JPH10324063A - 相変化型光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
相変化型光記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH10324063A JPH10324063A JP9136682A JP13668297A JPH10324063A JP H10324063 A JPH10324063 A JP H10324063A JP 9136682 A JP9136682 A JP 9136682A JP 13668297 A JP13668297 A JP 13668297A JP H10324063 A JPH10324063 A JP H10324063A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光の照射により生じる記録層の相構造の変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行なう相変化型光
記録媒体において、繰り返し動作をより長期間にわたっ
て安定に行なうことを目的とする。 【解決手段】 相変化型の記録層が１〜３０原子％の酸
素を含む。
を利用して情報の記録・再生・消去を行なう相変化型光
記録媒体において、繰り返し動作をより長期間にわたっ
て安定に行なうことを目的とする。 【解決手段】 相変化型の記録層が１〜３０原子％の酸
素を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光を用いて情報が
記録再生される光情報記録媒体に関し、特に相変化型光
記録媒体およびその製造方法に関する。
記録再生される光情報記録媒体に関し、特に相変化型光
記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化型光記録媒体は、光照射、主にレ
ーザー光の照射によって生じた物質の非晶質状態と結晶
状態の間の可逆的な構造変化（相変化）を、情報の記録
に利用している。こうした相変化型光記録媒体は、情報
の高速処理能力に加えて記録容量が大きい。そうした中
で相変化型光記録媒体には、高速記録した情報をより高
速で消去する性能が求められている。そしてそのために
は一旦記録した情報を消去し、さらにその上に別の情報
を記録（オーバーライト：Ｏｖｅｒ−ｗｒｉｔｅ）す
る、記録・消去の繰り返しの安定動作が必要不可欠とな
る。この記録・消去の繰り返し回数は多いことが好まし
い。
ーザー光の照射によって生じた物質の非晶質状態と結晶
状態の間の可逆的な構造変化（相変化）を、情報の記録
に利用している。こうした相変化型光記録媒体は、情報
の高速処理能力に加えて記録容量が大きい。そうした中
で相変化型光記録媒体には、高速記録した情報をより高
速で消去する性能が求められている。そしてそのために
は一旦記録した情報を消去し、さらにその上に別の情報
を記録（オーバーライト：Ｏｖｅｒ−ｗｒｉｔｅ）す
る、記録・消去の繰り返しの安定動作が必要不可欠とな
る。この記録・消去の繰り返し回数は多いことが好まし
い。
【０００３】記録・消去の繰り返し特性には、記録層材
料や保護層材料等の各種の物性が影響を与えることが知
られている。そのために例えば記録層の材料としては、
ＧｅＳｂＴｅ材料が知られているが、組成比Ｇｅ：Ｓ
ｂ：Ｔｅ＝２：２：５〜２：２．５：５において良好な
繰り返し特性が得られることが報告されている。また記
録層ＧｅＳｂＴｅにＣｒ、Ｎなどを含ませた材料でさら
に繰り返し特性が向上することが報告されている。
料や保護層材料等の各種の物性が影響を与えることが知
られている。そのために例えば記録層の材料としては、
ＧｅＳｂＴｅ材料が知られているが、組成比Ｇｅ：Ｓ
ｂ：Ｔｅ＝２：２：５〜２：２．５：５において良好な
繰り返し特性が得られることが報告されている。また記
録層ＧｅＳｂＴｅにＣｒ、Ｎなどを含ませた材料でさら
に繰り返し特性が向上することが報告されている。
【０００４】また記録層の酸素含有量を２０００ｐｐｍ
以下とすることで、記録層の物質移動（流動）が大幅に
低減され、広いレーザーパワー領域において安定な繰り
返し特性を有するとの報告（特開平４−３２９１８３号
