JPH10320792A - 光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の反射膜を有する光ディスクにおいても
目的とする反射膜に対して最適なサーボループゲインを
短時間に設定できる光ディスク装置を提供する。 【解決手段】 光ピックアップ１を光軸に沿って一方向
に移動させて各反射膜位置に光ピックアップ１の光ピッ
クアップレンズの焦点位置が一致したことを焦点一致検
出回路２１にて検出し、焦点一致検出回路２１から各反
射膜に対する検出出力が発生した時からＲＦ信号をＡ／
Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換出力に基づいて各反射膜の反射率
が測定回路２２において求め、求めた各反射層の反射率
を反射膜に対応して記憶装置３０に記憶し、目的とする
反射膜から情報を読み出す場合に該反射膜に対する反射
率を記憶装置３０から読み出し、読み出した反射率に基
づいてフォーカスサーボループゲイン、トラッキングル
ープゲインゲインおよびＲＦゲインをサーボループゲイ
ン設定回路２３によって設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置に
関し、さらに詳細には複数の反射膜を有する光ディスク
から情報の読み出し、光ディスクへ情報の記録ができる
光ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】複数の反射膜を有する光ディスクから情
報を読み出し、光ディスクへ情報の記録ができる従来の
光ディスク装置において、フォーカスサーボループやト
ラッキングサーボループのサーボループゲインを最適に
調整するため、目的の反射層に対してフォーカスサーボ
ループを動作させた後、基準信号をサーボループ内に印
加し、フォーカスサーボループ内を一巡してきた信号を
観測してサーボループゲインを調整することが行われて
いる。

【０００３】図１０は上記した従来の光ディスク装置の
構成を示すブロック図であり、光ピックアップ１からＲ
Ｆ信号を検出してＲＦ信号増幅器２にて増幅のうえ、信
号処理回路３に供給し信号処理してデータ出力を送出さ
せる。一方、光ピックアップ１からフォーカス誤差信号
を検出してフォーカス誤差信号増幅器４にて増幅のう
え、位相補償回路５にて位相補償のうえ電力増幅器６に
入力し、電力増幅出力に基づいてフォーカスコイル７を
駆動している。

【０００４】このとき光ディスクの反射膜の反射率に対
応させるために、位相補償回路５の出力に基準信号発振
器８から出力される基準信号を加算回路９によって加算
し、フォーカスサーボループを一巡してきたフォーカ誤
差信号の振幅レベルをフォーカス誤差信号増幅器４の出
力から検出回路１０にて検出し、フォーカ誤差信号の振
幅レベルが一定になるようにゲインコントロール回路１
１の出力に基づいてフォーカス誤差信号増幅器４のＡＧ
Ｃ回路を制御して最適なサーボループゲインに調整する
ことが行われている。

【０００５】この方法はトラッキングサーボループに対
しても同様である。また一方、ＲＦ信号ループのゲイン
については光ディスクの反射率の差による振幅電圧の違
いに基づいてサーボループを閉成しながら調整を行って
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光ディスク装置では、目的とする反射膜に対応して各サ
ーボを動作させて、ある程度再生状態にしながら最適な
サーボループゲインに調整するため、多層の反射膜を持
つ光ディスクに対して他の反射膜に切換えた場合に、最
適なサーボループゲインに設定するまでに時間がかかる
という問題点があった。

【０００７】本発明は、複数の反射膜を有する光ディス
クにおいても目的とする反射膜に対して最適なサーボル
ープゲインを短時間に設定できる光ディスク装置を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる光ディス
ク装置は、複数の反射膜を有する光ディスクから情報の
読み出しおよび光ディスクへ情報の記録ができる光ディ
スク装置において、フォーカス誤差信号検出のため光ピ
ックアップを光軸に沿って一方向に移動させて各反射膜
位置に光ピックアップの光ピックアップレンズの焦点位
置が一致したことを検出する焦点一致検出手段と、焦点
一致検出手段からの各反射膜に対する検出出力発生時か
らＲＦ信号をＡ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換出力に基づいて
各反射膜の反射率を求める測定手段と、測定手段により
求めた各反射層の反射率を反射膜に対応して記憶する記
憶手段と、目的とする反射膜から情報を読み出す場合に
該反射膜に対応した反射率を記憶手段から読み出し、読
み出した反射率に基づいてフォーカスサーボループゲイ
ン、トラッキングループゲインゲインおよびＲＦゲイン
を設定するサーボループゲイン設定手段とを備えたこと
を特徴とする。

