JPH103018A - 半導体レーザダイオードモジュール - Google Patents
半導体レーザダイオードモジュールInfo
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- JPH103018A JPH103018A JP8175674A JP17567496A JPH103018A JP H103018 A JPH103018 A JP H103018A JP 8175674 A JP8175674 A JP 8175674A JP 17567496 A JP17567496 A JP 17567496A JP H103018 A JPH103018 A JP H103018A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】タッピング不良の原因となる、金属ホルダ抵抗
溶接の際に発生する湯玉の量を抑え、湯玉が汎用ステム
を用いたLD単品と金属ホルダと光ファイバとで囲まれ
る閉空間内に飛散することを防ぐLDモジュールの提
供。 【解決手段】LDチップを搭載したステム1とキャップ
3とから構成されるLD単品と、LD単品の気密端子リ
ード10側に抵抗溶接されるように形成されたプロジェ
クション18を有する第1の金属ホルダ16と、第1の
金属ホルダ16の上面に抵抗溶接されるよう形成された
プロジェクション19を有する第2の金属ホルダ17
と、第2の金属ホルダ17に接着された光ファイバ13
と、を備える。また第1、第2の金属ホルダを一体型と
してもよい。
溶接の際に発生する湯玉の量を抑え、湯玉が汎用ステム
を用いたLD単品と金属ホルダと光ファイバとで囲まれ
る閉空間内に飛散することを防ぐLDモジュールの提
供。 【解決手段】LDチップを搭載したステム1とキャップ
3とから構成されるLD単品と、LD単品の気密端子リ
ード10側に抵抗溶接されるように形成されたプロジェ
クション18を有する第1の金属ホルダ16と、第1の
金属ホルダ16の上面に抵抗溶接されるよう形成された
プロジェクション19を有する第2の金属ホルダ17
と、第2の金属ホルダ17に接着された光ファイバ13
と、を備える。また第1、第2の金属ホルダを一体型と
してもよい。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザダイ
オードモジュールに関し、特に、光ファイバ通信に用い
て好適な同軸型半導体レーザダイオードモジュールにお
ける金属ホルダの構成および抵抗溶接の製法技術に関す
る。
オードモジュールに関し、特に、光ファイバ通信に用い
て好適な同軸型半導体レーザダイオードモジュールにお
ける金属ホルダの構成および抵抗溶接の製法技術に関す
る。
【0002】
【従来の技術】この種の従来技術を図面を参照して以下
に説明する。図4および図5は従来のの同軸型半導体レ
ーザダイオードモジュールを示す。
に説明する。図4および図5は従来のの同軸型半導体レ
ーザダイオードモジュールを示す。
【0003】図4及び図5を参照して、従来の同軸型半
導体レーザダイオードモジュールは、気密端子リード1
0が付いたステム1と不図示の半導体レイザーダイオー
ド(LD)チップを収納しレンズ2が取り付けられたキ
ャップ3から成るLD単品に、金属ホルダ4をステム1
上面(気密端子リード10の逆側の面)に抵抗溶接によ
って接着し、金属ホルダ4に金属リング11を介して光
ファイバ12(図5参照)が、レンズ2より出射される
レーザ光13と光学結合される構成とされている。
導体レーザダイオードモジュールは、気密端子リード1
0が付いたステム1と不図示の半導体レイザーダイオー
ド(LD)チップを収納しレンズ2が取り付けられたキ
ャップ3から成るLD単品に、金属ホルダ4をステム1
上面(気密端子リード10の逆側の面)に抵抗溶接によ
って接着し、金属ホルダ4に金属リング11を介して光
ファイバ12(図5参照)が、レンズ2より出射される
レーザ光13と光学結合される構成とされている。
【0004】図4(A)の分解側断面図にて示すよう
に、金属ホルダ4の抵抗溶接は、金属ホルダ4にリング
状に形成された突起であるプロジェクション5を大電流
により溶かして接着している。
に、金属ホルダ4の抵抗溶接は、金属ホルダ4にリング
状に形成された突起であるプロジェクション5を大電流
により溶かして接着している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術の第
1の問題点は、図5(A)に模式的に示すように、金属
ホルダ4をステム1上面に抵抗溶接した時に発生する湯