公報）がある。
以下とすることで、記録層の物質移動（流動）が大幅に
低減され、広いレーザーパワー領域において安定な繰り
返し特性を有するとの報告（特開平４−３２９１８３号
公報）がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】相変化型光記録媒体に
おいては、高出力のレーザー光による溶融後の急冷によ
る非晶化で記録が、中出力のレーザー光による加熱後の
徐冷による結晶化で消去が行われる。情報の記録保存を
目的とする記録媒体としては、この記録・消去の多数回
の繰り返しにおける安定動作が必要不可欠となる。しか
しながら、この記録消去動作は、レーザー光による３０
０℃以上の急激な加熱、溶融および冷却を繰り返すこと
から、記録層や保護層が熱的損傷を受けたり、記録層材
料の流動消失、さらに記録層の組成によっては、局所的
な組成の偏析等が起こることで、信号特性の劣化が生
じ、安定動作する記録消去の繰り返し回数が限られてし
まうという課題がある。
おいては、高出力のレーザー光による溶融後の急冷によ
る非晶化で記録が、中出力のレーザー光による加熱後の
徐冷による結晶化で消去が行われる。情報の記録保存を
目的とする記録媒体としては、この記録・消去の多数回
の繰り返しにおける安定動作が必要不可欠となる。しか
しながら、この記録消去動作は、レーザー光による３０
０℃以上の急激な加熱、溶融および冷却を繰り返すこと
から、記録層や保護層が熱的損傷を受けたり、記録層材
料の流動消失、さらに記録層の組成によっては、局所的
な組成の偏析等が起こることで、信号特性の劣化が生
じ、安定動作する記録消去の繰り返し回数が限られてし
まうという課題がある。
【０００６】この記録消去の繰り返し特性を向上させる
試みには、偏析の少ない記録層組成の選択や、熱膨張率
の小さい材料を保護層として用いることで熱的損傷を抑
えたり、記録層と保護層のとの間に接着層を設け、接着
性の向上により流動消失を抑制するなどの試みがなされ
ている。その結果、繰り返し回数５０万回の安定動作が
得られている。しかし、さらに記録消去の繰り返し回数
５０万回を超え、１００万回レベルの安定動作の実現に
は更なる信号特性の劣化抑制の課題があった。
試みには、偏析の少ない記録層組成の選択や、熱膨張率
の小さい材料を保護層として用いることで熱的損傷を抑
えたり、記録層と保護層のとの間に接着層を設け、接着
性の向上により流動消失を抑制するなどの試みがなされ
ている。その結果、繰り返し回数５０万回の安定動作が
得られている。しかし、さらに記録消去の繰り返し回数
５０万回を超え、１００万回レベルの安定動作の実現に
は更なる信号特性の劣化抑制の課題があった。
【０００７】本発明はかかる従来技術の課題を解決し
て、記録・消去の繰り返し特性を向上させ、安定に記録
再生の行なえる相変化型光記録媒体を得ることを目的と
する。
て、記録・消去の繰り返し特性を向上させ、安定に記録
再生の行なえる相変化型光記録媒体を得ることを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の相変化型光記録
媒体は、光の照射により生じる記録層の相構造の変化を
利用して情報の記録・再生・消去を行なう相変化型光記
録媒体であって、相変化記録層が酸素を含んだ材料であ
ること、および酸素を含んだ相変化記録層を、酸素元素
を含んだガスを少なくとも１種類以上含んだ混合ガスを
用いたスパッタ法で形成することを特徴とする。
媒体は、光の照射により生じる記録層の相構造の変化を
利用して情報の記録・再生・消去を行なう相変化型光記
録媒体であって、相変化記録層が酸素を含んだ材料であ
ること、および酸素を含んだ相変化記録層を、酸素元素
を含んだガスを少なくとも１種類以上含んだ混合ガスを
用いたスパッタ法で形成することを特徴とする。
【０００９】本発明の相変化型光記録媒体においては上
記方法によって、記録層に酸素を含有させることで、繰
り返し回数を低減させる要因である膜の剥離、クラック
の発生、記録層の流動等が無い光記録媒体を提供するこ
とができるが、その際に記録層の酸素の含有量は１〜３
０原子％であることが必要である。この含有量が１原子
％より少ない場合は記録層の流動等を抑える効果が少な
く、繰り返し回数を向上させることはできない。また３
