JPH10321583A - 基板の乾燥方法 - Google Patents
基板の乾燥方法Info
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- JPH10321583A JPH10321583A JP14448797A JP14448797A JPH10321583A JP H10321583 A JPH10321583 A JP H10321583A JP 14448797 A JP14448797 A JP 14448797A JP 14448797 A JP14448797 A JP 14448797A JP H10321583 A JPH10321583 A JP H10321583A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水の表面張力によるメニスカスと遠赤外線を
利用して、LCD基板や半導体ウェーハなどの平板状の
基板の表面に水滴痕を生じさせることなく完全に乾燥さ
せることができる基板の乾燥方法を提供する。 【解決手段】 平板状の基板1との間に毛細管現象が発
生する程度の僅かのすきまが形成されるように水切りブ
ロック4を基板表面に向けて対向配置するとともに、そ
の前方側に位置して基板に付着した水滴の大半を除去す
るための支切り板20を基板表面に向けて対向配置し、
洗浄とすすぎの終わった基板1をローラ2によって搬送
しながら支切り板20部分を通過させた後、水切りブロ
ック4部分を通過させることにより、基板表面に残存し
た水滴Wを基板表面に一様に拡散せしめて水切りブロッ
ク4の出口側端面9と基板表面との間にメニスカス10
を形成し、該メニスカス部分を遠赤外線ヒータ6で照射
加熱しながら水分を蒸発乾燥させる。
利用して、LCD基板や半導体ウェーハなどの平板状の
基板の表面に水滴痕を生じさせることなく完全に乾燥さ
せることができる基板の乾燥方法を提供する。 【解決手段】 平板状の基板1との間に毛細管現象が発
生する程度の僅かのすきまが形成されるように水切りブ
ロック4を基板表面に向けて対向配置するとともに、そ
の前方側に位置して基板に付着した水滴の大半を除去す
るための支切り板20を基板表面に向けて対向配置し、
洗浄とすすぎの終わった基板1をローラ2によって搬送
しながら支切り板20部分を通過させた後、水切りブロ
ック4部分を通過させることにより、基板表面に残存し
た水滴Wを基板表面に一様に拡散せしめて水切りブロッ
ク4の出口側端面9と基板表面との間にメニスカス10
を形成し、該メニスカス部分を遠赤外線ヒータ6で照射
加熱しながら水分を蒸発乾燥させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LCD基板や半導
体ウェーハなどの平板状の基板の洗浄工程において用い
られる基板の乾燥方法に関する。
体ウェーハなどの平板状の基板の洗浄工程において用い
られる基板の乾燥方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図3に、従来の乾燥方法を示す。図にお
いて、1は洗浄とすすぎの終わったLCD基板や半導体
ウェーハなどの平板状の基板、2は平板状の基板1を搬
送するローラ、3は基板1の表面に向けて乾燥用のエア
を吹き付けるためのエアナイフノズルであって、ローラ
2に載せて送られてくる洗浄とすすぎの終わった基板1
の表面に向けてエアナイフノズル3から乾燥用のエアを
吹き付けることにより、基板表面に付着している水滴W
を蒸発乾燥させるものである。
いて、1は洗浄とすすぎの終わったLCD基板や半導体
ウェーハなどの平板状の基板、2は平板状の基板1を搬
送するローラ、3は基板1の表面に向けて乾燥用のエア
を吹き付けるためのエアナイフノズルであって、ローラ
2に載せて送られてくる洗浄とすすぎの終わった基板1
の表面に向けてエアナイフノズル3から乾燥用のエアを
吹き付けることにより、基板表面に付着している水滴W
を蒸発乾燥させるものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の乾燥方法の場合、エアナイフノズル3から噴き
出される乾燥用のエアが基板表面に付着している水滴W
を吹き飛ばした時のミストが基板表面に再び付着し、基
板表面に水滴痕となって残ってしまうことがあった。ま
た、大量のエアを必要とする欠点もある。
た従来の乾燥方法の場合、エアナイフノズル3から噴き
