JPH1032113A - 磁気カードとその製造方法 - Google Patents
磁気カードとその製造方法Info
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- JPH1032113A JPH1032113A JP8187864A JP18786496A JPH1032113A JP H1032113 A JPH1032113 A JP H1032113A JP 8187864 A JP8187864 A JP 8187864A JP 18786496 A JP18786496 A JP 18786496A JP H1032113 A JPH1032113 A JP H1032113A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 特殊な磁気記録再生装置を用いずに，優れた
偽造防止効果を有する磁気カードとその製造方法を提供
する。 【解決手段】 磁気カード１は、磁性層３が一般式Ｒx
Ｔ100-x-y Ｍy ( R はSmを必須成分として Yを含む希土
類元素の１種以上，T はCo主成分の遷移金属(Fe,Co,Ni)
の１種以上，M はSi,Ti,Al,Ga,V,Cr,Mn,Cu,Zr,Nb,Mo,P
d,Hf,Ta,W,Pt,Auの１種以上）で表され，ｘ＝16.0〜22.
0(at%),0 ≦ｙ<30(at%)の範囲であり，酸素量が100 〜1
5000ppmの磁性粉末からなる磁性塗料か，又は前記組成
になるように組成の異なる２種以上の粉末を混合し，含
有される酸素量が100 〜15000ppmの磁性粉末からなる磁
性塗料により形成されている。磁気カード１の磁性層の
磁性粉末は、合金インゴット，焼結体，急冷薄帯及び還
元粉末の内の１種以上を用意し，水素処理後，粉砕を行
い，粉砕粉末に熱処理を施すことにより作製する。
偽造防止効果を有する磁気カードとその製造方法を提供
する。 【解決手段】 磁気カード１は、磁性層３が一般式Ｒx
Ｔ100-x-y Ｍy ( R はSmを必須成分として Yを含む希土
類元素の１種以上，T はCo主成分の遷移金属(Fe,Co,Ni)
の１種以上，M はSi,Ti,Al,Ga,V,Cr,Mn,Cu,Zr,Nb,Mo,P
d,Hf,Ta,W,Pt,Auの１種以上）で表され，ｘ＝16.0〜22.
0(at%),0 ≦ｙ<30(at%)の範囲であり，酸素量が100 〜1
5000ppmの磁性粉末からなる磁性塗料か，又は前記組成
になるように組成の異なる２種以上の粉末を混合し，含
有される酸素量が100 〜15000ppmの磁性粉末からなる磁
性塗料により形成されている。磁気カード１の磁性層の
磁性粉末は、合金インゴット，焼結体，急冷薄帯及び還
元粉末の内の１種以上を用意し，水素処理後，粉砕を行
い，粉砕粉末に熱処理を施すことにより作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，磁気カード及び磁
カードの製造方法に関し，特に，記録した所定の情報を
消去あるいは上書き等の書換えが困難もしくは不可能で
ある，偽造防止に優れた磁気カード及びその製造方法に
関するものである。
カードの製造方法に関し，特に，記録した所定の情報を
消去あるいは上書き等の書換えが困難もしくは不可能で
ある，偽造防止に優れた磁気カード及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】乗車券，テレホンカード，プリペイドカ
ードなどの金券として利用されている磁気カード類は，
カードを利用する毎に所定の装置で，カードに設けられ
た磁気記録層に残金等の所定の情報を書き換えることに
より使用されている。これらのカードには，偽造防止の
策として，磁気記録層に保護層を設ける，あるいは磁気
記録層を多層にする，または使用毎にカードにパンチ穴
を開ける等の工夫が施されている。
ードなどの金券として利用されている磁気カード類は，
カードを利用する毎に所定の装置で，カードに設けられ
た磁気記録層に残金等の所定の情報を書き換えることに
より使用されている。これらのカードには，偽造防止の
策として，磁気記録層に保護層を設ける，あるいは磁気
記録層を多層にする，または使用毎にカードにパンチ穴
を開ける等の工夫が施されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが，磁気カード
の普及と共に，磁気カードの情報を再生，記録する装置
技術も発達し，磁気カードに記録した情報を容易に読み
取り，さらには情報を書き込むことまで可能となった。
具体的には，磁気記録カードの使用毎に，新しい情報を
含む全情報が，旧情報の上にオーバーライトされる形で
書き換えられるため，カードの情報を記録，再生する装
置があれば，容易に情報の書換えが行え，これにより，
カードの偽造が容易に行えることになり，近年磁気カー
ドの偽造が目だって増えてきた。
の普及と共に，磁気カードの情報を再生，記録する装置
技術も発達し，磁気カードに記録した情報を容易に読み
取り，さらには情報を書き込むことまで可能となった。
具体的には，磁気記録カードの使用毎に，新しい情報を
含む全情報が，旧情報の上にオーバーライトされる形で
書き換えられるため，カードの情報を記録，再生する装
置があれば，容易に情報の書換えが行え，これにより，
カードの偽造が容易に行えることになり，近年磁気カー
ドの偽造が目だって増えてきた。
【０００４】この原因として，磁性層の保磁力が２〜３
ｋＯｅと低いことにあると考えられる。つまり，保磁力
が低いと従来の磁気記録，再生装置で容易に情報の書換
えができ，カードの偽造が可能となる。
ｋＯｅと低いことにあると考えられる。つまり，保磁力
が低いと従来の磁気記録，再生装置で容易に情報の書換
えができ，カードの偽造が可能となる。
【０００５】そこで，本発明の技術的課題は，かかる現
