JP2983494B2 - 基板の乾燥方法 - Google Patents
基板の乾燥方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣＤ基板や半導
体ウェーハなどの平板状の基板の洗浄工程において用い
られる基板の乾燥方法に関する。
体ウェーハなどの平板状の基板の洗浄工程において用い
られる基板の乾燥方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に、従来の乾燥方法を示す。図にお
いて、１は洗浄とすすぎの終わったＬＣＤ基板や半導体
ウェーハなどの平板状の基板、２は平板状の基板１を搬
送するローラ、３は基板１の表面に向けて乾燥用のエア
を吹き付けるためのエアナイフノズルであって、ローラ
２に載せて送られてくる洗浄とすすぎの終わった基板１
の表面に向けてエアナイフノズル３から乾燥用のエアを
吹き付けることにより、基板表面に付着している水滴Ｗ
を蒸発乾燥させるものである。
いて、１は洗浄とすすぎの終わったＬＣＤ基板や半導体
ウェーハなどの平板状の基板、２は平板状の基板１を搬
送するローラ、３は基板１の表面に向けて乾燥用のエア
を吹き付けるためのエアナイフノズルであって、ローラ
２に載せて送られてくる洗浄とすすぎの終わった基板１
の表面に向けてエアナイフノズル３から乾燥用のエアを
吹き付けることにより、基板表面に付着している水滴Ｗ
を蒸発乾燥させるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の乾燥方法の場合、エアナイフノズル３から噴き
出される乾燥用のエアが基板表面に付着している水滴Ｗ
を吹き飛ばした時のミストが基板表面に再び付着し、基
板表面に水滴痕となって残ってしまうことがあった。ま
た、大量のエアを必要とする欠点もある。
た従来の乾燥方法の場合、エアナイフノズル３から噴き
出される乾燥用のエアが基板表面に付着している水滴Ｗ
を吹き飛ばした時のミストが基板表面に再び付着し、基
板表面に水滴痕となって残ってしまうことがあった。ま
た、大量のエアを必要とする欠点もある。
【０００４】本発明は、上記のような問題を解決するた
めになされたもので、水の表面張力によるメニスカスと
遠赤外線を利用して、ＬＣＤ基板や半導体ウェーハなど
の平板状の基板をその表面に水滴痕を生じさせることな
く完全に乾燥させることができる基板の乾燥方法を提供
することを目的とする。
めになされたもので、水の表面張力によるメニスカスと
遠赤外線を利用して、ＬＣＤ基板や半導体ウェーハなど
の平板状の基板をその表面に水滴痕を生じさせることな
く完全に乾燥させることができる基板の乾燥方法を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基板表面との間に毛細管現象が発生する
程度の僅かのすきまが形成されるように水切りブロック
を基板の搬送経路上に位置して基板表面に向けて対向配
置し、洗浄とすすぎの終わった基板を搬送機構によって
搬送しながら前記水切りブロック部分を通過させること
により、基板表面に付着した水滴を基板表面に一様に拡
散せしめて水切りブロックの出口側端面と基板表面との
間にメニスカスを形成し、該メニスカス部分を遠赤外線
で照射加熱しながら水分を蒸発乾燥させるようにしたも
のである。なお、前記水切りブロックの前方側に位置し
て、基板に付着している水滴を掻き落として除去するた
めの支切り板を基板表面に向けて所定の間隙をおいて対
向配置することが望ましい。さらに、前記水切りブロッ
クと支切り板は基板の進行方向と直交する向きから所定
の角度だけ前後方向へ傾斜させて配置することが望まし
い。
め、本発明は、基板表面との間に毛細管現象が発生する
程度の僅かのすきまが形成されるように水切りブロック
を基板の搬送経路上に位置して基板表面に向けて対向配
置し、洗浄とすすぎの終わった基板を搬送機構によって
搬送しながら前記水切りブロック部分を通過させること
により、基板表面に付着した水滴を基板表面に一様に拡
散せしめて水切りブロックの出口側端面と基板表面との
間にメニスカスを形成し、該メニスカス部分を遠赤外線
で照射加熱しながら水分を蒸発乾燥させるようにしたも
のである。なお、前記水切りブロックの前方側に位置し
て、基板に付着している水滴を掻き落として除去するた
めの支切り板を基板表面に向けて所定の間隙をおいて対