【０００９】本発明にかかる光ディスク装置は、フォー
カス誤差信号検出のため光ピックアップを光軸に沿って
一方向に移動させて各反射膜位置に光ピックアップの光
ピックアップレンズの焦点位置が一致したことが焦点一
致検出手段にて検出され、焦点一致検出手段から各反射
膜に対する検出出力が発生された時からＲＦ信号がＡ／
Ｄ変換され、Ａ／Ｄ変換出力に基づいて各反射膜の反射
率が測定手段によって求められ、求められた各反射層の
反射率が反射膜に対応して記憶手段に記憶され、目的と
する反射膜から情報を読み出す場合に該反射膜に対する
反射率が記憶手段から読み出され、読み出された反射率
に基づいてフォーカスサーボループゲイン、トラッキン
グループゲインゲインおよびＲＦゲインがサーボループ
ゲイン設定手段によって設定される。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる光ディスク
装置を実施の一形態によって説明する。

【００１１】図１は本発明の実施の一形態にかかる光デ
ィスク装置の構成を示すブロック図である。

【００１２】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク
装置において、図８に示した従来の光ディスク装置の構
成要素と同一構成要素には同一の符号が付してある。光
ピックアップ１から出力されたＲＦ信号をＲＦ信号増幅
器２にて増幅のうえ、信号処理回路３に供給し、信号処
理してデータ出力を送出する。一方、光ピックアップ１
からフォーカス誤差信号を検出し、フォーカス誤差信号
をフォーカス誤差信号増幅器４にて増幅のうえ、位相補
償回路５にて位相補償し、電力増幅器６にて電力増幅の
うえ、電力増幅出力に基づいてフォーカスコイル７を駆
動する。

【００１３】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク
装置は、光ピックアップ１を光軸に沿って上昇方向およ
び下降方向に移動させる図示しない光ピックアップ駆動
手段を備え、さらに、サーボループゲイン、トラッキン
グループゲインおよびＲＦゲイン調整のためのマイクロ
コンピュータ２０およびマイクロコンピュータ２０と協
働して作用する記憶装置３０を備えている。

【００１４】マイクロコンピュータ２０は、光ピックア
ップ１の移動中において光ピックアップ１の光ピックア
ップレンズの焦点が光ディスクの反射膜上に一致したこ
とを検出する焦点一致検出回路２１と、焦点一致が焦点
一致検出回路２１によって検出されたときにおけるＲＦ
信号または４分割ダイオードからの出力信号（４Ｄ和信
号）の電圧を順次Ａ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換値から光デ
ィスクの各反射膜の反射率を算出し、かつ算出した反射
率を記憶装置３０に送出して反射膜情報に対応して記憶
させる測定回路２２と、目的とする反射膜の反射膜情報
を参照して目的とする反射膜に対する反射率を記憶装置
３０から読み出してフォーカスサーボループゲイン、ト
ラッキングサーボループゲインおよびＲＦゲインを設定
するサーボループゲイン設定回路２３とを機能的に備え
ている。

【００１５】上記のように構成した本発明の実施の一形
態にかかる光ディスク装置の作用を図２〜図５に基づい
て、反射膜が３つある光ディスクの場合を例に説明す
る。

【００１６】図２および図３は光ピックアップ１の各検
出信号波形を示し、図２は光ピックアップ１を光軸に沿
って下から上に移動させた場合の各検出信号波形を示
し、図３は光ピックアップ１を光軸に沿って上から下に
移動させた場合の各検出信号波形を示している。

【００１７】図２の光ピックアップ１を光軸に沿って下
から上に移動させた場合では図４に示すように、焦点一
致検出回路２１に設けた反射膜判別のための反射膜判別
カウンタ２１１が初期化、例えばＦＦ（Ｈ）に初期化さ
れる（ステップＳ１）。（Ｈ）は１６進数であることを
示している。ステップＳ１に続いて、反射膜判別カウン
タ２１１が目的の反射膜に対応するカウンタ値に設定さ
れ（ステップＳ２）、次いで光ピックアップ１のレーザ
ーが発光させられ（ステップＳ３）、光ピックアップ１
が下から上へとの移動が開始させられる（ステップＳ
４）。