玉14が、外部からの衝撃により接着面から剥がれ、金
属ホルダ4と、LD単品とで囲まれる空間内を移動し
(図5(A)の矢印にて移動の様子を模式的に示す)、
光ファイバ12に結合しているレーザ光13を横切った
時に、半導体レーザダイオードモジュールの光出力を瞬
時的に低下させるタッピング不良を生じさせることであ
る。
1の問題点は、図5(A)に模式的に示すように、金属
ホルダ4をステム1上面に抵抗溶接した時に発生する湯
玉14が、外部からの衝撃により接着面から剥がれ、金
属ホルダ4と、LD単品とで囲まれる空間内を移動し
(図5(A)の矢印にて移動の様子を模式的に示す)、
光ファイバ12に結合しているレーザ光13を横切った
時に、半導体レーザダイオードモジュールの光出力を瞬
時的に低下させるタッピング不良を生じさせることであ
る。
【0006】この理由は、プロジェクション5が、金属
ホルダ4の内径側に近い所にあり、抵抗溶接により発生
した湯玉14が、金属ホルダ4とLD単品とで囲まれる
空間内に飛散し易いこと、及び、キャップつば6の端か
らステム1外周端までの領域が狭いために、プロジェク
ション5が溶けて接着する接着部9が、ステム1の外周
部に設けられた凹溝7およびV溝8にかかってしまい、
その部分により多くの湯玉が発生すること、による。
ホルダ4の内径側に近い所にあり、抵抗溶接により発生
した湯玉14が、金属ホルダ4とLD単品とで囲まれる
空間内に飛散し易いこと、及び、キャップつば6の端か
らステム1外周端までの領域が狭いために、プロジェク
ション5が溶けて接着する接着部9が、ステム1の外周
部に設けられた凹溝7およびV溝8にかかってしまい、
その部分により多くの湯玉が発生すること、による。
【0007】このため、抵抗溶接は、図5(B)に上面
図として示すように、幅0.2ないし0.3mm程度の
領域15に限られていた。
図として示すように、幅0.2ないし0.3mm程度の
領域15に限られていた。
【0008】上述した不具合を解決する方法として、ス
テム1の寸法を大きくして溶接位置をずらすもの、ある
いは凹溝とV溝を無くしたもの、さらに例えば特開平1
−205448号公報、実開昭58−18347号公
報、実開昭57−61838号公報等に提案されるよう
に、ステム形状を変更するという構成が提案されてい
る。因みに上記特開平1−205448号公報には、ス
テムとキャップとの間を抵抗溶接する際に湯玉がキャッ
プ内部に飛散しペレットに付着して特性を劣化させると
いう問題点を解消すべく、キャップとステムの溶接部に
内側と外側に同心円状の2重プロジェクションを設け、
内側プロジェクションの抵抗を外側プロジェクションの
抵抗よりも大とした半導体装置が提案されており、また
上記実開昭58−18347号公報には、キャップに溶
接封止用フランジと筒状壁部との境界縁部を突出折り曲
げ形成し、境界縁部に対応する基板上に溝を設け、この
溝よりも外側の部分とフランジ部を溶接封止する構成が
提案されている。さらに上記実開昭57−61838号
公報には溶接時に発生する湯玉の飛散を防止する部材を
半導体ペレットに近い部分に設けた構成が提案されてい
る。
テム1の寸法を大きくして溶接位置をずらすもの、ある
いは凹溝とV溝を無くしたもの、さらに例えば特開平1
−205448号公報、実開昭58−18347号公
報、実開昭57−61838号公報等に提案されるよう
に、ステム形状を変更するという構成が提案されてい
る。因みに上記特開平1−205448号公報には、ス
テムとキャップとの間を抵抗溶接する際に湯玉がキャッ
プ内部に飛散しペレットに付着して特性を劣化させると
いう問題点を解消すべく、キャップとステムの溶接部に
内側と外側に同心円状の2重プロジェクションを設け、
内側プロジェクションの抵抗を外側プロジェクションの
抵抗よりも大とした半導体装置が提案されており、また
上記実開昭58−18347号公報には、キャップに溶
接封止用フランジと筒状壁部との境界縁部を突出折り曲
げ形成し、境界縁部に対応する基板上に溝を設け、この
溝よりも外側の部分とフランジ部を溶接封止する構成が
提案されている。さらに上記実開昭57−61838号
公報には溶接時に発生する湯玉の飛散を防止する部材を
半導体ペレットに近い部分に設けた構成が提案されてい
る。
【0009】しかしながら、光通信用の半導体レーザダ
イオードモジュールにおいて用いられるステムは、直径
5.6mmのコンパクトディスク(CD)等の民生品に
大量に用いられている汎用ステムを流用しており、寸法
を大きくしたり、あるいは上記各公報に提案されるが如