向配置することが望ましい。さらに、前記水切りブロッ
クと支切り板は基板の進行方向と直交する向きから所定
の角度だけ前後方向へ傾斜させて配置することが望まし
い。
【０００６】
【作用】洗浄とすすぎが終わって表面に大量の水滴が付
着したままの基板は、まず支切り板の下を通過すること
によってその表面に付着している水滴の大部分が掻き落
とされて除去された後、水切りブロックへ搬送される。
基板が水切りブロックの下に入っていくと、基板の表面
に残存している水滴は毛細管現象によって水切りブロッ
クと基板表面との間に形成されたすきま全体に一様に拡
散し、水膜を形成する。そして、この水膜は水切りブロ
ックの出口側端面と基板表面との間にその表面張力によ
って山の裾野のようなメニスカスを形成する。このメニ
スカスの先端部分は、基板が移動されていくに従って基
板表面によって引っ張られ、水膜の厚さがだんだんと薄
くなっていく。
着したままの基板は、まず支切り板の下を通過すること
によってその表面に付着している水滴の大部分が掻き落
とされて除去された後、水切りブロックへ搬送される。
基板が水切りブロックの下に入っていくと、基板の表面
に残存している水滴は毛細管現象によって水切りブロッ
クと基板表面との間に形成されたすきま全体に一様に拡
散し、水膜を形成する。そして、この水膜は水切りブロ
ックの出口側端面と基板表面との間にその表面張力によ
って山の裾野のようなメニスカスを形成する。このメニ
スカスの先端部分は、基板が移動されていくに従って基
板表面によって引っ張られ、水膜の厚さがだんだんと薄
くなっていく。
【０００７】このような状態において、前記メニスカス
部分を遠赤外線で照射して加熱すると、引き延ばされて
薄くなったメニスカス先端部分の温度が最も高くなり、
メニスカス先端部分の表面張力と粘性が他の部分よりも
小さくなる。したがって、基板の移動に伴ってメニスカ
スの先端側の水膜が引っ張られて薄くなっていっても、
それに伴って先端側の表面張力と粘性が小さくなってい
くため、薄く引き延ばされていくメニスカス先端付近の
水膜がその表面張力によって引きちぎられて水滴化する
というようなことがなくなり、メニスカス先端部は薄い
水膜となった状態のままで遠赤外線により加熱されて蒸
発乾燥していく。このため、基板表面に付着した水滴が
水滴痕となって残存するようなことがなくなる。また、
基板表面に残った水滴痕に空気中に漂う異物やゴミなど
の微粒子が付着して基板が再汚染されてしまうというよ
うなこともなくなり、基板の表面は極めて清澄な状態で
乾燥される。
部分を遠赤外線で照射して加熱すると、引き延ばされて
薄くなったメニスカス先端部分の温度が最も高くなり、
メニスカス先端部分の表面張力と粘性が他の部分よりも
小さくなる。したがって、基板の移動に伴ってメニスカ
スの先端側の水膜が引っ張られて薄くなっていっても、
それに伴って先端側の表面張力と粘性が小さくなってい
くため、薄く引き延ばされていくメニスカス先端付近の
水膜がその表面張力によって引きちぎられて水滴化する
というようなことがなくなり、メニスカス先端部は薄い
水膜となった状態のままで遠赤外線により加熱されて蒸
発乾燥していく。このため、基板表面に付着した水滴が
水滴痕となって残存するようなことがなくなる。また、
基板表面に残った水滴痕に空気中に漂う異物やゴミなど
の微粒子が付着して基板が再汚染されてしまうというよ
うなこともなくなり、基板の表面は極めて清澄な状態で
乾燥される。
【０００８】また、前記水切りブロックを基板の進行方
向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向へ傾斜さ
せて配置した場合には、水切りブロックのすきまに入り
きらない余分な水については水切りブロックの前縁の傾
斜に沿って押し流されていき、最終的に基板の端縁から
押し出されて排水される。したがって、水切りブロック
部分に送り込まれる水滴Ｗの水量を少なくすることがで
き、水滴の乾燥速度を高速化することができる。
向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向へ傾斜さ
せて配置した場合には、水切りブロックのすきまに入り
きらない余分な水については水切りブロックの前縁の傾
斜に沿って押し流されていき、最終的に基板の端縁から
押し出されて排水される。したがって、水切りブロック
部分に送り込まれる水滴Ｗの水量を少なくすることがで