出される乾燥用のエアが基板表面に付着している水滴W
を吹き飛ばした時のミストが基板表面に再び付着し、基
板表面に水滴痕となって残ってしまうことがあった。ま
た、大量のエアを必要とする欠点もある。
【0004】本発明は、上記のような問題を解決するた
めになされたもので、水の表面張力によるメニスカスと
遠赤外線を利用して、LCD基板や半導体ウェーハなど
の平板状の基板をその表面に水滴痕を生じさせることな
く完全に乾燥させることができる基板の乾燥方法を提供
することを目的とする。
めになされたもので、水の表面張力によるメニスカスと
遠赤外線を利用して、LCD基板や半導体ウェーハなど
の平板状の基板をその表面に水滴痕を生じさせることな
く完全に乾燥させることができる基板の乾燥方法を提供
することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基板表面との間に毛細管現象が発生する
程度の僅かのすきまが形成されるように水切りブロック
を基板の搬送経路上に位置して基板表面に向けて対向配
置し、洗浄とすすぎの終わった基板を搬送機構によって
搬送しながら前記水切りブロック部分を通過させること
により、基板表面に付着した水滴を基板表面に一様に拡
散せしめて水切りブロックの出口側端面と基板表面との
間にメニスカスを形成し、該メニスカス部分を遠赤外線
で照射加熱しながら水分を蒸発乾燥させるようにしたも
のである。なお、前記水切りブロックの前方側に位置し
て、基板に付着している水滴を掻き落として除去するた
めの支切り板を基板表面に向けて所定の間隙をおいて対
向配置することが望ましい。さらに、前記水切りブロッ
クと支切り板は基板の進行方向と直交する向きから所定
の角度だけ前後方向へ傾斜させて配置することが望まし
い。
め、本発明は、基板表面との間に毛細管現象が発生する
程度の僅かのすきまが形成されるように水切りブロック
を基板の搬送経路上に位置して基板表面に向けて対向配
置し、洗浄とすすぎの終わった基板を搬送機構によって
搬送しながら前記水切りブロック部分を通過させること
により、基板表面に付着した水滴を基板表面に一様に拡
散せしめて水切りブロックの出口側端面と基板表面との
間にメニスカスを形成し、該メニスカス部分を遠赤外線
で照射加熱しながら水分を蒸発乾燥させるようにしたも
のである。なお、前記水切りブロックの前方側に位置し
て、基板に付着している水滴を掻き落として除去するた
めの支切り板を基板表面に向けて所定の間隙をおいて対
向配置することが望ましい。さらに、前記水切りブロッ
クと支切り板は基板の進行方向と直交する向きから所定
の角度だけ前後方向へ傾斜させて配置することが望まし
い。
【0006】
【作用】洗浄とすすぎが終わって表面に大量の水滴が付
着したままの基板は、まず支切り板の下を通過すること
によってその表面に付着している水滴の大部分が掻き落
とされて除去された後、水切りブロックへ搬送される。
基板が水切りブロックの下に入っていくと、基板の表面
に残存している水滴は毛細管現象によって水切りブロッ
クと基板表面との間に形成されたすきま全体に一様に拡
散し、水膜を形成する。そして、この水膜は水切りブロ
ックの出口側端面と基板表面との間にその表面張力によ
って山の裾野のようなメニスカスを形成する。このメニ
スカスの先端部分は、基板が移動されていくに従って基
板表面によって引っ張られ、水膜の厚さがだんだんと薄
くなっていく。
着したままの基板は、まず支切り板の下を通過すること
によってその表面に付着している水滴の大部分が掻き落
とされて除去された後、水切りブロックへ搬送される。
基板が水切りブロックの下に入っていくと、基板の表面
に残存している水滴は毛細管現象によって水切りブロッ
クと基板表面との間に形成されたすきま全体に一様に拡
散し、水膜を形成する。そして、この水膜は水切りブロ
ックの出口側端面と基板表面との間にその表面張力によ
って山の裾野のようなメニスカスを形成する。このメニ
スカスの先端部分は、基板が移動されていくに従って基
板表面によって引っ張られ、水膜の厚さがだんだんと薄
くなっていく。
【0007】このような状態において、前記メニスカス
部分を遠赤外線で照射して加熱すると、引き延ばされて
薄くなったメニスカス先端部分の温度が最も高くなり、
メニスカス先端部分の表面張力と粘性が他の部分よりも
小さくなる。したがって、基板の移動に伴ってメニスカ
スの先端側の水膜が引っ張られて薄くなっていっても、