０原子％よりも多い場合は記録層が過剰に酸化され安定
した消去・記録の繰り返しの安定動作ができなくなるた
め、繰り返し回数は低減する。さらに３０原子％よりも
多い場合は適切な感度と反射率の媒体が得られないとい
う不都合が発生する。
記方法によって、記録層に酸素を含有させることで、繰
り返し回数を低減させる要因である膜の剥離、クラック
の発生、記録層の流動等が無い光記録媒体を提供するこ
とができるが、その際に記録層の酸素の含有量は１〜３
０原子％であることが必要である。この含有量が１原子
％より少ない場合は記録層の流動等を抑える効果が少な
く、繰り返し回数を向上させることはできない。また３
０原子％よりも多い場合は記録層が過剰に酸化され安定
した消去・記録の繰り返しの安定動作ができなくなるた
め、繰り返し回数は低減する。さらに３０原子％よりも
多い場合は適切な感度と反射率の媒体が得られないとい
う不都合が発生する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明において酸素を含む相変化
記録層としては、繰り返し特性の優れているＧｅＳｂＴ
ｅを含む記録層が好ましい。記録層を挟持する保護層と
しては、基板やＡｌを含む反射層との接着性が強く、膜
応力の小さいＳｉＯ2またはＺｎＳ−ＳｉＯ2が好まし
い。また基板から遠い側の保護層のさらに外側には、Ａ
ｌを含む反射層を設けることが好ましい。Ａｌを含む反
射層が好ましい理由としては、光反射性が高く、かつ熱
伝導率を高くできることにある。さらにＧｅＳｂＴｅを
含む記録層と保護層の間に接着層を設けることはかまわ
ない。接着層としては、特に接着性の高いＺｎＳが好ま
しい。
記録層としては、繰り返し特性の優れているＧｅＳｂＴ
ｅを含む記録層が好ましい。記録層を挟持する保護層と
しては、基板やＡｌを含む反射層との接着性が強く、膜
応力の小さいＳｉＯ2またはＺｎＳ−ＳｉＯ2が好まし
い。また基板から遠い側の保護層のさらに外側には、Ａ
ｌを含む反射層を設けることが好ましい。Ａｌを含む反
射層が好ましい理由としては、光反射性が高く、かつ熱
伝導率を高くできることにある。さらにＧｅＳｂＴｅを
含む記録層と保護層の間に接着層を設けることはかまわ
ない。接着層としては、特に接着性の高いＺｎＳが好ま
しい。
【００１１】記録層の製造方法としては、ＡｒガスにＯ
2ガス，Ｈ2Ｏガス，ＣＯ2ガス，ＣＯガスを１種類以上
含んだ混合ガスを用いたスパッタリング法が好ましい。
また酸素元素を含んだガスとして他に、ＣＨ3ＯＣＨ3，
ＣＨ3ＯＨ，ＣＨ3ＣＯＣＨ3等が挙げられる。なお、こ
れらの酸素元素を含んだガスの導入方法は特に限定され
ない。また混合ガス中にＮ2ガス等が含まれていても構
わない。
2ガス，Ｈ2Ｏガス，ＣＯ2ガス，ＣＯガスを１種類以上
含んだ混合ガスを用いたスパッタリング法が好ましい。
また酸素元素を含んだガスとして他に、ＣＨ3ＯＣＨ3，
ＣＨ3ＯＨ，ＣＨ3ＣＯＣＨ3等が挙げられる。なお、こ
れらの酸素元素を含んだガスの導入方法は特に限定され
ない。また混合ガス中にＮ2ガス等が含まれていても構
わない。
【００１２】ここで記録層の酸素の含有量は１〜３０原
子％であることが必要である。この含有量が１原子％よ
り少ない場合は記録層の流動等を抑える効果が少なく、
繰り返し回数を向上させることはできない。また３０原
子％よりも多い場合は記録層が過剰に酸化され安定した
消去・記録の繰り返しの安定動作ができなくなるため、
繰り返し回数は低減する。さらに３０原子％よりも多い
場合は適切な感度と反射率の媒体が得られないという不
都合が発生する。
子％であることが必要である。この含有量が１原子％よ
り少ない場合は記録層の流動等を抑える効果が少なく、
繰り返し回数を向上させることはできない。また３０原
子％よりも多い場合は記録層が過剰に酸化され安定した
消去・記録の繰り返しの安定動作ができなくなるため、
繰り返し回数は低減する。さらに３０原子％よりも多い
場合は適切な感度と反射率の媒体が得られないという不
都合が発生する。
【００１３】［実施例１〜３および比較例１〜３］透明
基板／第１の透明誘電体保護層／記録層／透明誘電体の
接着層／第２の透明誘電体保護層／反射層／紫外線硬化
型保護層の構成からなる相変化型光記録媒体を作製し
た。