き、水滴の乾燥速度を高速化することができる。
【０００９】また、前記支切り板を基板の進行方向と直
交する向きから所定の角度だけ前後方向へ傾斜させて配
置した場合には、支切り板の隙間に入りきらない余分な
水については、支切り板の前縁の傾斜に沿って押し流さ
れていき、最終的に基板の端縁から押し出されて排水さ
れる。したがって、水切りブロックへ送り込まれる水滴
Ｗの水量をさらに少なくすることができ、水滴の乾燥速
度をさらに高速化することができる。
交する向きから所定の角度だけ前後方向へ傾斜させて配
置した場合には、支切り板の隙間に入りきらない余分な
水については、支切り板の前縁の傾斜に沿って押し流さ
れていき、最終的に基板の端縁から押し出されて排水さ
れる。したがって、水切りブロックへ送り込まれる水滴
Ｗの水量をさらに少なくすることができ、水滴の乾燥速
度をさらに高速化することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１および図２に本発明の
一実施形態を示す。図において、１は洗浄とすすぎの終
わったＬＣＤ基板や半導体ウェーハなどの平板状の基
板、２は基板１を搬送する基板搬送機構としてのローラ
であって、このローラ２による基板１の搬送経路の途中
に、水切りブロック４が基板表面との間に毛細管現象の
発生する程度の僅かのすきま（例えば、０．５〜１ｍｍ
程度）をおいて基板表面に向けて対向配置されていると
ともに、この水切りブロック４の前方側に、基板上に付
着している水滴Ｗの大半を事前に除去するための支切り
板２０が基板表面に向けて所定の間隔（同じく０．５〜
１ｍｍ程度）をおいて対向配置されている。そして、前
記水切りブロック４の出口側端面９の近傍には、基板表
面に付着している水滴を加熱するための遠赤外線ヒータ
５が配置されている。
て図面を参照して説明する。図１および図２に本発明の
一実施形態を示す。図において、１は洗浄とすすぎの終
わったＬＣＤ基板や半導体ウェーハなどの平板状の基
板、２は基板１を搬送する基板搬送機構としてのローラ
であって、このローラ２による基板１の搬送経路の途中
に、水切りブロック４が基板表面との間に毛細管現象の
発生する程度の僅かのすきま（例えば、０．５〜１ｍｍ
程度）をおいて基板表面に向けて対向配置されていると
ともに、この水切りブロック４の前方側に、基板上に付
着している水滴Ｗの大半を事前に除去するための支切り
板２０が基板表面に向けて所定の間隔（同じく０．５〜
１ｍｍ程度）をおいて対向配置されている。そして、前
記水切りブロック４の出口側端面９の近傍には、基板表
面に付着している水滴を加熱するための遠赤外線ヒータ
５が配置されている。
【００１１】前記水切りブロック４は、親水性と保水性
を備えた材料（例えば、酸洗いしたステンレス材など）
から構成されており、基板１の進行方向と直交する向き
に対して所定の角度αだけ前後方向に傾斜させた状態で
基板１の進行方向と直交する向きの全幅を覆うように掛
け渡されている。この傾斜角αを与えることにより、基
板１の始端面と終端面における水切りを良好にするとと
もに、余分な水を水切りブロック４の前縁に沿って矢印
（イ）方向に誘導し、基板１の端縁から押し出して排水
するものである。なお、この傾斜角αは、基板１の搬送
速度や基板表面に付着する水滴Ｗの量に応じて０〜４５
°の範囲内で最適な値に調整されるものである。
を備えた材料（例えば、酸洗いしたステンレス材など）
から構成されており、基板１の進行方向と直交する向き
に対して所定の角度αだけ前後方向に傾斜させた状態で
基板１の進行方向と直交する向きの全幅を覆うように掛
け渡されている。この傾斜角αを与えることにより、基
板１の始端面と終端面における水切りを良好にするとと
もに、余分な水を水切りブロック４の前縁に沿って矢印
（イ）方向に誘導し、基板１の端縁から押し出して排水
するものである。なお、この傾斜角αは、基板１の搬送
速度や基板表面に付着する水滴Ｗの量に応じて０〜４５
°の範囲内で最適な値に調整されるものである。
【００１２】また、前記支切り板２０は、水切りブロッ
ク４と同様に、基板１の進行方向と直交する向きに対し
て所定の角度βだけ前後方向に傾斜させた状態で基板１
の進行方向と直交する向きの全幅を覆うように掛け渡さ
れている。この傾斜角βを与えることにより、基板１の
始端面と終端面における水切りを良好にするとともに、
余分な水を支切り板２０の前縁に沿って矢印（ロ）方向