それに伴って先端側の表面張力と粘性が小さくなってい
くため、薄く引き延ばされていくメニスカス先端付近の
水膜がその表面張力によって引きちぎられて水滴化する
というようなことがなくなり、メニスカス先端部は薄い
水膜となった状態のままで遠赤外線により加熱されて蒸
発乾燥していく。このため、基板表面に付着した水滴が
水滴痕となって残存するようなことがなくなる。また、
基板表面に残った水滴痕に空気中に漂う異物やゴミなど
の微粒子が付着して基板が再汚染されてしまうというよ
うなこともなくなり、基板の表面は極めて清澄な状態で
乾燥される。
部分を遠赤外線で照射して加熱すると、引き延ばされて
薄くなったメニスカス先端部分の温度が最も高くなり、
メニスカス先端部分の表面張力と粘性が他の部分よりも
小さくなる。したがって、基板の移動に伴ってメニスカ
スの先端側の水膜が引っ張られて薄くなっていっても、
それに伴って先端側の表面張力と粘性が小さくなってい
くため、薄く引き延ばされていくメニスカス先端付近の
水膜がその表面張力によって引きちぎられて水滴化する
というようなことがなくなり、メニスカス先端部は薄い
水膜となった状態のままで遠赤外線により加熱されて蒸
発乾燥していく。このため、基板表面に付着した水滴が
水滴痕となって残存するようなことがなくなる。また、
基板表面に残った水滴痕に空気中に漂う異物やゴミなど
の微粒子が付着して基板が再汚染されてしまうというよ
うなこともなくなり、基板の表面は極めて清澄な状態で
乾燥される。
【0008】また、前記水切りブロックを基板の進行方
向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向へ傾斜さ
せて配置した場合には、水切りブロックのすきまに入り
きらない余分な水については水切りブロックの前縁の傾
斜に沿って押し流されていき、最終的に基板の端縁から
押し出されて排水される。したがって、水切りブロック
部分に送り込まれる水滴Wの水量を少なくすることがで
き、水滴の乾燥速度を高速化することができる。
向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向へ傾斜さ
せて配置した場合には、水切りブロックのすきまに入り
きらない余分な水については水切りブロックの前縁の傾
斜に沿って押し流されていき、最終的に基板の端縁から
押し出されて排水される。したがって、水切りブロック
部分に送り込まれる水滴Wの水量を少なくすることがで
き、水滴の乾燥速度を高速化することができる。
【0009】また、前記支切り板を基板の進行方向と直
交する向きから所定の角度だけ前後方向へ傾斜させて配
置した場合には、支切り板の隙間に入りきらない余分な
水については、支切り板の前縁の傾斜に沿って押し流さ
れていき、最終的に基板の端縁から押し出されて排水さ
れる。したがって、水切りブロックへ送り込まれる水滴
Wの水量をさらに少なくすることができ、水滴の乾燥速
度をさらに高速化することができる。
交する向きから所定の角度だけ前後方向へ傾斜させて配
置した場合には、支切り板の隙間に入りきらない余分な
水については、支切り板の前縁の傾斜に沿って押し流さ
れていき、最終的に基板の端縁から押し出されて排水さ
れる。したがって、水切りブロックへ送り込まれる水滴
Wの水量をさらに少なくすることができ、水滴の乾燥速
度をさらに高速化することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1および図2に本発明の
一実施形態を示す。図において、1は洗浄とすすぎの終
わったLCD基板や半導体ウェーハなどの平板状の基
板、2は基板1を搬送する基板搬送機構としてのローラ
であって、このローラ2による基板1の搬送経路の途中
に、水切りブロック4が基板表面との間に毛細管現象の
発生する程度の僅かのすきま(例えば、0.5〜1mm
程度)をおいて基板表面に向けて対向配置されていると
ともに、この水切りブロック4の前方側に、基板上に付
着している水滴Wの大半を事前に除去するための支切り
板20が基板表面に向けて所定の間隔(同じく0.5〜
1mm程度)をおいて対向配置されている。そして、前
記水切りブロック4の出口側端面9の近傍には、基板表
面に付着している水滴を加熱するための遠赤外線ヒータ
5が配置されている。
て図面を参照して説明する。図1および図2に本発明の
一実施形態を示す。図において、1は洗浄とすすぎの終