【００１８】ステップＳ４における光ピックアップ１の
移動によって、図２のＲＦに示すように光デイスク１の
表面上と各反射膜とでＲＦ信号の振幅レベルが上昇す
る。このＲＦ信号の振幅レベルは焦点一致検出回路２１
に設けたＦＯＫコンパレータ２１２に予め設定された閾
値であるＦＯＫレベルと比較され、ＦＯＫコンパレータ
２１２の出力が低電位か否かがチェックされる（ステッ
プＳ５）。

【００１９】ＲＦ信号の振幅レベルがＦＯＫレベルを超
えると図２のＦＯＫに示すようにＦＯＫ信号が高電位と
なる。フォーカス誤差信号ＦＥは図２のＦＥに示すよう
にＲＦ信号の振幅レベルの極大値を挾んで正電位から負
電位に変化する。フォーカス誤差信号ＦＥは焦点一致検
出回路２１に設けたゼロクロス検出回路２１３において
そのゼロクロスが検出され、図２のＦＺＣに示すように
ゼロクロス点にて立ち下がるゼロクロス信号が出力され
る。

【００２０】ステップＳ５においてＦＯＫコンパレータ
２１２の出力が低電位のときはステップＳ５に続いて光
ピックアップ１が移動終了位置にまで移動させられたか
否かがチェックされる（ステップＳ６）。ステップＳ６
において光ピックアップ１が移動終了位置にまで達して
いないと判別されたときは、ＦＯＫコンパレータ２１２
の出力が高電位になったか否かがチェックされ（ステッ
プＳ７）、高電位になっていないと判別されたときはス
テップＳ６から再び実行されて、ＦＯＫコンパレータ２
１２の出力が高電位になるのを待つ。

【００２１】ステップＳ７においてＦＯＫコンパレータ
２１２の出力が高電位になっていると判別されたとき
は、フォーカス誤差信号ＦＥのゼロクロスが検出される
のを待ち（ステップＳ８およびステップＳ９）、ステッ
プＳ９においてフォーカス誤差信号ＦＥのゼロクロスが
検出されたときは、光ピックアップ１の光ピックアップ
レンズの焦点位置が反射膜の位置に一致した焦点一致が
検出されたときである。

【００２２】フォーカス誤差信号ＦＥのゼロクロスが検
出されたときはＲＦ信号が測定回路２２においてＡ／Ｄ
変換され、Ａ／Ｄ変換値から反射率が算出され（ステッ
プＳ１０）、反射膜判別カウンタ２１１のそのときのカ
ウント値と対応させられて反射率が記憶装置３０に記憶
され（ステップＳ１１）、次いで反射膜判別カウンタ２
１１のカウント値が＋１されて（ステップＳ１２）、ス
テップＳ５から再び繰り返して実行される。

【００２３】このように、ＦＯＫコンパレータ２１２の
出力信号が高電位でありかつゼロクロスが検出された瞬
間、反射膜位置に光ピックアップレンズの焦点位置が合
ったポイントとして検出することができる。この検出信
号のタイミングでＲＦ信号または４Ｄ和信号の電圧に基
づいて反射率が算出される。また、反射膜判別カウンタ
２１１によって、この検出信号発生時が実質的に順次カ
ウントされて反射膜判別カウンタ２１１のカウント値か
ら、光ディスクの表面から何番目の反射膜であるかがわ
かる。この状態を図２のカウント値によって表示してあ
る。

【００２４】ステップＳ６において、光ピックアップ１
が移動終了位置にまで移動させられたと判別されたとき
は、反射膜判別カウンタ２１１のカウント値がチェック
され（ステップＳ１３）、反射膜判別カウンタ２１１の
カウント値がＦＦ（Ｈ）のときは光ディスクが装着され
ていないと判別され（ステップＳ１６）、反射膜判別カ
ウンタ２１１のカウント値が０１（Ｈ）以上のときはカ
ウント値が反射膜の総数とされ（ステップＳ１５）、反
射膜判別カウンタ２１１のカウント値が００（Ｈ）のと
きは光ディスクが裏返しに装着されていると判別されて
（ステップＳ１５）、ステップＳ１４およびＳ１６のと
きは終了とされる。