状に鑑み，情報の記録は容易に行えるが，記録した情報
の消去，書換えが困難（不可能）であるため，従来の様
な偽造を目的とした情報消去，書き込みが不可能である
磁気カードとその製造方法を提供することにある。
状に鑑み，情報の記録は容易に行えるが，記録した情報
の消去，書換えが困難（不可能）であるため，従来の様
な偽造を目的とした情報消去，書き込みが不可能である
磁気カードとその製造方法を提供することにある。
【０００６】また，本発明の他の技術的課題は，従来の
ものと比較し，特殊な磁気記録再生装置を用いずに，優
れた偽造防止効果を有する磁気記録カードとその製造方
法を提供することにある。
ものと比較し，特殊な磁気記録再生装置を用いずに，優
れた偽造防止効果を有する磁気記録カードとその製造方
法を提供することにある。
【０００７】更に，本発明の別の技術的課題は，保磁力
が高いため一度記録した情報の消去，書換えが困難又は
不可能である磁気カードとその製造方法を提供すること
にある。
が高いため一度記録した情報の消去，書換えが困難又は
不可能である磁気カードとその製造方法を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは，第一に初
期情報記録する際，長手方向に一箇所以上の未記録部分
を残し記録を行い，更にその後，順次新しい情報を記録
する際には，既存の情報を消去することなく，未記録部
分に新規情報を記録する方法を検討した。その結果，特
別な磁気記録，再生装置を用いる必要がなく，また，優
れた偽造防止効果を有する磁気記録方式および磁気記録
媒体とその製造方法を見いだし，既に提案している（特
願平６−１４３６９５号，国内優先権主張，特願平６−
３２００９１号，参照）。更に，本発明者らは，調査を
継続した結果，より優れた偽造防止効果を有する磁気カ
ードおよびその製造方法を見いだし，本発明を成すに至
ったものである。
期情報記録する際，長手方向に一箇所以上の未記録部分
を残し記録を行い，更にその後，順次新しい情報を記録
する際には，既存の情報を消去することなく，未記録部
分に新規情報を記録する方法を検討した。その結果，特
別な磁気記録，再生装置を用いる必要がなく，また，優
れた偽造防止効果を有する磁気記録方式および磁気記録
媒体とその製造方法を見いだし，既に提案している（特
願平６−１４３６９５号，国内優先権主張，特願平６−
３２００９１号，参照）。更に，本発明者らは，調査を
継続した結果，より優れた偽造防止効果を有する磁気カ
ードおよびその製造方法を見いだし，本発明を成すに至
ったものである。
【０００９】本発明の磁気カードにおいて，磁性層を形
成する磁性粉として，一般式，ＲxＴ100-x-y Ｍy （但
し，Ｒは，Ｓｍを必須成分としてＹを含む希土類元素か
ら選択された少なくとも１種，Ｔは，Ｃｏを主成分とす
る遭移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）の内から選択された少
なくとも１種，Ｍは，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａ１，Ｇａ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｔ，及びＡｕの内少なくとも１種）で表さ
れ，Ｒの組成値ｘは１６．０〜２２．０，Ｍの組成値ｙ
は０≦ｙ＜３０（いずれもａｔ％）の範囲であり，酸素
量が１００〜１５０００ｐｐｍである磁性粉，あるいは
前記組成になるように組成の異なる２種以上の粉末を混
合し，含有される酸素量が１００〜１５０００ｐｐｍで
ある混合粉末を使用している。
成する磁性粉として，一般式，ＲxＴ100-x-y Ｍy （但
し，Ｒは，Ｓｍを必須成分としてＹを含む希土類元素か
ら選択された少なくとも１種，Ｔは，Ｃｏを主成分とす
る遭移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）の内から選択された少
なくとも１種，Ｍは，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａ１，Ｇａ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｐｔ，及びＡｕの内少なくとも１種）で表さ
れ，Ｒの組成値ｘは１６．０〜２２．０，Ｍの組成値ｙ
は０≦ｙ＜３０（いずれもａｔ％）の範囲であり，酸素
量が１００〜１５０００ｐｐｍである磁性粉，あるいは
前記組成になるように組成の異なる２種以上の粉末を混
合し，含有される酸素量が１００〜１５０００ｐｐｍで
ある混合粉末を使用している。
【００１０】本発明において，磁気カードの偽造防止効
果をより向上させる手段としては，前記磁性粉の保磁力
をより高くすることが最も効果的である。前記磁性粉の
保磁力は，粉末粒径を小さくすることにより高くなるた
め，保磁力を高めるためには，磁性粉を粉砕する工程に
おいて，より細かくかつ工業的には効率よく粉砕するこ
とがキーポイントとなる。
果をより向上させる手段としては，前記磁性粉の保磁力
をより高くすることが最も効果的である。前記磁性粉の
保磁力は，粉末粒径を小さくすることにより高くなるた
め，保磁力を高めるためには，磁性粉を粉砕する工程に
おいて，より細かくかつ工業的には効率よく粉砕するこ
とがキーポイントとなる。
【００１１】本発明では，溶解法，液体急冷法，粉末冶
金法，または還元法により作製した合金あるいは合金粉
末に対し，液体窒素温度から２００℃の温度範囲で水素
処理を施すことにより，合金あるいは合金粉末の粉砕性
を向上させ，その後の粉砕工程において，より粒径の小
さい粉末を短時間で得ることが可能となり，そのため，
磁性粉の保磁力が向上し，より偽造効果に優れた磁気カ
ードの提供が可能となることを見いだしたものである。
金法，または還元法により作製した合金あるいは合金粉
末に対し，液体窒素温度から２００℃の温度範囲で水素
