JPH10294560A - 多層配線板 - Google Patents
多層配線板Info
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- JPH10294560A JPH10294560A JP10055797A JP10055797A JPH10294560A JP H10294560 A JPH10294560 A JP H10294560A JP 10055797 A JP10055797 A JP 10055797A JP 10055797 A JP10055797 A JP 10055797A JP H10294560 A JPH10294560 A JP H10294560A
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Abstract
反りを抑制する。 【解決手段】両面に配線層11aおよび11bが設けら
れた配線用絶縁層11と、両面に配線層13aおよび1
3bが設けられた配線用絶縁層13とが、積層用絶縁層
12を挟んで積層されている。一方の配線用絶縁層11
の外側の表面に位置する配線層11aは、配線用絶縁層
11に対する配線部の面積比率が、他方の配線用絶縁層
13の外側の表面に位置する配線層13bの配線部にお
ける面積比率よりも大きくなっており、その配線層11
aが設けられている配線用絶縁層11が、他方の配線用
絶縁層13よりも厚くなっている。
Description
において、電子部品、回路部品等を相互接続するために
使用される多層配線板に関する。
及の拡大に伴って、軽量化、薄肉化等の小型化が進んで
おり、その結果、携帯型電子機器では、電子部品や回路
部品を高密度に実装するために、電子部品等の配線層が
多層化された多層配線板が使用されるようになってい
る。
部破断斜視図である。この多層配線板20は、一対の配
線用絶縁層21および23と、これらの配線用絶縁層2
1および23間に介在された積層用絶縁層22とを有し
ている。上側の配線用絶縁層21の上面および下面に
は、配線層21aおよび21bが、それぞれ設けられて
おり、また、下側の配線用絶縁層23の上面および下面
にも、配線層23aおよび23bがそれぞれ設けられて
いる。
21b、23a、23bは、それぞれの機能が分化され
ており、例えば、上側の配線用絶縁層21の上面に設け
られた配線層21aには、部品を実装するための半田付
け用パッドと、その部品間の接続等の信号配線とが設け
られている。また、この上側の配線用絶縁層21の下面
に設けられた配線層21bには、上面の配線層21aに
実装される部品に対する接続用の信号線が設けられてい
る。
た配線層23aには、上側の配線用絶縁層21の下面に
設けられた配線層21bにおける信号配線との接続用の
信号配線が設けられており、さらに、この下側の配線用
絶縁層23の下面に設けられた配線層23bには、電源
供給用の配線が設けられている。
および下面に配線層21aおよび21bがそれぞれ設け
られた上側の配線用絶縁層21と、上面および下面に配
線層23aおよび23bがそれぞれ設けられた下側の配
線用絶縁層23とが、両者の間に積層用絶縁層22を介
在させた状態で、熱プレスされる。これにより、配線用
絶縁層21の下面に設けられた配線層21b、および配
線用絶縁層23の上面に設けられた配線層23aが、積
層用絶縁層22に埋設された積層状態になり、所定の多
層配線板20とされる。
た部品等の実装用の配線層21aは、多数の精細な配線
が、配線間隔を配線幅にほぼ等しくなった高密度状態で
設けられており、また、配線用絶縁層21の周縁部には
配線が設けられていない。このために、配線層21aに
おける配線部分の面積は、配線用絶縁層21の上面の面
積の50%以下、通常は、30%程度になっている。
た配線層21b、および下側の配線用絶縁層23の上面
に設けられた配線層23aにおける配線部分も、多数の
精細な配線が、配線幅と配線間隔とをほぼ等しくした高
密度状態で設けられており、また、各配線用絶縁層21
および23のそれぞれの周縁部には配線が設けられてい
ないために、各配線用絶縁層21の下面および23の上
面に対する面積比率は、それぞれ50%以下になってい
る。
設けられた配線層23bには、大電流に対応し得るよう
に広い面積で電源供給用の配線が設けられている。この
配線層23bにおける配線部分は、配線用絶縁層23の
下面に対する面積比率が80%以上になっている。この
場合、各配線用絶縁層21および23の厚さが等しくな
っており、また、積層用絶縁層22の厚さも等しくなっ
ている。
層21および23の間に積層用絶縁層22を介在させて
熱プレスする際、あるいは、半田リフロー等によって部
品実装する際のように、全体が加熱されると、上側の配
線用絶縁層21に設けられた各配線層21aおよび21
bと配線用絶縁層21との間の熱膨張率の差、および、
下側の配線用絶縁層23に設けられた配線層23aおよ
び23bと配線用絶縁層23との熱膨張率の差によっ
て、配線用絶縁層21および23の内部にそれぞれ応力
が発生する。