く、ステム形状の変更を施した特殊ステムとすると、数
量ダウンにより、例えば数十円から数百円に価格(製品
単価)がアップするため、実際には、汎用ステムを使わ
ざるを得ない状況となっている。
イオードモジュールにおいて用いられるステムは、直径
5.6mmのコンパクトディスク(CD)等の民生品に
大量に用いられている汎用ステムを流用しており、寸法
を大きくしたり、あるいは上記各公報に提案されるが如
く、ステム形状の変更を施した特殊ステムとすると、数
量ダウンにより、例えば数十円から数百円に価格(製品
単価)がアップするため、実際には、汎用ステムを使わ
ざるを得ない状況となっている。
【0010】また、凹溝7、V溝8についても、これら
は一般に自動組立装置の認識およびガイドに用いられて
おり、凹溝とV溝とを削除することもできない。
は一般に自動組立装置の認識およびガイドに用いられて
おり、凹溝とV溝とを削除することもできない。
【0011】次に、上記した従来技術の第2の問題点と
して、キャップ3に取り付けられているレンズ2には、
マイクロレンズやボールレンズ、非球面レンズなどがあ
り、半導体レーザダイオードモジュールの光出力向上の
ために最適なレンズが選択されるが、レンズの種類によ
っては、キャップ3の径が大きくなる場合があり、図5
(B)に示した領域15が確保できないため、製品設計
に対し大きな制約となっていた。
して、キャップ3に取り付けられているレンズ2には、
マイクロレンズやボールレンズ、非球面レンズなどがあ
り、半導体レーザダイオードモジュールの光出力向上の
ために最適なレンズが選択されるが、レンズの種類によ
っては、キャップ3の径が大きくなる場合があり、図5
(B)に示した領域15が確保できないため、製品設計
に対し大きな制約となっていた。
【0012】したがって、本発明は、上記事情に鑑みて
なされたものでたって、その目的は、金属ホルダの抵抗
溶接時に発生する湯玉が、レーザ光とファイバとが光学
結合としている領域に侵入することを防ぎ、製品外部か
らの衝撃による光出力変動というタッピング不良を無く
して製品の信頼性の向上を図るとともに、汎用ステムと
安価な追加部材を使用することでコストを低く抑えるよ
うにした半導体レーザダイオードモジュールを提供する
ことにある。
なされたものでたって、その目的は、金属ホルダの抵抗
溶接時に発生する湯玉が、レーザ光とファイバとが光学
結合としている領域に侵入することを防ぎ、製品外部か
らの衝撃による光出力変動というタッピング不良を無く
して製品の信頼性の向上を図るとともに、汎用ステムと
安価な追加部材を使用することでコストを低く抑えるよ
うにした半導体レーザダイオードモジュールを提供する
ことにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体レーザダイオードモジュール
は、気密封止端子付のステムと、板ガラスないしレンズ
を有するキャップと、から成るカン(CAN)型の半導
体レーザダイオード単品製品(以下「LD単品」とい
う)と、前記LD単品に抵抗溶接される金属ホルダと、
前記LD単品より出射するレーザ光に光学結合された光
ファイバと、を備えてなる同軸型半導体レーザモジュー
ルにおいて、前記金属ホルダが前記ステムのリード引き
出し側で抵抗溶接されることを特徴とする。
め、本発明に係る半導体レーザダイオードモジュール
は、気密封止端子付のステムと、板ガラスないしレンズ
を有するキャップと、から成るカン(CAN)型の半導
体レーザダイオード単品製品(以下「LD単品」とい
う)と、前記LD単品に抵抗溶接される金属ホルダと、
前記LD単品より出射するレーザ光に光学結合された光
ファイバと、を備えてなる同軸型半導体レーザモジュー
ルにおいて、前記金属ホルダが前記ステムのリード引き
出し側で抵抗溶接されることを特徴とする。
【0014】本発明においては、前記LD単品に抵抗溶
接された第1の金属ホルダと、前記第一の金属ホルダに
抵抗溶接される第2の金属ホルダと、を備えたことを特
徴とする。
接された第1の金属ホルダと、前記第一の金属ホルダに
抵抗溶接される第2の金属ホルダと、を備えたことを特
徴とする。
【0015】また、本発明においては、前記第1の金属
ホルダと前記第2の金属ホルダとを一体型としてもよ
い。
ホルダと前記第2の金属ホルダとを一体型としてもよ
い。
【0016】本発明は、上面にLDチップを搭載するス
テムの下端面に対向した表面で抵抗溶接され、前記ステ
ムの側壁の少なくとも一部を囲繞する第1の金属ホルダ
と、前記第1の金属ホルダの上面と抵抗溶接され、前記
LDチップ及びレンズを備えたキャップからなるLD装