【００２５】上記のように、反射膜検出時にＲＦ信号ま
たは４Ｄ和信号の電圧がＡ／Ｄ変換され、Ａ／Ｄ変換さ
れた値から反射率が算出された後、この値をカウンタ値
に対応してメモリに記憶していくことで、光ディスクの
各反射膜の反射率がわかり、記憶装置３０に記憶され
る。ここで、ＦＯＫコンパレータ２１２の閾値は光ディ
スクの表面および反射層を検出するレベルとしている。

【００２６】複数の反射膜を有する光ディスクでは光デ
ィスク表面の反射率と反射膜の反射率との間にあまり差
がないときがあり、このときＦＯＫコンパレータ２１２
の閾値をどちらも検出できるレベルとし、光ディスク表
面を除外するためにカウント値を１つ少なく換算した方
が誤動作を防ぐことができる場合がある。本発明の実施
の一形態にかかる光ディスク装置ではカウンタの初期値
をＦＦ（Ｈ）に設定して反射膜の検出時には第１番目の
膜には０１（Ｈ）、第２番目の膜には０２（Ｈ）、第３
番目の膜には０３（Ｈ）として検出できるようにしてい
る。

【００２７】したがって、各反射膜に対応する反射率を
カウント値とともに記憶していけばよい。なお、上記の
ように、光ピックアップ１を下から上に移動させ最上端
まで移動してもカウンタが一度もカウント・アップしな
いカウント値がＦＦ（Ｈ）のときには光ディスクなし状
態となる。また、カウント値が００（Ｈ）のときにはデ
ィスクの裏入れとして判定される。カウント値が０１
（Ｈ）以上の場合は反射膜の総数に対応していることに
なる。

【００２８】ステップＳ１５に続いて、図５に示すよう
に、目的とする反射膜の反射率が記憶装置３０から読み
出され、該読み出された反射率に基づいてフォーカスサ
ーボループゲイン、トラッキングサーボループゲインお
よびＲＦゲインがサーボループゲイン設定回路２３によ
って算出され、フォーカスサーボループゲインに基づい
てフォーカス誤差信号増幅器４のゲインが設定され、Ｒ
Ｆゲインに基づいてＲＦ信号増幅器２のゲインが設定さ
れ、トラッキングサーボループゲインに基づいて図示し
ないトラッキング誤差信号増幅器のゲインが設定される
（ステップＳ１７）。

【００２９】ステップＳ１７に続いて、光ピックアップ
１が最上端位置である上から下へ向かって移動させられ
る（ステップＳ１８）。このときにおける、ＲＦ信号波
形、ＦＯＫコンパレータ２１２の出力波形、フォーカス
誤差信号ＦＥ波形、ゼロクロス検出回路２１３の出力波
形は図２（ｂ）のＲＦ、ＦＯＫ、ＦＥに示す如くであ
り、反射膜判別カウンタ２１１のカウント値は図３のカ
ウント値に示す如くである。

【００３０】ここで、図３に示す各信号波形と、図２に
示す各信号波形と異なる点は、光ピックアップ１の移動
方向が逆になるため、フォーカス誤差信号の極性が反転
したような形で出力される。したがってゼロクロスの検
出はフォーカス誤差信号が高電位になるタイミングを検
出することによって行われる。焦点一致の検出はＦＯＫ
コンパレータ２１２の出力信号が高電位でかつゼロクロ
ス信号が高電位になることで検出される。

【００３１】すなわち、このＲＦ信号レベルは焦点一致
検出回路２１に設けたＦＯＫコンパレータ２１２の閾値
であるＦＯＫレベルと比較されてＦＯＫコンパレータ２
１２の出力が低電位になるのを待って（ステップＳ１
９）、ＦＯＫコンパレータ２１２の出力が低電位になる
と、光ピックアップ１が移動終了位置にまで移動させら
れたか否かがチェックされる（ステップＳ２０）。光ピ
ックアップ１が移動終了位置にまで達していないと判別
されたときは、ＦＯＫコンパレータ２１２の出力が高電
位になるのを待つ（ステップＳ２１）。