積比率がそれぞれ異なっているために、上側の配線用絶
縁層21の上面に小さな面積比率で設けられた配線層2
1aによって配線用絶縁層21内に発生する応力に対し
て、下側の配線用絶縁層23の下面に大きな面積比率で
設けられた配線層23bによって配線用絶縁層23内に
発生する応力が大きくなり、多層配線板20は、下側表
面に設けられた配線層23b側に大きく反った状態にな
るおそれがある。
を抑制するために、上側の配線用絶縁層21の上面に小
さな面積比率で設けられた配線層21a内にダミー配線
24を設けて、この配線層21aの面積比率が、電源供
給用配線が設けられた配線層23bの面積比率にほぼ等
しくすることが行われている。これにより、加熱された
際の各配線用絶縁層21および23に加わる応力がほぼ
等しくなり、多層配線板20全体の反りを抑制すること
ができる。また、面積比率が大きくなった配線層23b
の電源供給用配線部分を構成する金属膜層を薄くするこ
とによって、あるいは、面積比率が小さな配線層21a
の配線部分を構成する金属膜を厚くすることによって、
各配線層21aおよび23bによる配線用絶縁層21お
よび23に加わる応力をほぼ等しくして、多層配線板2
0全体の反りを抑制することも行われている。
線板20は、軽量化および薄肉化が進められている携帯
型電子機器等に使用されているために、多層配線板20
自体も小型化されており、電子部品等を実装するための
配線層21aの配線部分は、十分に精細な配線によって
高密度化されているために、配線部分を一層高密度化す
ることには限界がある。しかも、配線層21aにおける
配線部分が高密度状態になっているために、配線層21
aの周辺部分には、ダミー配線を設け得る十分なスペー
スを確保することも容易ではない。さらに、配線層23
bにおける配線部分も、高密度化に対応して、十分に薄
くなった金属膜によって構成されており、配線部分を構
成する金属箔をさらに薄くすることもほとんどできない
状態になっている。
であり、その目的は、配線層における配線部分が高密度
化されているにもかかわらず、加熱によって発生する反
りを抑制することができる多層配線板を提供することに
ある。
の多層配線板は、両面に配線層がそれぞれ設けられた一
対の配線用絶縁層が、積層用絶縁層を挟んで積層された
多層配線板であって、一方の配線用絶縁層の外側の表面
に位置する配線層の配線部分における面積比率が、他方
の配線用絶縁層の外側の表面に位置する配線層の配線部
分における面積比率よりも大きくなっており、その面積
比率が大きくなった配線層が設けられている配線用絶縁
層が、他方の配線用絶縁層よりも厚くなっていることを
特徴とする。
前記各配線用絶縁層の間には、両面に配線層が設けられ
た配線用絶縁層が一対の積層用絶縁層の間に挟まれた状
態で積層されている。
両面に配線層がそれぞれ設けられた一対の配線用絶縁層
が、積層用絶縁層を挟んで積層された多層配線板であっ
て、一方の配線用絶縁層の外側の表面に位置する配線層
の配線部分における面積比率が、他方の配線用絶縁層の
外側の表面に位置する配線層の配線部分における面積比
率よりも大きくなっており、全体における厚さ方向中心
から、面積比率が大きい配線層が設けられた配線用絶縁
層の厚さ方向の中心線までの距離が、他方の配線用絶縁
層における厚さ方向の中心線までの距離よりも短くなっ
ていることを特徴とする。
面に基づいて詳細に説明する。
の一例を示す断面図である。この多層配線板10は、一
対の配線用絶縁層11および13と、これらの配線用絶
縁層11および13間に介在された積層用絶縁層12と
を有している。上側の配線用絶縁層11の上面および下
面には、配線層11aおよび11bがそれぞれ設けられ
ており、また、下側の配線用絶縁層13の上面および下
面にも、配線層13aおよび13bがそれぞれ設けられ
ている。
た配線層11aには、例えば、電源供給用の配線が設け
られている。この電源供給用の配線は、大電流に対応し
得るように、広い面積になっており、配線用絶縁層11
の上面における面積に対して85%の面積比率になって
いる。また、この上側の配線用絶縁層11の下面に設け
られた配線層11bには、上面の配線層11aに設けら
れた電源供給用の配線に対する接続用の信号線が設けら
れている。
た配線層13aには、上側の配線用絶縁層11の下面に
設けられた配線層11bにおける信号配線との接続用の
信号配線が設けられており、また、この下側の配線用絶
縁層13の下面に設けられた配線層13bには、部品を
実装するための半田付け用パッド、および、その部品間
の接続等の信号配線が設けられている。
た配線層13bは、精細な配線が、配線間隔を配線幅に
ほぼ等しくなった高密度状態で設けられている。この配
線層13bにおける配線部分は、配線用絶縁層13の下
面における面積に対して30%の面積比率になってい
る。
た配線層11b、および下側の配線用絶縁層13の上面
に設けられた配線層13aも、多数の精細な配線が、配
線間隔を配線幅とほぼ等しくなった高密度状態で設けら
れており、それぞれの配線部分は、配線用絶縁層11の
下面および配線用絶縁層13の上面のそれぞれの面積に