基板／第１の透明誘電体保護層／記録層／透明誘電体の
接着層／第２の透明誘電体保護層／反射層／紫外線硬化
型保護層の構成からなる相変化型光記録媒体を作製し
た。
【００１４】ここで透明基板には、トラッキング用の溝
を有し、かつポリカーボネート製のものを用いた。第１
の透明誘電体保護層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（膜厚１４０
ｎｍ）であり、透明基板上にマグネトロンスパッタリン
グによって形成した。記録層は、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5に酸
素を含んだ膜（膜厚２５ｎｍ）である。接着層は、Ｚｎ
Ｓ（膜厚２５ｎｍ）である。第２の透明誘電体保護層
は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（膜厚２０ｎｍ）である。反射層
は、Ａｌ（膜厚１３０ｎｍ）である。紫外線硬化型保護
層は膜厚が２μｍである。そしてここでは、実施例１〜
３および比較例１〜２として、記録層の形成方法として
ＡｒガスとＯ2ガスの混合ガスによるスパッタリングを
行ない、この時の酸素の含有量を０．５〜３５原子％に
変えた試料を作製した。比較例３は、Ａｒガスのみによ
るスパッタリングを行なった。
を有し、かつポリカーボネート製のものを用いた。第１
の透明誘電体保護層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（膜厚１４０
ｎｍ）であり、透明基板上にマグネトロンスパッタリン
グによって形成した。記録層は、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5に酸
素を含んだ膜（膜厚２５ｎｍ）である。接着層は、Ｚｎ
Ｓ（膜厚２５ｎｍ）である。第２の透明誘電体保護層
は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（膜厚２０ｎｍ）である。反射層
は、Ａｌ（膜厚１３０ｎｍ）である。紫外線硬化型保護
層は膜厚が２μｍである。そしてここでは、実施例１〜
３および比較例１〜２として、記録層の形成方法として
ＡｒガスとＯ2ガスの混合ガスによるスパッタリングを
行ない、この時の酸素の含有量を０．５〜３５原子％に
変えた試料を作製した。比較例３は、Ａｒガスのみによ
るスパッタリングを行なった。
【００１５】このように作製した相変化型光記録媒体の
試料に対して、次のようにして記録・再生・消去を行な
った。相変化型光記録媒体を駆動装置にかけて約２００
０ｒｐｍで回転させ、波長が７８０ｎｍの半導体レーザ
ーによりピークパワー１１ｍｗ、バイアスパワー５．５
ｍＷで、１．５Ｔと４．０Ｔの信号を交互にオーバーラ
イトすることを繰り返し、リードパワー１ｍＷで再生時
に評価したセクター数６６個中に欠陥セクターが発生す
る書き換え回数を測定した。ここで１．５Ｔと４．０Ｔ
の信号とは（２，７）変調記録方式における記録マーク
の間隔がそれぞれ最短および最長である単一周波数の信
号と定義する。
試料に対して、次のようにして記録・再生・消去を行な
った。相変化型光記録媒体を駆動装置にかけて約２００
０ｒｐｍで回転させ、波長が７８０ｎｍの半導体レーザ
ーによりピークパワー１１ｍｗ、バイアスパワー５．５
ｍＷで、１．５Ｔと４．０Ｔの信号を交互にオーバーラ
イトすることを繰り返し、リードパワー１ｍＷで再生時
に評価したセクター数６６個中に欠陥セクターが発生す
る書き換え回数を測定した。ここで１．５Ｔと４．０Ｔ
の信号とは（２，７）変調記録方式における記録マーク
の間隔がそれぞれ最短および最長である単一周波数の信
号と定義する。
【００１６】その結果、実施例１（酸素含有量 １原子
％）においては、繰り返し書き換え回数８０万回まで欠
陥セクターの発生が認められなかった。書き換え回数９
０万回では、欠陥セクタ数１８個が発生した。また実施
例２（酸素含有量 １５原子％）においては、繰り返し
書き換え回数１００万回まで欠陥セクターの発生が認め
られなかった。書き換え回数１１０万回では、欠陥セク
ター数１２個が発生した。実施例３（酸素含有量 ３０
原子％）においては、繰り返し書き換え回数７０万回ま
