡大断
面図である。なお、この例では、シール領域４２の上に
ＩＴＯ膜は設けられていない。
【００２９】この例では、表示領域２４の上に加えて、
駆動回路などが配置される周辺領域４３の上にも有機絶
縁膜２１ａが形成されている。シール材４５は、表示領
域の上の有機絶縁膜２１の端面及び周辺領域の上の有機
絶縁膜２１ａの端面に接触するように配置される。この
ように構成することにより、対向基板をアレイ基板の上
に接着する際、シール材４５が有機絶縁膜２１、２１ａ
の端面によって拘束されシール材のいちが安定する。
駆動回路などが配置される周辺領域４３の上にも有機絶
縁膜２１ａが形成されている。シール材４５は、表示領
域の上の有機絶縁膜２１の端面及び周辺領域の上の有機
絶縁膜２１ａの端面に接触するように配置される。この
ように構成することにより、対向基板をアレイ基板の上
に接着する際、シール材４５が有機絶縁膜２１、２１ａ
の端面によって拘束されシール材のいちが安定する。
【００３０】また、図７に示すように、有機絶縁膜２
１、２１ａの端面をアレイ基板の表面に対して鈍角をな
すよう形成することによって、シール材４５と有機絶縁
膜２１、２１ａの端面との接触の確保が容易になる。
１、２１ａの端面をアレイ基板の表面に対して鈍角をな
すよう形成することによって、シール材４５と有機絶縁
膜２１、２１ａの端面との接触の確保が容易になる。
【００３１】なお、シール材４５を、表示領域上の有機
絶縁膜２１の端面あるいは周辺領域上の有機絶縁膜２１
ａの端面のいずれか一方に接触するように配置すれば、
上述の効果は得られる。
絶縁膜２１の端面あるいは周辺領域上の有機絶縁膜２１
ａの端面のいずれか一方に接触するように配置すれば、
上述の効果は得られる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置では、シール領域の上にＩＴＯ（または、他の無機
材料）からなる薄膜を形成することによって、画素電極
のパターニングの際、無機絶縁膜の欠陥部で発生する引
出し配線の腐食が防止される。
装置では、シール領域の上にＩＴＯ（または、他の無機
材料）からなる薄膜を形成することによって、画素電極
のパターニングの際、無機絶縁膜の欠陥部で発生する引
出し配線の腐食が防止される。
【００３３】更に、ＩＴＯ薄膜を、表示領域を取り囲む
ように電気的に連続させて形成することによって、液晶
表示装置の製造工程の途中で静電気が発生しても、静電
気はＩＴＯ膜を伝わるため、液晶表示装置の内部に影響
を与えない。従って、静電破壊に対して強いアレイ構造
が得られる。
ように電気的に連続させて形成することによって、液晶
表示装置の製造工程の途中で静電気が発生しても、静電
気はＩＴＯ膜を伝わるため、液晶表示装置の内部に影響
を与えない。従って、静電破壊に対して強いアレイ構造
が得られる。
【００３４】また、シール材を、表示領域上の有機絶縁
膜の端面及び周辺領域上の有機絶縁膜の端面の内、少な
くとも一方に接触するように配置すれば、シール材の位
置を安定させる効果が得られる。
膜の端面及び周辺領域上の有機絶縁膜の端面の内、少な
くとも一方に接触するように配置すれば、シール材の位
置を安定させる効果が得られる。
【図１】本発明の実施の形態における液晶表示装置の、
信号線形成工程が終了した段階でのアレイ基板の部分断
面図。
信号線形成工程が終了した段階でのアレイ基板の部分断
面図。
【図２】本発明の実施の形態における液晶表示装置の、
画素電極形成工程が終了した段階でのアレイ基板の部分
断面図。
画素電極形成工程が終了した段階でのアレイ基板の部分
断面図。
【図３】３（ａ）は、本発明の実施例１における液晶表
示装置の、画素電極形成工程が終了した段階でのアレイ
基板の上面図。３（ｂ）は、３（ａ）中のＡ部の部分拡
大断面図。３（ｃ）は、３（ｂ）中のＤ−Ｄ断面の部分
拡大断面図。
示装置の、画素電極形成工程が終了した段階でのアレイ
基板の上面図。３（ｂ）は、３（ａ）中のＡ部の部分拡
大断面図。３（ｃ）は、３（ｂ）中のＤ−Ｄ断面の部分
拡大断面図。
【図４】４（ａ）は、本発明の実施例２における液晶表
示装置の、画素電極形成工程が終了した段階でのアレイ
基板の上面図。４（ｂ）は、４（ａ）中のＡ部の部分拡
大図。
示装置の、画素電極形成工程が終了した段階でのアレイ
基板の上面図。４（ｂ）は、４（ａ）中のＡ部の部分拡
大図。
【図５】５（ａ）は、本発明の実施例３における液晶表
示装置の、画素電極形成工程が終了した段階でのアレイ
基板の上面図。５（ｂ）は、５（ａ）中のＡ部の部分拡
大図。
示装置の、画素電極形成工程が終了した段階でのアレイ
基板の上面図。５（ｂ）は、５（ａ）中のＡ部の部分拡
大図。
【図６】６（ａ）は、本発明の実施例４における液晶表
示装置の、画素電極形成工程が終了した段階でのアレイ
基板の上面図。６（ｂ）は、６（ａ）中のＡ部の部分拡
大図。６（ｃ）は、６（ｂ）中のＤ−Ｄ断面の部分拡大
断面図。
示装置の、画素電極形成工程が終了した段階でのアレイ
基板の上面図。６（ｂ）は、６（ａ）中のＡ部の部分拡
大図。６（ｃ）は、６（ｂ）中のＤ−Ｄ断面の部分拡大
断面図。
【図７】本発明の実施例５における液晶表示装置の、ア
レイ基板上の表示領域と駆動回路領域の境界領域（シー
ル領域）の部分断面図。
レイ基板上の表示領域と駆動回路領域の境界領域（シー
ル領域）の部分断面図。
【図８】従来の液晶表示装置におけるアレイ基板の表示
領域と駆動回路領域の境界部分（シール領域）の部分断
面図。
領域と駆動回路領域の境界部分（シール領域）の部分断
面図。