対して40%の面積比率になっている。
絶縁層12とは、エポキシ樹脂が充填されたガラスクロ
ス材によって、それぞれ構成されており、上面に大きな
面積比率の配線層11aが設けられた上側の配線用絶縁
層11は、厚さが200μmになっている。これに対し
て、下側の配線用絶縁層13および中間の積層用絶縁層
12は、それぞれ、厚さが100μmに構成されてい
る。また、各配線層11a、11b、13a、13bに
おけるそれぞれの配線部分は、厚さ35μmの銅箔によ
って、それぞれ構成されている。
層11aおよび11bが上面および下面にそれぞれ設け
られた上側の配線用絶縁層11と、配線層13aおよび
13bが上面および下面にそれぞれ設けられた下側の配
線用絶縁層13とを、両者の間に積層用絶縁層12を介
在させた状態で、熱プレスによって一体的に積層するこ
とにより製造される。
この配線用絶縁層11の外側表面に大きな面積比率で設
けられた配線層11aとの間の熱膨張係数の差によっ
て、大きな応力が発生する。しかしながら、上側の配線
用絶縁層11は、厚さが200μmと、外側表面に配線
層13bが設けられた配線用絶縁層13の厚さ100μ
mの2倍になっているために、多層積層板10における
厚さ方向の中心線C1から、上側の配線用絶縁層11の
厚さ方向の中心線C2までの距離L1は、下側の配線用
絶縁層13の厚さ方向の中心線C3までの距離L2より
も小さくなっている。その結果、大きな面積比率で設け
られた配線層11aによって上側の配線用絶縁層11に
加わる曲げモーメントが小さく抑制され、多層配線板1
0全体の反りが抑制されることになる。
全ての配線用絶縁層および積層用絶縁層の厚さを100
μmとしたこと以外は同様の構成の多層配線板における
反りの半分程度に抑制されていた。
形態の他の例を示す断面図である。この多層配線板10
では、下側の配線用絶縁層13の厚さを50μm、上側
の配線用絶縁層11および中間の積層用絶縁層12の厚
さを100μmとしたこと以外は、図1に示す多層配線
板10と同様になっている。このような構成の多層配線
板10の反りは、全ての絶縁層の厚さを100μmとし
たこと以外は同様の構成の多層配線板における反りの2
/3程度に抑制されていた。
形態のさらに他の例を示す断面図である。この多層配線
板10では、両面に配線層11aおよび11bが設けら
れた上側の配線用絶縁層11と、両面に配線層13aお
よび13bが設けられた下側の配線用絶縁層13との間
に、両面に配線層15aおよび15bが設けられた中間
の配線用絶縁層15を配置して、この中間の配線用絶縁
層15と上側の配線用絶縁層11および下側の配線用絶
縁層13との間に、それぞれ積層用絶縁層12および1
4をそれぞれ介在させて積層することによって構成され
ている。
縁層11の上面に設けられた配線層11aの配線部分
が、その配線用絶縁層11の上面に対して80%の面積
比率で設けられており、また、下側の配線用絶縁層13
の下面に設けられた配線層13bの配線部分が、その配
線用絶縁層13の下面に対して30%の面積比率で設け
られている。他の配線層11b、13a、15aおよび
15bにおける配線部分は、それぞれ、配線用絶縁層1
1、13、15の表面に対する面積比率が40%になっ
ている。そして、上側の配線用絶縁層11の厚さが20
0μm、下側の配線用絶縁層13の厚さが50μm、他
の積層用絶縁層12および14の厚さが、それぞれ10
0μm、下側の配線用絶縁層15の厚さが100μmに
なっている。また、全ての配線層11a、11b、13
a、13b、15a、15bは、厚さ35μmの銅箔に
よって構成されている。
縁層11、12、13、14、15の厚さを、それぞれ
100μmと等しくした場合に比較して、反りが1/5
程度に抑制されていた。
形態のさらに他の例を示す断面図である。この多層配線
板10では、上側の配線用絶縁層11の厚さを250μ
m、その下側の積層用絶縁層12の厚さを100μm、
その下側の配線用絶縁層15の厚さを70μm、他の2
つ積層用絶縁層14および配線用絶縁層13の厚さを5
0μmとしたこと以外は、図4に示す多層配線板10と
同様の構成になっている。このような構成の多層配線板
10の反りは、全ての絶縁層を100μmとした場合に
比較して、反りが1/10以下に抑制されていた。
熱プレスによって製造する場合について説明したが、本
発明の多層配線板は、ビルドアップ法によって製造する
場合にも適用することができる。
積比率が大きくなった外側に位置する配線層が設けられ
た配線用絶縁層の厚さが、外側に位置する他方の配線層
が設けられた配線用絶縁層の厚さよりも厚くなっている
ために、面積比率が大きい配線層によって、その配線層
が設けられた配線用絶縁層に加わる曲げモーメントが抑
制され、多層配線板全体の反りが著しく抑制される。
断面図である。
す断面図である。
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
である。
Claims (3)
- 【請求項1】 両面に配線層がそれぞれ設けられた一対
の配線用絶縁層が、積層用絶縁層を挟んで積層された多
