JPH10302334A - 記録媒体、記録・再生方法および記録・再生装置 - Google Patents
記録媒体、記録・再生方法および記録・再生装置Info
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- JPH10302334A JPH10302334A JP9089215A JP8921597A JPH10302334A JP H10302334 A JPH10302334 A JP H10302334A JP 9089215 A JP9089215 A JP 9089215A JP 8921597 A JP8921597 A JP 8921597A JP H10302334 A JPH10302334 A JP H10302334A
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/08—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by electric charge or by variation of electric resistance or capacitance
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- G11B7/00455—Recording involving reflectivity, absorption or colour changes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ｔｅｒａｂｉｔｓ／ｃｍ2 以上の超高記録密度
の記録媒体を実現すること。 【解決手段】ＳｉＯ2 膜２上に、ドナー性色素分子であ
るＴＴＰＡＥ分子からなる空間的に閉じたドメイン構造
３をマトリクス状に配列形成する。ドメイン構造３の直
径およびドメイン構造３間の距離を１０ｎｍとすること
により、ドメイン構造３を単位記録領域としたｔｅｒａ
ｂｉｔｓ／ｃｍ2 以上の超高記録密度の記録媒体を実現
できる。このような直径、距離となるようにドメイン構
造３を配列形成するには、膜厚が均一なＴＴＰＡＥ膜を
形成した場合にその膜厚が０．５ｎｍとなる量のＴＴＰ
ＡＥ分子をＳｉＯ2 膜２上に蒸着させる。
の記録媒体を実現すること。 【解決手段】ＳｉＯ2 膜２上に、ドナー性色素分子であ
るＴＴＰＡＥ分子からなる空間的に閉じたドメイン構造
３をマトリクス状に配列形成する。ドメイン構造３の直
径およびドメイン構造３間の距離を１０ｎｍとすること
により、ドメイン構造３を単位記録領域としたｔｅｒａ
ｂｉｔｓ／ｃｍ2 以上の超高記録密度の記録媒体を実現
できる。このような直径、距離となるようにドメイン構
造３を配列形成するには、膜厚が均一なＴＴＰＡＥ膜を
形成した場合にその膜厚が０．５ｎｍとなる量のＴＴＰ
ＡＥ分子をＳｉＯ2 膜２上に蒸着させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体、記録・
再生方法および記録・再生装置に係わり、特に情報を記
録する領域の大きさの単位が光の波長以下である記録媒
体、記録・再生方法および記録・再生装置に関する。
再生方法および記録・再生装置に係わり、特に情報を記
録する領域の大きさの単位が光の波長以下である記録媒
体、記録・再生方法および記録・再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の情報化社会において、増大の一途
を辿る情報量に対応した、従来より飛躍的に記録密度の
高い記録・再生方法や、それに基づく記録・再生装置の
出現が待望されている。
を辿る情報量に対応した、従来より飛躍的に記録密度の
高い記録・再生方法や、それに基づく記録・再生装置の
出現が待望されている。
【０００３】超高密度光記録を実現する技術としては、
ＳＴＭやＡＦＭ、あるいは光の近接場を用いたＮｅａｒ
−ｆｉｅｌｄ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍ
ｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（ＮＳＯＭ）などの走査型プローブ
技術が、数多く研究されつつあり、実際にメモリへの応
用も試みられ始めている。特にＮＳＯＭは光の波長以下
のスケールでの光記録を実現する手段として大いに注目
されている。
ＳＴＭやＡＦＭ、あるいは光の近接場を用いたＮｅａｒ
−ｆｉｅｌｄ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍ
ｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（ＮＳＯＭ）などの走査型プローブ
技術が、数多く研究されつつあり、実際にメモリへの応
用も試みられ始めている。特にＮＳＯＭは光の波長以下
のスケールでの光記録を実現する手段として大いに注目
されている。
【０００４】Ｂｅｔｚｉｇらは、Ａｒイオンレーザの出
力をＮＳＯＭ探針によりＣｏ／Ｐｔ多層膜に照射し、Ｍ
ａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃ（ＭＯ）な情報の記録・再生
を試み、直径６０ｎｍの記録パターンを形成している
（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６１，１４２（１９
９２））。
力をＮＳＯＭ探針によりＣｏ／Ｐｔ多層膜に照射し、Ｍ
ａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃ（ＭＯ）な情報の記録・再生
を試み、直径６０ｎｍの記録パターンを形成している
（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６１，１４２（１９
９２））。
【０００５】また、Ｈｏｓａｋａらは、半導体レーザか
らの出力をＮＳＯＭ探針により、膜厚３０ｎｍのＧｅ2
Ｓｂ2 Ｔｅ5 薄膜に照射し、直径５０ｎｍの相変化記録
を実現している（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ
２７３，１２２（１９９６），Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．７９，８０８２（１９９６））。
らの出力をＮＳＯＭ探針により、膜厚３０ｎｍのＧｅ2
Ｓｂ2 Ｔｅ5 薄膜に照射し、直径５０ｎｍの相変化記録
を実現している（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ
２７３，１２２（１９９６），Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．７９，８０８２（１９９６））。
【０００６】これらの研究では、現在光記録で用いられ
ているＭＯや相変化といった記録・再生手法をそのまま
ＮＳＯＭに適用して、実際に波長以下の記録が可能であ
ることを実証してはいるが、現状では、幾つかの問題点
がある。
ているＭＯや相変化といった記録・再生手法をそのまま
ＮＳＯＭに適用して、実際に波長以下の記録が可能であ
ることを実証してはいるが、現状では、幾つかの問題点
がある。
【０００７】まず第一に、ＭＯでも相変化でも、情報を
記録する際にレーザ光の吸収による温度上昇を利用して
いるために、ビットサイズ（単位記録領域）の制御が極
めて難しい点である。ビットサイズを小さくするには、
光のスポットサイズが小さくなるように開口径の小さな
ＮＳＯＭ探針を用いなければならない。
記録する際にレーザ光の吸収による温度上昇を利用して
いるために、ビットサイズ（単位記録領域）の制御が極
めて難しい点である。ビットサイズを小さくするには、
光のスポットサイズが小さくなるように開口径の小さな
ＮＳＯＭ探針を用いなければならない。
【０００８】しかし、開口径が小さいＮＳＯＭ探針は作
成することは極めて難しい。かりに作製できたとして
も、開口径が小さいと光の透過率が低下するため、より
パワーの強い光をＮＳＯＭ探針の光ファイバに導入する
必要がある。この場合、ＮＳＯＭ探針の先端部はかなり
高温になるので、先端部を被覆する金属が剥がれてしま
う可能性が高い。また、いくらスポットサイズを小さく
しても、記録媒体内での熱伝導の効果により、ビットサ
イズが拡がってしまう。これもビットサイズの制御を困
難にする要因である。
成することは極めて難しい。かりに作製できたとして
も、開口径が小さいと光の透過率が低下するため、より
パワーの強い光をＮＳＯＭ探針の光ファイバに導入する
必要がある。この場合、ＮＳＯＭ探針の先端部はかなり
高温になるので、先端部を被覆する金属が剥がれてしま
う可能性が高い。また、いくらスポットサイズを小さく
しても、記録媒体内での熱伝導の効果により、ビットサ
イズが拡がってしまう。これもビットサイズの制御を困
難にする要因である。
【０００９】第二に、ビットサイズが小さくなるにつ
れ、再生信号が微弱となり検出が難しくなる点である。
れ、再生信号が微弱となり検出が難しくなる点である。
【００１０】例えば、ＭＯの場合、Ｋｅｒｒ回転角が小
さいため、ビットサイズが小さくなると、微弱な再生信
号の検出は困難になる。