置を収容する第2の金属ホルダと、を備え、前記第2の
金属ホルダには光ファイバが取り付られて前記LDチッ
プからのレーザ光と光学的に結合し、前記第1の金属ホ
ルダの上面が前記ステムの前記キャップ接着面よりも低
くなるようにその高さが設定されることを特徴とする。
テムの下端面に対向した表面で抵抗溶接され、前記ステ
ムの側壁の少なくとも一部を囲繞する第1の金属ホルダ
と、前記第1の金属ホルダの上面と抵抗溶接され、前記
LDチップ及びレンズを備えたキャップからなるLD装
置を収容する第2の金属ホルダと、を備え、前記第2の
金属ホルダには光ファイバが取り付られて前記LDチッ
プからのレーザ光と光学的に結合し、前記第1の金属ホ
ルダの上面が前記ステムの前記キャップ接着面よりも低
くなるようにその高さが設定されることを特徴とする。
【0017】さらに、本発明は、上面にLDチップを搭
載するステムの下端面に対向した表面で抵抗溶接され、
内周壁が前記ステムの側壁を囲繞するとともに、前記L
Dチップ及びレンズを備えたキャップからなるLD装置
を収容する金属ホルダを備え、前記金属ホルダに光ファ
イバが取り付られて前記LDチップからのレーザ光と光
学的に結合することを特徴とする。
載するステムの下端面に対向した表面で抵抗溶接され、
内周壁が前記ステムの側壁を囲繞するとともに、前記L
Dチップ及びレンズを備えたキャップからなるLD装置
を収容する金属ホルダを備え、前記金属ホルダに光ファ
イバが取り付られて前記LDチップからのレーザ光と光
学的に結合することを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】以下では、まず本発明の好ましい
実施の形態について説明し、つづいて実施例を図面を参
照して説明する。
実施の形態について説明し、つづいて実施例を図面を参
照して説明する。
【0019】本発明は、その好ましい実施の形態におい
て、第1の金属ホルダ(図1の16)を、LD単品の気
密端子リード(図1の10)側に抵抗溶接させ、第2金
属ホルダ(図1の17)を、第1の金属ホルダのLD単
品のキャップ(図1の3)側に抵抗溶接するように構成
したものである。
て、第1の金属ホルダ(図1の16)を、LD単品の気
密端子リード(図1の10)側に抵抗溶接させ、第2金
属ホルダ(図1の17)を、第1の金属ホルダのLD単
品のキャップ(図1の3)側に抵抗溶接するように構成
したものである。
【0020】本発明においては、第1の金属ホルダ(図
1の16)に設けられたプロジェクション(図1の1
8)は、抵抗溶接によりLD単品のステム(図1の1)
の気密端子リード(図1の10)側に接着する。
1の16)に設けられたプロジェクション(図1の1
8)は、抵抗溶接によりLD単品のステム(図1の1)
の気密端子リード(図1の10)側に接着する。
【0021】このプロジェクション(図1の18)がジ
ュール熱により溶融し、ステム(図1の1)に接着する
際に、直径数μmから数十μm程度の大きさの湯玉が発
生するが、これら湯玉は、気密端子リード(図1の1
0)側に飛散するものの、ステム(図1の1)のキャッ
プ(図1の3)が接着している側には回り込まない。
ュール熱により溶融し、ステム(図1の1)に接着する
際に、直径数μmから数十μm程度の大きさの湯玉が発
生するが、これら湯玉は、気密端子リード(図1の1
0)側に飛散するものの、ステム(図1の1)のキャッ
プ(図1の3)が接着している側には回り込まない。
【0022】次に、第2の金属ホルダ(図1の17)に
設けられたプロジェクション(図1の19)を、第1の
金属ホルダ(図1の16)の上面に抵抗溶接する。
設けられたプロジェクション(図1の19)を、第1の
金属ホルダ(図1の16)の上面に抵抗溶接する。
【0023】第1の金属ホルダ(図1の16)の上面の
面積を広くとれば、プロジェクション(図1の19)の
位置を、キャップ(図1の3)から充分離すことができ
ると共に、さらに、従来、ステムに形成されていた凹溝
(図4の7)やV溝(図4の8)は、本発明においては
ステムに設けられないため、湯玉の発生が低く抑えるこ
とができる。
面積を広くとれば、プロジェクション(図1の19)の
位置を、キャップ(図1の3)から充分離すことができ
ると共に、さらに、従来、ステムに形成されていた凹溝
(図4の7)やV溝(図4の8)は、本発明においては
ステムに設けられないため、湯玉の発生が低く抑えるこ
とができる。
【0024】さらに、ステム(図1の1)のキャップ接
着面より低い位置になるように、第1の金属ホルダ(図