に誘導し、基板１の端縁から押し出して排水するもので
ある。なお、この傾斜角βは、水切りブロック４と同様
に、基板１の搬送速度や基板表面に付着する水滴Ｗの量
に応じて０〜４５°の範囲内で最適な値に調整されるも
のである。
ク４と同様に、基板１の進行方向と直交する向きに対し
て所定の角度βだけ前後方向に傾斜させた状態で基板１
の進行方向と直交する向きの全幅を覆うように掛け渡さ
れている。この傾斜角βを与えることにより、基板１の
始端面と終端面における水切りを良好にするとともに、
余分な水を支切り板２０の前縁に沿って矢印（ロ）方向
に誘導し、基板１の端縁から押し出して排水するもので
ある。なお、この傾斜角βは、水切りブロック４と同様
に、基板１の搬送速度や基板表面に付着する水滴Ｗの量
に応じて０〜４５°の範囲内で最適な値に調整されるも
のである。
【００１３】前記遠赤外線ヒータ５は、図２に示すよう
に、断面円形で棒状のヒータ７と、このヒータ７の回り
に焼き付けコーティングされた円筒状のセラミックス８
とからなり、ヒータ７を通電加熱することによってセラ
ミックス８の表面から水に吸収されやすい遠赤外線を放
射し、水切りブロック４の出口側端面９と基板１の表面
との間に表面張力によって形成される水のメニスカス１
０部分を加熱するようにしたものである。なお、この遠
赤外線ヒータ５は、基板表面側のメニスカス先端部分Ｐ
1 の温度を他の部分よりもより高めるために、水切りブ
ロック４の出口側端面９よりも基板１の表面に近づけて
配置することが望ましい。また、遠赤外線の放射効率を
上げるために、遠赤外線ヒータ５の背面側には反射鏡１
１などを設けることが望ましい。
に、断面円形で棒状のヒータ７と、このヒータ７の回り
に焼き付けコーティングされた円筒状のセラミックス８
とからなり、ヒータ７を通電加熱することによってセラ
ミックス８の表面から水に吸収されやすい遠赤外線を放
射し、水切りブロック４の出口側端面９と基板１の表面
との間に表面張力によって形成される水のメニスカス１
０部分を加熱するようにしたものである。なお、この遠
赤外線ヒータ５は、基板表面側のメニスカス先端部分Ｐ
1 の温度を他の部分よりもより高めるために、水切りブ
ロック４の出口側端面９よりも基板１の表面に近づけて
配置することが望ましい。また、遠赤外線の放射効率を
上げるために、遠赤外線ヒータ５の背面側には反射鏡１
１などを設けることが望ましい。
【００１４】次に、前記図１および図２を参照して本発
明方法による基板１の乾燥処理を説明する。洗浄とすす
ぎの終わった基板１は、基板表面に水滴Ｗが付着した状
態でローラ２によって搬送され、上下に配置した支切り
板２０の間を通ることによって表面に付着している水滴
Ｗの大半が掻き落とされて除去される。そして、基板１
は、支切り板２０で除去されなかった水滴Ｗを載せた状
態で水切りブロック４の間を通過していく。このとき、
上下の水切りブロック４は、それぞれ基板１の表面との
間に毛細管現象が発生する程度の小さなすきまが形成さ
れるように配置されているため、この水切りブロック４
の間に基板１が入っていくと、図２に示すように、基板
表面に付着している水滴Ｗは毛細管現象により薄い水膜
となって水切りブロック４との間のすきまに一様に拡散
するとともに、水切りブロック４の出口側端面９におい
てその表面張力により山の裾野のような形をしたメニス
カス１０を形成する。
明方法による基板１の乾燥処理を説明する。洗浄とすす
ぎの終わった基板１は、基板表面に水滴Ｗが付着した状
態でローラ２によって搬送され、上下に配置した支切り
板２０の間を通ることによって表面に付着している水滴
Ｗの大半が掻き落とされて除去される。そして、基板１
は、支切り板２０で除去されなかった水滴Ｗを載せた状
態で水切りブロック４の間を通過していく。このとき、
上下の水切りブロック４は、それぞれ基板１の表面との
間に毛細管現象が発生する程度の小さなすきまが形成さ
れるように配置されているため、この水切りブロック４
の間に基板１が入っていくと、図２に示すように、基板
表面に付着している水滴Ｗは毛細管現象により薄い水膜
となって水切りブロック４との間のすきまに一様に拡散
するとともに、水切りブロック４の出口側端面９におい
てその表面張力により山の裾野のような形をしたメニス
カス１０を形成する。
【００１５】上記のように水切りブロック４の出口側端
面９にメニスカス１０が形成された状態で基板１がさら