で欠陥セクターの発生が認められなかった。書き換え回
数８０万回では、欠陥セクター数４０個が発生した。
％）においては、繰り返し書き換え回数８０万回まで欠
陥セクターの発生が認められなかった。書き換え回数９
０万回では、欠陥セクタ数１８個が発生した。また実施
例２（酸素含有量 １５原子％）においては、繰り返し
書き換え回数１００万回まで欠陥セクターの発生が認め
られなかった。書き換え回数１１０万回では、欠陥セク
ター数１２個が発生した。実施例３（酸素含有量 ３０
原子％）においては、繰り返し書き換え回数７０万回ま
で欠陥セクターの発生が認められなかった。書き換え回
数８０万回では、欠陥セクター数４０個が発生した。
【００１７】比較例１（酸素含有量 ３５原子％）にお
いては、繰り返し書き換え回数４０万回まで欠陥セクタ
ーの発生が認められなかった。書き換え回数５０万回で
は、欠陥セクター数３５個が発生した。比較例２（酸素
含有量 ０．５原子％）においては、繰り返し書き換え
回数５０万回まで欠陥セクターの発生が認められなかっ
た。書き換え回数６０万回では、欠陥セクター数２２個
が発生した。比較例３（Ａｒガスのみでスパッタリン
グ）においては、繰り返し書き換え回数５０万回まで欠
陥セクターの発生が認められなかった。書き換え回数６
０万回では、欠陥セクター数１３個が発生した。
いては、繰り返し書き換え回数４０万回まで欠陥セクタ
ーの発生が認められなかった。書き換え回数５０万回で
は、欠陥セクター数３５個が発生した。比較例２（酸素
含有量 ０．５原子％）においては、繰り返し書き換え
回数５０万回まで欠陥セクターの発生が認められなかっ
た。書き換え回数６０万回では、欠陥セクター数２２個
が発生した。比較例３（Ａｒガスのみでスパッタリン
グ）においては、繰り返し書き換え回数５０万回まで欠
陥セクターの発生が認められなかった。書き換え回数６
０万回では、欠陥セクター数１３個が発生した。
【００１８】以上のように、酸素含有量が１原子％より
小さいと繰り返し書き換え回数の向上の効果がみられ
ず、逆に３０原子％より大きくすると、繰り返し書き換
え回数が低下してしまう。ゆえに酸素含有量は１〜３０
原子％の範囲が適当である。
小さいと繰り返し書き換え回数の向上の効果がみられ
ず、逆に３０原子％より大きくすると、繰り返し書き換
え回数が低下してしまう。ゆえに酸素含有量は１〜３０
原子％の範囲が適当である。
【００１９】［実施例４〜６および比較例４〜５］実施
例４〜６および比較例４〜５として、記録層の形成方法
としてＡｒガスとＯ2ガスの混合ガスによるスパッタリ
ングを行ない、この時のＯ2ガス分圧を６．７ｍＰａ〜
２．７Ｐａに変えた試料を作製した。それ以外は実施例
１〜３と同じ条件で試料を作製した。そして評価も実施
例１〜３と同じ条件で行なった。
例４〜６および比較例４〜５として、記録層の形成方法
としてＡｒガスとＯ2ガスの混合ガスによるスパッタリ
ングを行ない、この時のＯ2ガス分圧を６．７ｍＰａ〜
２．７Ｐａに変えた試料を作製した。それ以外は実施例
１〜３と同じ条件で試料を作製した。そして評価も実施
例１〜３と同じ条件で行なった。
【００２０】その結果、実施例４（Ｏ2ガス分圧２７ｍ
Ｐａ）においては、繰り返し書き換え回数７０万回まで
欠陥セクターの発生が認められなかった。書き換え回数
８０万回においてですら、欠陥セクタ数１５個であっ
た。また実施例５（Ｏ2ガス分圧０．１３ｍＰａ）にお
いては、繰り返し書き換え回数１００万回まで欠陥セク
ターの発生が認められなかった。書き換え回数１１０万
回では、欠陥セクター数９個が発生した。実施例６（Ｏ
2ガス分圧１．１ｍＰａ）においては、繰り返し書き換
え回数７０万回まで欠陥セクターの発生が認められなか
った。書き換え回数８０万回においてですら、欠陥セク
ター数３４個であった。
Ｐａ）においては、繰り返し書き換え回数７０万回まで
欠陥セクターの発生が認められなかった。書き換え回数
８０万回においてですら、欠陥セクタ数１５個であっ
た。また実施例５（Ｏ2ガス分圧０．１３ｍＰａ）にお
いては、繰り返し書き換え回数１００万回まで欠陥セク
ターの発生が認められなかった。書き換え回数１１０万
回では、欠陥セクター数９個が発生した。実施例６（Ｏ
2ガス分圧１．１ｍＰａ）においては、繰り返し書き換