1の16)の高さを設定することにより、ステム(図1
の1)の側面が壁となって、LD単品と、第2の金属ホ
ルダ(図1の17)内周とで囲まれた空間への湯玉の侵
入を防ぐことができる。
着面より低い位置になるように、第1の金属ホルダ(図
1の16)の高さを設定することにより、ステム(図1
の1)の側面が壁となって、LD単品と、第2の金属ホ
ルダ(図1の17)内周とで囲まれた空間への湯玉の侵
入を防ぐことができる。
【0025】
【実施例】本発明の実施例について図面を用いて説明す
る。図2(A)に、本発明の第1の実施例に係る半導体
レーザダイオードモジュールの完成品の側断面図を示
す。
る。図2(A)に、本発明の第1の実施例に係る半導体
レーザダイオードモジュールの完成品の側断面図を示
す。
【0026】本発明の第1の実施例に係る半導体レーザ
ダイオードモジュールは、レーザダイオードチップを搭
載したステム1とレンズ2を有するキャップ3から構成
されるLD単品と、第1の金属ホルダ16と、第2の金
属ホルダ17と、LD単品のレンズ2より出射されるレ
ーザ光13と光学結合する光ファイバ12と、を備えて
構成されている。なお、図2(B)は、図2(A)に側
断面図として示した半導体レーザダイオードモジュール
の下側からみた端面図であり、第1及び第2の金属ホル
ダは除かれた状態とされている。
ダイオードモジュールは、レーザダイオードチップを搭
載したステム1とレンズ2を有するキャップ3から構成
されるLD単品と、第1の金属ホルダ16と、第2の金
属ホルダ17と、LD単品のレンズ2より出射されるレ
ーザ光13と光学結合する光ファイバ12と、を備えて
構成されている。なお、図2(B)は、図2(A)に側
断面図として示した半導体レーザダイオードモジュール
の下側からみた端面図であり、第1及び第2の金属ホル
ダは除かれた状態とされている。
【0027】本発明の第1の実施例に係る半導体レーザ
ダイオードモジュールの組立方法と作用効果を図1を参
照して説明する。図1(A)は、光ファイバ未実装時の
状態を示す分解(組立)側面図であり、図1(B)は、
第2の金属ホルダ17を取り付ける前の状態の上面図で
ある。
ダイオードモジュールの組立方法と作用効果を図1を参
照して説明する。図1(A)は、光ファイバ未実装時の
状態を示す分解(組立)側面図であり、図1(B)は、
第2の金属ホルダ17を取り付ける前の状態の上面図で
ある。
【0028】まず、プロジェクション18を有する第1
の金属ホルダ16を、LD単品のステム1の下面、すな
わち気密端子リード側10に抵抗溶接する。プロジェク
ション18は、図2(B)の下面図に示す領域20の何
れかの位置にくるように形成されている。領域20は、
気密端子リード10から少し離間した凹溝7、V溝8の
端に至るまでの領域であり、幅は約0.7〜0.8mm
とされている。プロジェクション18は領域20の範囲
内に位置決めされ、凹溝7、V溝8にかかることがない
ため、湯玉の発生を大幅に抑制することができる。ま
た、湯玉の発生があったとしても、気密端子リード10
側に飛散し、ステム1の上面であるキャップ3接着側へ
の回り込みを完全に防ぐことができる。
の金属ホルダ16を、LD単品のステム1の下面、すな
わち気密端子リード側10に抵抗溶接する。プロジェク
ション18は、図2(B)の下面図に示す領域20の何
れかの位置にくるように形成されている。領域20は、
気密端子リード10から少し離間した凹溝7、V溝8の
端に至るまでの領域であり、幅は約0.7〜0.8mm
とされている。プロジェクション18は領域20の範囲
内に位置決めされ、凹溝7、V溝8にかかることがない
ため、湯玉の発生を大幅に抑制することができる。ま
た、湯玉の発生があったとしても、気密端子リード10
側に飛散し、ステム1の上面であるキャップ3接着側へ
の回り込みを完全に防ぐことができる。
【0029】次に、プロジェクション19を有する第2
の金属ホルダ17を、第1の金属ホルダ16の上面の何
れかの領域に抵抗溶接する。プロジェクション19は、
図1(B)の接着部21にて示す部分で溶解接着するた
め、第1の金属ホルダ16の上面面積を広くとるか、或
いはプロジェクション19の位置をキャップ3側から充
分離れた部分に形成させることによって、LD単品と、
第2の金属ホルダ17と、で囲まれた空間へ湯玉が飛散
することを抑制し、更に、第1の金属ホルダ16の上面
位置が、ステム1の上面位置よりも低く設定されたこと
により、完全に湯玉の飛散を抑えることができる。
の金属ホルダ17を、第1の金属ホルダ16の上面の何
れかの領域に抵抗溶接する。プロジェクション19は、