に搬送されていくと、メニスカス１０の基板表面側の先
端部分Ｐ1 は基板１の進行に合わせて右方（図におい
て）に引っ張られていき、メニスカス１０の先端部の水
膜は次第に薄くなっていく。この状態においてメニスカ
ス１０部分は遠赤外線ヒータ５によって加熱されていく
が、メニスカス１０の先端側の水膜は基板１の移動に伴
って引き延ばされて薄くなっていくとともに、遠赤外線
ヒータ１は水切りブロック４の出口側端面９側よりも基
板１の表面側に近づけて配置されているので、引き延ば
されて薄くなっていく先端部分Ｐ1 の方が水量の多い出
口側端面９付近の水よりも温度が高くなる。このため、
メニスカス１０部分の温度はその位置によって異なった
ものとなり、Ｐ1 位置が最も高く、Ｐ1 →Ｐ2 →Ｐ3 と
いうように水切りブロック４の出口側端面９側に向かう
に従って温度が低くなっていくような温度勾配を生じ、
温度の高いＰ1 位置付近の表面張力と粘度が他の部分よ
りも小さくなる。
面９にメニスカス１０が形成された状態で基板１がさら
に搬送されていくと、メニスカス１０の基板表面側の先
端部分Ｐ1 は基板１の進行に合わせて右方（図におい
て）に引っ張られていき、メニスカス１０の先端部の水
膜は次第に薄くなっていく。この状態においてメニスカ
ス１０部分は遠赤外線ヒータ５によって加熱されていく
が、メニスカス１０の先端側の水膜は基板１の移動に伴
って引き延ばされて薄くなっていくとともに、遠赤外線
ヒータ１は水切りブロック４の出口側端面９側よりも基
板１の表面側に近づけて配置されているので、引き延ば
されて薄くなっていく先端部分Ｐ1 の方が水量の多い出
口側端面９付近の水よりも温度が高くなる。このため、
メニスカス１０部分の温度はその位置によって異なった
ものとなり、Ｐ1 位置が最も高く、Ｐ1 →Ｐ2 →Ｐ3 と
いうように水切りブロック４の出口側端面９側に向かう
に従って温度が低くなっていくような温度勾配を生じ、
温度の高いＰ1 位置付近の表面張力と粘度が他の部分よ
りも小さくなる。
【００１６】したがって、基板１の移動に伴ってメニス
カス１０の先端側の水膜が引っ張られて薄くなっていっ
ても、それに伴って先端側の表面張力と粘性が小さくな
っていくため、薄く引き延ばされていく先端付近の水膜
がその表面張力によって引きちぎられて水滴化するとい
うようなことがなくなり、薄い水膜となったままで引き
延ばされていく。このため、メニスカス１０の先端部は
薄い水膜状態を保ったままで遠赤外線ヒータ５によって
加熱されながら蒸発乾燥されていくため、水分が水滴化
して基板表面に水滴痕となって残存するというようなこ
とがなくなる。この結果、基板表面に発生した水滴痕に
空気中に漂う異物やゴミなどの微粒子が付着して基板が
再汚染されてしまうというようなこともなくなり、基板
１の表面は極めて清澄な状態で乾燥される。
カス１０の先端側の水膜が引っ張られて薄くなっていっ
ても、それに伴って先端側の表面張力と粘性が小さくな
っていくため、薄く引き延ばされていく先端付近の水膜
がその表面張力によって引きちぎられて水滴化するとい
うようなことがなくなり、薄い水膜となったままで引き
延ばされていく。このため、メニスカス１０の先端部は
薄い水膜状態を保ったままで遠赤外線ヒータ５によって
加熱されながら蒸発乾燥されていくため、水分が水滴化
して基板表面に水滴痕となって残存するというようなこ
とがなくなる。この結果、基板表面に発生した水滴痕に
空気中に漂う異物やゴミなどの微粒子が付着して基板が
再汚染されてしまうというようなこともなくなり、基板
１の表面は極めて清澄な状態で乾燥される。
【００１７】また、前記水切りブロック４は、角度αだ
け前後方向に傾斜して配置されているので、水切りブロ
ック４のすきまに入りきらない余分な水については水切
りブロック４の前縁の傾斜に沿って矢印（イ）の方向に
押し流されていき、基板１の端縁から外部へ押し出され
て排出されるので、水切りブロック４に送り込まれる水
滴Ｗの水量をそれだけ少なくすることができる。このた
め、遠赤外線ヒータ５による乾燥速度を高速化すること
ができ、基板の乾燥時間をより短縮することができる。
け前後方向に傾斜して配置されているので、水切りブロ
ック４のすきまに入りきらない余分な水については水切
りブロック４の前縁の傾斜に沿って矢印（イ）の方向に
押し流されていき、基板１の端縁から外部へ押し出され
て排出されるので、水切りブロック４に送り込まれる水