え回数７０万回まで欠陥セクターの発生が認められなか
った。書き換え回数８０万回においてですら、欠陥セク
ター数３４個であった。
【００２１】比較例４（Ｏ2ガス分圧６．７ｍＰａ）に
おいては、繰り返し書き換え回数５０万回まで欠陥セク
ターの発生が認められなかった。しかし書き換え回数６
０万回では、欠陥セクター数１１個が発生した。比較例
５（Ｏ2ガス分圧２．７Ｐａ）においては、繰り返し書
き換え回数４０万回まで欠陥セクターの発生が認められ
なかった。しかし書き換え回数５０万回では、欠陥セク
ター数４２個が発生した。
おいては、繰り返し書き換え回数５０万回まで欠陥セク
ターの発生が認められなかった。しかし書き換え回数６
０万回では、欠陥セクター数１１個が発生した。比較例
５（Ｏ2ガス分圧２．７Ｐａ）においては、繰り返し書
き換え回数４０万回まで欠陥セクターの発生が認められ
なかった。しかし書き換え回数５０万回では、欠陥セク
ター数４２個が発生した。
【００２２】以上のように、Ｏ2ガス分圧１５ｍＰａよ
り小さいと繰り返し書き換え回数の向上の効果がみられ
ず、逆に１．５Ｐａより大きくすると、繰り返し書き換
え回数が低下してしまう。ゆえにＯ2ガス分圧は１５ｍ
Ｐａ〜１．５Ｐａの範囲が適当である。
り小さいと繰り返し書き換え回数の向上の効果がみられ
ず、逆に１．５Ｐａより大きくすると、繰り返し書き換
え回数が低下してしまう。ゆえにＯ2ガス分圧は１５ｍ
Ｐａ〜１．５Ｐａの範囲が適当である。
【００２３】［実施例７］実施例７については、記録層
の形成方法としてＡｒガスとＨ2Ｏガス（Ｈ2Ｏガス分圧
０．６７Ｐａ）の混合ガスによるスパッタリングを行な
い、それ以外は実施例１〜３と同じ条件で試料を作製し
た。そして評価も実施例１〜３と同じ条件で行なった。
この実施例４においては、繰り返し書き換え回数８０万
回まで欠陥セクターの発生が認められなかった。書き換
え回数９０万回では、欠陥セクター数１７個が発生し
た。
の形成方法としてＡｒガスとＨ2Ｏガス（Ｈ2Ｏガス分圧
０．６７Ｐａ）の混合ガスによるスパッタリングを行な
い、それ以外は実施例１〜３と同じ条件で試料を作製し
た。そして評価も実施例１〜３と同じ条件で行なった。
この実施例４においては、繰り返し書き換え回数８０万
回まで欠陥セクターの発生が認められなかった。書き換
え回数９０万回では、欠陥セクター数１７個が発生し
た。
【００２４】［実施例８］実施例８については、Ａｒガ
スとＣＯ2ガス（ＣＯ2ガス分圧０．１３Ｐａ）の混合ガ
スによるスパッタリングを行ない、それ以外は実施例１
〜４と同じ条件で試料を作製した。そして評価も実施例
１〜４と同じ条件で行なった。この実施例５において
は、繰り返し書き換え回数６０万回まで欠陥セクターの
発生が認められなかった。書き換え回数７０万回です
ら、欠陥セクター数１１個であった。
スとＣＯ2ガス（ＣＯ2ガス分圧０．１３Ｐａ）の混合ガ
スによるスパッタリングを行ない、それ以外は実施例１
〜４と同じ条件で試料を作製した。そして評価も実施例
１〜４と同じ条件で行なった。この実施例５において
は、繰り返し書き換え回数６０万回まで欠陥セクターの
発生が認められなかった。書き換え回数７０万回です
ら、欠陥セクター数１１個であった。
【００２５】［実施例９］実施例９については、Ａｒガ
スとＣＯガス（ＣＯガス分圧０．６７Ｐａ）の混合ガス
によるスパッタリングを行ない、それ以外は実施例１〜
４と同じ条件で試料を作製した。そして評価も実施例１
〜４と同じ条件で行なった。この実施例６においては、
繰り返し書き換え回数６０万回まで欠陥セクターの発生
が認められなかった。書き換え回数７０万回ですら、欠
陥セクター数１２個であった。
スとＣＯガス（ＣＯガス分圧０．６７Ｐａ）の混合ガス
によるスパッタリングを行ない、それ以外は実施例１〜
４と同じ条件で試料を作製した。そして評価も実施例１
〜４と同じ条件で行なった。この実施例６においては、
繰り返し書き換え回数６０万回まで欠陥セクターの発生
が認められなかった。書き換え回数７０万回ですら、欠
陥セクター数１２個であった。
【００２６】以上の検討結果より、本発明の製造方法に
より相変化型の記録層に１〜３０原子％の酸素を含ませ
たことで、特に優れた記録・消去（オーバーライト）の
繰り返し耐久性を示すことが明らかになった。