わったLCD基板や半導体ウェーハなどの平板状の基
板、2は基板1を搬送する基板搬送機構としてのローラ
であって、このローラ2による基板1の搬送経路の途中
に、水切りブロック4が基板表面との間に毛細管現象の
発生する程度の僅かのすきま(例えば、0.5〜1mm
程度)をおいて基板表面に向けて対向配置されていると
ともに、この水切りブロック4の前方側に、基板上に付
着している水滴Wの大半を事前に除去するための支切り
板20が基板表面に向けて所定の間隔(同じく0.5〜
1mm程度)をおいて対向配置されている。そして、前
記水切りブロック4の出口側端面9の近傍には、基板表
面に付着している水滴を加熱するための遠赤外線ヒータ
5が配置されている。
【0011】前記水切りブロック4は、親水性と保水性
を備えた材料(例えば、酸洗いしたステンレス材など)
から構成されており、基板1の進行方向と直交する向き
に対して所定の角度αだけ前後方向に傾斜させた状態で
基板1の進行方向と直交する向きの全幅を覆うように掛
け渡されている。この傾斜角αを与えることにより、基
板1の始端面と終端面における水切りを良好にするとと
もに、余分な水を水切りブロック4の前縁に沿って矢印
(イ)方向に誘導し、基板1の端縁から押し出して排水
するものである。なお、この傾斜角αは、基板1の搬送
速度や基板表面に付着する水滴Wの量に応じて0〜45
°の範囲内で最適な値に調整されるものである。
を備えた材料(例えば、酸洗いしたステンレス材など)
から構成されており、基板1の進行方向と直交する向き
に対して所定の角度αだけ前後方向に傾斜させた状態で
基板1の進行方向と直交する向きの全幅を覆うように掛
け渡されている。この傾斜角αを与えることにより、基
板1の始端面と終端面における水切りを良好にするとと
もに、余分な水を水切りブロック4の前縁に沿って矢印
(イ)方向に誘導し、基板1の端縁から押し出して排水
するものである。なお、この傾斜角αは、基板1の搬送
速度や基板表面に付着する水滴Wの量に応じて0〜45
°の範囲内で最適な値に調整されるものである。
【0012】また、前記支切り板20は、水切りブロッ
ク4と同様に、基板1の進行方向と直交する向きに対し
て所定の角度βだけ前後方向に傾斜させた状態で基板1
の進行方向と直交する向きの全幅を覆うように掛け渡さ
れている。この傾斜角βを与えることにより、基板1の
始端面と終端面における水切りを良好にするとともに、
余分な水を支切り板20の前縁に沿って矢印(ロ)方向
に誘導し、基板1の端縁から押し出して排水するもので
ある。なお、この傾斜角βは、水切りブロック4と同様
に、基板1の搬送速度や基板表面に付着する水滴Wの量
に応じて0〜45°の範囲内で最適な値に調整されるも
のである。
ク4と同様に、基板1の進行方向と直交する向きに対し
て所定の角度βだけ前後方向に傾斜させた状態で基板1
の進行方向と直交する向きの全幅を覆うように掛け渡さ
れている。この傾斜角βを与えることにより、基板1の
始端面と終端面における水切りを良好にするとともに、
余分な水を支切り板20の前縁に沿って矢印(ロ)方向
に誘導し、基板1の端縁から押し出して排水するもので
ある。なお、この傾斜角βは、水切りブロック4と同様
に、基板1の搬送速度や基板表面に付着する水滴Wの量
に応じて0〜45°の範囲内で最適な値に調整されるも
のである。
【0013】前記遠赤外線ヒータ5は、図2に示すよう
に、断面円形で棒状のヒータ7と、このヒータ7の回り
に焼き付けコーティングされた円筒状のセラミックス8
とからなり、ヒータ7を通電加熱することによってセラ
ミックス8の表面から水に吸収されやすい遠赤外線を放
射し、水切りブロック4の出口側端面9と基板1の表面
との間に表面張力によって形成される水のメニスカス1
0部分を加熱するようにしたものである。なお、この遠
赤外線ヒータ5は、基板表面側のメニスカス先端部分P
1 の温度を他の部分よりもより高めるために、水切りブ
ロック4の出口側端面9よりも基板1の表面に近づけて
配置することが望ましい。また、遠赤外線の放射効率を
上げるために、遠赤外線ヒータ5の背面側には反射鏡1
1などを設けることが望ましい。
に、断面円形で棒状のヒータ7と、このヒータ7の回り
に焼き付けコーティングされた円筒状のセラミックス8
とからなり、ヒータ7を通電加熱することによってセラ
ミックス8の表面から水に吸収されやすい遠赤外線を放
射し、水切りブロック4の出口側端面9と基板1の表面