処理を施すことにより，合金あるいは合金粉末の粉砕性
を向上させ，その後の粉砕工程において，より粒径の小
さい粉末を短時間で得ることが可能となり，そのため，
磁性粉の保磁力が向上し，より偽造効果に優れた磁気カ
ードの提供が可能となることを見いだしたものである。
【００１２】本発明の磁気カードは，より高保磁力で，
かつ着磁性に優れた特性を有するものである。
かつ着磁性に優れた特性を有するものである。
【００１３】本発明における上記磁気カードの保磁力
は，記録情報の消去あるいは上書きが困難（不可能）で
あるために，３．５ｋＯｅ以土で，かつ保磁力を有効に
発現するために保磁力の１／２以下の印加磁界で飽和磁
化の２５％以上の磁化を有することが好ましい。
は，記録情報の消去あるいは上書きが困難（不可能）で
あるために，３．５ｋＯｅ以土で，かつ保磁力を有効に
発現するために保磁力の１／２以下の印加磁界で飽和磁
化の２５％以上の磁化を有することが好ましい。
【００１４】ここで，本発明における高保磁力でかつ着
磁性の良好な磁性粉としては，一般式，Ｒx Ｔ100-x-y
Ｍy （ただし，ＲはＳｍを必須成分としてＹを含む希土
類元素から選択された少なくとも１種，Ｔは，Ｃｏを主
成分とする遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）の内から選択
された少なくとも１種，Ｍは，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａ１，Ｇ
ａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，ＰｔおよびＡｕの内少なくとも１種）
で表され，Ｒの組成値ｘは１６．０〜２２．０，Ｍの組
成値ｙは０≦ｙ＜３０（いずれもａｔ％）の範囲であ
り，酸素量が１０〜１５０００ｐｐｍである磁性粉，あ
るいは前記組成になるように組成の異なる２種以上の粉
末を混合し，含有される酸素量が１０〜１５０００ｐｐ
ｍである混合粉末が適当である。本発明において，磁性
層を構成する磁性粉の製造方法としては，溶解法，液体
急冷法，粉末冶金法，還元法によつて得られた上記組成
の合金あるいは合金粉末を液体窒素温度から２００℃の
温度範囲で水素処理した後，粉砕し，その後真空もしく
は不活性雰囲気下で６００〜１１００℃の温度で熱処理
を施し粉末を得る方法が適当である。または，組成の異
なる２種類以上の粉末を混合した混合粉末も適当であ
り，製造方法としては，合金あるいは合金粉末を上記と
同様の方法て水素処理した後，合金あるいは合金粉末を
上記組成になるように混合粉砕し，その後真空もしくは
不活性雰囲気下で６００〜１１００℃の温度で熱処理を
施し粉末を得る方法が適当である。
磁性の良好な磁性粉としては，一般式，Ｒx Ｔ100-x-y
Ｍy （ただし，ＲはＳｍを必須成分としてＹを含む希土
類元素から選択された少なくとも１種，Ｔは，Ｃｏを主
成分とする遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）の内から選択
された少なくとも１種，Ｍは，Ｓｉ，Ｔｉ，Ａ１，Ｇ
ａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，ＰｔおよびＡｕの内少なくとも１種）
で表され，Ｒの組成値ｘは１６．０〜２２．０，Ｍの組
成値ｙは０≦ｙ＜３０（いずれもａｔ％）の範囲であ
り，酸素量が１０〜１５０００ｐｐｍである磁性粉，あ
るいは前記組成になるように組成の異なる２種以上の粉
末を混合し，含有される酸素量が１０〜１５０００ｐｐ
ｍである混合粉末が適当である。本発明において，磁性
層を構成する磁性粉の製造方法としては，溶解法，液体
急冷法，粉末冶金法，還元法によつて得られた上記組成
の合金あるいは合金粉末を液体窒素温度から２００℃の
温度範囲で水素処理した後，粉砕し，その後真空もしく
は不活性雰囲気下で６００〜１１００℃の温度で熱処理
を施し粉末を得る方法が適当である。または，組成の異
なる２種類以上の粉末を混合した混合粉末も適当であ
り，製造方法としては，合金あるいは合金粉末を上記と
同様の方法て水素処理した後，合金あるいは合金粉末を
上記組成になるように混合粉砕し，その後真空もしくは
不活性雰囲気下で６００〜１１００℃の温度で熱処理を
施し粉末を得る方法が適当である。
【００１５】ここで，上記組成の限定理由は，一般式，
Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy において，ｘが１６．０ａｔ％以下
では，保磁力が低下し，２２．０ａｔ％以上では磁化が
低下し好ましくないからであり，また，Ｍは３０ａｔ％
以下であると保磁力の低下が見られ好ましくない。
Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy において，ｘが１６．０ａｔ％以下
では，保磁力が低下し，２２．０ａｔ％以上では磁化が
低下し好ましくないからであり，また，Ｍは３０ａｔ％
以下であると保磁力の低下が見られ好ましくない。
【００１６】また，酸素量の限定理由としては，酸素混
入により酸索がＳｍとＳｍ2 Ｏ3 化合物を形成するた
め，実際に磁性化合物を形成するＳｍ値が減少し，酸素
量が１５０００ｐｐｍ以上になると，Ｓｍ2 Ｏ3 以外に
軟磁性相が出現し，保磁力の低下を招くことになる。ま
た酸素量が１００ｐｐｍ以下の粉末は工程上作製が困難
である。
入により酸索がＳｍとＳｍ2 Ｏ3 化合物を形成するた
め，実際に磁性化合物を形成するＳｍ値が減少し，酸素
量が１５０００ｐｐｍ以上になると，Ｓｍ2 Ｏ3 以外に
軟磁性相が出現し，保磁力の低下を招くことになる。ま
た酸素量が１００ｐｐｍ以下の粉末は工程上作製が困難
である。
【００１７】また，水素処理が液体窒素温度以下では，
冷却コストが高く好ましくなく，２００℃以上の温度で
は粉砕性の向土効果がほとんどみられず好ましくない。