【００３２】ＦＯＫコンパレータ２１２の出力が高電位
になると、フォーカス誤差信号ＦＥのゼロクロスを待つ
（ステップＳ２２およびステップＳ２３）。ステップＳ
２３においてフォーカス誤差信号ＦＥのゼロクロスが検
出されたときは焦点一致が検出されたときである。次ぎ
に、この検出信号をカウントした反射膜判別カウンタ２
１１のカウント値と、目的とする反射膜に対応するカウ
ント値が一致したか否かがチェックされる（ステップＳ
２４）。

【００３３】ステップＳ２４において、反射膜判別カウ
ンタ２１１のカウント値が目的とする反射膜に一致しな
いと判別されたときは反射膜判別カウンタ２１１のカウ
ント値が−１されて（ステップＳ２５）、再びステップ
Ｓ１９から繰り返して実行される。

【００３４】ステップＳ２４において、反射膜判別カウ
ンタ２１１のカウント値が目的とする反射膜に一致した
と判別されたときは、サーボループが閉成され、ステッ
プＳ１７においてゲインがそれぞれ設定された、ＲＦ信
号増幅器２、フォーカス誤差信号増幅器４、図示しない
トラッキング誤差信号増幅器がそれぞれのループ内に挿
入される（ステップＳ２６）。

【００３５】ステップＳ２０において光ピックアップ１
が移動終了位置にまで移動させられたと判別されたとき
はエラー表示がなされて（ステップＳ２７）、終了させ
られる。

【００３６】上記のように、本発明の実施の一形態にか
かる光ディスク装置によれば、光ピックアップ１の光ピ
ックアップレンズの光軸に沿った往復動作中における行
きの動作中に全反射膜の反射率が算出され、次の戻り動
作中で目的とする反射膜に対して最適なＲＦゲイン、フ
ォーカスサーボループゲインおよびトラッキングサーボ
ループゲインが設定され、設定後にフォーカス制御が実
行されることになる。

【００３７】また、本発明の実施の一形態にかかる光デ
ィスク装置において、測定回路２２はＲＦ信号から各反
射膜の反射率を求める場合を例示したが、ＲＦ信号に代
わって、フォーカス誤差信号ＦＥを用いて、光ディスク
の反射膜位置と光ピックアップレンズの焦点位置との一
致前後におけるフォーカス誤差信号のＳ字状波形の最大
振幅電圧を取り込み、最大振幅電圧に基づいて反射率を
求めるようにしてもよい。

【００３８】この場合は、ＦＯＫコンパレータ２１２の
出力が高電位の期間中におけるフォーカス誤差信号を測
定回路２２に取り込み、Ａ／Ｄ変換してこの間における
最大振幅値と最小振幅値との差を演算し、演算した差の
値と既知の反射率に対する最大振幅値と最小振幅値との
差と比較して光ディスク１の各反射膜の反射率を相対的
に求める。

【００３９】次に、本発明の実施の一形態にかかる光デ
ィスク装置の第１の変形例について説明する。図６は本
発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置の第１の変
形例の構成を示すブロック図である。

【００４０】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク
装置の第１の変形例は、本発明の実施の一形態にかかる
光ディスク装置におけるマイクロコンピュータ２０にお
けるサーボループゲイン設定回路２３に代わって、図６
に示すようにサーボループゲイン設定回路２３Ａを有す
るマイクロコンピュータ２０Ａと、サーボループゲイン
設定回路２３Ａからのレーザーパワー値に基づく信号を
受けて光ピックアップ１の再生用のレーザーパワーを制
御するレーザードライバ４０とを備えている。その他の
構成は本発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置の
構成と同一である。

【００４１】サーボループゲイン設定回路２３Ａは、測
定回路２２においてＲＦ信号やフォーカス誤差信号から
求めた反射率を読み出した反射率に基づいて最適なＲＦ
ゲイン、フォーカスサーボループゲインおよびトラッキ
ングサーボループゲインとなるためのレーザーパワー値
に光ピックアップ１の再生用のレーザーのパワー値を制
御するための信号をレーザードライバ４０に供給し、光
ピックアップ１の再生用のレーザーを制御する。