より相変化型の記録層に１〜３０原子％の酸素を含ませ
たことで、特に優れた記録・消去（オーバーライト）の
繰り返し耐久性を示すことが明らかになった。
【００２７】
【発明の効果】以上、本発明の製造方法による相変化型
光記録媒体によれば、相変化記録層に酸素を含んだこと
で、記録・消去（オーバーライト）の繰り返し動作をよ
り長期間にわたって安定に行なうことができた。
光記録媒体によれば、相変化記録層に酸素を含んだこと
で、記録・消去（オーバーライト）の繰り返し動作をよ
り長期間にわたって安定に行なうことができた。
Claims (14)
- 【請求項１】 光の照射により生じる記録層の相構造の
変化を利用して情報の記録・再生・消去を行なう相変化
型光記録媒体であって、相変化型の記録層が１〜３０原
子％の酸素を含んだ材料であることを特徴とする相変化
型光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層がカルコゲン元素を含むことを特
徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項３】 記録層がＧｅＳｂＴｅを含むことを特徴
とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項４】 記録層は２つの保護層によって挟持され
た状態で基板上に形成され、基板から遠い側の保護層の
さらに外側には、Ａｌを含む反射層を有することを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載の相変化型光記録
媒体。 - 【請求項５】 記録層と保護層の間に接着層を有するこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の相変化
型光記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の相変化
型光記録媒体を製造する際に、酸素元素を含んだガスを
少なくとも１種類以上含んだ混合ガスを用いたスパッタ
リング法で、記録層を形成することを特徴とする相変化
型光記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 酸素元素を含んだガスの１種類がＯ2ガ
スであることを特徴とする請求項６記載の相変化型光記
録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 酸素元素を含んだガスの１種類がＨ2Ｏ
ガスであることを特徴とする請求項６記載の相変化型光
記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 酸素元素を含んだガスの１種類がＣＯ2
ガスであることを特徴とする請求項６記載の相変化型光
記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 酸素元素を含んだガスの１種類がＣＯ
ガスであることを特徴とする請求項６記載の相変化型光
記録媒体の製造方法。 - 【請求項１１】 記録層を形成するときのＯ2ガス分圧
を１５ｍＰａ〜１．５Ｐａとすることを特徴とする請求
項７記載の相変化型光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 記録層を形成するときのＨ2Ｏガス分
圧を６７ｍＰａ〜６．７Ｐａとすることを特徴とする請
求項８記載の相変化型光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１３】 記録層を形成するときのＣＯ2ガス分
圧を１５ｍＰａ〜１．５Ｐａとすることを特徴とする請
求項９記載の相変化型光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１４】 記録層を形成するときのＣＯガス分圧
を６７ｍＰａ〜６．７Ｐａとすることを特徴とする請求
項１０記載の相変化型光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9136682A JPH10324063A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 相変化型光記録媒体およびその製造方法 |
| EP98302975A EP0874361A3 (en) | 1997-04-25 | 1998-04-17 | Phase change optical recording medium and process for manufacturing same |
| EP01204091A EP1178477A1 (en) | 1997-04-25 | 1998-04-17 | Phase change optical recording medium and process for manufacturing same |
| US09/064,611 US6141315A (en) | 1997-04-25 | 1998-04-23 | Phase change optical recording medium containing oxygen and process for manufacturing the same |
| CA002232225A CA2232225A1 (en) | 1997-04-25 | 1998-04-23 | Phase change optical recording medium and process for manufacturing same |
| TW087106349A TW428162B (en) | 1997-04-25 | 1998-04-24 | Phase change optical recording medium and process for manufacturing same |
| KR1019980014832A KR100314790B1 (ko) | 1997-04-25 | 1998-04-25 | 위상변화광기록매체및그제조방법 |
| US09/678,835 US6445675B1 (en) | 1997-04-25 | 2000-10-04 | Phase change optical recording medium and process for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9136682A JPH10324063A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 相変化型光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10324063A true JPH10324063A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15181019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9136682A Pending JPH10324063A (ja) | 1997-04-25 | 1997-05-27 | 相変化型光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10324063A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000006391A1 (fr) * | 1998-07-31 | 2000-02-10 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support et procede d'enregistrement d'informations |
-
1997
- 1997-05-27 JP JP9136682A patent/JPH10324063A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000006391A1 (fr) * | 1998-07-31 | 2000-02-10 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support et procede d'enregistrement d'informations |
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