図1(B)の接着部21にて示す部分で溶解接着するた
め、第1の金属ホルダ16の上面面積を広くとるか、或
いはプロジェクション19の位置をキャップ3側から充
分離れた部分に形成させることによって、LD単品と、
第2の金属ホルダ17と、で囲まれた空間へ湯玉が飛散
することを抑制し、更に、第1の金属ホルダ16の上面
位置が、ステム1の上面位置よりも低く設定されたこと
により、完全に湯玉の飛散を抑えることができる。
【0030】本実施例において、第1の金属ホルダ16
には、凹溝・V溝は形成しない。これは、凹溝・V溝
が、LD単品を組立する場合と、LD単品のまま光伝送
装置に組込む場合の位置出し用に用いられており、半導
体レーザダイオードモジュールを組立てる際には、全く
使用されないことによる。このため、第2の金属ホルダ
17の抵抗溶接時の凹溝・V溝による湯玉の大量発生も
無い。
には、凹溝・V溝は形成しない。これは、凹溝・V溝
が、LD単品を組立する場合と、LD単品のまま光伝送
装置に組込む場合の位置出し用に用いられており、半導
体レーザダイオードモジュールを組立てる際には、全く
使用されないことによる。このため、第2の金属ホルダ
17の抵抗溶接時の凹溝・V溝による湯玉の大量発生も
無い。
【0031】次に、図2(A)に示すように、光ファイ
バ12とレーザ光13とを光学結合させ、半導体レーザ
ダイオードモジュールの組立が完了する。
バ12とレーザ光13とを光学結合させ、半導体レーザ
ダイオードモジュールの組立が完了する。
【0032】その結果、LD単品と、第2の金属ホルダ
17と、光ファイバ12とで囲まれた空間への湯玉の発
生が無く、タッピング不良を無くすことができる。
17と、光ファイバ12とで囲まれた空間への湯玉の発
生が無く、タッピング不良を無くすことができる。
【0033】本実施例においては、第1の金属ホルダ1
6の如き部材でも例えば十円程度と安価に製作でき、抵
抗溶接作業もそれ以下のコストにて行うことができるた
め、寸法や形状を変更した特殊ステム(数百円)を用い
るよりも、はるかに安価に作製することができる。また
通常、ホルダの外形上の制約が無い場合が多いため、第
1の金属ホルダ16の寸法を適切に選ぶことによって、
設計を容易に進めることができることになる。
6の如き部材でも例えば十円程度と安価に製作でき、抵
抗溶接作業もそれ以下のコストにて行うことができるた
め、寸法や形状を変更した特殊ステム(数百円)を用い
るよりも、はるかに安価に作製することができる。また
通常、ホルダの外形上の制約が無い場合が多いため、第
1の金属ホルダ16の寸法を適切に選ぶことによって、
設計を容易に進めることができることになる。
【0034】次に、本発明の第2の実施例について図3
を参照して説明する。図3は、本発明の第2の実施例の
構成を示す分解側面図である。
を参照して説明する。図3は、本発明の第2の実施例の
構成を示す分解側面図である。
【0035】図3を参照すると、本実施例においては、
前記第1の実施例における第1の金属ホルダと第2の金
属ホルダとを一体化しプロジェクション23を有する一
体型金属ホルダ22をLD単品の気密端子リード10側
に抵抗溶接する。
前記第1の実施例における第1の金属ホルダと第2の金
属ホルダとを一体化しプロジェクション23を有する一
体型金属ホルダ22をLD単品の気密端子リード10側
に抵抗溶接する。
【0036】これにより、従来と同じ部材点数および工
数でタッピング不良を無くすことができる。なお、一体
型金属ホルダ22は、同一部材から加工されたものであ
っても、2種類以上の部材を予めロウ付けや溶接などに
より接着加工されているものであってもよく、形状につ
いても凹凸があっても良いものであることはいうまでも
ない。
数でタッピング不良を無くすことができる。なお、一体
型金属ホルダ22は、同一部材から加工されたものであ
っても、2種類以上の部材を予めロウ付けや溶接などに
より接着加工されているものであってもよく、形状につ
いても凹凸があっても良いものであることはいうまでも
ない。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
金属ホルダの抵抗溶接によって発生する湯玉が、LD単
品と金属ホルダと光ファイバとで囲まれた閉空間に飛散
し、外力により上述湯玉が剥離移動することによって生
じるタッピング不良を無くすことができる、という効果
を奏する。
金属ホルダの抵抗溶接によって発生する湯玉が、LD単
品と金属ホルダと光ファイバとで囲まれた閉空間に飛散
し、外力により上述湯玉が剥離移動することによって生