冷却コストが高く好ましくなく，２００℃以上の温度で
は粉砕性の向土効果がほとんどみられず好ましくない。
【００１８】また，本発明において，熱処理温度が６０
０℃以下および１１００℃以上の場合は，保磁力の低下
が起こり好ましくない。
０℃以下および１１００℃以上の場合は，保磁力の低下
が起こり好ましくない。
【００１９】また，基体上に形成される磁性層は，磁性
粉をバインダーと共に混練した磁性塗料を塗布乾燥する
ことにより形成される。
粉をバインダーと共に混練した磁性塗料を塗布乾燥する
ことにより形成される。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２１】（第１の実施の形態）純度９９．０％以上
のＳｍ，Ｃｏを溶解してＳｍ１９．２ａｔ％，Ｃｏ８
０．８ａｔ％の組成の合金を作製した。その後，−１９
０℃〜２５０℃の温度の水素雰囲気中で合金に水素処理
を施し，ボルテックスを用いて４時間粉砕を行った。得
られた粉末の平均粒径を下記表１に示した。更に，得ら
れた粉末に１０００℃でＡｒ雰囲気中１５分間熱処理を
施し，室温まで急冷を行った。
のＳｍ，Ｃｏを溶解してＳｍ１９．２ａｔ％，Ｃｏ８
０．８ａｔ％の組成の合金を作製した。その後，−１９
０℃〜２５０℃の温度の水素雰囲気中で合金に水素処理
を施し，ボルテックスを用いて４時間粉砕を行った。得
られた粉末の平均粒径を下記表１に示した。更に，得ら
れた粉末に１０００℃でＡｒ雰囲気中１５分間熱処理を
施し，室温まで急冷を行った。
【００２２】熱処理後の粉末を，下記表２に示す割合で
樹脂，溶剤と混合し磁性塗料を作製した。得られた磁性
塗料を，ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の基体
上に塗布厚さ２０μｍになるように塗工を行い，乾燥し
基体上に磁性層を形成した。得られた磁気カードの磁気
特性を振動試料型磁力計（Ｖ．Ｓ．Ｍ）を用いて測定し
た。その結果を下記表１に示す。尚，比較例として，本
発明と同組成の合金を，水素処理を行わず，粗粉砕をし
た後，ボルテックスで４時間粉砕して得られた粉末を，
第１の実施の形態と同条件で熱処理した粉末の結果も下
記表１に示した。
樹脂，溶剤と混合し磁性塗料を作製した。得られた磁性
塗料を，ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の基体
上に塗布厚さ２０μｍになるように塗工を行い，乾燥し
基体上に磁性層を形成した。得られた磁気カードの磁気
特性を振動試料型磁力計（Ｖ．Ｓ．Ｍ）を用いて測定し
た。その結果を下記表１に示す。尚，比較例として，本
発明と同組成の合金を，水素処理を行わず，粗粉砕をし
た後，ボルテックスで４時間粉砕して得られた粉末を，
第１の実施の形態と同条件で熱処理した粉末の結果も下
記表１に示した。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】上記表１に示すように，比較例と比較し
て，水素処理温度−１９０〜２００℃で粉砕粒径が小さ
く，かつ磁気特性が良好な結果が得られた。
て，水素処理温度−１９０〜２００℃で粉砕粒径が小さ
く，かつ磁気特性が良好な結果が得られた。
【００２６】さらに各カードに対し，従来のリーダライ
タ（記録磁界，５ｋＧ）を用い，ＦＭ方式で記録し，再
生を行ったところ，いずれのカードでも良好な記録信号
が検出された。次に，この磁気ヘッドを用い記録信号の
消去を行ったところ，いずれのカードでも，記録信号は
消去前の５０％以上の出力で残留し消去され難かった。
しかし，水素処理温度２５０と比較例の試料のカードで
は，他のカードと比較して，記録信号の残留率は約１０
％低下した。
タ（記録磁界，５ｋＧ）を用い，ＦＭ方式で記録し，再
生を行ったところ，いずれのカードでも良好な記録信号
が検出された。次に，この磁気ヘッドを用い記録信号の
消去を行ったところ，いずれのカードでも，記録信号は
消去前の５０％以上の出力で残留し消去され難かった。
しかし，水素処理温度２５０と比較例の試料のカードで
は，他のカードと比較して，記録信号の残留率は約１０
％低下した。
【００２７】また，これは溶解法だけにかかわらず，液
体急冷法，粉末冶金法，還元法を用いて作製した合金あ
るいは合金粉末においても同様の結果となった。
体急冷法，粉末冶金法，還元法を用いて作製した合金あ
るいは合金粉末においても同様の結果となった。
【００２８】（第２の実施の形態）純度９９．０％以上
のＳｍ，Ｃｏ，添加元素を溶解して下記表３に示す組成
の合金を作製し，第１の実施の形態と同様の方法で，水
素吸蔵，粉砕，熱処理，そして磁性層を形成した磁気カ
ードを作製した。得られた磁気カードの磁気特性をＶ．
Ｓ．Ｍを用いて測定した。結果を表３に示した。
のＳｍ，Ｃｏ，添加元素を溶解して下記表３に示す組成
の合金を作製し，第１の実施の形態と同様の方法で，水
素吸蔵，粉砕，熱処理，そして磁性層を形成した磁気カ
ードを作製した。得られた磁気カードの磁気特性をＶ．
Ｓ．Ｍを用いて測定した。結果を表３に示した。
【００２９】
【表３】
【００３０】上記表３に示した元素を添加した場合でも
良好な結果が得られた。さらに，第５の実施の形態と同
様の方法で，各カードに記録を施し，消去を行ったとこ
ろ，全てのカードにおいて記録信号が消去前の５０％以
上の出力で残留し消去され難かった。
良好な結果が得られた。さらに，第５の実施の形態と同
様の方法で，各カードに記録を施し，消去を行ったとこ
ろ，全てのカードにおいて記録信号が消去前の５０％以
上の出力で残留し消去され難かった。
【００３１】尚，添加元素を，２種類以上添加しても，
良好な結果が得られることは容易に推測される。
良好な結果が得られることは容易に推測される。
【００３２】（第３の実施の形態）図１は，本発明の第
１の実施例の形態による磁気カードの部分断面図であ
る。図１に示すように，この磁気カード１は，乗車券，
テレホンカード，あるいはプリペイドカードなどの金券
として利用されている。この，磁気カード１はポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂からなる基体２の主
面上に，磁性塗料を塗布することによって磁性層３を形
成し，さらにその上に必要に応じて保護層４を形成した
ものである。
１の実施例の形態による磁気カードの部分断面図であ
る。図１に示すように，この磁気カード１は，乗車券，
テレホンカード，あるいはプリペイドカードなどの金券
として利用されている。この，磁気カード１はポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂からなる基体２の主
面上に，磁性塗料を塗布することによって磁性層３を形
成し，さらにその上に必要に応じて保護層４を形成した
ものである。
【００３３】図２は，図１の磁気カードの磁気記録方法
を説明するための磁性層３の面からみた平面図である。
図２に示すように，磁気カード１の磁性層３には磁気カ
ード１の長手方向での両端間にのびたストライプ状の情
報記録層５が設けられている。情報記録領域５は，図２
では便宜のため明瞭に黙視でき得るように記載したが，
実際には黙視できない形態で設けられることが望まし
い。また，情報記録領域５には，初期情報としての情報
を，長手方向に隣接した複数の記録の集まりとして磁気
的に記録しておく。従って，情報記録領域５の情報を既
に記録している部分は斜線（ハッチング）を施して示し
た。
を説明するための磁性層３の面からみた平面図である。
図２に示すように，磁気カード１の磁性層３には磁気カ
ード１の長手方向での両端間にのびたストライプ状の情
報記録層５が設けられている。情報記録領域５は，図２
では便宜のため明瞭に黙視でき得るように記載したが，
実際には黙視できない形態で設けられることが望まし
い。また，情報記録領域５には，初期情報としての情報
を，長手方向に隣接した複数の記録の集まりとして磁気
的に記録しておく。従って，情報記録領域５の情報を既
に記録している部分は斜線（ハッチング）を施して示し
た。
【００３４】情報記録領域５には長手方向に隣接して既
存の情報領域５１と未記録部分の情報領域５２とが設け
られている。既存の情報領域５１には，固定情報を記録
しておく。磁気カード１を使用する毎に，順次新しい情
報を記録する際には，既存の情報領域５１の記録情報を
消去することなく，未記録部分の情報記録領域５２に新
規情報を記録する。尚，ここで一旦記録された未記録部
分の情報領域５２の可変情報の書換えは困難であるが，
複数の記録のうち，選ばれた記録を磁気的に消去するこ
とのみによって行う。この場合，磁気記録・再生装置に
よって，既存の固定情報及び可変情報を読み込み，処理
回路により既存の固定情報を参照して可変情報に所定の
処理を施した後，磁気記録・再生装置により未記録部分
の情報領域５２から複数の記録のうち，選ばれた記録を
磁気的に消去することで可変情報の書換えを行うことが
できる。
存の情報領域５１と未記録部分の情報領域５２とが設け
られている。既存の情報領域５１には，固定情報を記録
しておく。磁気カード１を使用する毎に，順次新しい情
報を記録する際には，既存の情報領域５１の記録情報を
消去することなく，未記録部分の情報記録領域５２に新
規情報を記録する。尚，ここで一旦記録された未記録部
分の情報領域５２の可変情報の書換えは困難であるが，
複数の記録のうち，選ばれた記録を磁気的に消去するこ
とのみによって行う。この場合，磁気記録・再生装置に
よって，既存の固定情報及び可変情報を読み込み，処理
回路により既存の固定情報を参照して可変情報に所定の
処理を施した後，磁気記録・再生装置により未記録部分
の情報領域５２から複数の記録のうち，選ばれた記録を
磁気的に消去することで可変情報の書換えを行うことが
できる。
【００３５】次に，磁気カード１の磁性層３を形成する
ための磁性粉末について説明する。純度９９．０％以上
のＳｍ，Ｃｏを溶解して下記表４に示す組成の合金を作
製し，室温で水素吸蔵を行い，得られた粉末をボルテッ
クスを用いて微粉砕を行い，平均粒径が１．５〜３．０
μｍの粉末を得た。さらに得られた粉末に１０００℃で
Ａｒ雰囲気中１５分間熱処理を施し，室温まで急冷を行
った。
ための磁性粉末について説明する。純度９９．０％以上
のＳｍ，Ｃｏを溶解して下記表４に示す組成の合金を作
製し，室温で水素吸蔵を行い，得られた粉末をボルテッ
クスを用いて微粉砕を行い，平均粒径が１．５〜３．０
μｍの粉末を得た。さらに得られた粉末に１０００℃で
Ａｒ雰囲気中１５分間熱処理を施し，室温まで急冷を行
った。
【００３６】熱処理後の粉末を次の表５に示す割合で樹
脂，溶剤と混合し磁性塗料を作製した。
脂，溶剤と混合し磁性塗料を作製した。
【００３７】得られた磁性塗料を，ポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）の基体上に塗布厚さ２０μｍになる
ように塗工を行い，乾燥し基体上に磁性層を形成した。
得られた磁気カードの磁気特性を振動試料型磁力計
（Ｖ．Ｓ．Ｍ）を用いて測定した。結果を下記表４，図
３に示す。Ｓｍ値１６．０ａｔ％以上，２２．０ａｔ％
以下で，また酸素量が１５０００ｐｐｍ以下で保磁力が
大きく，かつ着磁性の良好な結果が得られた。
タレート（ＰＥＴ）の基体上に塗布厚さ２０μｍになる
ように塗工を行い，乾燥し基体上に磁性層を形成した。
得られた磁気カードの磁気特性を振動試料型磁力計
（Ｖ．Ｓ．Ｍ）を用いて測定した。結果を下記表４，図
３に示す。Ｓｍ値１６．０ａｔ％以上，２２．０ａｔ％
以下で，また酸素量が１５０００ｐｐｍ以下で保磁力が
大きく，かつ着磁性の良好な結果が得られた。
【００３８】さらに各カードに対し，従来のリーダライ
タ（記録磁界，５ＫＧ）を用い，ＦＭ方式で記録し，再
生を行ったところ，Ｓｍ値２２．９ａｔ％，または酸素