【００４２】そこで、本発明の実施の一形態にかかる光
ディスク装置の第１の変形例によれば、測定回路２２で
検出された光ディスクの目的とする反射膜の反射率が記
憶回路３０から読み出され、光ディスク１の目的とする
反射膜に対応した最適なＲＦゲイン、フォーカスサーボ
ループゲインおよびトラッキングサーボループゲインに
なるように光ピックアップ１の再生用のレーザーの出力
パワー値が演算されて、該演算値に基づく値に光ピック
アップ１の再生用のレーザーの出力パワー値が制御され
ることになる。

【００４３】次に、本発明の実施の一形態にかかる光デ
ィスク装置の第２の変形例について説明する。図７は本
発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置の第２の変
形例の構成を示すブロック図である。

【００４４】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク
装置の第２の変形例は、本発明の実施の一形態にかかる
光ディスク装置におけるマイクロコンピュータ２０にお
けるサーボループゲイン設定回路２３に代わって、図７
に示すようにフォーカスバイアス設定回路２３Ｂを有す
るマイクロコンピュータ２０Ｂと、フォーカスバイアス
設定回路２３Ｂからの出力信号をフォーカス誤差信号増
幅器４の増幅出力信号に加算する加算器５０とを備えて
いる。その他の構成は本発明の実施の一形態にかかる光
ディスク装置の構成と同一である。

【００４５】フォーカスバイアス設定回路２３Ｂは、Ｒ
Ｆ信号やフォーカス誤差信号から求めた反射率に基づい
て求められた光ディスクの各反射膜に対する最適フォー
カスサーボループゲインを用い、各反射層ごとのバイア
ス値を次の（１）式に示す残留偏差である定常位置偏差
εから求め、目的とする反射膜に対する定常位置偏差に
基づくバイアス値をフォーカス誤差信号増幅器４の増幅
出力信号に加算器５０によって加算するしてフォーカス
誤差信号にバイアス値を加える。

【００４６】 定常位置偏差ε＝Ａ／（１＋Ｇ（０））……（１） ここで、Ａはフォーカスサーボループに印加した階段状
入力のレベル、Ｇはフォーカスサーボループの一巡伝達
関数である。

【００４７】次に、本発明の実施の一形態にかかる光デ
ィスク装置の第３の変形例について説明する。

【００４８】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク
装置の第３の変形例は、光ピックアップ１の光軸方向の
駆動に際して、目的反射膜へのジャンプ開始時から目的
の反射膜に達するまでの期間、フォーカス誤差信号増幅
器４の出力の直流レベルをホールドしてフォーカス誤差
信号とするホールドフィルタ２７の出力をスイッチ２８
を介して増幅器４を介して送出し、かつマイクロコンピ
ュータ２０Ｂに設けたジャンプ回路２４からキックパル
スおよびブレーキパルスを発生させ、コンデンサ２５を
介して加算器２６によって位相補償回路５の出力に加算
して目的反射膜に早期に到達させると共に行き過ぎを抑
制するように構成してある。

【００４９】またさらに、本発明の実施の一形態にかか
る光ディスク装置の第３の変形例は、目的反射膜に到達
とほぼ同時にスイッチ２７を光ピックアップ１から出力
されるフォーカス誤差信号側に切り換え、目的反射膜に
達するのとほぼ同時に該反射膜に対する反射率を記憶装
置３０から読み出してフォーカスバイアス設定回路２３
Ｂに加え、フォーカスバイアス設定回路２３Ｂの出力を
フォーカス誤差信号増幅器４の出力に加算器５０によっ
て加算するように構成してある。その他の構成について
は本発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置の場合
と同様である。

【００５０】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク
装置の第３の変形例における作用を図８に示すフローチ
ャートに基づき、光ピックアップ１の光ピックアップレ
ンズを光軸方向、下から上方向へ３つ先の反射膜へジャ
ンプする場合を例に説明する。

