JPH103018A - 半導体レーザダイオードモジュール - Google Patents
半導体レーザダイオードモジュールInfo
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- JPH103018A JPH103018A JP8175674A JP17567496A JPH103018A JP H103018 A JPH103018 A JP H103018A JP 8175674 A JP8175674 A JP 8175674A JP 17567496 A JP17567496 A JP 17567496A JP H103018 A JPH103018 A JP H103018A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】タッピング不良の原因となる、金属ホルダ抵抗
溶接の際に発生する湯玉の量を抑え、湯玉が汎用ステム
を用いたＬＤ単品と金属ホルダと光ファイバとで囲まれ
る閉空間内に飛散することを防ぐＬＤモジュールの提
供。 【解決手段】ＬＤチップを搭載したステム１とキャップ
３とから構成されるＬＤ単品と、ＬＤ単品の気密端子リ
ード１０側に抵抗溶接されるように形成されたプロジェ
クション１８を有する第１の金属ホルダ１６と、第１の
金属ホルダ１６の上面に抵抗溶接されるよう形成された
プロジェクション１９を有する第２の金属ホルダ１７
と、第２の金属ホルダ１７に接着された光ファイバ１３
と、を備える。また第１、第２の金属ホルダを一体型と
してもよい。
溶接の際に発生する湯玉の量を抑え、湯玉が汎用ステム
を用いたＬＤ単品と金属ホルダと光ファイバとで囲まれ
る閉空間内に飛散することを防ぐＬＤモジュールの提
供。 【解決手段】ＬＤチップを搭載したステム１とキャップ
３とから構成されるＬＤ単品と、ＬＤ単品の気密端子リ
ード１０側に抵抗溶接されるように形成されたプロジェ
クション１８を有する第１の金属ホルダ１６と、第１の
金属ホルダ１６の上面に抵抗溶接されるよう形成された
プロジェクション１９を有する第２の金属ホルダ１７
と、第２の金属ホルダ１７に接着された光ファイバ１３
と、を備える。また第１、第２の金属ホルダを一体型と
してもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザダイ
オードモジュールに関し、特に、光ファイバ通信に用い
て好適な同軸型半導体レーザダイオードモジュールにお
ける金属ホルダの構成および抵抗溶接の製法技術に関す
る。
オードモジュールに関し、特に、光ファイバ通信に用い
て好適な同軸型半導体レーザダイオードモジュールにお
ける金属ホルダの構成および抵抗溶接の製法技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来技術を図面を参照して以下
に説明する。図４および図５は従来のの同軸型半導体レ
ーザダイオードモジュールを示す。
に説明する。図４および図５は従来のの同軸型半導体レ
ーザダイオードモジュールを示す。
【０００３】図４及び図５を参照して、従来の同軸型半
導体レーザダイオードモジュールは、気密端子リード１
０が付いたステム１と不図示の半導体レイザーダイオー
ド（ＬＤ）チップを収納しレンズ２が取り付けられたキ
ャップ３から成るＬＤ単品に、金属ホルダ４をステム１
上面（気密端子リード１０の逆側の面）に抵抗溶接によ
って接着し、金属ホルダ４に金属リング１１を介して光
ファイバ１２（図５参照）が、レンズ２より出射される
レーザ光１３と光学結合される構成とされている。
導体レーザダイオードモジュールは、気密端子リード１
０が付いたステム１と不図示の半導体レイザーダイオー
ド（ＬＤ）チップを収納しレンズ２が取り付けられたキ
ャップ３から成るＬＤ単品に、金属ホルダ４をステム１
上面（気密端子リード１０の逆側の面）に抵抗溶接によ
って接着し、金属ホルダ４に金属リング１１を介して光
ファイバ１２（図５参照）が、レンズ２より出射される
レーザ光１３と光学結合される構成とされている。
【０００４】図４（Ａ）の分解側断面図にて示すよう
に、金属ホルダ４の抵抗溶接は、金属ホルダ４にリング
状に形成された突起であるプロジェクション５を大電流
により溶かして接着している。
に、金属ホルダ４の抵抗溶接は、金属ホルダ４にリング
状に形成された突起であるプロジェクション５を大電流
により溶かして接着している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術の第
１の問題点は、図５（Ａ）に模式的に示すように、金属
ホルダ４をステム１上面に抵抗溶接した時に発生する湯
玉１４が、外部からの衝撃により接着面から剥がれ、金
属ホルダ４と、ＬＤ単品とで囲まれる空間内を移動し
（図５（Ａ）の矢印にて移動の様子を模式的に示す）、
光ファイバ１２に結合しているレーザ光１３を横切った
時に、半導体レーザダイオードモジュールの光出力を瞬
時的に低下させるタッピング不良を生じさせることであ
る。
１の問題点は、図５（Ａ）に模式的に示すように、金属
ホルダ４をステム１上面に抵抗溶接した時に発生する湯
玉１４が、外部からの衝撃により接着面から剥がれ、金
属ホルダ４と、ＬＤ単品とで囲まれる空間内を移動し
（図５（Ａ）の矢印にて移動の様子を模式的に示す）、
光ファイバ１２に結合しているレーザ光１３を横切った
時に、半導体レーザダイオードモジュールの光出力を瞬
時的に低下させるタッピング不良を生じさせることであ
る。
【０００６】この理由は、プロジェクション５が、金属
ホルダ４の内径側に近い所にあり、抵抗溶接により発生
した湯玉１４が、金属ホルダ４とＬＤ単品とで囲まれる
空間内に飛散し易いこと、及び、キャップつば６の端か
らステム１外周端までの領域が狭いために、プロジェク
ション５が溶けて接着する接着部９が、ステム１の外周
部に設けられた凹溝７およびＶ溝８にかかってしまい、
その部分により多くの湯玉が発生すること、による。
ホルダ４の内径側に近い所にあり、抵抗溶接により発生
した湯玉１４が、金属ホルダ４とＬＤ単品とで囲まれる
空間内に飛散し易いこと、及び、キャップつば６の端か
らステム１外周端までの領域が狭いために、プロジェク
ション５が溶けて接着する接着部９が、ステム１の外周
部に設けられた凹溝７およびＶ溝８にかかってしまい、
その部分により多くの湯玉が発生すること、による。
【０００７】このため、抵抗溶接は、図５（Ｂ）に上面
図として示すように、幅０．２ないし０．３ｍｍ程度の
領域１５に限られていた。
図として示すように、幅０．２ないし０．３ｍｍ程度の
領域１５に限られていた。
【０００８】上述した不具合を解決する方法として、ス
テム１の寸法を大きくして溶接位置をずらすもの、ある
いは凹溝とＶ溝を無くしたもの、さらに例えば特開平１
−２０５４４８号公報、実開昭５８−１８３４７号公
報、実開昭５７−６１８３８号公報等に提案されるよう
に、ステム形状を変更するという構成が提案されてい
る。因みに上記特開平１−２０５４４８号公報には、ス
テムとキャップとの間を抵抗溶接する際に湯玉がキャッ
プ内部に飛散しペレットに付着して特性を劣化させると
いう問題点を解消すべく、キャップとステムの溶接部に
内側と外側に同心円状の２重プロジェクションを設け、
内側プロジェクションの抵抗を外側プロジェクションの
抵抗よりも大とした半導体装置が提案されており、また
上記実開昭５８−１８３４７号公報には、キャップに溶
接封止用フランジと筒状壁部との境界縁部を突出折り曲
げ形成し、境界縁部に対応する基板上に溝を設け、この
溝よりも外側の部分とフランジ部を溶接封止する構成が
提案されている。さらに上記実開昭５７−６１８３８号
公報には溶接時に発生する湯玉の飛散を防止する部材を
半導体ペレットに近い部分に設けた構成が提案されてい
る。
テム１の寸法を大きくして溶接位置をずらすもの、ある
いは凹溝とＶ溝を無くしたもの、さらに例えば特開平１
−２０５４４８号公報、実開昭５８−１８３４７号公
報、実開昭５７−６１８３８号公報等に提案されるよう
に、ステム形状を変更するという構成が提案されてい
る。因みに上記特開平１−２０５４４８号公報には、ス
テムとキャップとの間を抵抗溶接する際に湯玉がキャッ
プ内部に飛散しペレットに付着して特性を劣化させると
いう問題点を解消すべく、キャップとステムの溶接部に
内側と外側に同心円状の２重プロジェクションを設け、
内側プロジェクションの抵抗を外側プロジェクションの
抵抗よりも大とした半導体装置が提案されており、また
上記実開昭５８−１８３４７号公報には、キャップに溶
接封止用フランジと筒状壁部との境界縁部を突出折り曲
げ形成し、境界縁部に対応する基板上に溝を設け、この
溝よりも外側の部分とフランジ部を溶接封止する構成が
提案されている。さらに上記実開昭５７−６１８３８号
公報には溶接時に発生する湯玉の飛散を防止する部材を
半導体ペレットに近い部分に設けた構成が提案されてい
る。
【０００９】しかしながら、光通信用の半導体レーザダ
イオードモジュールにおいて用いられるステムは、直径
５．６ｍｍのコンパクトディスク（ＣＤ）等の民生品に
大量に用いられている汎用ステムを流用しており、寸法
を大きくしたり、あるいは上記各公報に提案されるが如
く、ステム形状の変更を施した特殊ステムとすると、数
量ダウンにより、例えば数十円から数百円に価格（製品
単価）がアップするため、実際には、汎用ステムを使わ
ざるを得ない状況となっている。
イオードモジュールにおいて用いられるステムは、直径
５．６ｍｍのコンパクトディスク（ＣＤ）等の民生品に
大量に用いられている汎用ステムを流用しており、寸法
を大きくしたり、あるいは上記各公報に提案されるが如
く、ステム形状の変更を施した特殊ステムとすると、数
量ダウンにより、例えば数十円から数百円に価格（製品
単価）がアップするため、実際には、汎用ステムを使わ
ざるを得ない状況となっている。
【００１０】また、凹溝７、Ｖ溝８についても、これら
は一般に自動組立装置の認識およびガイドに用いられて
おり、凹溝とＶ溝とを削除することもできない。
は一般に自動組立装置の認識およびガイドに用いられて
おり、凹溝とＶ溝とを削除することもできない。
【００１１】次に、上記した従来技術の第２の問題点と
して、キャップ３に取り付けられているレンズ２には、
マイクロレンズやボールレンズ、非球面レンズなどがあ
り、半導体レーザダイオードモジュールの光出力向上の
ために最適なレンズが選択されるが、レンズの種類によ
っては、キャップ３の径が大きくなる場合があり、図５
（Ｂ）に示した領域１５が確保できないため、製品設計
に対し大きな制約となっていた。
して、キャップ３に取り付けられているレンズ２には、
マイクロレンズやボールレンズ、非球面レンズなどがあ
り、半導体レーザダイオードモジュールの光出力向上の
ために最適なレンズが選択されるが、レンズの種類によ
っては、キャップ３の径が大きくなる場合があり、図５
（Ｂ）に示した領域１５が確保できないため、製品設計
に対し大きな制約となっていた。
【００１２】したがって、本発明は、上記事情に鑑みて
なされたものでたって、その目的は、金属ホルダの抵抗
溶接時に発生する湯玉が、レーザ光とファイバとが光学
結合としている領域に侵入することを防ぎ、製品外部か
らの衝撃による光出力変動というタッピング不良を無く
して製品の信頼性の向上を図るとともに、汎用ステムと
安価な追加部材を使用することでコストを低く抑えるよ
うにした半導体レーザダイオードモジュールを提供する
ことにある。
なされたものでたって、その目的は、金属ホルダの抵抗
溶接時に発生する湯玉が、レーザ光とファイバとが光学
結合としている領域に侵入することを防ぎ、製品外部か
らの衝撃による光出力変動というタッピング不良を無く
して製品の信頼性の向上を図るとともに、汎用ステムと
安価な追加部材を使用することでコストを低く抑えるよ
うにした半導体レーザダイオードモジュールを提供する
ことにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体レーザダイオードモジュール
は、気密封止端子付のステムと、板ガラスないしレンズ
を有するキャップと、から成るカン（ＣＡＮ）型の半導
体レーザダイオード単品製品（以下「ＬＤ単品」とい
う）と、前記ＬＤ単品に抵抗溶接される金属ホルダと、
前記ＬＤ単品より出射するレーザ光に光学結合された光
ファイバと、を備えてなる同軸型半導体レーザモジュー
ルにおいて、前記金属ホルダが前記ステムのリード引き
出し側で抵抗溶接されることを特徴とする。
め、本発明に係る半導体レーザダイオードモジュール
は、気密封止端子付のステムと、板ガラスないしレンズ
を有するキャップと、から成るカン（ＣＡＮ）型の半導
体レーザダイオード単品製品（以下「ＬＤ単品」とい
う）と、前記ＬＤ単品に抵抗溶接される金属ホルダと、
前記ＬＤ単品より出射するレーザ光に光学結合された光
ファイバと、を備えてなる同軸型半導体レーザモジュー
ルにおいて、前記金属ホルダが前記ステムのリード引き
出し側で抵抗溶接されることを特徴とする。
【００１４】本発明においては、前記ＬＤ単品に抵抗溶
接された第１の金属ホルダと、前記第一の金属ホルダに
抵抗溶接される第２の金属ホルダと、を備えたことを特
徴とする。
接された第１の金属ホルダと、前記第一の金属ホルダに
抵抗溶接される第２の金属ホルダと、を備えたことを特
徴とする。
【００１５】また、本発明においては、前記第１の金属
ホルダと前記第２の金属ホルダとを一体型としてもよ
い。
ホルダと前記第２の金属ホルダとを一体型としてもよ
い。
【００１６】本発明は、上面にＬＤチップを搭載するス
テムの下端面に対向した表面で抵抗溶接され、前記ステ
ムの側壁の少なくとも一部を囲繞する第１の金属ホルダ
と、前記第１の金属ホルダの上面と抵抗溶接され、前記
ＬＤチップ及びレンズを備えたキャップからなるＬＤ装
置を収容する第２の金属ホルダと、を備え、前記第２の
金属ホルダには光ファイバが取り付られて前記ＬＤチッ
プからのレーザ光と光学的に結合し、前記第１の金属ホ
ルダの上面が前記ステムの前記キャップ接着面よりも低
くなるようにその高さが設定されることを特徴とする。
テムの下端面に対向した表面で抵抗溶接され、前記ステ
ムの側壁の少なくとも一部を囲繞する第１の金属ホルダ
と、前記第１の金属ホルダの上面と抵抗溶接され、前記
ＬＤチップ及びレンズを備えたキャップからなるＬＤ装
置を収容する第２の金属ホルダと、を備え、前記第２の
金属ホルダには光ファイバが取り付られて前記ＬＤチッ
プからのレーザ光と光学的に結合し、前記第１の金属ホ
ルダの上面が前記ステムの前記キャップ接着面よりも低
くなるようにその高さが設定されることを特徴とする。
【００１７】さらに、本発明は、上面にＬＤチップを搭
載するステムの下端面に対向した表面で抵抗溶接され、
内周壁が前記ステムの側壁を囲繞するとともに、前記Ｌ
Ｄチップ及びレンズを備えたキャップからなるＬＤ装置
を収容する金属ホルダを備え、前記金属ホルダに光ファ
イバが取り付られて前記ＬＤチップからのレーザ光と光
学的に結合することを特徴とする。
載するステムの下端面に対向した表面で抵抗溶接され、
内周壁が前記ステムの側壁を囲繞するとともに、前記Ｌ
Ｄチップ及びレンズを備えたキャップからなるＬＤ装置
を収容する金属ホルダを備え、前記金属ホルダに光ファ
イバが取り付られて前記ＬＤチップからのレーザ光と光
学的に結合することを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下では、まず本発明の好ましい
実施の形態について説明し、つづいて実施例を図面を参
照して説明する。
実施の形態について説明し、つづいて実施例を図面を参
照して説明する。
【００１９】本発明は、その好ましい実施の形態におい
て、第１の金属ホルダ（図１の１６）を、ＬＤ単品の気
密端子リード（図１の１０）側に抵抗溶接させ、第２金
属ホルダ（図１の１７）を、第１の金属ホルダのＬＤ単
品のキャップ（図１の３）側に抵抗溶接するように構成
したものである。
て、第１の金属ホルダ（図１の１６）を、ＬＤ単品の気
密端子リード（図１の１０）側に抵抗溶接させ、第２金
属ホルダ（図１の１７）を、第１の金属ホルダのＬＤ単
品のキャップ（図１の３）側に抵抗溶接するように構成
したものである。
【００２０】本発明においては、第１の金属ホルダ（図
１の１６）に設けられたプロジェクション（図１の１
８）は、抵抗溶接によりＬＤ単品のステム（図１の１）
の気密端子リード（図１の１０）側に接着する。
１の１６）に設けられたプロジェクション（図１の１
８）は、抵抗溶接によりＬＤ単品のステム（図１の１）
の気密端子リード（図１の１０）側に接着する。
【００２１】このプロジェクション（図１の１８）がジ
ュール熱により溶融し、ステム（図１の１）に接着する
際に、直径数μｍから数十μｍ程度の大きさの湯玉が発
生するが、これら湯玉は、気密端子リード（図１の１
０）側に飛散するものの、ステム（図１の１）のキャッ
プ（図１の３）が接着している側には回り込まない。
ュール熱により溶融し、ステム（図１の１）に接着する
際に、直径数μｍから数十μｍ程度の大きさの湯玉が発
生するが、これら湯玉は、気密端子リード（図１の１
０）側に飛散するものの、ステム（図１の１）のキャッ
プ（図１の３）が接着している側には回り込まない。
【００２２】次に、第２の金属ホルダ（図１の１７）に
設けられたプロジェクション（図１の１９）を、第１の
金属ホルダ（図１の１６）の上面に抵抗溶接する。
設けられたプロジェクション（図１の１９）を、第１の
金属ホルダ（図１の１６）の上面に抵抗溶接する。
【００２３】第１の金属ホルダ（図１の１６）の上面の
面積を広くとれば、プロジェクション（図１の１９）の
位置を、キャップ（図１の３）から充分離すことができ
ると共に、さらに、従来、ステムに形成されていた凹溝
（図４の７）やＶ溝（図４の８）は、本発明においては
ステムに設けられないため、湯玉の発生が低く抑えるこ
とができる。
面積を広くとれば、プロジェクション（図１の１９）の
位置を、キャップ（図１の３）から充分離すことができ
ると共に、さらに、従来、ステムに形成されていた凹溝
（図４の７）やＶ溝（図４の８）は、本発明においては
ステムに設けられないため、湯玉の発生が低く抑えるこ
とができる。
【００２４】さらに、ステム（図１の１）のキャップ接
着面より低い位置になるように、第１の金属ホルダ（図
１の１６）の高さを設定することにより、ステム（図１
の１）の側面が壁となって、ＬＤ単品と、第２の金属ホ
ルダ（図１の１７）内周とで囲まれた空間への湯玉の侵
入を防ぐことができる。
着面より低い位置になるように、第１の金属ホルダ（図
１の１６）の高さを設定することにより、ステム（図１
の１）の側面が壁となって、ＬＤ単品と、第２の金属ホ
ルダ（図１の１７）内周とで囲まれた空間への湯玉の侵
入を防ぐことができる。
【００２５】
【実施例】本発明の実施例について図面を用いて説明す
る。図２（Ａ）に、本発明の第１の実施例に係る半導体
レーザダイオードモジュールの完成品の側断面図を示
す。
る。図２（Ａ）に、本発明の第１の実施例に係る半導体
レーザダイオードモジュールの完成品の側断面図を示
す。
【００２６】本発明の第１の実施例に係る半導体レーザ
ダイオードモジュールは、レーザダイオードチップを搭
載したステム１とレンズ２を有するキャップ３から構成
されるＬＤ単品と、第１の金属ホルダ１６と、第２の金
属ホルダ１７と、ＬＤ単品のレンズ２より出射されるレ
ーザ光１３と光学結合する光ファイバ１２と、を備えて
構成されている。なお、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に側
断面図として示した半導体レーザダイオードモジュール
の下側からみた端面図であり、第１及び第２の金属ホル
ダは除かれた状態とされている。
ダイオードモジュールは、レーザダイオードチップを搭
載したステム１とレンズ２を有するキャップ３から構成
されるＬＤ単品と、第１の金属ホルダ１６と、第２の金
属ホルダ１７と、ＬＤ単品のレンズ２より出射されるレ
ーザ光１３と光学結合する光ファイバ１２と、を備えて
構成されている。なお、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に側
断面図として示した半導体レーザダイオードモジュール
の下側からみた端面図であり、第１及び第２の金属ホル
ダは除かれた状態とされている。
【００２７】本発明の第１の実施例に係る半導体レーザ
ダイオードモジュールの組立方法と作用効果を図１を参
照して説明する。図１（Ａ）は、光ファイバ未実装時の
状態を示す分解（組立）側面図であり、図１（Ｂ）は、
第２の金属ホルダ１７を取り付ける前の状態の上面図で
ある。
ダイオードモジュールの組立方法と作用効果を図１を参
照して説明する。図１（Ａ）は、光ファイバ未実装時の
状態を示す分解（組立）側面図であり、図１（Ｂ）は、
第２の金属ホルダ１７を取り付ける前の状態の上面図で
ある。
【００２８】まず、プロジェクション１８を有する第１
の金属ホルダ１６を、ＬＤ単品のステム１の下面、すな
わち気密端子リード側１０に抵抗溶接する。プロジェク
ション１８は、図２（Ｂ）の下面図に示す領域２０の何
れかの位置にくるように形成されている。領域２０は、
気密端子リード１０から少し離間した凹溝７、Ｖ溝８の
端に至るまでの領域であり、幅は約０．７〜０．８ｍｍ
とされている。プロジェクション１８は領域２０の範囲
内に位置決めされ、凹溝７、Ｖ溝８にかかることがない
ため、湯玉の発生を大幅に抑制することができる。ま
た、湯玉の発生があったとしても、気密端子リード１０
側に飛散し、ステム１の上面であるキャップ３接着側へ
の回り込みを完全に防ぐことができる。
の金属ホルダ１６を、ＬＤ単品のステム１の下面、すな
わち気密端子リード側１０に抵抗溶接する。プロジェク
ション１８は、図２（Ｂ）の下面図に示す領域２０の何
れかの位置にくるように形成されている。領域２０は、
気密端子リード１０から少し離間した凹溝７、Ｖ溝８の
端に至るまでの領域であり、幅は約０．７〜０．８ｍｍ
とされている。プロジェクション１８は領域２０の範囲
内に位置決めされ、凹溝７、Ｖ溝８にかかることがない
ため、湯玉の発生を大幅に抑制することができる。ま
た、湯玉の発生があったとしても、気密端子リード１０
側に飛散し、ステム１の上面であるキャップ３接着側へ
の回り込みを完全に防ぐことができる。
【００２９】次に、プロジェクション１９を有する第２
の金属ホルダ１７を、第１の金属ホルダ１６の上面の何
れかの領域に抵抗溶接する。プロジェクション１９は、
図１（Ｂ）の接着部２１にて示す部分で溶解接着するた
め、第１の金属ホルダ１６の上面面積を広くとるか、或
いはプロジェクション１９の位置をキャップ３側から充
分離れた部分に形成させることによって、ＬＤ単品と、
第２の金属ホルダ１７と、で囲まれた空間へ湯玉が飛散
することを抑制し、更に、第１の金属ホルダ１６の上面
位置が、ステム１の上面位置よりも低く設定されたこと
により、完全に湯玉の飛散を抑えることができる。
の金属ホルダ１７を、第１の金属ホルダ１６の上面の何
れかの領域に抵抗溶接する。プロジェクション１９は、
図１（Ｂ）の接着部２１にて示す部分で溶解接着するた
め、第１の金属ホルダ１６の上面面積を広くとるか、或
いはプロジェクション１９の位置をキャップ３側から充
分離れた部分に形成させることによって、ＬＤ単品と、
第２の金属ホルダ１７と、で囲まれた空間へ湯玉が飛散
することを抑制し、更に、第１の金属ホルダ１６の上面
位置が、ステム１の上面位置よりも低く設定されたこと
により、完全に湯玉の飛散を抑えることができる。
【００３０】本実施例において、第１の金属ホルダ１６
には、凹溝・Ｖ溝は形成しない。これは、凹溝・Ｖ溝
が、ＬＤ単品を組立する場合と、ＬＤ単品のまま光伝送
装置に組込む場合の位置出し用に用いられており、半導
体レーザダイオードモジュールを組立てる際には、全く
使用されないことによる。このため、第２の金属ホルダ
１７の抵抗溶接時の凹溝・Ｖ溝による湯玉の大量発生も
無い。
には、凹溝・Ｖ溝は形成しない。これは、凹溝・Ｖ溝
が、ＬＤ単品を組立する場合と、ＬＤ単品のまま光伝送
装置に組込む場合の位置出し用に用いられており、半導
体レーザダイオードモジュールを組立てる際には、全く
使用されないことによる。このため、第２の金属ホルダ
１７の抵抗溶接時の凹溝・Ｖ溝による湯玉の大量発生も
無い。
【００３１】次に、図２（Ａ）に示すように、光ファイ
バ１２とレーザ光１３とを光学結合させ、半導体レーザ
ダイオードモジュールの組立が完了する。
バ１２とレーザ光１３とを光学結合させ、半導体レーザ
ダイオードモジュールの組立が完了する。
【００３２】その結果、ＬＤ単品と、第２の金属ホルダ
１７と、光ファイバ１２とで囲まれた空間への湯玉の発
生が無く、タッピング不良を無くすことができる。
１７と、光ファイバ１２とで囲まれた空間への湯玉の発
生が無く、タッピング不良を無くすことができる。
【００３３】本実施例においては、第１の金属ホルダ１
６の如き部材でも例えば十円程度と安価に製作でき、抵
抗溶接作業もそれ以下のコストにて行うことができるた
め、寸法や形状を変更した特殊ステム（数百円）を用い
るよりも、はるかに安価に作製することができる。また
通常、ホルダの外形上の制約が無い場合が多いため、第
１の金属ホルダ１６の寸法を適切に選ぶことによって、
設計を容易に進めることができることになる。
６の如き部材でも例えば十円程度と安価に製作でき、抵
抗溶接作業もそれ以下のコストにて行うことができるた
め、寸法や形状を変更した特殊ステム（数百円）を用い
るよりも、はるかに安価に作製することができる。また
通常、ホルダの外形上の制約が無い場合が多いため、第
１の金属ホルダ１６の寸法を適切に選ぶことによって、
設計を容易に進めることができることになる。
【００３４】次に、本発明の第２の実施例について図３
を参照して説明する。図３は、本発明の第２の実施例の
構成を示す分解側面図である。
を参照して説明する。図３は、本発明の第２の実施例の
構成を示す分解側面図である。
【００３５】図３を参照すると、本実施例においては、
前記第１の実施例における第１の金属ホルダと第２の金
属ホルダとを一体化しプロジェクション２３を有する一
体型金属ホルダ２２をＬＤ単品の気密端子リード１０側
に抵抗溶接する。
前記第１の実施例における第１の金属ホルダと第２の金
属ホルダとを一体化しプロジェクション２３を有する一
体型金属ホルダ２２をＬＤ単品の気密端子リード１０側
に抵抗溶接する。
【００３６】これにより、従来と同じ部材点数および工
数でタッピング不良を無くすことができる。なお、一体
型金属ホルダ２２は、同一部材から加工されたものであ
っても、２種類以上の部材を予めロウ付けや溶接などに
より接着加工されているものであってもよく、形状につ
いても凹凸があっても良いものであることはいうまでも
ない。
数でタッピング不良を無くすことができる。なお、一体
型金属ホルダ２２は、同一部材から加工されたものであ
っても、２種類以上の部材を予めロウ付けや溶接などに
より接着加工されているものであってもよく、形状につ
いても凹凸があっても良いものであることはいうまでも
ない。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
金属ホルダの抵抗溶接によって発生する湯玉が、ＬＤ単
品と金属ホルダと光ファイバとで囲まれた閉空間に飛散
し、外力により上述湯玉が剥離移動することによって生
じるタッピング不良を無くすことができる、という効果
を奏する。
金属ホルダの抵抗溶接によって発生する湯玉が、ＬＤ単
品と金属ホルダと光ファイバとで囲まれた閉空間に飛散
し、外力により上述湯玉が剥離移動することによって生
じるタッピング不良を無くすことができる、という効果
を奏する。
【００３８】この理由は、本発明によれば、金属ホルダ
をＬＤ単品の裏面即ち気密端子リード側に抵抗溶接する
ことにより、湯玉発生の大きな原因とされているステム
に形成された凹溝・Ｖ溝へのプロジェクションの接触を
回避し、更に、発生した湯玉についても、ＬＤ単品と金
属ホルダ、光ファイバとから成る閉空間への飛散を完全
に防ぐことができるようにしたことによる。
をＬＤ単品の裏面即ち気密端子リード側に抵抗溶接する
ことにより、湯玉発生の大きな原因とされているステム
に形成された凹溝・Ｖ溝へのプロジェクションの接触を
回避し、更に、発生した湯玉についても、ＬＤ単品と金
属ホルダ、光ファイバとから成る閉空間への飛散を完全
に防ぐことができるようにしたことによる。
【００３９】また、本発明によれば、レンズ仕様に合わ
せた新規半導体レーザダイオードモジュールの設計を行
う際にも、従来（既存）のステムを用いたまま、上述し
たタッピング不良を無くすことが可能とされ、コスト的
に極めて有利であり、また構造設計を容易化する、とい
う効果を奏する。
せた新規半導体レーザダイオードモジュールの設計を行
う際にも、従来（既存）のステムを用いたまま、上述し
たタッピング不良を無くすことが可能とされ、コスト的
に極めて有利であり、また構造設計を容易化する、とい
う効果を奏する。
【００４０】この理由は、本発明においては、第１の金
属ホルダの如き部材でも安価に製作でき、抵抗溶接作業
もそれ以下のコストにて行うことができるため、寸法や
形状を変更した特殊ステム（数百円）を用いるよりはる
かに安価に作製することができるためであり、さらに通
常、ホルダの外形上の制約が無い場合が多いため、第１
の金属ホルダの寸法を適切に選ぶことによって、設計を
容易に進めることができる、ことによる。
属ホルダの如き部材でも安価に製作でき、抵抗溶接作業
もそれ以下のコストにて行うことができるため、寸法や
形状を変更した特殊ステム（数百円）を用いるよりはる
かに安価に作製することができるためであり、さらに通
常、ホルダの外形上の制約が無い場合が多いため、第１
の金属ホルダの寸法を適切に選ぶことによって、設計を
容易に進めることができる、ことによる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体レーザダイオー
ドモジュールの組立図であり、（Ａ）は分解側面図、
（Ｂ）は第２の金属ホルダを省き上面より見た図であ
る。
ドモジュールの組立図であり、（Ａ）は分解側面図、
（Ｂ）は第２の金属ホルダを省き上面より見た図であ
る。
【図２】本発明の一実施例に係る半導体レーザダイオー
ドモジュールの組立完成品を示す図であり、（Ａ）は側
面図、（Ｂ）は第１および第２の金属ホルダを省き下面
より見た図である。
ドモジュールの組立完成品を示す図であり、（Ａ）は側
面図、（Ｂ）は第１および第２の金属ホルダを省き下面
より見た図である。
【図３】本発明の別の実施例に係る半導体レーザダイオ
ードモジュールの組立完成品を示す側面図である。
ードモジュールの組立完成品を示す側面図である。
【図４】従来の半導体レーザダイオードモジュールの組
立図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は金属ホルダを省
き上面より見た図である。
立図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は金属ホルダを省
き上面より見た図である。
【図５】従来の半導体レーザダイオードモジュールの組
立完成品を示す図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は金
属ホルダを省き上面より見た図である。
立完成品を示す図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は金
属ホルダを省き上面より見た図である。
１ ステム ２ レンズ ３ キャップ ４ 金属ホルダ ５ プロジェクション ６ キャップつば ７ 凹溝 ８ Ｖ溝 ９ 接着部 １０ 気密端子リード １１ 金属リング １２ 光ファイバ １３ レーザ光 １４ 湯玉 １５ 領域 １６ 第１の金属ホルダ １７ 第２の金属ホルダ １８ プロジェクション １９ プロジェクション ２０ 領域 ２１ 接着部 ２２ 一体型金属ホルダ ２３ プロジェクション
Claims (5)
- 【請求項１】気密封止端子付のステムと板ガラス部材ま
たはレンズを有するキャップとから成るカン（ＣＡＮ）
型の半導体レーザダイオード単品製品（以下「ＬＤ単
品」という）と、 前記ＬＤ単品に抵抗溶接される金属ホルダと、 前記ＬＤ単品より出射するレーザ光に光学結合された光
ファイバと、 を備えてなる同軸型半導体レーザモジュールにおいて、 前記金属ホルダが前記ステムのリード引き出し側で抵抗
溶接されることを特徴とする半導体レーザダイオードモ