層配線板であって、 一方の配線用絶縁層の外側の表面に位置する配線層の配
線部分における面積比率が、他方の配線用絶縁層の外側
の表面に位置する配線層の配線部分における面積比率よ
りも大きくなっており、その面積比率が大きくなった配
線層が設けられている配線用絶縁層が、他方の配線用絶
縁層よりも厚くなっていることを特徴とする多層配線
板。 - 【請求項2】 前記各配線用絶縁層の間には、両面に配
線層が設けられた配線用絶縁層が一対の積層用絶縁層の
間に挟まれた状態で積層されている請求項1に記載の多
層配線板。 - 【請求項3】 両面に配線層がそれぞれ設けられた一対
の配線用絶縁層が、積層用絶縁層を挟んで積層された多
層配線板であって、 一方の配線用絶縁層の外側の表面に位置する配線層の配
線部分における面積比率が、他方の配線用絶縁層の外側
の表面に位置する配線層の配線部分における面積比率よ
りも大きくなっており、全体における厚さ方向中心か
ら、面積比率が大きい配線層が設けられた配線用絶縁層
の厚さ方向の中心線までの距離が、他方の配線用絶縁層
における厚さ方向の中心線までの距離よりも短くなって
いることを特徴とする多層配線板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10055797A JP3750832B2 (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 多層配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10055797A JP3750832B2 (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 多層配線板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10294560A true JPH10294560A (ja) | 1998-11-04 |
JP3750832B2 JP3750832B2 (ja) | 2006-03-01 |
Family
ID=14277244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10055797A Expired - Fee Related JP3750832B2 (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 多層配線板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3750832B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010050116A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Fcm Kk | 多層積層回路基板 |
US7986035B2 (en) | 2008-04-04 | 2011-07-26 | Renesas Electronics Corporation | Multilayer wiring substrate, semiconductor package, and method of manufacturing semiconductor package |
JP2012099692A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板 |
-
1997
- 1997-04-17 JP JP10055797A patent/JP3750832B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7986035B2 (en) | 2008-04-04 | 2011-07-26 | Renesas Electronics Corporation | Multilayer wiring substrate, semiconductor package, and method of manufacturing semiconductor package |
JP2010050116A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Fcm Kk | 多層積層回路基板 |
JP2012099692A (ja) * | 2010-11-04 | 2012-05-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層配線基板 |
CN102573278A (zh) * | 2010-11-04 | 2012-07-11 | 日本特殊陶业株式会社 | 多层布线基板 |
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---|---|
JP3750832B2 (ja) | 2006-03-01 |
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