滴Ｗの水量をそれだけ少なくすることができる。このた
め、遠赤外線ヒータ５による乾燥速度を高速化すること
ができ、基板の乾燥時間をより短縮することができる。
【００１８】なお、上記の例では、基板１を水平方向へ
搬送しながら乾燥する場合を例示したが、基板１の搬送
方向は水平方向に限られるものではなく、垂直上方向
き、垂直下方向きあるいは斜め方向など、洗浄装置の仕
様に応じてあらゆる方向に設定できるものである。ま
た、上記の例では、基板１の表裏両面に支切り板２０と
水切りブロック４と遠赤外線ヒータ６を配置したが、基
板１の片面だけを洗浄乾燥するような場合には、当該片
面側だけに支切り板２０と水切りブロック４と遠赤外線
ヒータ６を配置すればよい。
搬送しながら乾燥する場合を例示したが、基板１の搬送
方向は水平方向に限られるものではなく、垂直上方向
き、垂直下方向きあるいは斜め方向など、洗浄装置の仕
様に応じてあらゆる方向に設定できるものである。ま
た、上記の例では、基板１の表裏両面に支切り板２０と
水切りブロック４と遠赤外線ヒータ６を配置したが、基
板１の片面だけを洗浄乾燥するような場合には、当該片
面側だけに支切り板２０と水切りブロック４と遠赤外線
ヒータ６を配置すればよい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
水切りブロックの出口側端面に形成されるメニスカス部
分を遠赤外線で照射加熱することによって基板上に付着
している水滴を蒸発乾燥させるようにしたので、従来の
エアを用いた乾燥方法のように水滴が飛散し、基板の表
面に再付着して水滴痕となって残ってしまうというよう
なことがなくなり、基板表面を極めて清澄な状態で乾燥
させることができる。
水切りブロックの出口側端面に形成されるメニスカス部
分を遠赤外線で照射加熱することによって基板上に付着
している水滴を蒸発乾燥させるようにしたので、従来の
エアを用いた乾燥方法のように水滴が飛散し、基板の表
面に再付着して水滴痕となって残ってしまうというよう
なことがなくなり、基板表面を極めて清澄な状態で乾燥
させることができる。
【００２０】また、水切りブロックの前方側に位置し
て、基板に付着している水滴のを掻き落として除去する
ための支切り板を基板表面に向けて所定の間隙をおいて
対向配置したので、基板表面に付着している水滴の大半
を事前に除去することができ、水切りブロックへ送り込
まれる水滴の水量を少なくすることが可能となり、基板
の送り速度を高速化して乾燥時間を短縮することができ
る。
て、基板に付着している水滴のを掻き落として除去する
ための支切り板を基板表面に向けて所定の間隙をおいて
対向配置したので、基板表面に付着している水滴の大半
を事前に除去することができ、水切りブロックへ送り込
まれる水滴の水量を少なくすることが可能となり、基板
の送り速度を高速化して乾燥時間を短縮することができ
る。
【００２１】さらに、支切り板と水切りブロックを基板
の進行方向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向
へ傾斜させて配置したので、支切り板と水切りブロック
の前縁に沿って余分な水を押し流しながら効率よく外部
へ排除することができ、基板の乾燥時間をさらに短縮す
ることができる。
の進行方向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向
へ傾斜させて配置したので、支切り板と水切りブロック
の前縁に沿って余分な水を押し流しながら効率よく外部
へ排除することができ、基板の乾燥時間をさらに短縮す
ることができる。
【図１】本発明方法の一実施形態を示すもので、（Ａ）
は本発明方法で用いる乾燥装置の平面図、（Ｂ）は正面
図、（Ｃ）は右側面図である。
は本発明方法で用いる乾燥装置の平面図、（Ｂ）は正面
図、（Ｃ）は右側面図である。
【図２】前記乾燥装置の遠赤外線ヒータとその周辺部分
の部分拡大側面図である。
の部分拡大側面図である。
【図３】従来方法の説明図であって、（Ａ）は従来方法
で用いる乾燥装置の正面図、（Ｂ）は右側面図である。
で用いる乾燥装置の正面図、（Ｂ）は右側面図である。
１ 基板 ２ ローラ ４ 水切りブロック ５ 遠赤外線ヒータ ７ ヒータ ８ セラミックス ９ 水切りブロックの出口側端面 １０ メニスカス １１ 反射鏡 ２０ 支切り板
Claims (3)
- 【請求項１】 ＬＣＤ基板や半導体ウェーハなどの平板