との間に表面張力によって形成される水のメニスカス1
0部分を加熱するようにしたものである。なお、この遠
赤外線ヒータ5は、基板表面側のメニスカス先端部分P
1 の温度を他の部分よりもより高めるために、水切りブ
ロック4の出口側端面9よりも基板1の表面に近づけて
配置することが望ましい。また、遠赤外線の放射効率を
上げるために、遠赤外線ヒータ5の背面側には反射鏡1
1などを設けることが望ましい。
【0014】次に、前記図1および図2を参照して本発
明方法による基板1の乾燥処理を説明する。洗浄とすす
ぎの終わった基板1は、基板表面に水滴Wが付着した状
態でローラ2によって搬送され、上下に配置した支切り
板20の間を通ることによって表面に付着している水滴
Wの大半が掻き落とされて除去される。そして、基板1
は、支切り板20で除去されなかった水滴Wを載せた状
態で水切りブロック4の間を通過していく。このとき、
上下の水切りブロック4は、それぞれ基板1の表面との
間に毛細管現象が発生する程度の小さなすきまが形成さ
れるように配置されているため、この水切りブロック4
の間に基板1が入っていくと、図2に示すように、基板
表面に付着している水滴Wは毛細管現象により薄い水膜
となって水切りブロック4との間のすきまに一様に拡散
するとともに、水切りブロック4の出口側端面9におい
てその表面張力により山の裾野のような形をしたメニス
カス10を形成する。
明方法による基板1の乾燥処理を説明する。洗浄とすす
ぎの終わった基板1は、基板表面に水滴Wが付着した状
態でローラ2によって搬送され、上下に配置した支切り
板20の間を通ることによって表面に付着している水滴
Wの大半が掻き落とされて除去される。そして、基板1
は、支切り板20で除去されなかった水滴Wを載せた状
態で水切りブロック4の間を通過していく。このとき、
上下の水切りブロック4は、それぞれ基板1の表面との
間に毛細管現象が発生する程度の小さなすきまが形成さ
れるように配置されているため、この水切りブロック4
の間に基板1が入っていくと、図2に示すように、基板
表面に付着している水滴Wは毛細管現象により薄い水膜
となって水切りブロック4との間のすきまに一様に拡散
するとともに、水切りブロック4の出口側端面9におい
てその表面張力により山の裾野のような形をしたメニス
カス10を形成する。
【0015】上記のように水切りブロック4の出口側端
面9にメニスカス10が形成された状態で基板1がさら
に搬送されていくと、メニスカス10の基板表面側の先
端部分P1 は基板1の進行に合わせて右方(図におい
て)に引っ張られていき、メニスカス10の先端部の水
膜は次第に薄くなっていく。この状態においてメニスカ
ス10部分は遠赤外線ヒータ5によって加熱されていく
が、メニスカス10の先端側の水膜は基板1の移動に伴
って引き延ばされて薄くなっていくとともに、遠赤外線
ヒータ1は水切りブロック4の出口側端面9側よりも基
板1の表面側に近づけて配置されているので、引き延ば
されて薄くなっていく先端部分P1 の方が水量の多い出
口側端面9付近の水よりも温度が高くなる。このため、
メニスカス10部分の温度はその位置によって異なった
ものとなり、P1 位置が最も高く、P1 →P2 →P3 と
いうように水切りブロック4の出口側端面9側に向かう
に従って温度が低くなっていくような温度勾配を生じ、
温度の高いP1 位置付近の表面張力と粘度が他の部分よ
りも小さくなる。
面9にメニスカス10が形成された状態で基板1がさら
に搬送されていくと、メニスカス10の基板表面側の先
端部分P1 は基板1の進行に合わせて右方(図におい
て)に引っ張られていき、メニスカス10の先端部の水
膜は次第に薄くなっていく。この状態においてメニスカ
ス10部分は遠赤外線ヒータ5によって加熱されていく
が、メニスカス10の先端側の水膜は基板1の移動に伴
って引き延ばされて薄くなっていくとともに、遠赤外線
ヒータ1は水切りブロック4の出口側端面9側よりも基
板1の表面側に近づけて配置されているので、引き延ば
されて薄くなっていく先端部分P1 の方が水量の多い出
口側端面9付近の水よりも温度が高くなる。このため、
メニスカス10部分の温度はその位置によって異なった
ものとなり、P1 位置が最も高く、P1 →P2 →P3 と
いうように水切りブロック4の出口側端面9側に向かう
に従って温度が低くなっていくような温度勾配を生じ、
温度の高いP1 位置付近の表面張力と粘度が他の部分よ
りも小さくなる。
【0016】したがって、基板1の移動に伴ってメニス
カス10の先端側の水膜が引っ張られて薄くなっていっ
ても、それに伴って先端側の表面張力と粘性が小さくな
っていくため、薄く引き延ばされていく先端付近の水膜
がその表面張力によって引きちぎられて水滴化するとい
うようなことがなくなり、薄い水膜となったままで引き
延ばされていく。このため、メニスカス10の先端部は
薄い水膜状態を保ったままで遠赤外線ヒータ5によって
加熱されながら蒸発乾燥されていくため、水分が水滴化
して基板表面に水滴痕となって残存するというようなこ
とがなくなる。この結果、基板表面に発生した水滴痕に
空気中に漂う異物やゴミなどの微粒子が付着して基板が
再汚染されてしまうというようなこともなくなり、基板
1の表面は極めて清澄な状態で乾燥される。
カス10の先端側の水膜が引っ張られて薄くなっていっ
ても、それに伴って先端側の表面張力と粘性が小さくな
っていくため、薄く引き延ばされていく先端付近の水膜
がその表面張力によって引きちぎられて水滴化するとい
うようなことがなくなり、薄い水膜となったままで引き
延ばされていく。このため、メニスカス10の先端部は
薄い水膜状態を保ったままで遠赤外線ヒータ5によって
加熱されながら蒸発乾燥されていくため、水分が水滴化
して基板表面に水滴痕となって残存するというようなこ
とがなくなる。この結果、基板表面に発生した水滴痕に
空気中に漂う異物やゴミなどの微粒子が付着して基板が
再汚染されてしまうというようなこともなくなり、基板
1の表面は極めて清澄な状態で乾燥される。
【0017】また、前記水切りブロック4は、角度αだ
け前後方向に傾斜して配置されているので、水切りブロ
ック4のすきまに入りきらない余分な水については水切
りブロック4の前縁の傾斜に沿って矢印(イ)の方向に
押し流されていき、基板1の端縁から外部へ押し出され
て排出されるので、水切りブロック4に送り込まれる水
滴Wの水量をそれだけ少なくすることができる。このた
め、遠赤外線ヒータ5による乾燥速度を高速化すること
ができ、基板の乾燥時間をより短縮することができる。
け前後方向に傾斜して配置されているので、水切りブロ
ック4のすきまに入りきらない余分な水については水切
りブロック4の前縁の傾斜に沿って矢印(イ)の方向に
押し流されていき、基板1の端縁から外部へ押し出され
て排出されるので、水切りブロック4に送り込まれる水
滴Wの水量をそれだけ少なくすることができる。このた
め、遠赤外線ヒータ5による乾燥速度を高速化すること
ができ、基板の乾燥時間をより短縮することができる。
【0018】なお、上記の例では、基板1を水平方向へ
搬送しながら乾燥する場合を例示したが、基板1の搬送
方向は水平方向に限られるものではなく、垂直上方向
き、垂直下方向きあるいは斜め方向など、洗浄装置の仕
様に応じてあらゆる方向に設定できるものである。ま
た、上記の例では、基板1の表裏両面に支切り板20と
水切りブロック4と遠赤外線ヒータ6を配置したが、基
板1の片面だけを洗浄乾燥するような場合には、当該片
面側だけに支切り板20と水切りブロック4と遠赤外線
ヒータ6を配置すればよい。
搬送しながら乾燥する場合を例示したが、基板1の搬送
方向は水平方向に限られるものではなく、垂直上方向
き、垂直下方向きあるいは斜め方向など、洗浄装置の仕
様に応じてあらゆる方向に設定できるものである。ま
た、上記の例では、基板1の表裏両面に支切り板20と
水切りブロック4と遠赤外線ヒータ6を配置したが、基
板1の片面だけを洗浄乾燥するような場合には、当該片
面側だけに支切り板20と水切りブロック4と遠赤外線
ヒータ6を配置すればよい。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
水切りブロックの出口側端面に形成されるメニスカス部
分を遠赤外線で照射加熱することによって基板上に付着
している水滴を蒸発乾燥させるようにしたので、従来の
エアを用いた乾燥方法のように水滴が飛散し、基板の表
面に再付着して水滴痕となって残ってしまうというよう
なことがなくなり、基板表面を極めて清澄な状態で乾燥
させることができる。
水切りブロックの出口側端面に形成されるメニスカス部
分を遠赤外線で照射加熱することによって基板上に付着
している水滴を蒸発乾燥させるようにしたので、従来の
エアを用いた乾燥方法のように水滴が飛散し、基板の表
面に再付着して水滴痕となって残ってしまうというよう
なことがなくなり、基板表面を極めて清澄な状態で乾燥
させることができる。
【0020】また、水切りブロックの前方側に位置し
て、基板に付着している水滴のを掻き落として除去する
ための支切り板を基板表面に向けて所定の間隙をおいて
対向配置したので、基板表面に付着している水滴の大半
を事前に除去することができ、水切りブロックへ送り込
まれる水滴の水量を少なくすることが可能となり、基板
の送り速度を高速化して乾燥時間を短縮することができ
る。
て、基板に付着している水滴のを掻き落として除去する
ための支切り板を基板表面に向けて所定の間隙をおいて
対向配置したので、基板表面に付着している水滴の大半
を事前に除去することができ、水切りブロックへ送り込
まれる水滴の水量を少なくすることが可能となり、基板
の送り速度を高速化して乾燥時間を短縮することができ
る。
【0021】さらに、支切り板と水切りブロックを基板
の進行方向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向
へ傾斜させて配置したので、支切り板と水切りブロック
の前縁に沿って余分な水を押し流しながら効率よく外部
へ排除することができ、基板の乾燥時間をさらに短縮す
ることができる。
の進行方向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向
へ傾斜させて配置したので、支切り板と水切りブロック
の前縁に沿って余分な水を押し流しながら効率よく外部
へ排除することができ、基板の乾燥時間をさらに短縮す
ることができる。
【図1】本発明方法の一実施形態を示すもので、(A)
は本発明方法で用いる乾燥装置の平面図、(B)は正面
図、(C)は右側面図である。
は本発明方法で用いる乾燥装置の平面図、(B)は正面
図、(C)は右側面図である。
【図2】前記乾燥装置の遠赤外線ヒータとその周辺部分
の部分拡大側面図である。
の部分拡大側面図である。
【図3】従来方法の説明図であって、(A)は従来方法
で用いる乾燥装置の正面図、(B)は右側面図である。
で用いる乾燥装置の正面図、(B)は右側面図である。
1 基板 2 ローラ 4 水切りブロック 5 遠赤外線ヒータ 7 ヒータ 8 セラミックス 9 水切りブロックの出口側端面 10 メニスカス 11 反射鏡 20 支切り板
Claims (3)
- 【請求項1】 LCD基板や半導体ウェーハなどの平板
状の基板の乾燥方法であって、基板表面との間に毛細管
現象が発生する程度の僅かのすきまが形成されるように
水切りブロックを基板の搬送経路上に位置して基板表面
に向けて対向配置し、洗浄とすすぎの終わった基板を搬
送機構によって搬送しながら前記水切りブロック部分を
通過させることにより、基板表面に付着した水滴を基板
表面に一様に拡散せしめて水切りブロックの出口側端面
と基板表面との間にメニスカスを形成し、該メニスカス
部分を遠赤外線で照射加熱しながら水分を蒸発乾燥させ
ることを特徴とする基板の乾燥方法。 - 【請求項2】 前記水切りブロックの前方側に位置し
て、基板に付着している水滴を掻き落として除去するた
めの支切り板を基板表面に向けて所定の間隙をおいて対
向配置したことを特徴とする請求項1記載の基板の乾燥
方法。 - 【請求項3】 前記水切りブロックと支切り板を基板の
進行方向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向へ
傾斜させて配置したことを特徴とする請求項2記載の基
板の乾燥方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9144487A JP2983494B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 基板の乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9144487A JP2983494B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 基板の乾燥方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10321583A true JPH10321583A (ja) | 1998-12-04 |