【００５１】ジャンプする反射膜数３がジャンプカウン
タに設定され（ステップＳ３１）、フォーカス入力信号
がホールドフィルタ２７によって直流レベルにホールド
される（ステップＳ３２）。なお、ＲＦ信号（ＲＦ）の
波形およびフォーカス誤差信号（ＦＥ）の波形は図９
（ａ）および（ｂ）に示すごとくである。ステップＳ３
２に続いてジャンプ層数に対応してジャンプ回路２４の
時定数が切り換えられ（ステップＳ３３）、キックパル
スがジャンプ回路２４から出力される（ステップＳ３
４）。

【００５２】ステップＳ３４によるキックパルスを受け
てコンデンサ２５を介して図９（ｃ）の実線に示す波形
のキックパルスが、加算器２６において位相補償回路５
を介した直流ホールド電圧に加算されて、光ピックアッ
プ１を光軸方向に駆動するフォーカスコイル７に印加さ
れる（ステップＳ３４）。ステップＳ３４に次いで、反
射膜が検出されるのを待ち（ステップＳ３５）、反射膜
が検出されるとジャンプカウンタのカウント値が（−
１）されてカウント値が目的のカウント値になるのを待
つ（ステップＳ３６）。ジャンプカウンタに反射膜判別
カウンタ２１１を用いることができる。

【００５３】この例では３つ先の反射膜へジャンプする
例であり、ステップＳ３６において目的のカウント値に
達したときはキックパルスＫＰに代わってブレーキパル
スＢＰがフォーカスコイル７に印加される（ステップＳ
３７）。ブレーキパルスＢＰは図９（ｃ）の実線に示す
ごとくである。ステップＳ３７に続いてスイッチ２８は
光ピックアップ１から出力されるフォーカス誤差信号側
に切り換えられ、該反射膜に対する反射率が記憶装置３
０から読み出され、該反射膜に対するバイアス値がフォ
ーカス誤差信号増幅器４の出力信号に加算器５０にり加
算されて、サーボループが閉成される（ステップＳ３
８）。また、該反射膜に対するＲＦゲインに基づくゲイ
ンにＲＦ信号増幅器２のゲインが設定され、該反射膜に
対するトラッキングループゲインにトラッキング誤差信
号増幅器のゲインが設定される。

【００５４】本第３の変形例によれば、目的の反射膜に
早期に達することができ、かつほぼ同時にその反射膜に
対する最適サーボループゲイン、またはフォーカスバイ
アス値が設定変更されることになって好都合である。ま
た、該反射膜に対するバイアス値をフォーカス誤差信号
増幅器４の出力信号に加えることに変わって、該反射膜
に対するフォーカスサーボループゲインに基づくゲイン
にフォーカス誤差信号増幅器４のゲインを設定するよう
にしてもよい。なお、目的とする反射膜が３つ先の反射
膜に変わって２つ先の反射膜である場合は、コンデンサ
２５を介して図９（ｃ）において破線で示した期間が短
いキックパルス、ブレーキパルスとなるパルスがジャン
プ回路２４から出力される。また、ブレーキパルスを目
的とする反射膜より１つ前の反射膜が検知されたときに
出力するようにしてもよい。

【００５５】以上説明したように、本発明にかかる実施
の形態にかかる光ピックアップ装置では、光ピックアッ
プの上方向への移動動作で各反射膜の反射率が求めら
れ、光ピックアップの下方向の移動動作で目的の反射膜
が選択されると共に、これとほぼ同時に反射膜に対して
求めておいたＲＦゲイン、サーボループゲインから、目
的反射膜に対して最適なＲＦゲイン、サーボループゲイ
ンにて動作させることができる。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように本発明にかかる光デ
ィスク装置によれば、複数の反射膜を有する光ディスク
においても目的とする反射膜に対して最適なサーボ特性
を短時間に設定することができる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置
の構成を示すブロック図である。

【図２】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置
の作用の説明に供する各部の波形図である。

【図３】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置
の作用の説明に供する各部の波形図である。

【図４】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置
の作用の説明に供するフローチャートである。

【図５】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置
の作用の説明に供するフローチャートである。

【図６】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置
の第１の変形例の構成を示すブロック図である。

【図７】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置
の第２の変形例の構成を示すブロック図である。

【図８】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置
の第３の変形例の作用の説明に供するフローチャートで
ある。