さいため、ビットサイズが小さくなると、微弱な再生信
号の検出は困難になる。
【００１１】また、相変化の場合、ビットサイズが小さ
くなるにつれ、記録領域と非記録領域との反射率の差が
小さくなる。前述したＨｏｓａｋａらの実験結果によれ
ば、数１０ｎｍ程度のサイズでも、反射率の差が小さく
なり、情報“０”に対応した再生信号と情報“１”に対
応した再生信号との強度差が、ビットサイズの減少分よ
りも大きな割合で減少するため、再生信号の検出（識
別）が困難になる。
くなるにつれ、記録領域と非記録領域との反射率の差が
小さくなる。前述したＨｏｓａｋａらの実験結果によれ
ば、数１０ｎｍ程度のサイズでも、反射率の差が小さく
なり、情報“０”に対応した再生信号と情報“１”に対
応した再生信号との強度差が、ビットサイズの減少分よ
りも大きな割合で減少するため、再生信号の検出（識
別）が困難になる。
【００１２】ビットサイズをより小さくしたときに、反
射率の変化がどのような値になるかという実験結果は得
られていないが、おそらく更に小さい値になるものと予
測される。
射率の変化がどのような値になるかという実験結果は得
られていないが、おそらく更に小さい値になるものと予
測される。
【００１３】このように将来的にはｔｅｒａｂｉｔｓ／
ｃｍ2 以上の超高記録密度に相当するような１０ｎｍ程
度以下の微小サイズの単位記録領域における記録は原理
的には可能であると考えられているが、従来の記録技術
を用いてこのような超高密度の記録を実現するために
は、様々な技術的課題が存在する。したがって、ナノメ
ートルスケールの単位記録領域において有効な、全く新
しい記録・再生技術が生まれることが期待されている。
ｃｍ2 以上の超高記録密度に相当するような１０ｎｍ程
度以下の微小サイズの単位記録領域における記録は原理
的には可能であると考えられているが、従来の記録技術
を用いてこのような超高密度の記録を実現するために
は、様々な技術的課題が存在する。したがって、ナノメ
ートルスケールの単位記録領域において有効な、全く新
しい記録・再生技術が生まれることが期待されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ｔｅ
ｒａｂｉｔｓ／ｃｍ2 以上の超高記録密度を可能とする
記録・再生技術の出現が期待されており、ＳＴＭ、ＡＦ
Ｍ、ＮＳＯＭといった走査型プローブ技術による超高密
度記録への応用も試みられているが、現状では様々な技
術課題があるために実用化レベルのものは実現していな
い。
ｒａｂｉｔｓ／ｃｍ2 以上の超高記録密度を可能とする
記録・再生技術の出現が期待されており、ＳＴＭ、ＡＦ
Ｍ、ＮＳＯＭといった走査型プローブ技術による超高密
度記録への応用も試みられているが、現状では様々な技
術課題があるために実用化レベルのものは実現していな
い。
【００１５】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
のであり、その目的とするところは、ｔｅｒａｂｉｔｓ
／ｃｍ2 以上の超高密度記録を実現可能とする記録媒
体、記録・再生方法および記録・再生装置を提供するこ
とにある。
のであり、その目的とするところは、ｔｅｒａｂｉｔｓ
／ｃｍ2 以上の超高密度記録を実現可能とする記録媒
体、記録・再生方法および記録・再生装置を提供するこ
とにある。
【００１６】
［概要］上記課題を解決するために、本発明は、全く新
しい記録・再生原理に立脚した以下の記録媒体、記録・
再生方法、および記録・再生装置を提供する。
しい記録・再生原理に立脚した以下の記録媒体、記録・
再生方法、および記録・再生装置を提供する。
【００１７】すなわち、本発明に係る記録媒体（請求項
１）は、記録領域の少なくとも一部にドナー性またはア
クセプター性の材料から構成された空間的に閉じたドメ
イン構造が含まれ、かつ前記記録領域の少なくとも一部
に蛍光を発する材料が含まれていることを特徴とする。
１）は、記録領域の少なくとも一部にドナー性またはア
クセプター性の材料から構成された空間的に閉じたドメ
イン構造が含まれ、かつ前記記録領域の少なくとも一部
に蛍光を発する材料が含まれていることを特徴とする。
【００１８】ここで、ドメイン構造とは、そこに正孔も
しくは電子を注入することができ、かつそこで正孔もし
くは電子を保持することができる構造をいう。
しくは電子を注入することができ、かつそこで正孔もし
くは電子を保持することができる構造をいう。
【００１９】また、本発明に係る他の記録媒体（請求項
２）は、上記記録媒体（請求項１）において、前記ドメ
イン構造および前記蛍光を発する材料が含まれている領
域が、導電体層または半導体層上に絶縁体層が設けられ
てなる基板の該絶縁体層上に形成され、かつ前記ドメイ
ン構造を構成する材料と前記蛍光を発する材料とのイオ
ン化ポテンシャルの差または電子親和力の差が０．１ｅ
Ｖ以上であることを特徴とする。
２）は、上記記録媒体（請求項１）において、前記ドメ
イン構造および前記蛍光を発する材料が含まれている領
域が、導電体層または半導体層上に絶縁体層が設けられ
てなる基板の該絶縁体層上に形成され、かつ前記ドメイ
ン構造を構成する材料と前記蛍光を発する材料とのイオ
ン化ポテンシャルの差または電子親和力の差が０．１ｅ
Ｖ以上であることを特徴とする。
【００２０】この場合、記録領域は、ドメイン構造およ
び蛍光を発する材料が含まれている領域だけではなく、
基板もその一部を構成する場合がある。例えば、ドメイ
ン構造に電荷を光学的手段により注入する場合、ドメイ
ン構造の電荷と、半導体層（導電体層）と絶縁体との界
面の電荷とにより電気二重層が生じるからである。
び蛍光を発する材料が含まれている領域だけではなく、
基板もその一部を構成する場合がある。例えば、ドメイ
ン構造に電荷を光学的手段により注入する場合、ドメイ
ン構造の電荷と、半導体層（導電体層）と絶縁体との界
面の電荷とにより電気二重層が生じるからである。
【００２１】また、本発明に係る他の記録媒体（請求項
３）は、上記記録媒体（請求項１）において、前記ドメ
イン構造が、ドナー性の蛍光色素分子またはアクセプタ
ー性の蛍光色素分子から構成されていることを特徴とす
る。
３）は、上記記録媒体（請求項１）において、前記ドメ
イン構造が、ドナー性の蛍光色素分子またはアクセプタ
ー性の蛍光色素分子から構成されていることを特徴とす
る。
【００２２】この場合、ドメイン構造自身が発光領域と
なる。
なる。
【００２３】また、本発明に係る記録・再生方法（請求
項４）は、上記記録媒体のいずれかを使用するものであ
って、前記ドメイン構造に電荷を注入することにより、
前記記録媒体に情報を記録し、前記記録領域の蛍光を検
出することにより、前記記録された情報を再生すること
を特徴とする。
項４）は、上記記録媒体のいずれかを使用するものであ
って、前記ドメイン構造に電荷を注入することにより、
前記記録媒体に情報を記録し、前記記録領域の蛍光を検
出することにより、前記記録された情報を再生すること
を特徴とする。
【００２４】また、本発明に係る他の記録・再生方法
（請求項５）は、上記記録・再生方法（請求項４）にお
いて、前記電荷の注入を、電気的手段または光学的手段
を用いて行なうことを特徴とする。
（請求項５）は、上記記録・再生方法（請求項４）にお
いて、前記電荷の注入を、電気的手段または光学的手段
を用いて行なうことを特徴とする。
【００２５】また、本発明に係る他の記録・再生方法
（請求項６）は、上記記録・再生方法（請求項４）にお
いて、前記ドメイン構造に注入した前記電荷を抜き取る
ことにより、前記記録された情報を消去する消去方法を
さらに有することを特徴とする。
（請求項６）は、上記記録・再生方法（請求項４）にお
いて、前記ドメイン構造に注入した前記電荷を抜き取る
ことにより、前記記録された情報を消去する消去方法を
さらに有することを特徴とする。
【００２６】この場合、電荷の抜き取りは、例えば、前
記電荷を再結合させて消滅させることにより行なう。
記電荷を再結合させて消滅させることにより行なう。
【００２７】また、本発明に係る記録・再生装置（請求
項７）は、上記記録媒体のいずれかにおける情報の記録
・再生を行なうものであって、前記記録媒体に記録され
た情報を再生する再生手段が、前記蛍光を発する材料の
励起光源と、この励起光源からの励起光を前記記録媒体
に導く第１の光伝送手段と、前記記録媒体からの蛍光を
検出するための光検出手段と、この光検出手段に前記蛍
光を導く第２の光伝送手段と、前記第１および前記第２
の光伝送手段の少なくとも一方の受光面と前記記録媒体
の間隔を制御する制御手段と、前記記録媒体を平行移
動、回転移動、または平行移動および回転移動させる移
動手段とを含むことを特徴とする。
項７）は、上記記録媒体のいずれかにおける情報の記録
・再生を行なうものであって、前記記録媒体に記録され
た情報を再生する再生手段が、前記蛍光を発する材料の
励起光源と、この励起光源からの励起光を前記記録媒体
に導く第１の光伝送手段と、前記記録媒体からの蛍光を
検出するための光検出手段と、この光検出手段に前記蛍
光を導く第２の光伝送手段と、前記第１および前記第２
の光伝送手段の少なくとも一方の受光面と前記記録媒体
の間隔を制御する制御手段と、前記記録媒体を平行移
動、回転移動、または平行移動および回転移動させる移