じるタッピング不良を無くすことができる、という効果
を奏する。
【0038】この理由は、本発明によれば、金属ホルダ
をLD単品の裏面即ち気密端子リード側に抵抗溶接する
ことにより、湯玉発生の大きな原因とされているステム
に形成された凹溝・V溝へのプロジェクションの接触を
回避し、更に、発生した湯玉についても、LD単品と金
属ホルダ、光ファイバとから成る閉空間への飛散を完全
に防ぐことができるようにしたことによる。
をLD単品の裏面即ち気密端子リード側に抵抗溶接する
ことにより、湯玉発生の大きな原因とされているステム
に形成された凹溝・V溝へのプロジェクションの接触を
回避し、更に、発生した湯玉についても、LD単品と金
属ホルダ、光ファイバとから成る閉空間への飛散を完全
に防ぐことができるようにしたことによる。
【0039】また、本発明によれば、レンズ仕様に合わ
せた新規半導体レーザダイオードモジュールの設計を行
う際にも、従来(既存)のステムを用いたまま、上述し
たタッピング不良を無くすことが可能とされ、コスト的
に極めて有利であり、また構造設計を容易化する、とい
う効果を奏する。
せた新規半導体レーザダイオードモジュールの設計を行
う際にも、従来(既存)のステムを用いたまま、上述し
たタッピング不良を無くすことが可能とされ、コスト的
に極めて有利であり、また構造設計を容易化する、とい
う効果を奏する。
【0040】この理由は、本発明においては、第1の金
属ホルダの如き部材でも安価に製作でき、抵抗溶接作業
もそれ以下のコストにて行うことができるため、寸法や
形状を変更した特殊ステム(数百円)を用いるよりはる
かに安価に作製することができるためであり、さらに通
常、ホルダの外形上の制約が無い場合が多いため、第1
の金属ホルダの寸法を適切に選ぶことによって、設計を
容易に進めることができる、ことによる。
属ホルダの如き部材でも安価に製作でき、抵抗溶接作業
もそれ以下のコストにて行うことができるため、寸法や
形状を変更した特殊ステム(数百円)を用いるよりはる
かに安価に作製することができるためであり、さらに通
常、ホルダの外形上の制約が無い場合が多いため、第1
の金属ホルダの寸法を適切に選ぶことによって、設計を
容易に進めることができる、ことによる。
【図1】本発明の一実施例に係る半導体レーザダイオー
ドモジュールの組立図であり、(A)は分解側面図、
(B)は第2の金属ホルダを省き上面より見た図であ
る。
ドモジュールの組立図であり、(A)は分解側面図、
(B)は第2の金属ホルダを省き上面より見た図であ
る。
【図2】本発明の一実施例に係る半導体レーザダイオー
ドモジュールの組立完成品を示す図であり、(A)は側
面図、(B)は第1および第2の金属ホルダを省き下面
より見た図である。
ドモジュールの組立完成品を示す図であり、(A)は側
面図、(B)は第1および第2の金属ホルダを省き下面
より見た図である。
【図3】本発明の別の実施例に係る半導体レーザダイオ
ードモジュールの組立完成品を示す側面図である。
ードモジュールの組立完成品を示す側面図である。
【図4】従来の半導体レーザダイオードモジュールの組
立図であり、(A)は側面図、(B)は金属ホルダを省
き上面より見た図である。
立図であり、(A)は側面図、(B)は金属ホルダを省
き上面より見た図である。
【図5】従来の半導体レーザダイオードモジュールの組
立完成品を示す図であり、(A)は側面図、(B)は金
属ホルダを省き上面より見た図である。
立完成品を示す図であり、(A)は側面図、(B)は金
属ホルダを省き上面より見た図である。
1 ステム 2 レンズ 3 キャップ 4 金属ホルダ 5 プロジェクション 6 キャップつば 7 凹溝 8 V溝 9 接着部 10 気密端子リード 11 金属リング 12 光ファイバ 13 レーザ光 14 湯玉 15 領域 16 第1の金属ホルダ 17 第2の金属ホルダ 18 プロジェクション 19 プロジェクション 20 領域 21 接着部 22 一体型金属ホルダ 23 プロジェクション
Claims (5)
- 【請求項1】気密封止端子付のステムと板ガラス部材ま
たはレンズを有するキャップとから成るカン(CAN)
型の半導体レーザダイオード単品製品(以下「LD単
品」という)と、 前記LD単品に抵抗溶接される金属ホルダと、 前記LD単品より出射するレーザ光に光学結合された光
ファイバと、 を備えてなる同軸型半導体レーザモジュールにおいて、 前記金属ホルダが前記ステムのリード引き出し側で抵抗
溶接されることを特徴とする半導体レーザダイオードモ
ジュール。 - 【請求項2】前記LD単品に抵抗溶接された第1の金属
ホルダと、 前記第一の金属ホルダに抵抗溶接される第2の金属ホル
ダと、 を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ
ダイオードモジュール。 - 【請求項3】前記第1の金属ホルダと前記第2の金属ホ
ルダが一体とされたことを特徴とする請求項2記載の半
導体レーザダイオードモジュール。 - 【請求項4】上面にLDチップを搭載するステムの下端
面に対向した表面で抵抗溶接され、前記ステムの側壁の
少なくとも一部を囲繞する第1の金属ホルダと、 前記第1の金属ホルダの上面と抵抗溶接され、前記LD
チップ及びレンズを備えたキャップからなるLD装置を
収容する第2の金属ホルダと、 を備え、 前記第2の金属ホルダには光ファイバが取り付られて前
記LDチップからのレーザ光と光学的に結合し、 前記第1の金属ホルダの上面が前記ステムの前記キャッ
プ接着面よりも低くなるようにその高さが設定されるこ
とを特徴とする半導体レーザダイオードモジュール。 - 【請求項5】上面にLDチップを搭載するステムの下端
面に対向した表面で抵抗溶接され、内周壁が前記ステム
の側壁を囲繞するとともに、前記LDチップ及びレンズ
を備えたキャップからなるLD装置を収容する金属ホル
ダを備え、前記金属ホルダに光ファイバが取り付られて
前記LDチップからのレーザ光と光学的に結合すること
を特徴とする半導体レーザダイオードモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8175674A JP2985779B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体レーザダイオードモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8175674A JP2985779B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体レーザダイオードモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH103018A true JPH103018A (ja) | 1998-01-06 |
JP2985779B2 JP2985779B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=16000260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8175674A Expired - Fee Related JP2985779B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体レーザダイオードモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2985779B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173335A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
JP2008225138A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザモジュール |
CN113099727A (zh) * | 2018-10-16 | 2021-07-09 | Ii-Vi特拉华有限公司 | 具有可电阻焊接的盖的水平柔性电路 |
-
1996
- 1996-06-14 JP JP8175674A patent/JP2985779B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007173335A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
JP2008225138A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザモジュール |
CN113099727A (zh) * | 2018-10-16 | 2021-07-09 | Ii-Vi特拉华有限公司 | 具有可电阻焊接的盖的水平柔性电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2985779B2 (ja) | 1999-12-06 |
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