量が１５０００ｐｐｍ以上の磁性粉を用いたカードで
は，記録信号出力が小さく，検出が困難であったが，そ
れ以外のカードでは，良好な記録信号が検出され，記録
がなされていた。次に，この磁気ヘッドを用い記録信号
の消去を行ったところ，Ｓｍ値１５．１ａｔ％と２２．
９ａｔ％と酸素量が１５０００ｐｐｍ以上の磁性粉を用
いたカードでは，記録信号が消去前の１０％以下の出力
に減衰し消去され易く，その他のカードでは，記録信号
が消去前の５０％以上の出力で残留し消去され難かっ
た。
タ（記録磁界，５ＫＧ）を用い，ＦＭ方式で記録し，再
生を行ったところ，Ｓｍ値２２．９ａｔ％，または酸素
量が１５０００ｐｐｍ以上の磁性粉を用いたカードで
は，記録信号出力が小さく，検出が困難であったが，そ
れ以外のカードでは，良好な記録信号が検出され，記録
がなされていた。次に，この磁気ヘッドを用い記録信号
の消去を行ったところ，Ｓｍ値１５．１ａｔ％と２２．
９ａｔ％と酸素量が１５０００ｐｐｍ以上の磁性粉を用
いたカードでは，記録信号が消去前の１０％以下の出力
に減衰し消去され易く，その他のカードでは，記録信号
が消去前の５０％以上の出力で残留し消去され難かっ
た。
【００３９】また，これはインゴットだけにかかわら
ず，急冷粉末，焼結体，ＲＤ粉末においても同様の結果
となった。
ず，急冷粉末，焼結体，ＲＤ粉末においても同様の結果
となった。
【００４０】以上のことから，Ｓｍ値１６．０〜２２．
０ａｔ％で酸素量が１５０００ｐｐｍ以下の磁性粉を用
いたカードで良好な結果が得られた。
０ａｔ％で酸素量が１５０００ｐｐｍ以下の磁性粉を用
いたカードで良好な結果が得られた。
【００４１】
【表４】
【００４２】
【表５】
【００４３】（第４の実施の形態）次に，第３の実施の
形態の結果を参考にして，純度９９．０％以上のＳｍ，
Ｃｏと純度９９．０％以上の添加元素，各１種類を溶解
して下記表６に示す組成の合金を作製し，第３の実施の
形態と同様の方法で水素吸蔵，粉砕，熱処理を行い，第
３の実施の実施と同様の方法で，磁性層を形成した磁気
カードを作製した。磁気カードの磁気特性を振動試料型
磁力計（Ｖ．Ｓ．Ｍ）を用いて測定した。結果を下記表
７に示す。添加元素を添加しても良好な結果が得られ
た。さらに，第３の実施の形態と同様の方法で，各カー
ドに記録を施し，消去を行ったところ，全てのカードと
も記録信号が消去前の５０％以上の出力で残留し消去さ
れ難かった。
形態の結果を参考にして，純度９９．０％以上のＳｍ，
Ｃｏと純度９９．０％以上の添加元素，各１種類を溶解
して下記表６に示す組成の合金を作製し，第３の実施の
形態と同様の方法で水素吸蔵，粉砕，熱処理を行い，第
３の実施の実施と同様の方法で，磁性層を形成した磁気
カードを作製した。磁気カードの磁気特性を振動試料型
磁力計（Ｖ．Ｓ．Ｍ）を用いて測定した。結果を下記表
７に示す。添加元素を添加しても良好な結果が得られ
た。さらに，第３の実施の形態と同様の方法で，各カー
ドに記録を施し，消去を行ったところ，全てのカードと
も記録信号が消去前の５０％以上の出力で残留し消去さ
れ難かった。
【００４４】また，これはインゴットだけにかかわら
ず，急冷粉末，焼結体，ＲＤ粉末においても同様の結果
となった。
ず，急冷粉末，焼結体，ＲＤ粉末においても同様の結果
となった。
【００４５】以上のことより，第３の実施の形態におけ
る２元系でも良好な結果が得られていたが，さらに添加
元素，各１種類を添加しても良好な結果が得られた。
る２元系でも良好な結果が得られていたが，さらに添加
元素，各１種類を添加しても良好な結果が得られた。
【００４６】
【表６】
【００４７】
【表７】
【００４８】（第５の実施の形態）前述した第４の実施
の形態において，純度９９．０％以上のＳｍ，Ｃｏと純
度９９．０％以上のＡｌ，Ｓｉを溶解して下記表５に示
す組成の合金を作製し，第３の実施の形態と同様の方法
で水素吸蔵，粉砕，熱処理を行い，第３の実施の形態と
同様の方法で，磁性層を形成した磁気カードを作製し
た。磁気カードの磁気特性を振動試料型磁力計（Ｖ．
Ｓ．Ｍ）を用いて測定した。結果を下記表８，図４に示
す。Ａｌ，Ｓｉを３０ａｔ％以上，添加した磁性粉末は
保磁力の低下が見られた。０〜３０ａｔ％添加した磁性
粉末は，良好な結果が得られた。さらに第１の実施の形
態と同様の方法で，各カードに記録を施し，消去を行っ
たところ，Ａｌ，Ｓｉを３０ａｔ％以上の磁性粉を用い
たカードでは，記録信号が消去前の１０％以下の出力に
減衰し消去され易く，その他のカードでは，記録信号が
消去前の５０％以上の出力で残留し消去され難かった。
の形態において，純度９９．０％以上のＳｍ，Ｃｏと純
度９９．０％以上のＡｌ，Ｓｉを溶解して下記表５に示
す組成の合金を作製し，第３の実施の形態と同様の方法
で水素吸蔵，粉砕，熱処理を行い，第３の実施の形態と
同様の方法で，磁性層を形成した磁気カードを作製し
た。磁気カードの磁気特性を振動試料型磁力計（Ｖ．
Ｓ．Ｍ）を用いて測定した。結果を下記表８，図４に示
す。Ａｌ，Ｓｉを３０ａｔ％以上，添加した磁性粉末は
保磁力の低下が見られた。０〜３０ａｔ％添加した磁性
粉末は，良好な結果が得られた。さらに第１の実施の形
態と同様の方法で，各カードに記録を施し，消去を行っ
たところ，Ａｌ，Ｓｉを３０ａｔ％以上の磁性粉を用い
たカードでは，記録信号が消去前の１０％以下の出力に
減衰し消去され易く，その他のカードでは，記録信号が
消去前の５０％以上の出力で残留し消去され難かった。
【００４９】以上のことから，Ａｌ，Ｓｉを０〜３０ａ
ｔ％の磁性粉を用いたカードで良好な結果が得られた。
ｔ％の磁性粉を用いたカードで良好な結果が得られた。
【００５０】
【表８】
【００５１】（第６の実施の形態）第５の実施の形態に
おいてＳｍ19.1Ｃｏ68.7Ａｌ12.2組成の粉末を１０００
℃で熱処理を施した磁性粉を用い第３の実施の形態と同
様の方法で作製した磁性塗料を，ＰＥＴ基体上に塗布し