動手段とを含むことを特徴とする。
【００２８】ここで、記録媒体の記録領域の面積が大き
い場合には、回転移動を併用すると良い。これにより、
第２の光伝送手段を短時間で記録領域の全体を走査させ
ることが可能となる。
い場合には、回転移動を併用すると良い。これにより、
第２の光伝送手段を短時間で記録領域の全体を走査させ
ることが可能となる。
【００２９】また、本発明に係る他の記録・再生装置
（請求項８）は、上記記録・再生装置（請求項７）にお
いて、前記第１の光伝送手段が、その出射光面の開口径
が１μｍ以下の第１の光ファイバから構成されている
か、または前記第２の光伝送手段が、その受光面の開口
径が１μｍ以下の第２の光ファイバから構成されている
か、または前記第１の光伝送手段が、その出射光面の開
口径が１μｍ以下の第１の光ファイバから構成され、か
つ前記第２の光伝送手段が、その受光面の開口径が１μ
ｍ以下の第２の光ファイバから構成されていることを特
徴とする。
（請求項８）は、上記記録・再生装置（請求項７）にお
いて、前記第１の光伝送手段が、その出射光面の開口径
が１μｍ以下の第１の光ファイバから構成されている
か、または前記第２の光伝送手段が、その受光面の開口
径が１μｍ以下の第２の光ファイバから構成されている
か、または前記第１の光伝送手段が、その出射光面の開
口径が１μｍ以下の第１の光ファイバから構成され、か
つ前記第２の光伝送手段が、その受光面の開口径が１μ
ｍ以下の第２の光ファイバから構成されていることを特
徴とする。
【００３０】このような値の開口径に設定することによ
り、隣接する２つのドメイン構造を１つのドメイン構造
として扱ってしまうという不都合を効果的に防止でき
る。
り、隣接する２つのドメイン構造を１つのドメイン構造
として扱ってしまうという不都合を効果的に防止でき
る。
【００３１】［作用］以下、本発明に係る全く新しい記
録・再生原理により、単位記録領域のサイズがｎｍスケ
ール（光の波長以下）であっても再生信号が強く、単位
記録領域のサイズの制御性が高く、記録速度（書き込み
速度）が速いｔｅｒａｂｉｔｓ／ｃｍ2 以上の超高密度
記録が可能となることを説明する。
録・再生原理により、単位記録領域のサイズがｎｍスケ
ール（光の波長以下）であっても再生信号が強く、単位
記録領域のサイズの制御性が高く、記録速度（書き込み
速度）が速いｔｅｒａｂｉｔｓ／ｃｍ2 以上の超高密度
記録が可能となることを説明する。
【００３２】本発明の特徴は、記録媒体として、記録領
域の一部に空間的に閉じたドメイン構造が含まれ、かつ
記録領域の一部に蛍光を発する材料（蛍光材料）が含ま
れたものを使用し（請求項１〜請求項３）、そしてこの
記録媒体に対して、上記ドメイン構造の電荷状態を変
え、上記蛍光材料の蛍光特性を変えることを情報の記録
に利用し、この蛍光特性の変化に対応した蛍光の変化を
検出することを情報の再生に利用する（請求項４〜請求
項６）ことにある。
域の一部に空間的に閉じたドメイン構造が含まれ、かつ
記録領域の一部に蛍光を発する材料（蛍光材料）が含ま
れたものを使用し（請求項１〜請求項３）、そしてこの
記録媒体に対して、上記ドメイン構造の電荷状態を変
え、上記蛍光材料の蛍光特性を変えることを情報の記録
に利用し、この蛍光特性の変化に対応した蛍光の変化を
検出することを情報の再生に利用する（請求項４〜請求
項６）ことにある。
【００３３】以下、ドナー性の材料、アクセプター性の
材料として、それぞれ、有機材料のドナー性分子、有機
材料のアクセプター性分子を用いた場合について説明す
るが、これらの分子の材料が無機材料であっても本発明
の効果は発揮される。
材料として、それぞれ、有機材料のドナー性分子、有機
材料のアクセプター性分子を用いた場合について説明す
るが、これらの分子の材料が無機材料であっても本発明
の効果は発揮される。
【００３４】なお、ドメイン構成する材料がドナー性分
子、アクセプター性分子の場合には、以下のような構造
式を有した分子が望ましい。
子、アクセプター性分子の場合には、以下のような構造
式を有した分子が望ましい。
【００３５】Ｚ−（Ｘ−Ｙ）n ここで、Ｚは芳香族骨格または脂環式骨格であり、Ｙは
ドナー性を示す分子骨格またはアクセプター性を示す分
子骨格であり、具体的には以下の構造式（Ｄ１）〜（Ｄ
７）および（Ａ１）〜（Ａ４）に示される分子骨格の一
つ、Ｘは結合基であり、ｎは１以上の整数である。
ドナー性を示す分子骨格またはアクセプター性を示す分
子骨格であり、具体的には以下の構造式（Ｄ１）〜（Ｄ
７）および（Ａ１）〜（Ａ４）に示される分子骨格の一
つ、Ｘは結合基であり、ｎは１以上の整数である。
【００３６】また、ドメイン構造以外の領域におけるド
ナー性分子領域は，以下の構造式（Ｄ１）〜（Ｄ７）に
示される分子骨格を少なくとも一部に含むドナー性分子
で形成することが望ましい。また、ドメイン構造以外の
領域におけるアクセプター性分子領域は、以下の構造式
（Ａ１）〜（Ａ４）に示される分子骨格を少なくとも一
部に含むアクセプター性分子で形成することが望まし
い。
ナー性分子領域は，以下の構造式（Ｄ１）〜（Ｄ７）に
示される分子骨格を少なくとも一部に含むドナー性分子
で形成することが望ましい。また、ドメイン構造以外の
領域におけるアクセプター性分子領域は、以下の構造式
（Ａ１）〜（Ａ４）に示される分子骨格を少なくとも一
部に含むアクセプター性分子で形成することが望まし
い。
【００３７】
【化１】
【００３８】
【化２】
【００３９】
【化３】
【００４０】
【化４】
【００４１】
【化５】
【００４２】
【化６】
【００４３】
【化７】
【００４４】
【化８】
【００４５】
【化９】
【００４６】
【化１０】
【００４７】
【化１１】
【００４８】
【化１２】
【００４９】
【化１３】
【００５０】
【化１４】
【００５１】
【化１５】
【００５２】
【化１６】
【００５３】
【化１７】
【００５４】
【化１８】
【００５５】図１に、本発明に係る記録媒体の種々の基
本構造を模式的に示す。
本構造を模式的に示す。
【００５６】図中、１は導電体層、２は絶縁体層、３は
第１の分子からなるドメイン構造、４は第２の分子から
なる第１の連続膜構造、５は第３の分子からなる第２の
連続膜構造、６は第４の分子からなるドメイン構造を示
している。第１〜第４の分子の種類は各々異なってい
る。導電体層１と絶縁体層２とにより基板が構成されて
いる。
第１の分子からなるドメイン構造、４は第２の分子から
なる第１の連続膜構造、５は第３の分子からなる第２の
連続膜構造、６は第４の分子からなるドメイン構造を示
している。第１〜第４の分子の種類は各々異なってい
る。導電体層１と絶縁体層２とにより基板が構成されて
いる。
【００５７】図１（ａ）は１層構造の記録媒体、図１
（ｂ）、図１（ｃ）は２層構造の記録媒体、図１（ｄ）
〜図１（ｆ）は３層構造の記録媒体を示している。ま
た、図１（ｇ）も３層構造の記録媒体を示しているが、
この場合、２種類の異なる分子からなる２つのドメイン
構造３，６と連続膜構造５とが３層構造を示している。
（ｂ）、図１（ｃ）は２層構造の記録媒体、図１（ｄ）
〜図１（ｆ）は３層構造の記録媒体を示している。ま
た、図１（ｇ）も３層構造の記録媒体を示しているが、
この場合、２種類の異なる分子からなる２つのドメイン
構造３，６と連続膜構造５とが３層構造を示している。
【００５８】図には、３種類の分子を用いた３層構造の
ものまでしか示していないが、４種類以上の分子を用い
た４層構造以上の構成のものでも本発明の効果を発揮す
ることはできる。また、３種類以上の異なる分子からな
るドメイン構造と複数の連続膜構造とを組み合わせた構
成も本発明には含まれる。
ものまでしか示していないが、４種類以上の分子を用い
た４層構造以上の構成のものでも本発明の効果を発揮す
ることはできる。また、３種類以上の異なる分子からな
るドメイン構造と複数の連続膜構造とを組み合わせた構
成も本発明には含まれる。
【００５９】また、各構造の構成分子はドナー性分子、
アクセプター性分子のどちらでも構わず、様々な組み合
わせが考えられるが、どのような組み合わせでも本発明
の効果を発揮することができる。
アクセプター性分子のどちらでも構わず、様々な組み合
わせが考えられるが、どのような組み合わせでも本発明
の効果を発揮することができる。
【００６０】本発明に係る情報の記録方法は、図２、図
３に示すように、幾つかのタイプに分類される。
３に示すように、幾つかのタイプに分類される。
【００６１】まず、図２に示すように、電気的手段を用
いて、ドメイン構造３に電荷を注入する方法がある（請
求項５）。この場合、電荷注入用プローブ７としては、
ＳＴＭ、ＡＦＭ、ＮＳＯＭ等の走査型プローブ顕微鏡の
プローブ（探針）を用いることが望ましい。
いて、ドメイン構造３に電荷を注入する方法がある（請
求項５）。この場合、電荷注入用プローブ７としては、
ＳＴＭ、ＡＦＭ、ＮＳＯＭ等の走査型プローブ顕微鏡の
プローブ（探針）を用いることが望ましい。
【００６２】先端に電圧が印加されたプローブ７を記録
体媒体（ドメイン構造３）に接触することにより、電荷
注入が行なわれる。ドメイン構造３を構成する材料がド
ナー性分子の場合には正孔、アクセプター性分子の場合
には電子が注入され、ドメイン構造３内に保持される。
体媒体（ドメイン構造３）に接触することにより、電荷