JP2983494B2 JP2983494B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=15363477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9144487A Expired - Fee Related JP2983494B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 基板の乾燥方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2983494B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002502109A (ja) * | 1998-01-09 | 2002-01-22 | ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板の乾燥法および乾燥装置 |
WO2005062358A1 (de) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur trocknung von schaltungssubstraten |
KR100515440B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2005-09-16 | 태화일렉트론(주) | 온 순수와 적외선 램프를 이용한 엘씨디 글라스 세척 및건조 장치 |
JP2005328038A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-24 | Lam Res Corp | 近接ヘッドの加熱方法および装置 |
KR100686779B1 (ko) | 2005-02-14 | 2007-02-26 | 엘에스전선 주식회사 | 모세관을 이용하는 저온 건조 장치 |
-
1997
- 1997-05-20 JP JP9144487A patent/JP2983494B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002502109A (ja) * | 1998-01-09 | 2002-01-22 | ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板の乾燥法および乾燥装置 |
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WO2005062358A1 (de) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur trocknung von schaltungssubstraten |
JP2007524232A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-08-23 | パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー | 回路基板の乾燥方法および装置 |
US8256131B2 (en) | 2003-12-22 | 2012-09-04 | Pac-Tech—Packaging Technologies GmbH | Method and device for drying circuit substrates |
JP2005328038A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-24 | Lam Res Corp | 近接ヘッドの加熱方法および装置 |
JP4621052B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2011-01-26 | ラム リサーチ コーポレーション | 近接ヘッドの加熱方法および装置 |
KR100686779B1 (ko) | 2005-02-14 | 2007-02-26 | 엘에스전선 주식회사 | 모세관을 이용하는 저온 건조 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2983494B2 (ja) | 1999-11-29 |
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