た後，カード面と平行に，０〜１０ｋＯｅの磁界を印加
し磁性分を配向し，その後，乾燥し基体上に磁性層を形
成した磁気カードを得た。得られた磁気カードの磁気特
性をＶＳＭを用い配向方向と平行に磁界を印可し測定し
た。その結果，配向処理を施すことにより，保磁力は低
下せず着磁性が最大６％程度良くなった。
おいてＳｍ19.1Ｃｏ68.7Ａｌ12.2組成の粉末を１０００
℃で熱処理を施した磁性粉を用い第３の実施の形態と同
様の方法で作製した磁性塗料を，ＰＥＴ基体上に塗布し
た後，カード面と平行に，０〜１０ｋＯｅの磁界を印加
し磁性分を配向し，その後，乾燥し基体上に磁性層を形
成した磁気カードを得た。得られた磁気カードの磁気特
性をＶＳＭを用い配向方向と平行に磁界を印可し測定し
た。その結果，配向処理を施すことにより，保磁力は低
下せず着磁性が最大６％程度良くなった。
【００５２】以上のことより，磁性粉末を用い，磁性分
を形成する際，配向処理を施しても特性劣化は見られず
良好な結果が得られた。
を形成する際，配向処理を施しても特性劣化は見られず
良好な結果が得られた。
【００５３】
【発明の効果】以上，説明した通り，本発明では，保磁
力３．５ｋＯｅ以上でかつ保磁力の１／２以下の印加磁
界で飽和磁化の２５％以上の磁化を有する磁性層が，情
報の記録は容易に行えるが，記録した情報の消去，書換
えが困難又は不可能であることに着目したもので，磁気
記録媒体の面内長手方向に磁気記録をする方法におい
て，第一に初期情報記録する際，長手方向に一箇所以上
の未記録部分を残し記録を行い，更にその後，順次新し
い情報を記録する際には，既存の情報を消去することな
く，未記録部分に新規情報を記録することができる。従
って，本発明によれば，情報の記録は容易に行えるが，
記録した情報の消去，書換えが困難又は不可能であるた
め，偽造を目的とした情報消去，書き込みが不可能であ
る磁気記録用カードが得られる。
力３．５ｋＯｅ以上でかつ保磁力の１／２以下の印加磁
界で飽和磁化の２５％以上の磁化を有する磁性層が，情
報の記録は容易に行えるが，記録した情報の消去，書換
えが困難又は不可能であることに着目したもので，磁気
記録媒体の面内長手方向に磁気記録をする方法におい
て，第一に初期情報記録する際，長手方向に一箇所以上
の未記録部分を残し記録を行い，更にその後，順次新し
い情報を記録する際には，既存の情報を消去することな
く，未記録部分に新規情報を記録することができる。従
って，本発明によれば，情報の記録は容易に行えるが，
記録した情報の消去，書換えが困難又は不可能であるた
め，偽造を目的とした情報消去，書き込みが不可能であ
る磁気記録用カードが得られる。
【００５４】従って，本発明は工業上極めて有益であ
る。
る。
【図１】本発明の第３の実施の形態による磁気カードを
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図２】図１の磁気カードへの磁気記録方法の説明に供
せられる平面図である。
せられる平面図である。
【図３】図１の磁気カードの磁気特性を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施の携帯による磁気カードの
磁気特性を示す図である。
磁気特性を示す図である。
１ 磁気カード ２ 基体 ３ 磁性層 ４ 保護層 ５ 情報記録領域 ５１ 既存の情報領域 ５２ 未記録部分の情報記録領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 5/80 Ｇ１１Ｂ 5/80 5/842 5/842 Ｚ Ｈ０１Ｆ 1/047 Ｈ０１Ｆ 1/06 Ｊ
Claims (15)
- 【請求項１】 磁気カードにおいて，磁性層が，一般
式，Ｒx Ｔ100-x-y Ｍy （但し，Ｒは，Ｓｍを必須成分
としてＹを含む希土類元素から選択された少なくとも１
種，Ｔは，Ｃｏを主成分とする遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ）の内から選択された少なくとも１種，Ｍは，Ｓ
ｉ，Ｔｉ，Ａ１，Ｇａ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，およびＡｕ
の内少なくとも１種）で表され，Ｒの組成値ｘ１６．０
〜２２．Ｏ，Ｍの組成値ｙは０≦ｙ＜３０（いずれもａ
ｔ％）の範囲であり，酸素量が１００〜１５０００ｐｐ
ｍである磁性粉末からなる磁性塗料か，あるいは前記組
成になるように組成の異なる２種以上の粉末を混合し，
含有される酸素量が１００〜１５０００ｐｐｍである磁
性粉末からなる磁性塗料により形成されていることを特
徴とする磁気カード。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気カードにおいて，前
記磁性層は，少なくともその構成粒子が一方向に配向し
ていることを特徴とする磁気カード。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の磁気カードにおい
て，前記磁性粉末は，合金インゴット，焼結体，急冷薄
帯及び還元粉末の内の少なくとも一種を水素処理後粉砕
を行い，粉砕粉末に熱処理を施すことにより得られる処
理粉末であることを特徴とする磁気カード。 - 【請求項４】 請求項３記載の磁気カードの製造方法に
おいて，前記急冷薄帯は，Ｒ，ＴおよびＭを融解した溶
湯を５０℃／秒以上の速度で急冷することによって作製
されたものであることを特徽とする磁気カードの製造方
法。 - 【請求項５】 請求項３記載の磁気カードの製造方法に
おいて，前記還元粉末を，Ｒ，Ｔ，及びＭの酸化物か
ら，カルシウムを用いこの酸化物を還元し作製したもの
であることを特徴とする磁気カードの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１記載の磁気カードを製造する方