１１…ガラス基板 １２…アンダーコーティング膜 １３…半導体活性層（チャネル） １４、６４…ゲート酸化膜 １５…ゲート電極 １６…高濃度不純物領域（ソース・ドレイン） １７、６７…第一層間絶縁膜 １８…第一のコンタクトホール １９、６９…信号線 ２０、７０…無機絶縁膜 ２１、７１…有機絶縁膜 ２２…第二のコンタクトホール ２３、７３…画素電極 ２４…表示領域 ２５…Ｙ方向駆動回路 ２６…Ｘ方向駆動回路 ２７…信号線の引出し配線 ２８、２９…ＩＴＯ膜 ３７…走査線の引出し配線 ３９…第二層間絶縁膜 ４２…シール領域 ４３…周辺領域 ４５…シール材 ８１…境界領域
Claims (10)
- 【請求項１】 シールを介して対向配置されたアレイ基
板および対向基板と、この間隙に封入された液晶とを有
する液晶表示装置において、 前記液晶表示装置は、 前記シールが形成されるシール領域と、 前記シールにより封止されたシール内領域と、を有し、 前記アレイ基板の前記シール内領域は、 基板上に形成された配線と、 前記配線に接続して形成されたスイッチング素子と、 前記配線及び前記スイッチング素子を覆って形成された
無機絶縁膜と、 前記無機絶縁膜上に形成された有機絶縁膜と、 前記有機絶縁膜上に形成され、前記無機絶縁膜および前
記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前
記スイッチング素子に接続された画素電極と、を有し、 前記アレイ基板の前記シール領域は、 前記シール内領域から延在された前記配線および前記無
機絶縁膜と、 前記無機絶縁膜の直上に前記配線に重畳して形成された
無機膜と、を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記無機膜は、前記画素電極と同材料か
らなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記無機膜は、各配線上毎にそれぞれ独
立して形成されていることを特徴とする請求項２記載の
液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記液晶表示装置は、前記シールを挟ん
で前記シール内領域の反対側に存在するシール外領域、
を有し、 前記有機絶縁膜は、前記シール外領域にも形成され、 前記シールは、前記シール内領域に形成された前記有機
絶縁膜または前記シール外領域に形成された前記有機絶
縁膜の少なくとも一方に接していることを特徴とする請
求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記シール内領域と前記シール外領域と
に形成された前記有機絶縁膜のそれぞれの端面はテーパ
ー形状であることを特徴とする請求項４記載の液晶表示
装置。 - 【請求項６】 前記無機膜は、前記画素電極と同材料か
らなることを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記無機膜は、各配線上毎にそれぞれ独
立して形成されていることを特徴とする請求項６記載の
液晶表示装置。 - 【請求項８】 シールを介して対向配置されたアレイ基
板および対向基板と、この間隙に封入された液晶とを有
する液晶表示装置において、 前記液晶表示装置は、 前記シールが形成されるシール領域と、 前記シールにより封止されたシール内領域と、 前記シールを挟んで前記シール内領域の反対側に存在す
るシール外領域と、を有し、 前記アレイ基板は、 基板上に形成されたスイッチング素子と、 前記スイッチング素子を含む基板を覆って形成された有
機絶縁膜と、 前記有機絶縁膜上に形成され、前記有機絶縁膜に形成さ
れたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に
接続された画素電極と、を有し、 前記有機絶縁膜は、 前記シール領域を除いて前記シール内領域と前記シール
外領域とに形成され、 前記シールは、 前記シール内領域に形成された前記有機絶縁膜または前
記シール外領域に形成された前記有機絶縁膜の少なくと
も一方に接していることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記シール内領域と前記シール外領域と
に形成された前記有機絶縁膜のそれぞれの端面はテーパ
ー形状であることを特徴とする請求項８記載の液晶表示
装置。 - 【請求項１０】 シールを介して対向配置されたアレイ
基板および対向基板と、この間隙に封入された液晶とを
有する液晶表示装置の製造方法において、 前記アレイ基板の製造工程は、 基板上に配線と前記配線に接続されるスイッチング素子
を形成する工程と、 前記配線及び前記スイッチング素子を覆うように無機絶
縁膜を形成する工程と、 前記無機絶縁膜上に有機絶縁膜を形成する工程と、 前記シールが形成されるシール領域の前記有機絶縁膜を
除去する工程と、 基板全面に導電膜を形成する工程と、 前記導電膜上にレジストを形成する工程と、 画素を形成する領域、および前記シール領域の少なくと
も前記配線上に前記レジストを残してレジストパターン
を形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクとして前記導電膜をウェ
ットエッチングによりパターニングする工程と、を含む
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7892498A JP4054102B2 (ja) | 1997-03-27 | 1998-03-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7535097 | 1997-03-27 | ||
| JP9-75350 | 1997-11-17 | ||
| JP7892498A JP4054102B2 (ja) | 1997-03-27 | 1998-03-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10325967A true JPH10325967A (ja) | 1998-12-08 |
| JP4054102B2 JP4054102B2 (ja) | 2008-02-27 |
Family
ID=26416489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7892498A Expired - Fee Related JP4054102B2 (ja) | 1997-03-27 | 1998-03-26 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4054102B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2350204A (en) * | 1999-05-21 | 2000-11-22 | Lg Philips Lcd Co Ltd | LCD with sealed data link |
| JP2001159872A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-06-12 | Toshiba Corp | 平面表示装置およびその製造方法 |
| US6580486B1 (en) | 1999-07-02 | 2003-06-17 | Nec Corporation | Active matrix liquid crystal display device having electrostatic shielding layer between data lines |
| JP2006330733A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2007293350A (ja) * | 2001-05-14 | 2007-11-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用薄膜トランジスター |
| JP2009139394A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半透過型液晶表示装置、及びその製造方法 |
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| JP2012189716A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Japan Display East Co Ltd | 画像表示装置 |
| JP2014160316A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量式入力装置 |
| JP2015508506A (ja) * | 2012-01-27 | 2015-03-19 | ユニバーシティ オブ テネシー リサーチ ファウンデーション | 交流動電によるバイオマーカーの検出のための方法および装置 |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP7892498A patent/JP4054102B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8941565B2 (en) | 1999-06-21 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device |
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| US6580486B1 (en) | 1999-07-02 | 2003-06-17 | Nec Corporation | Active matrix liquid crystal display device having electrostatic shielding layer between data lines |
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| JP4707692B2 (ja) * | 2001-05-14 | 2011-06-22 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置用薄膜トランジスター基板及びその製造方法 |
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| JP2006330733A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US8097480B2 (en) | 2005-05-24 | 2012-01-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of making the same |
| JP2009139394A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半透過型液晶表示装置、及びその製造方法 |
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