【図９】本発明の実施の一形態にかかる光ディスク装置
の第３の変形例の作用の説明に供する各部の波形図であ
る。

【図１０】従来の光ディスク装置の構成を示すブロック
図である。

【符号の説明】

１ 光ピックアップ ２ ＲＦ信号増幅器 ３ 信号処理回路 ４ フォーカス誤差信号増幅器 ５ 位相補償回路 ７ フォーカスコイル ２０、２０Ａおよび２０Ｂ マイクロコンピュータ ２１ 焦点一致検出回路 ２２ 測定回路 ２３および２３Ａ サーボループゲイン設定回路 ２３Ｂ フォーカスバイアス設定回路 ３０ 記憶装置 ４０ レーザードライバ ５０ 加算器 ２１１ 反射膜判別カウンタ ２１２ ＦＯＫコンパレータ ２１３ ゼロクロス検出回路

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の反射膜を有する光ディスクから情報
   の読み出しおよび光ディスクへ情報の記録ができる光デ
   ィスク装置において、フォーカス誤差信号検出のため光
   ピックアップを光軸に沿って一方向に移動させて各反射
   膜位置に光ピックアップの光ピックアップレンズの焦点
   位置が一致したことを検出する焦点一致検出手段と、焦
   点一致検出手段により各反射膜に対する検出出力発生時
   からＲＦ信号をＡ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換出力に基づい
   て各反射膜の反射率を求める測定手段と、測定手段によ
   り求めた各反射層の反射率を反射膜に対応して記憶する
   記憶手段と、目的とする反射膜から情報を読み出す場合
   に該反射膜に対応した反射率を記憶手段から読み出し、
   読み出した反射率に基づいてフォーカスサーボループゲ
   イン、トラッキングループゲインゲインおよびＲＦゲイ
   ンを設定するサーボループゲイン設定手段とを備えたこ
   とを特徴とする光ディスク装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の光ディスク装置において、
   焦点一致検出手段はＲＦ信号レベルが予め定めた閾値を
   超えたことを検出する比較手段と、フォーカス誤差信号
   のゼロクロスを検出するゼロクロス検出手段と、比較手
   段からの検出出力発生期間中におけるゼロクロス検出手
   段によるゼロクロス検出出力を計数するカウンタとを備
   え、比較手段からの検出出力発生期間中におけるゼロク
   ロス検出手段によるゼロクロス検出出力発生時における
   光ピックアップレンズの焦点位置を反射膜位置と判別
   し、かつカウンタの計数値を光ディスクの反射膜番号と
   することを特徴とする光ディスク装置。
3. 【請求項３】請求項１記載の光ディスク装置において、
   測定手段は焦点一致検出前後のフォーカス誤差信号の最
   大振幅電圧をＡ／Ｄ変換し、該両最大振幅電圧のＡ／Ｄ
   変換値に基づいて反射膜の反射率を求めることを特徴と
   する光ディスク装置。
4. 【請求項４】請求項１記載の光ディスク装置において、
   サーボループゲイン設定手段は目的とする反射膜から情
   報を読み出す場合に該反射膜に対応した反射率を記憶手
   段から読み出し、読み出した反射率に基づいて最適なフ
   ォーカスループゲイン、トラッキングループゲインおよ
   びＲＦゲインとなるためのレーザーパワーを光ピックア
   ップに設定するレーザーパワー設定手段であることを特
   徴とする光ディスク装置。
5. 【請求項５】請求項１記載の光ディスク装置において、
   サーボループゲイン設定手段は目的とする反射膜から情
   報を読み出す場合に該反射膜に対応した反射率を記憶手
   段から読み出し、読み出した反射率に基づくバイアス値
   を定常位置偏差から求め、求めたバイアス値をフォーカ
   ス誤差信号に加算させるフォーカスバイアス設定手段で
   あることを特徴とする光ディスク装置。
6. 【請求項６】請求項１、４または５記載の光ディスク装
   置において、光ディスクの情報読み出し中の反射膜から
   所定数前または後の反射膜へジャンプさせるジャンプ手
   段を備え、ジャンプ先の反射膜を目的とする反射膜とす
   ることを特徴とする光ディスク装置。