法において，前記磁性粉末を，合金インゴット，焼結
体，急冷薄帯及び還元粉末の内の少なくとも一種を用意
し，水素処理後，粉砕を行い，粉砕粉末に熱処理を施す
ことにより作製することを特徴とする磁気カードの製造
方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の磁気カードの製造方法に
おいて，前記急冷薄帯は，Ｒ，ＴおよびＭを融解した溶
湯を５０℃／秒以上の速度で急冷することによって作製
されたものであることを特徽とする磁気カードの製造方
法。 - 【請求項８】 請求項６記載の磁気カードの製造方法に
おいて，前記還元粉末を，Ｒ，Ｔ，及びＭの酸化物か
ら，カルシウムを用いこの酸化物を還元し作製すること
を特徴とする磁気カードの製造方法。 - 【請求項９】 請求項６乃至８の内のいずれかに記載の
磁気カードを製造する方法において，前記磁性層に一方
向磁界を印加し，前記磁性層を配向させる処理を行うこ
とを特徴とする磁気カードの製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１記載の磁気カードを製造する
方法において，前記磁性層を形成する磁性粉末を，溶解
法，粉末冶金法，液体急冷法または還元法によって作製
された合金又は合金粉末に，水素処理を施すことにより
作製することを特徴とする磁気カードの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項９記載の磁気カードを製造する
方法において，前記水素処理は，液体窒素温度から２０
０℃の温度範囲で行われることを特徴とする磁気カード
の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１０又は１１記載の磁気カード
を製造する方法において，前記磁性粉末は，前記水素処
理した後，粉砕し，その粉末または混合粉末を，真空あ
るいは不活性雰囲気中で６００℃〜１１００℃の温度範
囲で熱処理を施して作製することを特徴とする磁気カー
ドの製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１０記載の磁気カードの製造方
法において，前記液体急冷法によって作製される合金又
は合金粉末は，Ｒ，ＴおよびＭを融解した溶湯を５０℃
／秒以上の速度で急冷することによって作製された急冷
薄帯からなることを特徴とする磁気カードの製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１０記載の磁気カードの製造方
法において，前記還元法によって作製される合金又は合
金粉末は，Ｒ，Ｔ，及びＭの酸化物から，カルシウムを
用いこの酸化物を還元し作製された粉末であることを特
徴とする磁気カードの製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１０乃至１４の内のいずれかに
記載の磁気カードを製造する方法において，前記磁性層
に一方向磁界を印加し，前記磁性層を配向させる処理を
行うことを特徴とする磁気カードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187864A JPH1032113A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 磁気カードとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187864A JPH1032113A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 磁気カードとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032113A true JPH1032113A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16213559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8187864A Withdrawn JPH1032113A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 磁気カードとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1032113A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7972448B2 (en) | 2002-11-28 | 2011-07-05 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Method for the production of an anisotropic magnetic powder and a bonded anisotropic magnet produced therefrom |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP8187864A patent/JPH1032113A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7972448B2 (en) | 2002-11-28 | 2011-07-05 | Vacuumschmelze Gmbh & Co. Kg | Method for the production of an anisotropic magnetic powder and a bonded anisotropic magnet produced therefrom |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20041108 |