ジュール。 - 【請求項２】前記ＬＤ単品に抵抗溶接された第１の金属
ホルダと、 前記第一の金属ホルダに抵抗溶接される第２の金属ホル
ダと、 を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
ダイオードモジュール。 - 【請求項３】前記第１の金属ホルダと前記第２の金属ホ
ルダが一体とされたことを特徴とする請求項２記載の半
導体レーザダイオードモジュール。 - 【請求項４】上面にＬＤチップを搭載するステムの下端
面に対向した表面で抵抗溶接され、前記ステムの側壁の
少なくとも一部を囲繞する第１の金属ホルダと、 前記第１の金属ホルダの上面と抵抗溶接され、前記ＬＤ
チップ及びレンズを備えたキャップからなるＬＤ装置を
収容する第２の金属ホルダと、 を備え、 前記第２の金属ホルダには光ファイバが取り付られて前
記ＬＤチップからのレーザ光と光学的に結合し、 前記第１の金属ホルダの上面が前記ステムの前記キャッ
プ接着面よりも低くなるようにその高さが設定されるこ
とを特徴とする半導体レーザダイオードモジュール。 - 【請求項５】上面にＬＤチップを搭載するステムの下端
面に対向した表面で抵抗溶接され、内周壁が前記ステム
の側壁を囲繞するとともに、前記ＬＤチップ及びレンズ
を備えたキャップからなるＬＤ装置を収容する金属ホル
ダを備え、前記金属ホルダに光ファイバが取り付られて
前記ＬＤチップからのレーザ光と光学的に結合すること
を特徴とする半導体レーザダイオードモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8175674A JP2985779B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体レーザダイオードモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8175674A JP2985779B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体レーザダイオードモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH103018A true JPH103018A (ja) | 1998-01-06 |
| JP2985779B2 JP2985779B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=16000260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8175674A Expired - Fee Related JP2985779B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体レーザダイオードモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985779B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173335A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| JP2008225138A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザモジュール |
| CN113099727A (zh) * | 2018-10-16 | 2021-07-09 | Ii-Vi特拉华有限公司 | 具有可电阻焊接的盖的水平柔性电路 |
-
1996
- 1996-06-14 JP JP8175674A patent/JP2985779B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173335A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| JP2008225138A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザモジュール |
| CN113099727A (zh) * | 2018-10-16 | 2021-07-09 | Ii-Vi特拉华有限公司 | 具有可电阻焊接的盖的水平柔性电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2985779B2 (ja) | 1999-12-06 |
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