注入が行なわれる。ドメイン構造３を構成する材料がド
ナー性分子の場合には正孔、アクセプター性分子の場合
には電子が注入され、ドメイン構造３内に保持される。
【００６３】他の記録手法は、図３に示すように、光学
的手段を用いて、光８を記録体媒体（ドメイン構造３）
に照射し、その際に生成される電子・正孔ペアを分離さ
せ、その一方の電荷をドメイン構造３に注入する方法で
ある。この場合、電荷注入用プローブ９としては、ＮＳ
ＯＭ探針をプローブとして用いることが望ましい。ま
た、光８はレーザ光が好ましい。
的手段を用いて、光８を記録体媒体（ドメイン構造３）
に照射し、その際に生成される電子・正孔ペアを分離さ
せ、その一方の電荷をドメイン構造３に注入する方法で
ある。この場合、電荷注入用プローブ９としては、ＮＳ
ＯＭ探針をプローブとして用いることが望ましい。ま
た、光８はレーザ光が好ましい。
【００６４】図２、図３にはごく一例しか記載していな
いが、図１に示したような構造の各々について、光吸収
をドメイン構造３で生じさせる場合とドメイン構造の上
部または下部の連続膜構造で生じさせる場合があり、光
記録のやり方は数多い。
いが、図１に示したような構造の各々について、光吸収
をドメイン構造３で生じさせる場合とドメイン構造の上
部または下部の連続膜構造で生じさせる場合があり、光
記録のやり方は数多い。
【００６５】このようにして電気もしくは光により、情
報の記録が行なわれ、空間的に閉ざされたドメイン構造
３に電荷が注入されると、図２、３に示すように電荷分
布が生じる。
報の記録が行なわれ、空間的に閉ざされたドメイン構造
３に電荷が注入されると、図２、３に示すように電荷分
布が生じる。
【００６６】電気的に電荷を注入した場合には、ドメイ
ン構造３内の電荷と基板（導電体層１と絶縁体層２との
界面）との間に電気二重層が生じる。また、光吸収で生
成した電荷が分離した場合には、その分離電荷間に電気
二重層が生じる。
ン構造３内の電荷と基板（導電体層１と絶縁体層２との
界面）との間に電気二重層が生じる。また、光吸収で生
成した電荷が分離した場合には、その分離電荷間に電気
二重層が生じる。
【００６７】このような電気二重層が存在すると、上部
や下部に存在する色素分子の光学特性、特に発光特性は
大きな変化を受ける。そこで、本発明では、記録媒体の
少なくとも一部に蛍光量子効率の高い分子（蛍光材料）
を含ませ、電気二重層の存在により蛍光が消光されるこ
とを情報の記録に利用する。以下、蛍光材料が含まれた
領域を発光領域という。
や下部に存在する色素分子の光学特性、特に発光特性は
大きな変化を受ける。そこで、本発明では、記録媒体の
少なくとも一部に蛍光量子効率の高い分子（蛍光材料）
を含ませ、電気二重層の存在により蛍光が消光されるこ
とを情報の記録に利用する。以下、蛍光材料が含まれた
領域を発光領域という。
【００６８】本発明では、記録された情報の再生を発光
領域からの発光を局所的に検出することにより行なう
が、発光領域を図１に示した基本構造のどこに設けるか
ということには、種々のパターンが可能である。
領域からの発光を局所的に検出することにより行なう
が、発光領域を図１に示した基本構造のどこに設けるか
ということには、種々のパターンが可能である。
【００６９】大別すると、発光領域がドメイン構造自体
の場合（請求項３）と、発光領域とドメイン構造３の上
部または下部の連続膜構造の場合に分かれる。図４に、
幾つかの場合について示す。
の場合（請求項３）と、発光領域とドメイン構造３の上
部または下部の連続膜構造の場合に分かれる。図４に、
幾つかの場合について示す。
【００７０】図中、斜め線が引かれた領域は発光領域を
示しており、例えば、図４（ａ）は発光領域がドメイン
構造３自体、図４（ｃ）はドメイン構造３の上部の連続
膜構造４が発光領域、図４（ｆ）はドメイン構造３の下
部の連続膜構造４が発光領域である場合を示している。
示しており、例えば、図４（ａ）は発光領域がドメイン
構造３自体、図４（ｃ）はドメイン構造３の上部の連続
膜構造４が発光領域、図４（ｆ）はドメイン構造３の下
部の連続膜構造４が発光領域である場合を示している。
【００７１】本発明はドメイン構造を用いることを特徴
とするが、ドメイン構造を用いることには以下のような
利点がある。
とするが、ドメイン構造を用いることには以下のような
利点がある。
【００７２】まず第一に、電荷の閉じ込めが容易なこと
である。すなわち、正孔を閉じ込める場合には、隣接す
る領域よりイオン化ポテンシャルの小さな材料でドメイ
ン構造３を形成し、電子を閉じ込める場合には隣接する
領域より電子親和力の大きな材料でドメイン構造を形成
することにより、電荷は長時間ドメイン構造に保持する
ことができ、記録の安定化が図れる。
である。すなわち、正孔を閉じ込める場合には、隣接す
る領域よりイオン化ポテンシャルの小さな材料でドメイ
ン構造３を形成し、電子を閉じ込める場合には隣接する
領域より電子親和力の大きな材料でドメイン構造を形成
することにより、電荷は長時間ドメイン構造に保持する
ことができ、記録の安定化が図れる。
【００７３】ここで、正孔を効果的に閉じ込めるには、
隣接する領域よりもイオン化ポテンシャルが０．１ｅＶ
以上小さな材料でドメイン構造３を形成し、電子を効果
的に閉じ込めるには、隣接する領域よりも電子親和力が
０．１ｅＶ以上小さな材料でドメイン構造３を形成する
ことが好ましい（請求項２）。
隣接する領域よりもイオン化ポテンシャルが０．１ｅＶ
以上小さな材料でドメイン構造３を形成し、電子を効果
的に閉じ込めるには、隣接する領域よりも電子親和力が
０．１ｅＶ以上小さな材料でドメイン構造３を形成する
ことが好ましい（請求項２）。
【００７４】第二の利点は、単位記録領域の微細化およ
びサイズ制御が容易な点である。
びサイズ制御が容易な点である。
【００７５】従来技術であるＮＳＯＭを利用したＭＯ記
録や相変化記録の場合、単位記録領域（記録ビット）は
ＮＳＯＭ探針の先端から出射する光のスポット径以下に
できないだけでなく、ＭＯ記録でも相変化記録でも熱拡
散のため、単位記録領域は光スポットより大きくなるこ
とを避けられない。
録や相変化記録の場合、単位記録領域（記録ビット）は
ＮＳＯＭ探針の先端から出射する光のスポット径以下に
できないだけでなく、ＭＯ記録でも相変化記録でも熱拡
散のため、単位記録領域は光スポットより大きくなるこ
とを避けられない。
【００７６】一方、本発明の場合、ドメイン構造と発光
領域が一致するときはドメイン構造そのものが単位記録
領域になり、発光領域がドメイン構造に隣接する場合に
も電気二重層の影響はドメイン構造の径程度の領域に限
定されるので、単位記録領域はやはりドメイン構造と同
じ大きさになる。
領域が一致するときはドメイン構造そのものが単位記録
領域になり、発光領域がドメイン構造に隣接する場合に
も電気二重層の影響はドメイン構造の径程度の領域に限
定されるので、単位記録領域はやはりドメイン構造と同
じ大きさになる。
【００７７】ドメイン構造の大きさは、分子のデポ量に
より制御でき、１０ｎｍ以下のものも容易に形成でき
る。したがって、本発明によれば、ｔｅｒａｂｉｔｓ／
ｃｍ2程度以上の超高密度記録が可能となる。
より制御でき、１０ｎｍ以下のものも容易に形成でき
る。したがって、本発明によれば、ｔｅｒａｂｉｔｓ／
ｃｍ2程度以上の超高密度記録が可能となる。
【００７８】また、本発明では、蛍光特性を変えるため
に電荷注入というｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃな過程を用いて
いる。従来のＭＯや相変化による方法は、記録領域の温
度が上昇するのに時間を必要とするのに対し、本発明の
ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃな方法は、電子（正孔）の遷移に
かかる時間程度で情報を記録することが可能となり、記
録速度はきわめて速くなるという利点も有する。
に電荷注入というｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃな過程を用いて
いる。従来のＭＯや相変化による方法は、記録領域の温
度が上昇するのに時間を必要とするのに対し、本発明の
ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃな方法は、電子（正孔）の遷移に
かかる時間程度で情報を記録することが可能となり、記
録速度はきわめて速くなるという利点も有する。
【００７９】また、本発明では、局所領域の蛍光特性を
情報として利用しているが、その利点は、以下に説明す
るように情報の再生が容易であるということである。
情報として利用しているが、その利点は、以下に説明す
るように情報の再生が容易であるということである。
【００８０】その第一の要因は、再生信号としての蛍光
により発する光を高感度で検出できることである。一般
に、蛍光により発する光の波長は、蛍光材を励起する光
の波長と異なるために、蛍光により発する光の検出感度
は極めて高い。実際に、単一分子の光特性は、単一分子
の蛍光による発光は検出されているものの、単一分子の
光の吸収・反射・散乱は検出されていない。
により発する光を高感度で検出できることである。一般
に、蛍光により発する光の波長は、蛍光材を励起する光
の波長と異なるために、蛍光により発する光の検出感度
は極めて高い。実際に、単一分子の光特性は、単一分子
の蛍光による発光は検出されているものの、単一分子の
光の吸収・反射・散乱は検出されていない。
【００８１】第二の要因は、２種類の再生信号の強度
差、つまり、情報“０”に対応した信号（０信号）の強
度と情報“１”に対応した信号（１信号）の強度との差
が大きいということである。
差、つまり、情報“０”に対応した信号（０信号）の強
度と情報“１”に対応した信号（１信号）の強度との差
が大きいということである。
【００８２】ＭＯ方法の場合、ｎｍスケールでの局所領
域になると、信号強度自体が小さくなるため、０信号と
１信号の識別が困難になる。また、相変化方法の場合で
も、局所領域では反射率変化が小さくなり、単位記録領
域のサイズが１０ｎｍ程度になると、０信号の強度と１
信の強度の強度との差が小さくなるため、０信号と１信
号の識別が困難になる。
域になると、信号強度自体が小さくなるため、０信号と
１信号の識別が困難になる。また、相変化方法の場合で
も、局所領域では反射率変化が小さくなり、単位記録領
域のサイズが１０ｎｍ程度になると、０信号の強度と１
信の強度の強度との差が小さくなるため、０信号と１信
号の識別が困難になる。
【００８３】一方、本発明の場合、蛍光を発している状
態と蛍光を全く発しない状態の二つの状態を情報“０”
（“１”）、情報“１”（“０”）に対応させるため、
０信号の強度と１信号の強度の差を大きくとれる。した
がって、単位記録領域のサイズが１０ｎｍ程度であって
も、０信号と１信号の識別を容易に行なえる。
態と蛍光を全く発しない状態の二つの状態を情報“０”
（“１”）、情報“１”（“０”）に対応させるため、
０信号の強度と１信号の強度の差を大きくとれる。した
がって、単位記録領域のサイズが１０ｎｍ程度であって
も、０信号と１信号の識別を容易に行なえる。
【００８４】以上述べたように、本発明によれば、単位
記録領域のサイズの微細化、記録速度の高速化、記録さ
れた情報の再生化を容易に実現でき、これによりｔｅｒ
ａｂｉｔｓ／ｃｍ2 以上の超高密度記録が可能となる。
記録領域のサイズの微細化、記録速度の高速化、記録さ
れた情報の再生化を容易に実現でき、これによりｔｅｒ
ａｂｉｔｓ／ｃｍ2 以上の超高密度記録が可能となる。
【００８５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。な
お、以下の実施形態で用いる各材料の分子構造を以下に
まとめて示しおく。
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。な
お、以下の実施形態で用いる各材料の分子構造を以下に
まとめて示しおく。
【００８６】
【化１９】
【００８７】（第１の実施形態）図５は、本発明の第１
の実施形態に係る記録媒体を示す斜視図である。
の実施形態に係る記録媒体を示す斜視図である。
【００８８】図中、１１は８０ｎｍ×８０ｎｍのシリコ
ン基板を示しており、このシリコン基板１１の表面には
厚さ２０ｎｍのＳｉＯ2 膜１２が熱酸化によって形成さ
れている。なお、シリコン基板等の半導体基板の代わり
に、導電性材料からなる基板を用いても良い。
ン基板を示しており、このシリコン基板１１の表面には
厚さ２０ｎｍのＳｉＯ2 膜１２が熱酸化によって形成さ
れている。なお、シリコン基板等の半導体基板の代わり
に、導電性材料からなる基板を用いても良い。
【００８９】ＳｉＯ2 膜１２上には、ドナー性色素分子
であるＴＴＰＡＥ分子からなる空間的に閉じたドメイン
構造１３がマトリクス状に配列形成されている。なお、
ここで、説明を簡単にするために、図には４行４列に配
列されたドメイン構造１３しか示していないが、実際の
記録媒体は当然さらに多数のドメイン構造１３が配列形
成されている。
であるＴＴＰＡＥ分子からなる空間的に閉じたドメイン
構造１３がマトリクス状に配列形成されている。なお、
ここで、説明を簡単にするために、図には４行４列に配
列されたドメイン構造１３しか示していないが、実際の
記録媒体は当然さらに多数のドメイン構造１３が配列形
成されている。
【００９０】ｔｅｒａｂｉｔｓ／ｃｍ2 以上の超高密度
記録をするためには、ドメイン構造１３の直径は約１０
ｎｍ、隣り合うドメイン構造１３間の距離は約１０ｎｍ
としている。
記録をするためには、ドメイン構造１３の直径は約１０
ｎｍ、隣り合うドメイン構造１３間の距離は約１０ｎｍ
としている。
【００９１】このような直径、距離となるようにドメイ
ン構造１３を配列形成するには、例えば、ＳｉＯ2 膜１
２上に、ＴＴＰＡＥを蒸着することにより形成できる。
その際、蒸着量は、膜厚が均一なＴＴＰＡＥ膜を形成し
た場合にその膜厚が０．５ｎｍとなる量とする。また、
シリコン基板１１の裏面にはＡｕ／Ｃｒからなる下部電
極１４が形成されている。
ン構造１３を配列形成するには、例えば、ＳｉＯ2 膜１
２上に、ＴＴＰＡＥを蒸着することにより形成できる。
その際、蒸着量は、膜厚が均一なＴＴＰＡＥ膜を形成し
た場合にその膜厚が０．５ｎｍとなる量とする。また、
シリコン基板１１の裏面にはＡｕ／Ｃｒからなる下部電
極１４が形成されている。
【００９２】次にこのように構成された記録媒体をＮＳ
ＯＭのサンプル台にセットした。ここで、記録媒体は情
報を記録していない初期状態のものである。
ＯＭのサンプル台にセットした。ここで、記録媒体は情
報を記録していない初期状態のものである。
【００９３】また、ＮＳＯＭ用の光ファイバ探針を接近
させた。この光ファイバ探針により蛍光を励起するため
に、光ファイバ探針には、その探針と逆側の端面から、
Ａｒイオンレーザから発振される波長４５７ｎｍのレー
ザ光を導入した。この光ファイバ探針の出射光面の開口
径は、１μｍ以下であることが好ましい。これは、２つ
以上のドメイン構造１３にレーザ光を照射しないように
するためである。
させた。この光ファイバ探針により蛍光を励起するため
に、光ファイバ探針には、その探針と逆側の端面から、
Ａｒイオンレーザから発振される波長４５７ｎｍのレー
ザ光を導入した。この光ファイバ探針の出射光面の開口
径は、１μｍ以下であることが好ましい。これは、２つ
以上のドメイン構造１３にレーザ光を照射しないように
するためである。
【００９４】また、Ａｒイオンレーザの前部にＮＤフィ
ルターを置き、光ファイバの一端面に入射するレーザ光
の強度が０．２ｍＷとなるよう調節した。このとき、光
ファイバ探針の先端からは１ｎＷのレーザ光が出射して
いた。
ルターを置き、光ファイバの一端面に入射するレーザ光
の強度が０．２ｍＷとなるよう調節した。このとき、光
ファイバ探針の先端からは１ｎＷのレーザ光が出射して
いた。
【００９５】記録媒体の表面からの蛍光検出は、直径が
３ｍｍ、ＮＡ（ＮｕｍｅｒｉｃａｌＡｐｅｒｔｕｒｅ）
が０．６μｍのピックアップ用の凸レンズを検出用の光
ファイバの近傍にくるよう設置して、凸レンズで集めら
れた蛍光により発した光（以下、単に蛍光という）を光
ファイバを介してフォトマルチプライア（光検出手段）
で検出することにより行なった。この光ファイバの受光
面の開口径は、１μｍ以下であることが好ましい。
３ｍｍ、ＮＡ（ＮｕｍｅｒｉｃａｌＡｐｅｒｔｕｒｅ）
が０．６μｍのピックアップ用の凸レンズを検出用の光
ファイバの近傍にくるよう設置して、凸レンズで集めら
れた蛍光により発した光（以下、単に蛍光という）を光
ファイバを介してフォトマルチプライア（光検出手段）
で検出することにより行なった。この光ファイバの受光
面の開口径は、１μｍ以下であることが好ましい。
【００９６】ここで、ＮＳＯＮ用の光ファイバ探針の位
置制御は、タッピングモードで行なった。光ファイバ探
針を記録媒体の表面に接近させ、光ファイバ探針の振幅
が記録媒体の表面の影響により変化した領域で振幅変化
量が一定となるようなフィードバックをかけ、光ファイ
バ探針を二次元的に走査することにより、蛍光像を観測
した。なお、必要であれば検出用の光ファイバ探針の位
置制御、さらにはＮＳＯＮ用および検出用の光ファイバ
探針の両方の位置制御を行なっても良い。
置制御は、タッピングモードで行なった。光ファイバ探
針を記録媒体の表面に接近させ、光ファイバ探針の振幅
が記録媒体の表面の影響により変化した領域で振幅変化
量が一定となるようなフィードバックをかけ、光ファイ
バ探針を二次元的に走査することにより、蛍光像を観測
した。なお、必要であれば検出用の光ファイバ探針の位
置制御、さらにはＮＳＯＮ用および検出用の光ファイバ
探針の両方の位置制御を行なっても良い。
【００９７】このとき、例えば、記録媒体を上下左右に
水平移動（平行）させて、走査を行なう。また、必要に
応じて、例えば、記録媒体を大きく移動させて走査する
必要がある場合には回転移動させて、走査を行なうと良
い。また、回転移動および水平移動させて走査を行なっ
ても良い。水平移動は例えばピエゾを利用した移動機
構、回転移動は例えばモータを利用した移動機構により
行なう。
水平移動（平行）させて、走査を行なう。また、必要に
応じて、例えば、記録媒体を大きく移動させて走査する
必要がある場合には回転移動させて、走査を行なうと良
い。また、回転移動および水平移動させて走査を行なっ
ても良い。水平移動は例えばピエゾを利用した移動機
構、回転移動は例えばモータを利用した移動機構により
行なう。
【００９８】図６に、このようにして得られたＮＳＯＭ
蛍光像を示す。これは蛍光強度の等高線で表示したもの
である。また、蛍光波長は５４０ｎｍであった。図か
ら、ドメイン構造３に対応した領域から蛍光が検出さ
れ、ドメイン構造３の分布に対応した蛍光分布が得られ
ていることが分かった。
蛍光像を示す。これは蛍光強度の等高線で表示したもの
である。また、蛍光波長は５４０ｎｍであった。図か
ら、ドメイン構造３に対応した領域から蛍光が検出さ
れ、ドメイン構造３の分布に対応した蛍光分布が得られ
ていることが分かった。
【００９９】次にＮＳＯＭ用の光ファイバ探針の先端部
を被覆しているＡｌの電位が下部電極に対して＋２．０
Ｖとなるように電圧を印加し、７個のドメイン構造３に
接触させて情報の記録を行なった。その後、光ファイバ
探針を記録媒体から離し、電圧の印加を切った状態で、
再度光ファイバ探針を記録媒体に接近させてＮＳＯＭ蛍
光像を観察した。すなわち、記録された情報の再生を行
なった。
を被覆しているＡｌの電位が下部電極に対して＋２．０
Ｖとなるように電圧を印加し、７個のドメイン構造３に
接触させて情報の記録を行なった。その後、光ファイバ
探針を記録媒体から離し、電圧の印加を切った状態で、
再度光ファイバ探針を記録媒体に接近させてＮＳＯＭ蛍
光像を観察した。すなわち、記録された情報の再生を行
なった。
【０１００】図７に、このようにして得られたＮＳＯＭ
蛍光像を示す。蛍光波長は５４０ｎｍである。図から、
ＮＳＯＭ用の光ファイバ探針により電荷を注入したドメ
イン構造３に対応した領域からは蛍光は検出されず、電
荷を注入したドメイン構造３に対応した蛍光スポットが
欠如した蛍光分布が得られていることが分かった。
蛍光像を示す。蛍光波長は５４０ｎｍである。図から、
ＮＳＯＭ用の光ファイバ探針により電荷を注入したドメ
イン構造３に対応した領域からは蛍光は検出されず、電
荷を注入したドメイン構造３に対応した蛍光スポットが
欠如した蛍光分布が得られていることが分かった。
【０１０１】また、電荷注入の有無により起こる、蛍光
スポットの発生・消滅の起こる領域の大きさが、１０ｎ
ｍというドメイン構造３の大きさ（ドメインサイズ）と
同程度であることも分かった。さらにまた、この蛍光像
は数日経っても全く変わらず、蛍光強度の時間変化を外
挿すると、記録は数十年オーダーの寿命を有しているこ
とが判明した。
スポットの発生・消滅の起こる領域の大きさが、１０ｎ
ｍというドメイン構造３の大きさ（ドメインサイズ）と
同程度であることも分かった。さらにまた、この蛍光像
は数日経っても全く変わらず、蛍光強度の時間変化を外
挿すると、記録は数十年オーダーの寿命を有しているこ
とが判明した。
【０１０２】なお、ＴＴＰＡＥの蒸着量を均一なＴＴＰ
ＡＥ膜を形成した場合にその膜厚が１ｎｍとなる量とし
た場合には、基板上には直径２０ｎｍのドメイン構造が
約２０ｎｍの間隔で存在した。
ＡＥ膜を形成した場合にその膜厚が１ｎｍとなる量とし
た場合には、基板上には直径２０ｎｍのドメイン構造が
約２０ｎｍの間隔で存在した。
【０１０３】また、電荷注入前には各ドメイン構造から
その大きさに対応した２０ｎｍの蛍光スポットが得ら
れ、電荷注入後には電荷が注入されたドメイン電極から
の蛍光は消え、２０ｎｍサイズの記録領域において、情
報の記録・再生が実現されていることを確認した。
その大きさに対応した２０ｎｍの蛍光スポットが得ら
れ、電荷注入後には電荷が注入されたドメイン電極から
の蛍光は消え、２０ｎｍサイズの記録領域において、情
報の記録・再生が実現されていることを確認した。
【０１０４】記録した情報の消去に関しては、ＮＳＯＭ
用の光ファイバ探針の先端部を被覆しているＡｌに−
２．０Ｖの電圧を印加し、情報が記録されたドメイン構
造に接触させることにより、注入電荷を除去する方法を
とった。
用の光ファイバ探針の先端部を被覆しているＡｌに−
２．０Ｖの電圧を印加し、情報が記録されたドメイン構
造に接触させることにより、注入電荷を除去する方法を
とった。
【０１０５】この消去方法を行なった後、光ファイバ探
針の先端部の電圧の印加を切った状態で、再度光ファイ
バ探針を記録媒体に接近させてＮＳＯＭ蛍光像を観察し
た。その結果、全てのドメイン構造に対応したそれぞれ
の領域から蛍光が検出され、記録された情報は完全に消
去されたことを確認した。
針の先端部の電圧の印加を切った状態で、再度光ファイ
バ探針を記録媒体に接近させてＮＳＯＭ蛍光像を観察し
た。その結果、全てのドメイン構造に対応したそれぞれ
の領域から蛍光が検出され、記録された情報は完全に消
去されたことを確認した。
【０１０６】（第２の実施形態）第１の実施形態では、
記録された情報を再生するために、ドメイン構造自身か
らの蛍光を利用する場合、つまり、発光領域がドメイン
構造自身である場合について説明した。言い換えれば、
第１の実施形態は、１層構造の記録媒体を使用した場合
についてのものである。
記録された情報を再生するために、ドメイン構造自身か
らの蛍光を利用する場合、つまり、発光領域がドメイン
構造自身である場合について説明した。言い換えれば、
第１の実施形態は、１層構造の記録媒体を使用した場合
についてのものである。
【０１０７】本実施形態では、記録された情報を再生す
るために、ドメイン構造の上部に設けた連続膜構造から
の蛍光を利用する場合、つまり、発光領域とドメイン構
造とが異なる場合について説明する。言い換えれば、本
実施形態は、２層構造の記録媒体を使用した場合につい
てのものである。
るために、ドメイン構造の上部に設けた連続膜構造から
の蛍光を利用する場合、つまり、発光領域とドメイン構
造とが異なる場合について説明する。言い換えれば、本
実施形態は、２層構造の記録媒体を使用した場合につい
てのものである。
【０１０８】図８に、本発明の第２の実施形態に係る記
録媒体の断面図を示す。
録媒体の断面図を示す。
【０１０９】なお、図５の記録媒体と対応する部分に図
５と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
５と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【０１１０】図中、シリコン基板１１の表面には、厚さ
２０ｎｍのＳｉＯ2 膜１２が熱酸化によって形成されて
いる。シリコン基板１１のサイズは第１の実施形態と同
じである。ＳｉＯ2 膜１２上には、ドナー性分子である
ＴＡＤ分子からなるドメイン構造１３ａがマトリクス状
に配列形成されている。
２０ｎｍのＳｉＯ2 膜１２が熱酸化によって形成されて
いる。シリコン基板１１のサイズは第１の実施形態と同
じである。ＳｉＯ2 膜１２上には、ドナー性分子である
ＴＡＤ分子からなるドメイン構造１３ａがマトリクス状
に配列形成されている。
【０１１１】ドメイン構造１３ａの直径は約１０ｎｍ、
隣り合うドメイン構造１３ａ間の距離は約１０ｎｍであ
る。このようなドメイン構造１３ａは、例えば、ＳｉＯ
2 膜１２上に、ＴＡＤを蒸着することにより形成でき
る。その際、蒸着量は、膜厚が均一なＴＡＤ膜を形成し
た場合にその膜厚が０．５ｎｍとなる量とする。
隣り合うドメイン構造１３ａ間の距離は約１０ｎｍであ
る。このようなドメイン構造１３ａは、例えば、ＳｉＯ
2 膜１２上に、ＴＡＤを蒸着することにより形成でき
る。その際、蒸着量は、膜厚が均一なＴＡＤ膜を形成し
た場合にその膜厚が０．５ｎｍとなる量とする。
【０１１２】ドメイン構造１３ａが形成されたＳｉＯ2
膜１２上には、発光性色素分子であるＡｌｑ３分子から
なる厚さ５ｎｍの連続構造膜１５が蒸着によって形成さ
れている。また、シリコン基板１１の裏面には下部電極
１４が形成されている。
膜１２上には、発光性色素分子であるＡｌｑ３分子から
なる厚さ５ｎｍの連続構造膜１５が蒸着によって形成さ
れている。また、シリコン基板１１の裏面には下部電極
１４が形成されている。
【０１１３】情報を記録する場合、ドメイン構造１３ａ
上の連続構造膜１４に、正の電圧を印加したＮＳＯＭ用
の光ファイバ探針を接触させる。このような接触を行な
うと、Ａｌｑ３のドナー性がＴＡＤのそれよりもやや弱
いため、フィルタ探針から正孔が連続構造膜１４を通っ
てその下部のドメイン構造１３ａに注入される。
上の連続構造膜１４に、正の電圧を印加したＮＳＯＭ用
の光ファイバ探針を接触させる。このような接触を行な
うと、Ａｌｑ３のドナー性がＴＡＤのそれよりもやや弱
いため、フィルタ探針から正孔が連続構造膜１４を通っ
てその下部のドメイン構造１３ａに注入される。
【０１１４】このようにして情報を記録した記録媒体に
対して、ＮＳＯＭ蛍光観察により記録された情報の再生
を行なった。
対して、ＮＳＯＭ蛍光観察により記録された情報の再生
を行なった。
【０１１５】すなわち、再生は、第１の実施形態と同様
に、Ａｒイオンレーザからの波長４５７ｎｍのレーザ光
を光ファイバ探針に導入して、局所的な蛍光を検出して
行なった。
に、Ａｒイオンレーザからの波長４５７ｎｍのレーザ光
を光ファイバ探針に導入して、局所的な蛍光を検出して
行なった。
【０１１６】その結果、正孔が注入されたドメイン構造
１３ａに対応した記録領域では蛍光は検出されず、それ
以外の記録領域では連続構造膜１４（Ａｌｑ３）から波
長５３０ｎｍの蛍光が検出され、情報が記録されている
ことが確認された。また、この記録された情報に関して
も、第１の実施形態と同様に、数十年オーダーの寿命を
有していることが判明した。すなわち、安定性が極めて
高い記録を実現できることが確認された。
１３ａに対応した記録領域では蛍光は検出されず、それ
以外の記録領域では連続構造膜１４（Ａｌｑ３）から波
長５３０ｎｍの蛍光が検出され、情報が記録されている
ことが確認された。また、この記録された情報に関して
も、第１の実施形態と同様に、数十年オーダーの寿命を
有していることが判明した。すなわち、安定性が極めて
高い記録を実現できることが確認された。
【０１１７】（第３の実施形態）図９は、本発明の第３
の実施形態に係る記録媒体を示す断面図である。
の実施形態に係る記録媒体を示す断面図である。
【０１１８】なお、図８の記録媒体と対応する部分に図
８と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
８と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【０１１９】シリコン基板１１の表面には厚さ１００ｎ
ｍのＳｉＯ2 膜１２が熱酸化によって形成され、このＳ
ｉＯ2 膜１２上にはＴＴＰＡＥ分子からなるドメイン構
造１３がマトリクス状に配列形成されている。ドメイン
構造１３のサイズ、形成方法、ドメイン構造１３の間隔
等のドメイン構造１３に関しての規定については第１の
実施形態のそれらと同様である。
ｍのＳｉＯ2 膜１２が熱酸化によって形成され、このＳ
ｉＯ2 膜１２上にはＴＴＰＡＥ分子からなるドメイン構
造１３がマトリクス状に配列形成されている。ドメイン
構造１３のサイズ、形成方法、ドメイン構造１３の間隔
等のドメイン構造１３に関しての規定については第１の
実施形態のそれらと同様である。
【０１２０】ドメイン構造１３が形成されたＳｉＯ2 膜
１２上には、アクセプター性色素分子であるＮＴＣＩ分
子からなる連続膜構造１５ａが蒸着によって形成されて
いる。ここで、ＮＴＣＩの蒸着量は、均一な膜ＮＴＣＩ
を形成した場合にその厚さが３ｎｍとなるような量とし
た。
１２上には、アクセプター性色素分子であるＮＴＣＩ分
子からなる連続膜構造１５ａが蒸着によって形成されて
いる。ここで、ＮＴＣＩの蒸着量は、均一な膜ＮＴＣＩ
を形成した場合にその厚さが３ｎｍとなるような量とし
た。
【０１２１】本実施形態では、光励起による情報の記録
を行なう。光源はキセノンランプを用い、光を分光器を
通し３５５ｎｍの輝線を光ファイバー探針に導入し、４
つのドメイン構造１３に照射した。
を行なう。光源はキセノンランプを用い、光を分光器を
通し３５５ｎｍの輝線を光ファイバー探針に導入し、４
つのドメイン構造１３に照射した。
【０１２２】波長３５５ｎｍの光は、ドメイン構造１３
と連続膜構造１５ａの両方で吸収され、電子・正孔のペ
アーが発生する。電子はアクセプター性分子（ＮＴＣＩ
分子）からなる連続膜構造１５ａへ、正孔はドナー性分
子（ＴＴＰＡＥ）からなるドメイン構造１３へと移動す
る。その結果、光が照射されたドメイン構造１３に対応
した領域には局所的な電気二重層が形成される。
と連続膜構造１５ａの両方で吸収され、電子・正孔のペ
アーが発生する。電子はアクセプター性分子（ＮＴＣＩ
分子）からなる連続膜構造１５ａへ、正孔はドナー性分
子（ＴＴＰＡＥ）からなるドメイン構造１３へと移動す
る。その結果、光が照射されたドメイン構造１３に対応
した領域には局所的な電気二重層が形成される。
【０１２３】このようにして記録媒体に情報を記録した
後に、ＮＳＯＭ蛍光観測による情報の再生を行なった。
その結果、図１０に示すように、波長３５５ｎｍの光を
照射したドメイン構造１３に対応した領域からＴＴＰＡ
Ｅドメインからの蛍光は検出されず、消光つまり情報の
記録が実現していることが確認された。
後に、ＮＳＯＭ蛍光観測による情報の再生を行なった。
その結果、図１０に示すように、波長３５５ｎｍの光を
照射したドメイン構造１３に対応した領域からＴＴＰＡ
Ｅドメインからの蛍光は検出されず、消光つまり情報の
記録が実現していることが確認された。
【０１２４】本実施形態では、記録された情報の消去は
電気的手段により行なった。すなわち、ＮＳＯＭ用の光
ファイバ探針の先端部を被覆しているＡｌ膜に−２．０
Ｖの電圧を印加し、この状態の光ファイバ探針を情報が
記録された記録領域上の連続膜構造１５ａに接近させ、
局所的に電界を印加し、電子と正孔とを再結合させるこ
とにより、局所的に発生した電気二重層を消滅させる方
法をとった。
電気的手段により行なった。すなわち、ＮＳＯＭ用の光
ファイバ探針の先端部を被覆しているＡｌ膜に−２．０
Ｖの電圧を印加し、この状態の光ファイバ探針を情報が
記録された記録領域上の連続膜構造１５ａに接近させ、
局所的に電界を印加し、電子と正孔とを再結合させるこ
とにより、局所的に発生した電気二重層を消滅させる方
法をとった。
【０１２５】このような消去方法を行なった後、ＮＳＯ
Ｍ用の光ファイバ探針の電圧を切った状態で、再度ＮＳ
ＯＭ蛍光像を観察したところ、全てのドメイン構造１３
に対応した領域で蛍光スポットが検出され、記録された
情報は完全に消去されたことが確認された。
Ｍ用の光ファイバ探針の電圧を切った状態で、再度ＮＳ
ＯＭ蛍光像を観察したところ、全てのドメイン構造１３
に対応した領域で蛍光スポットが検出され、記録された
情報は完全に消去されたことが確認された。
【０１２６】（第４の実施形態）第３の実施形態では、
ドナー性分子、光吸収を担う分子からなる２層構造（シ
ングルヘテロ構造）の記録媒体を用いた場合について説
明したが、本実施形態では、ドナー性分子、アクセプタ
ー性分子、光吸収を担う分子からなる３層構造（ダブル
ヘテロ接合構造）の記録媒体を用いた場合について説明
する。
ドナー性分子、光吸収を担う分子からなる２層構造（シ
ングルヘテロ構造）の記録媒体を用いた場合について説
明したが、本実施形態では、ドナー性分子、アクセプタ
ー性分子、光吸収を担う分子からなる３層構造（ダブル
ヘテロ接合構造）の記録媒体を用いた場合について説明
する。
【０１２７】すなわち、本実施形態の記録媒体は、第１
〜第３の実施形態と同様に、まず、シリコン基板上にＳ
ｉＯ2 膜を熱酸化によって形成し、このＳｉＯ2 膜上
に、ドナー性色素のＴＴＰＡＥからなるドメイン構造
（直径１０ｎｍ）、光吸収分子であるフタロシアニン分
子からなる第１の連続膜構造（厚さ５０ｎｍ）、アクセ
プター性分子であるＮＴＣＩ分子からなる第２の連続膜
構造（厚さ５０ｎｍ）を順次形成したものである。
〜第３の実施形態と同様に、まず、シリコン基板上にＳ
ｉＯ2 膜を熱酸化によって形成し、このＳｉＯ2 膜上
に、ドナー性色素のＴＴＰＡＥからなるドメイン構造
（直径１０ｎｍ）、光吸収分子であるフタロシアニン分
子からなる第１の連続膜構造（厚さ５０ｎｍ）、アクセ
プター性分子であるＮＴＣＩ分子からなる第２の連続膜
構造（厚さ５０ｎｍ）を順次形成したものである。
【０１２８】情報の記録は、例えば赤色半導体レーザか
ら波長６８０ｎｍの赤色レーザ光を光ファイバ探針に導
入して、幾つかのドメイン構造上の第１の連続膜構造に
光吸収させることにより行なう。
ら波長６８０ｎｍの赤色レーザ光を光ファイバ探針に導
入して、幾つかのドメイン構造上の第１の連続膜構造に
光吸収させることにより行なう。
【０１２９】また、記録された情報の再生は、Ａｒイオ
ンレーザから波長４５７ｎｍの光を光ファイバ探針に導
入して、各ドメイン構造に対応した記録領域からの蛍光
を検出することにより行なう。
ンレーザから波長４５７ｎｍの光を光ファイバ探針に導
入して、各ドメイン構造に対応した記録領域からの蛍光
を検出することにより行なう。
【０１３０】赤色レーザ光を照射した記録領域からは、
ＴＴＰＡＥの蛍光は検出されず、赤色レーザ光を照射し
た記録領域以外からは、ＴＴＰＡＥ分子からの波長５４
０ｎｍの蛍光が検出され、１０ｎｍサイズの単位で情報
の記録・再生が実現されていることが確認された。
ＴＴＰＡＥの蛍光は検出されず、赤色レーザ光を照射し
た記録領域以外からは、ＴＴＰＡＥ分子からの波長５４
０ｎｍの蛍光が検出され、１０ｎｍサイズの単位で情報
の記録・再生が実現されていることが確認された。
【０１３１】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、記
録領域の一部に空間的に閉じたドメイン構造を形成し、
かつ記録領域の一部に蛍光を発する材料（蛍光材料）が
含ませることにより、ｔｅｒａｂｉｔｓ／ｃｍ2 以上の
超高記録密度の記録媒体を実現できる。また、このよう
な記録媒体に対して、ドメイン構造の電荷状態を変え、
蛍光材料の蛍光特性を変えることで情報を容易に記録で
き、この蛍光特性の変化に対応した蛍光の変化を検出す
ることで記録された情報を容易に再生できる。
録領域の一部に空間的に閉じたドメイン構造を形成し、
かつ記録領域の一部に蛍光を発する材料（蛍光材料）が
含ませることにより、ｔｅｒａｂｉｔｓ／ｃｍ2 以上の
超高記録密度の記録媒体を実現できる。また、このよう
な記録媒体に対して、ドメイン構造の電荷状態を変え、
蛍光材料の蛍光特性を変えることで情報を容易に記録で
き、この蛍光特性の変化に対応した蛍光の変化を検出す
ることで記録された情報を容易に再生できる。
【図１】本発明に係る記録媒体の種々の基本構造を模式
的に示す図
的に示す図
【図２】本発明に係る電気的手段を用いた情報の記録方
法を示す図
法を示す図
【図３】本発明に係る光学的手段を用いた情報の記録方
法を示す図
法を示す図
【図４】本発明に係る記録媒体の種々の発光領域の位置
を示す図
を示す図
【図５】本発明の第１の実施形態に係る記録媒体を示す
斜視図
斜視図
【図６】情報を記録する前の図５の記録媒体のＮＳＯＭ
蛍光像を示す図
蛍光像を示す図
【図７】情報を記録した後の図５の記録媒体のＮＳＯＭ
蛍光像を示す図
蛍光像を示す図
【図８】本発明の第２の実施形態に係る記録媒体を示す
断面図
断面図
【図９】本発明の第３の実施形態に係る記録媒体を示す
断面図
断面図
【図１０】情報を記録した後の図９の記録媒体のＮＳＯ
Ｍ蛍光像を示す図
Ｍ蛍光像を示す図
１…導電体層 ２…絶縁体層 ３…第１のドメイン構造 ４…第１の連続膜構造 ５…第２の連続膜構造 ６…第２のドメイン構造 ７…電荷注入用プローブ ８…光 ９…電荷注入用プローブ １１…シリコン基板 １２…ＳｉＯ2 膜 １３…ドメイン構造（ＴＴＰＡＥ） １３ａ…ドメイン構造（ＴＡＤ） １４…下部電極 １５…連続膜構造（Ａｌｑ３） １５ａ…連続膜構造（ＮＴＣＩ）
Claims (8)
- 【請求項１】記録領域の少なくとも一部にドナー性また
はアクセプター性の材料から構成された空間的に閉じた
ドメイン構造が含まれ、かつ前記記録領域の少なくとも
一部に蛍光を発する材料が含まれていることを特徴とす
る記録媒体。 - 【請求項２】前記ドメイン構造および前記蛍光を発する
材料が含まれている領域は、導電体層または半導体層上
に絶縁体層が設けられてなる基板の該絶縁体層上に形成
され、かつ前記ドメイン構造を構成する材料と前記蛍光
を発する材料とのイオン化ポテンシャルの差または電子
親和力の差が０．１ｅＶ以上であることを特徴とする請
求項１に記載の記録媒体。 - 【請求項３】前記ドメイン構造は、ドナー性の蛍光色素
分子またはアクセプター性の蛍光色素分子から構成され
ていることを特徴とする請求項１に記載の記録媒体。 - 【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれかに記載
の記録媒体を使用し、 前記ドメイン構造に電荷を注入することにより、前記記
録媒体に情報を記録し、 前記記録領域の蛍光を検出することにより、前記記録さ
れた情報を再生することを特徴とする記録・再生方法。 - 【請求項５】前記電荷の注入は、電気的手段または光学
的手段を用いて行なうことを特徴とする請求項４に記載
の記録・再生方法。 - 【請求項６】前記ドメイン構造に注入した前記電荷を抜
き取ることにより、前記記録された情報を消去する消去
方法をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の
記録・再生方法。 - 【請求項７】請求項１ないし請求項３のいずれかに記載
の記録媒体における情報の記録・再生を行なう記録・再
生装置であって、 前記記録媒体に記録された情報を再生する再生手段は、 前記蛍光を発する材料の励起光源と、 この励起光源からの励起光を前記記録媒体に導く第１の
光伝送手段と、 前記記録媒体からの蛍光を検出するための光検出手段
と、 この光検出手段に前記蛍光を導く第２の光伝送手段と、 前記第１および前記第２の光伝送手段の少なくとも一方
の受光面と前記記録媒体の間隔を制御する制御手段と、 前記記録媒体を平行移動、回転移動、または平行移動お
よび回転移動させる移動手段とを含むことを特徴とする
記録・再生装置。 - 【請求項８】前記第１の光伝送手段は、その出射光面の
開口径が１μｍ以下の第１の光ファイバから構成されて
いるか、または前記第２の光伝送手段は、その受光面の
開口径が１μｍ以下の第２の光ファイバから構成されて
いるか、または前記第１の光伝送手段は、その出射光面
の開口径が１μｍ以下の第１の光ファイバから構成さ
れ、かつ前記第２の光伝送手段は、その受光面の開口径
が１μｍ以下の第２の光ファイバから構成されているこ
とを特徴とする請求項７に記載の記録・再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08921597A JP3477024B2 (ja) | 1997-02-25 | 1997-04-08 | 記録媒体、記録方法、消去方法、再生方法、記録・再生方法、再生装置および記録・再生装置 |
| US09/028,477 US6125095A (en) | 1997-02-25 | 1998-02-24 | Luminescent recording layer holding a plurality of positive or negative charges |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4089097 | 1997-02-25 | ||
| JP9-40890 | 1997-02-25 | ||
| JP08921597A JP3477024B2 (ja) | 1997-02-25 | 1997-04-08 | 記録媒体、記録方法、消去方法、再生方法、記録・再生方法、再生装置および記録・再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10302334A true JPH10302334A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3477024B2 JP3477024B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=26380407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08921597A Expired - Fee Related JP3477024B2 (ja) | 1997-02-25 | 1997-04-08 | 記録媒体、記録方法、消去方法、再生方法、記録・再生方法、再生装置および記録・再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6125095A (ja) |
| JP (1) | JP3477024B2 (ja) |
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| JP3940546B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | パターン形成方法およびパターン形成材料 |
| JP3688530B2 (ja) | 1999-09-29 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 記録媒体、記録装置および記録方法 |
| JP3591827B2 (ja) | 2000-08-11 | 2004-11-24 | 株式会社東芝 | 微細構造を有する成形体の製造方法 |
| US6507552B2 (en) * | 2000-12-01 | 2003-01-14 | Hewlett-Packard Company | AFM version of diode-and cathodoconductivity-and cathodoluminescence-based data storage media |
| JP3861197B2 (ja) | 2001-03-22 | 2006-12-20 | 株式会社東芝 | 記録媒体の製造方法 |
| JP3886802B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-02-28 | 株式会社東芝 | 磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ |
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| US7102983B2 (en) * | 2001-10-30 | 2006-09-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Current divider-based storage medium |
| US7098470B2 (en) * | 2001-12-04 | 2006-08-29 | Landauer, Inc. | Method for non-destructive measuring of radiation dose |
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| KR100499127B1 (ko) * | 2002-07-05 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 정보저장매체 및 그 제조방법 및 정보저장장치 및이를 이용한 정보 기록 및 재생 및 소거방법 |
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