状の基板の乾燥方法であって、基板表面との間に毛細管
現象が発生する程度の僅かのすきまが形成されるように
水切りブロックを基板の搬送経路上に位置して基板表面
に向けて対向配置し、洗浄とすすぎの終わった基板を搬
送機構によって搬送しながら前記水切りブロック部分を
通過させることにより、基板表面に付着した水滴を基板
表面に一様に拡散せしめて水切りブロックの出口側端面
と基板表面との間にメニスカスを形成し、該メニスカス
部分を遠赤外線で照射加熱しながら水分を蒸発乾燥させ
ることを特徴とする基板の乾燥方法。 - 【請求項２】 前記水切りブロックの前方側に位置し
て、基板に付着している水滴を掻き落として除去するた
めの支切り板を基板表面に向けて所定の間隙をおいて対
向配置したことを特徴とする請求項１記載の基板の乾燥
方法。 - 【請求項３】 前記水切りブロックと支切り板を基板の
進行方向と直交する向きから所定の角度だけ前後方向へ
傾斜させて配置したことを特徴とする請求項２記載の基
板の乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9144487A JP2983494B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 基板の乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9144487A JP2983494B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 基板の乾燥方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321583A JPH10321583A (ja) | 1998-12-04 |
| JP2983494B2 true JP2983494B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=15363477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9144487A Expired - Fee Related JP2983494B2 (ja) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | 基板の乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2983494B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19800584C2 (de) * | 1998-01-09 | 2002-06-20 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
| KR100515440B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2005-09-16 | 태화일렉트론(주) | 온 순수와 적외선 램프를 이용한 엘씨디 글라스 세척 및건조 장치 |
| DE10361075A1 (de) | 2003-12-22 | 2005-07-28 | Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und Vorichtung zur Trocknung von Schaltungssubstraten |
| US8062471B2 (en) * | 2004-03-31 | 2011-11-22 | Lam Research Corporation | Proximity head heating method and apparatus |
| KR100686779B1 (ko) | 2005-02-14 | 2007-02-26 | 엘에스전선 주식회사 | 모세관을 이용하는 저온 건조 장치 |
-
1997
- 1997-05-20 JP JP9144487A patent/JP2983494B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10321583A (ja) | 1998-12-04 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |