JPH10289843A - 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光方法及び装置Info
- Publication number
- JPH10289843A JPH10289843A JP9094199A JP9419997A JPH10289843A JP H10289843 A JPH10289843 A JP H10289843A JP 9094199 A JP9094199 A JP 9094199A JP 9419997 A JP9419997 A JP 9419997A JP H10289843 A JPH10289843 A JP H10289843A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- time
- output
- potential
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0435—Multi-aperture
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】所定箇所からブランキングアパーチャアレイの
各電極までの信号伝播遅延時間をより正確に測定してそ
のビット間のばらつきが小さくなるように調整する。 【解決手段】駆動回路３１２の入力側に調整用可変遅延
回路３１１を接続しておき、駆動回路３１２の出力電位
がその進行波Ｖ１Ｆの最大電位と最小電位との間の基準
電位ＶＡを横切る時点ｔ１を比較器５２、Ｄフリップフ
ロップ５１及び検出用可変遅延回路５０で検出し、該出
力電位Ｖ１がその進行波Ｖ１Ｆと反射波Ｖ１Ｂとの和の
最大電位と最小電位との間の基準電位ＶＢを横切る時点
ｔ２を比較器６２、Ｄフリップフロップ６１及び検出用
可変遅延回路６０で検出し、値｛ｔ１＋（ｔ２−ｔ１）
／２｝がブランキングアパーチャアレイの各電極につい
て互いに略同一になるようにする。
各電極までの信号伝播遅延時間をより正確に測定してそ
のビット間のばらつきが小さくなるように調整する。 【解決手段】駆動回路３１２の入力側に調整用可変遅延
回路３１１を接続しておき、駆動回路３１２の出力電位
がその進行波Ｖ１Ｆの最大電位と最小電位との間の基準
電位ＶＡを横切る時点ｔ１を比較器５２、Ｄフリップフ
ロップ５１及び検出用可変遅延回路５０で検出し、該出
力電位Ｖ１がその進行波Ｖ１Ｆと反射波Ｖ１Ｂとの和の
最大電位と最小電位との間の基準電位ＶＢを横切る時点
ｔ２を比較器６２、Ｄフリップフロップ６１及び検出用
可変遅延回路６０で検出し、値｛ｔ１＋（ｔ２−ｔ１）
／２｝がブランキングアパーチャアレイの各電極につい
て互いに略同一になるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子ビーム露
光方法及び装置に関する。
光方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来の荷電粒子ビーム露光装置
の概略構成を示す。チャンバ１０内では、電子銃１１か
ら放射された電子ビームＥＢ０の断面が絞り１２の矩形
アパーチャで成形され、電磁レンズ１３を通って略平行
化され、ブランキングアパーチャアレイ１４に入射す
る。ブランキングアパーチャアレイ１４には多数、例え
ば１０２４個のアパーチャが２次元的に配列されてお
り、図１０はその一部のアパーチャ１４１〜１４３を示
す。アパーチャ１４１〜１４３により電子ビームＥＢ０
がマルチビームにされる。ブランキングアパーチャアレ
イ１４のアパーチャ１４１〜１４３の縁部にはそれぞれ
対電極Ｅ１とＧ１、対電極Ｅ２とＧ２、及び、対電極Ｅ
３とＧ３とが形成されている。電極Ｇ１、Ｇ２及びＧ３
は、不図示のグランド線に共通に接続されて０Ｖにされ
る。例えば電極Ｅ１及びＥ３を０ＶにしＥ２を１５Ｖに
すると、図示のようにアパーチャ１４１及び１４３を通
った電子ビームＥＢ１は偏向されず、アパーチャ１４２
を通った電子ビームＥＢ２は偏向される。
の概略構成を示す。チャンバ１０内では、電子銃１１か
ら放射された電子ビームＥＢ０の断面が絞り１２の矩形
アパーチャで成形され、電磁レンズ１３を通って略平行
化され、ブランキングアパーチャアレイ１４に入射す
る。ブランキングアパーチャアレイ１４には多数、例え
ば１０２４個のアパーチャが２次元的に配列されてお
り、図１０はその一部のアパーチャ１４１〜１４３を示
す。アパーチャ１４１〜１４３により電子ビームＥＢ０
がマルチビームにされる。ブランキングアパーチャアレ
イ１４のアパーチャ１４１〜１４３の縁部にはそれぞれ
対電極Ｅ１とＧ１、対電極Ｅ２とＧ２、及び、対電極Ｅ
３とＧ３とが形成されている。電極Ｇ１、Ｇ２及びＧ３
は、不図示のグランド線に共通に接続されて０Ｖにされ
る。例えば電極Ｅ１及びＥ３を０ＶにしＥ２を１５Ｖに
すると、図示のようにアパーチャ１４１及び１４３を通
った電子ビームＥＢ１は偏向されず、アパーチャ１４２
を通った電子ビームＥＢ２は偏向される。
【０００３】図９において、電子ビームＥＢ１は、電磁
レンズ１３の影響で、下方の絞り１５に形成されたアパ
ーチャの位置に収束され、これを通り、電子ビームＥＢ
２は絞り１５で遮断される。ブランキングアパーチャア
レイ１４と絞り１５との間に配置されたブランキング偏
向器１６は、ブランキングアパーチャアレイ１４を通っ
た全ての電子ビームＥＢ１及びＥＢ２を絞り１５で高速
に遮断するために用いられる。絞り１５のアパーチャを
通った電子ビームＥＢ１は、対物レンズ１７により、可
動ステージ１８に搭載された不図示のウェーハ上に収束
される。このようにして、ブランキングアパーチャアレ
イ１４の電極Ｅ１〜Ｅ３に印加する２値の電位パターン
に応じたパターンがウェーハ上に縮小投影される。可動
ステージ１８の上方に配置された主偏向器１９及び副偏
向器２０は、電子ビームＥＢ１をウェーハ上で走査させ
るためのものである。
レンズ１３の影響で、下方の絞り１５に形成されたアパ
ーチャの位置に収束され、これを通り、電子ビームＥＢ
２は絞り１５で遮断される。ブランキングアパーチャア
レイ１４と絞り１５との間に配置されたブランキング偏
向器１６は、ブランキングアパーチャアレイ１４を通っ
た全ての電子ビームＥＢ１及びＥＢ２を絞り１５で高速
に遮断するために用いられる。絞り１５のアパーチャを
通った電子ビームＥＢ１は、対物レンズ１７により、可
動ステージ１８に搭載された不図示のウェーハ上に収束
される。このようにして、ブランキングアパーチャアレ
イ１４の電極Ｅ１〜Ｅ３に印加する２値の電位パターン
に応じたパターンがウェーハ上に縮小投影される。可動
ステージ１８の上方に配置された主偏向器１９及び副偏
向器２０は、電子ビームＥＢ１をウェーハ上で走査させ
るためのものである。
【０００４】ブランキングアパーチャアレイ１４の電極
Ｅ１〜Ｅ３には、パターン発生装置２１から出力された
信号のパターンをＢＡＡドライバ２２で駆動電圧のパタ
ーンに変換したものが供給される。電子ビーム露光は、
電子ビームの走査による露光であるので、光露光よりも
処理時間が長くなる。この処理時間を短縮するために、
パターン発生装置２１の出力の各ビットの転送レートが
例えば４００Ｍｂｐｓと高速にされる。このため、パタ
ーン発生装置２１の出力端からブランキングアパーチャ
アレイ１４の電極までの信号伝播遅延時間のビット間ば
らつきが、ウェーハ上の露光パターンの精度に大きく影
響する。
Ｅ１〜Ｅ３には、パターン発生装置２１から出力された
信号のパターンをＢＡＡドライバ２２で駆動電圧のパタ
ーンに変換したものが供給される。電子ビーム露光は、
電子ビームの走査による露光であるので、光露光よりも
処理時間が長くなる。この処理時間を短縮するために、
パターン発生装置２１の出力の各ビットの転送レートが
例えば４００Ｍｂｐｓと高速にされる。このため、パタ
ーン発生装置２１の出力端からブランキングアパーチャ
アレイ１４の電極までの信号伝播遅延時間のビット間ば
らつきが、ウェーハ上の露光パターンの精度に大きく影
響する。
【０００５】そこで従来では、荷電粒子ビーム露光装置
の調整段階において、可動ステージ１８上に搭載された
ファラデーカップ２３で電子ビームＥＢ１を捕らえ電流
Ｉとして遅延時間検出回路２４に供給し、他方ではパタ
ーン発生装置２１の出力を遅延時間検出回路２４に供給
していた。そして、遅延時間検出回路２４により、パタ
ーン発生装置２１の出力の変化時点から電流Ｉの変化時
点までの時間を、パターン発生装置２１の出力の各ビッ
トについて検出していた。各ビットの遅延時間は、例え
ば図１０において電極Ｅ１、Ｅ２及びＥ３に供給する電
位の組（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３）を（０，０，０）、（１
５，０，０）、（０，０，０）、（０，１５，０）、
（０，０，０）、（０，０，１５）と順に変化させるこ
とにより検出することができる。
の調整段階において、可動ステージ１８上に搭載された
ファラデーカップ２３で電子ビームＥＢ１を捕らえ電流
Ｉとして遅延時間検出回路２４に供給し、他方ではパタ
ーン発生装置２１の出力を遅延時間検出回路２４に供給
していた。そして、遅延時間検出回路２４により、パタ
ーン発生装置２１の出力の変化時点から電流Ｉの変化時
点までの時間を、パターン発生装置２１の出力の各ビッ
トについて検出していた。各ビットの遅延時間は、例え
ば図１０において電極Ｅ１、Ｅ２及びＥ３に供給する電
位の組（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３）を（０，０，０）、（１
５，０，０）、（０，０，０）、（０，１５，０）、
（０，０，０）、（０，０，１５）と順に変化させるこ
とにより検出することができる。
【０００６】図１１は、ブランキングアパーチャアレイ
１４からの１０２４本のマルチビームを全てファラデー
カップ２３で補足し、次にそのうちの１本を絞り１５で
所定時間だけ遮断したときの電流Ｉの変化を示す。負パ
ルス２５はこの遮断時である。
１４からの１０２４本のマルチビームを全てファラデー
カップ２３で補足し、次にそのうちの１本を絞り１５で
所定時間だけ遮断したときの電流Ｉの変化を示す。負パ
ルス２５はこの遮断時である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、電流Ｉの変化
が僅かであるためＳＮ比が低く、また、図９のファラデ
ーカップ２３から遅延時間検出回路２４までの伝送線路
を高品質性にしても、電流Ｉのパルス波形が鈍り、遅延
時間の検出精度が低くなる。本発明の目的は、このよう
な問題点に鑑み、所定箇所からブランキングアパーチャ
アレイの各電極までの信号伝播遅延時間をより正確に測
定してそのビット間のばらつきが小さくなるように調整
することができる荷電粒子ビーム露光方法及び装置を提
供することにある。
が僅かであるためＳＮ比が低く、また、図９のファラデ
ーカップ２３から遅延時間検出回路２４までの伝送線路
を高品質性にしても、電流Ｉのパルス波形が鈍り、遅延
時間の検出精度が低くなる。本発明の目的は、このよう
な問題点に鑑み、所定箇所からブランキングアパーチャ
アレイの各電極までの信号伝播遅延時間をより正確に測
定してそのビット間のばらつきが小さくなるように調整
することができる荷電粒子ビーム露光方法及び装置を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段及びその作用効果】第１発
明では、荷電粒子ビームをブランキングアパーチャアレ
イのアパーチャに通してマルチビームにし、各アパーチ
ャの縁部に形成された偏向電極に駆動回路の出力電位を
供給して、全偏向電極に印加される電位のパターンに対
応したパターンを対象物上に縮小投影する荷電粒子ビー
ム露光方法において、該駆動回路の入力側に調整用可変
遅延回路を接続しておき、該駆動回路の出力電位がその
進行波の最大電位と最小電位との間の第１基準電位を横
切る時点を第１時点として検出し、該駆動回路の出力電
位がその進行波と反射波との和の最大電位と最小電位と
の間の第２基準電位を横切る時点を第２時点として検出
し、該第１時点と該第２時点とに基づいて該調整用可変
遅延回路の遅延時間を設定する、ことを有する。
明では、荷電粒子ビームをブランキングアパーチャアレ
イのアパーチャに通してマルチビームにし、各アパーチ
ャの縁部に形成された偏向電極に駆動回路の出力電位を
供給して、全偏向電極に印加される電位のパターンに対
応したパターンを対象物上に縮小投影する荷電粒子ビー
ム露光方法において、該駆動回路の入力側に調整用可変
遅延回路を接続しておき、該駆動回路の出力電位がその
進行波の最大電位と最小電位との間の第１基準電位を横
切る時点を第１時点として検出し、該駆動回路の出力電
位がその進行波と反射波との和の最大電位と最小電位と
の間の第２基準電位を横切る時点を第２時点として検出
し、該第１時点と該第２時点とに基づいて該調整用可変
遅延回路の遅延時間を設定する、ことを有する。
【０００９】この第１発明によれば、所定箇所、例えば
該調整用可変遅延回路の入力端又は出力端、又は該駆動
回路の出力端から、ブランキングアパーチャアレイの各
電極までの信号伝播遅延時間Ｔが略等しくなり、結果と
して、ウェーハやマスクなどの試料上に縮小投影される
露光パターンの精度が向上するという効果を奏する。ま
た、図９に示すようなファラデーカップ２３でビーム電
流を検出する必要がないので、この場合よりもＳＮ比が
大きくなり、さらに、図９に示すようなファラデーカッ
プ２３から遅延時間検出回路２４までの比較的長い信号
伝送路が不要となるので、信号の鈍りがこの場合よりも
少なくなる。このようなことから、従来よりも正確に該
信号伝播遅延時間Ｔを測定することができるという効果
を奏する。
該調整用可変遅延回路の入力端又は出力端、又は該駆動
回路の出力端から、ブランキングアパーチャアレイの各
電極までの信号伝播遅延時間Ｔが略等しくなり、結果と
して、ウェーハやマスクなどの試料上に縮小投影される
露光パターンの精度が向上するという効果を奏する。ま
た、図９に示すようなファラデーカップ２３でビーム電
流を検出する必要がないので、この場合よりもＳＮ比が
大きくなり、さらに、図９に示すようなファラデーカッ
プ２３から遅延時間検出回路２４までの比較的長い信号
伝送路が不要となるので、信号の鈍りがこの場合よりも
少なくなる。このようなことから、従来よりも正確に該
信号伝播遅延時間Ｔを測定することができるという効果
を奏する。
【００１０】さらに、該信号伝播遅延時間Ｔの調整が自
動的に行われるので、調整所用時間が短縮されて、露光
のスループットが向上するという効果を奏する。第１発
明の第１態様では、上記遅延時間の設定は、上記第１時
点をｔ１とし上記第２時点をｔ２としたとき、値Ｔ＝
｛ｔ１＋（ｔ２−ｔ１）／２｝が各電極について互いに
略同一になるようにする。
動的に行われるので、調整所用時間が短縮されて、露光
のスループットが向上するという効果を奏する。第１発
明の第１態様では、上記遅延時間の設定は、上記第１時
点をｔ１とし上記第２時点をｔ２としたとき、値Ｔ＝
｛ｔ１＋（ｔ２−ｔ１）／２｝が各電極について互いに
略同一になるようにする。
【００１１】この第１態様によれば、駆動回路の信号伝
播遅延時間まで含めて該信号伝播遅延時間Ｔが調整され
るという効果を奏する。また、信号伝播遅延時間Ｔが他
の駆動回路についてのそれと大きく異なる場合には、駆
動回路出力端以降の伝送線路で開放故障が存在すると考
えられ、他の信号伝播遅延時間との差からその位置をあ
る程度の精度で特定することができるという効果を奏す
る。
播遅延時間まで含めて該信号伝播遅延時間Ｔが調整され
るという効果を奏する。また、信号伝播遅延時間Ｔが他
の駆動回路についてのそれと大きく異なる場合には、駆
動回路出力端以降の伝送線路で開放故障が存在すると考
えられ、他の信号伝播遅延時間との差からその位置をあ
る程度の精度で特定することができるという効果を奏す
る。
【００１２】第１発明の第２態様では、上記第１時点ｔ
１の検出と上記第２時点ｔ２の検出とを複数回行い、上
記値Ｔ＝｛ｔ１＋（ｔ２−ｔ１）／２｝の代表値が各電
極について互いに略同一になるようにする。この第２態
様によれば、該信号伝播遅延時間Ｔの測定精度が向上す
るという効果を奏する。
１の検出と上記第２時点ｔ２の検出とを複数回行い、上
記値Ｔ＝｛ｔ１＋（ｔ２−ｔ１）／２｝の代表値が各電
極について互いに略同一になるようにする。この第２態
様によれば、該信号伝播遅延時間Ｔの測定精度が向上す
るという効果を奏する。
【００１３】第１発明の第３態様では、上記遅延時間の
設定は、上記第１時点をｔ１とし上記第２時点をｔ２と
したとき、値Ｔ＝（ｔ２−ｔ１）／２が各電極について
互いに略同一になるようにする。この第３態様は、駆動
回路の信号伝播遅延時間のビット間ばらつきが駆動回路
の出力端からブランキングアパーチャアレイの電極まで
の信号伝播遅延時間のビット間ばらつきよりも小さくて
無視できる場合に有効である。
設定は、上記第１時点をｔ１とし上記第２時点をｔ２と
したとき、値Ｔ＝（ｔ２−ｔ１）／２が各電極について
互いに略同一になるようにする。この第３態様は、駆動
回路の信号伝播遅延時間のビット間ばらつきが駆動回路
の出力端からブランキングアパーチャアレイの電極まで
の信号伝播遅延時間のビット間ばらつきよりも小さくて
無視できる場合に有効である。
【００１４】第１発明の第４態様では、上記第１時点ｔ
１の検出と上記第２時点ｔ２の検出とを複数回行い、上
記値Ｔ＝（ｔ２−ｔ１）／２の代表値が各電極について
互いに略同一になるようにする。この第４態様によれ
ば、第３態様よりも該信号伝播遅延時間Ｔの測定精度が
向上するという効果を奏する。
１の検出と上記第２時点ｔ２の検出とを複数回行い、上
記値Ｔ＝（ｔ２−ｔ１）／２の代表値が各電極について
互いに略同一になるようにする。この第４態様によれ
ば、第３態様よりも該信号伝播遅延時間Ｔの測定精度が
向上するという効果を奏する。
【００１５】第１発明の第５態様では、設定時間経過し
ても上記第２時点を検出することができなかったとき、
上記駆動回路の出力側が短絡していると判定する。この
第５態様によれば、信号伝播遅延時間の調整と同時に短
絡欠陥を検出することができるという効果を奏する。第
２発明では、荷電粒子ビームをブランキングアパーチャ
アレイのアパーチャに通してマルチビームにし、各アパ
ーチャの縁部に形成された偏向電極に駆動回路の出力電
位を供給して、全偏向電極に印加される電位のパターン
に対応したパターンを対象物上に縮小投影する荷電粒子
ビーム露光装置において、該駆動回路の入力側に接続さ
れた調整用可変遅延回路と、該駆動回路の出力電位をそ
の進行波の最大電位と最小電位との間の第１基準電位と
比較する第１比較回路と、該駆動回路の出力電位をその
進行波と反射波との和の最大電位と最小電位との間の第
２基準電位と比較する第２比較回路と、該第１比較回路
の出力反転時点を第１時点として検出する第１検出回路
と、該第２比較回路の出力反転時点を第２時点として検
出する第２検出回路と、該第１時点と該第２時点とに基
づいて該調整用可変遅延回路の遅延時間を設定する調整
手段と、を有する。
ても上記第２時点を検出することができなかったとき、
上記駆動回路の出力側が短絡していると判定する。この
第５態様によれば、信号伝播遅延時間の調整と同時に短
絡欠陥を検出することができるという効果を奏する。第
２発明では、荷電粒子ビームをブランキングアパーチャ
アレイのアパーチャに通してマルチビームにし、各アパ
ーチャの縁部に形成された偏向電極に駆動回路の出力電
位を供給して、全偏向電極に印加される電位のパターン
に対応したパターンを対象物上に縮小投影する荷電粒子
ビーム露光装置において、該駆動回路の入力側に接続さ
れた調整用可変遅延回路と、該駆動回路の出力電位をそ
の進行波の最大電位と最小電位との間の第１基準電位と
比較する第１比較回路と、該駆動回路の出力電位をその
進行波と反射波との和の最大電位と最小電位との間の第
２基準電位と比較する第２比較回路と、該第１比較回路
の出力反転時点を第１時点として検出する第１検出回路
と、該第２比較回路の出力反転時点を第２時点として検
出する第２検出回路と、該第１時点と該第２時点とに基
づいて該調整用可変遅延回路の遅延時間を設定する調整
手段と、を有する。
【００１６】この第２発明によれば、上記第１発明の効
果が得られる。第２発明の第１態様では、上記第１検出
回路は、上記駆動回路の入力側の信号を設定時間遅延さ
せて出力する検出用第１可変遅延回路と、該第１可変遅
延回路の出力に同期して上記第１比較回路の出力レベル
を判定する第１判定回路と、を有し、上記第２検出回路
は、該駆動回路の入力側の信号を設定時間遅延させて出
力する検出用２可変遅延回路と、該第２可変遅延回路の
出力に同期して上記第２比較回路の出力レベルを判定す
る第２判定回路と、を有する。
果が得られる。第２発明の第１態様では、上記第１検出
回路は、上記駆動回路の入力側の信号を設定時間遅延さ
せて出力する検出用第１可変遅延回路と、該第１可変遅
延回路の出力に同期して上記第１比較回路の出力レベル
を判定する第１判定回路と、を有し、上記第２検出回路
は、該駆動回路の入力側の信号を設定時間遅延させて出
力する検出用２可変遅延回路と、該第２可変遅延回路の
出力に同期して上記第２比較回路の出力レベルを判定す
る第２判定回路と、を有する。
【００１７】第２発明の第２態様では、上記第１判定回
路は、上記第１比較回路の出力がデータ入力端に供給さ
れ、上記第１可変遅延回路の出力がクロック入力端に供
給される第１Ｄフリップフロップであり、上記第２判定
回路は、上記第２比較回路の出力がデータ入力端に供給
され、上記第２可変遅延回路の出力がクロック入力端に
供給される第２Ｄフリップフロップである。
路は、上記第１比較回路の出力がデータ入力端に供給さ
れ、上記第１可変遅延回路の出力がクロック入力端に供
給される第１Ｄフリップフロップであり、上記第２判定
回路は、上記第２比較回路の出力がデータ入力端に供給
され、上記第２可変遅延回路の出力がクロック入力端に
供給される第２Ｄフリップフロップである。
【００１８】第２発明の第３態様では、上記調整手段
は、上記第１時点をｔ１とし、上記第２時点をｔ２とし
たとき、値｛ｔ１＋（ｔ２−ｔ１）／２｝が各電極につ
いて互いに略同一になるように上記調整用可変遅延回路
の遅延時間を調整する。第２発明の第４態様では、上記
調整手段は、複数回検出された上記第１時点ｔ１及び上
記第２時点ｔ２に基づいて、上記値｛ｔ１＋（ｔ２−ｔ
１）／２｝の代表値を求め、該代表値が各電極について
互いに略同一になるようにする。
は、上記第１時点をｔ１とし、上記第２時点をｔ２とし
たとき、値｛ｔ１＋（ｔ２−ｔ１）／２｝が各電極につ
いて互いに略同一になるように上記調整用可変遅延回路
の遅延時間を調整する。第２発明の第４態様では、上記
調整手段は、複数回検出された上記第１時点ｔ１及び上
記第２時点ｔ２に基づいて、上記値｛ｔ１＋（ｔ２−ｔ
１）／２｝の代表値を求め、該代表値が各電極について
互いに略同一になるようにする。
【００１９】第２発明の第５態様では、上記調整用可変
遅延回路と上記駆動回路との複数組に対し、上記第１比
較回路と上記第２比較回路と上記第１検出回路と上記第
２検出回路との１組を備え、さらに、該複数組の該駆動
回路の１つの出力を選択して該１組の該第１比較回路及
び該第２比較回路に供給する第１選択回路と、該複数組
の該調整用可変遅延回路の１つの入力を選択して該１組
の該第１検出回路及び該第２検出回路に供給する第２選
択回路と、を有し、上記調整手段は、該第１選択回路と
該第２選択回路とに対し該複数組の１つを選択させる。
遅延回路と上記駆動回路との複数組に対し、上記第１比
較回路と上記第２比較回路と上記第１検出回路と上記第
２検出回路との１組を備え、さらに、該複数組の該駆動
回路の１つの出力を選択して該１組の該第１比較回路及
び該第２比較回路に供給する第１選択回路と、該複数組
の該調整用可変遅延回路の１つの入力を選択して該１組
の該第１検出回路及び該第２検出回路に供給する第２選
択回路と、を有し、上記調整手段は、該第１選択回路と
該第２選択回路とに対し該複数組の１つを選択させる。
【００２０】この第５態様によれば、第１比較回路と第
２比較回路と第１検出回路と第２検出回路との組の数を
低減することができるので、構成が簡単になるという効
果を奏する。
２比較回路と第１検出回路と第２検出回路との組の数を
低減することができるので、構成が簡単になるという効
果を奏する。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施形態を説明する。 ［第１実施形態］図１は、ブランキングアパーチャアレ
イ１４に対する回路の概略構成を示すブロック図であ
る。
施形態を説明する。 ［第１実施形態］図１は、ブランキングアパーチャアレ
イ１４に対する回路の概略構成を示すブロック図であ
る。
【００２２】ブランキングアパーチャアレイ１４にはｎ
個のアパーチャ１４１〜１４ｎが２次元的に配列され、
各アパーチャ１４ｉ（ｉ＝１〜ｎ、以下同様）の縁部に
一対の電極Ｅｉと電極Ｇｉとが形成されている。電極Ｇ
１〜Ｇｎはグランド線に共通に接続され、０Ｖにされ
る。電極Ｅ１〜ＥｎにはそれぞれＢＡＡドライバ３０の
ドライバ３１〜３ｎから駆動電位Ｖ１〜Ｖｎが供給され
る。ＢＡＡドライバ３０とブランキングアパーチャアレ
イ１４との間の配線長は、波形の鈍りを少なくするため
できるだけ短くした方が好ましく、例えば０．５ｍであ
り、信号往復時間は約３ｎｓｅｃである。ドライバ３１
〜３ｎにはそれぞれパターン発生装置２１からデジタル
信号Ｓ１〜Ｓｎが供給される。ドライバ３１〜３ｎは互
いに同一構成であり、ドライバ３１の構成例を図２に示
す。
個のアパーチャ１４１〜１４ｎが２次元的に配列され、
各アパーチャ１４ｉ（ｉ＝１〜ｎ、以下同様）の縁部に
一対の電極Ｅｉと電極Ｇｉとが形成されている。電極Ｇ
１〜Ｇｎはグランド線に共通に接続され、０Ｖにされ
る。電極Ｅ１〜ＥｎにはそれぞれＢＡＡドライバ３０の
ドライバ３１〜３ｎから駆動電位Ｖ１〜Ｖｎが供給され
る。ＢＡＡドライバ３０とブランキングアパーチャアレ
イ１４との間の配線長は、波形の鈍りを少なくするため
できるだけ短くした方が好ましく、例えば０．５ｍであ
り、信号往復時間は約３ｎｓｅｃである。ドライバ３１
〜３ｎにはそれぞれパターン発生装置２１からデジタル
信号Ｓ１〜Ｓｎが供給される。ドライバ３１〜３ｎは互
いに同一構成であり、ドライバ３１の構成例を図２に示
す。
【００２３】ドライバ３１において、信号Ｓ１が可変遅
延回路３１１で設定時間だけ遅延され、駆動回路３１２
に供給されて駆動電位Ｖ１に変換される。可変遅延回路
３１１は、例えばモトローラ製型式１００Ｅ１９５のプ
ログラマブルパルス遅延回路１個又は複数個縦続接続し
たものであって、遅延時間が設定されるレジスタＲ０を
備えている。遅延時間の設定は、１個のＩＣで例えば２
０ｐｓｅｃ×１２８＝２．５６ｎｓｅｃである。レジス
タＲ０には、図１の遅延時間検出調整装置４０から値Ｄ
０１が供給される。駆動回路３１２は、例えばエッジ社
製、型式ＥＤＧＥなどのコンプリメンタリバイポーラデ
バイスであり、入力が‘０’のとき０Ｖを出力し、入力
が‘１’のとき例えば１５Ｖを出力する。信号Ｓ１及び
駆動電位Ｖ１は、遅延時間検出回路３１３及び３１４に
供給される。
延回路３１１で設定時間だけ遅延され、駆動回路３１２
に供給されて駆動電位Ｖ１に変換される。可変遅延回路
３１１は、例えばモトローラ製型式１００Ｅ１９５のプ
ログラマブルパルス遅延回路１個又は複数個縦続接続し
たものであって、遅延時間が設定されるレジスタＲ０を
備えている。遅延時間の設定は、１個のＩＣで例えば２
０ｐｓｅｃ×１２８＝２．５６ｎｓｅｃである。レジス
タＲ０には、図１の遅延時間検出調整装置４０から値Ｄ
０１が供給される。駆動回路３１２は、例えばエッジ社
製、型式ＥＤＧＥなどのコンプリメンタリバイポーラデ
バイスであり、入力が‘０’のとき０Ｖを出力し、入力
が‘１’のとき例えば１５Ｖを出力する。信号Ｓ１及び
駆動電位Ｖ１は、遅延時間検出回路３１３及び３１４に
供給される。
【００２４】遅延時間検出回路３１３では、信号Ｓ１が
可変遅延回路５０で遅延されてＤフリップフロップ５１
のクロック入力端ＣＫに供給される。また、比較器５２
の非反転入力端及び反転入力端にそれぞれ駆動電位Ｖ１
及び基準電位ＶＡが供給され、比較器５２の出力がＤフ
リップフロップ５１のデータ入力端Ｄに供給される。基
準電位ＶＡは、デジタル入力値ＤＡを保持するレジスタ
ＲＡを備えたＤ／Ａ変換器５３の出力である。
可変遅延回路５０で遅延されてＤフリップフロップ５１
のクロック入力端ＣＫに供給される。また、比較器５２
の非反転入力端及び反転入力端にそれぞれ駆動電位Ｖ１
及び基準電位ＶＡが供給され、比較器５２の出力がＤフ
リップフロップ５１のデータ入力端Ｄに供給される。基
準電位ＶＡは、デジタル入力値ＤＡを保持するレジスタ
ＲＡを備えたＤ／Ａ変換器５３の出力である。
【００２５】遅延時間検出回路３１４は、遅延時間検出
回路３１３と同一構成であり、その構成要素６０〜６３
はそれぞれ遅延時間検出回路３１３の構成要素５０〜５
３に対応している。可変遅延回路５０のレジスタＲ１、
Ｄ／Ａ変換器５３のレジスタＲＡ、可変遅延回路６０の
レジスタＲ２及びＤ／Ａ変換器６３のレジスタＲＢには
それぞれ、図１の遅延時間検出調整装置４０から値Ｄ
１、ＤＡ、Ｄ２及びＤＢが供給される。Ｄフリップフロ
ップ５１及び６１のデータ出力端Ｑからそれぞれ判定値
Ｃ１及びＣ２が出力され、図１の遅延時間検出調整装置
４０に供給される。
回路３１３と同一構成であり、その構成要素６０〜６３
はそれぞれ遅延時間検出回路３１３の構成要素５０〜５
３に対応している。可変遅延回路５０のレジスタＲ１、
Ｄ／Ａ変換器５３のレジスタＲＡ、可変遅延回路６０の
レジスタＲ２及びＤ／Ａ変換器６３のレジスタＲＢには
それぞれ、図１の遅延時間検出調整装置４０から値Ｄ
１、ＤＡ、Ｄ２及びＤＢが供給される。Ｄフリップフロ
ップ５１及び６１のデータ出力端Ｑからそれぞれ判定値
Ｃ１及びＣ２が出力され、図１の遅延時間検出調整装置
４０に供給される。
【００２６】次に、遅延時間検出調整装置４０による処
理を説明する。図３は、この装置４０による遅延時間検
出処理の一部を示す。以下、括弧内の数値は図中のステ
ップ識別番号である。前処理において、可変遅延回路３
１１のレジスタＲ０に値Ｄ０１＝０が保持され、Ｄ／Ａ
変換器５３のレジスタＲＡに値ＤＡ＝（Ｖ１の最大値Ｖ
ｂ）／４が保持されている。
理を説明する。図３は、この装置４０による遅延時間検
出処理の一部を示す。以下、括弧内の数値は図中のステ
ップ識別番号である。前処理において、可変遅延回路３
１１のレジスタＲ０に値Ｄ０１＝０が保持され、Ｄ／Ａ
変換器５３のレジスタＲＡに値ＤＡ＝（Ｖ１の最大値Ｖ
ｂ）／４が保持されている。
【００２７】（１００）Ｄ１の初期値１を可変遅延回路
５０のレジスタＲ１に保持させる。 （１０１）パターン発生装置２１に対し図４（Ａ）に示
すようなパルス信号Ｓ１を出力させる。 （１０２）信号Ｓ１が低レベルに遷移するまで待つ。こ
の間において、駆動回路３１２の出力電位Ｖ１が図４
（Ｂ）示す如く立ち上がると、その波が進行波Ｖ１Ｆと
してブランキングアパーチャアレイ１４側及び比較器５
２側に進行する。進行波Ｖ１Ｆの高さＶａは、後の最大
値Ｖｂ、例えば１５Ｖの約半分である。進行波Ｖ１Ｆが
ブランキングアパーチャアレイ１４の電極に到達して反
射し、その反射波Ｖ１Ｂがドライバ３１の出力端まで戻
ってくると、進行波Ｖ１Ｆと反射波Ｖ１Ｂとが重ね合わ
されて、駆動電位Ｖ１がＶａの約２倍のＶｂとなる。
５０のレジスタＲ１に保持させる。 （１０１）パターン発生装置２１に対し図４（Ａ）に示
すようなパルス信号Ｓ１を出力させる。 （１０２）信号Ｓ１が低レベルに遷移するまで待つ。こ
の間において、駆動回路３１２の出力電位Ｖ１が図４
（Ｂ）示す如く立ち上がると、その波が進行波Ｖ１Ｆと
してブランキングアパーチャアレイ１４側及び比較器５
２側に進行する。進行波Ｖ１Ｆの高さＶａは、後の最大
値Ｖｂ、例えば１５Ｖの約半分である。進行波Ｖ１Ｆが
ブランキングアパーチャアレイ１４の電極に到達して反
射し、その反射波Ｖ１Ｂがドライバ３１の出力端まで戻
ってくると、進行波Ｖ１Ｆと反射波Ｖ１Ｂとが重ね合わ
されて、駆動電位Ｖ１がＶａの約２倍のＶｂとなる。
【００２８】図４（Ｂ）中、ＴＡは、可変遅延回路３１
１の入力端での信号Ｓ１の立ち上がり時点ｔ０から駆動
回路３１２の出力端での進行波Ｖ１Ｆの立ち上がり時点
ｔ１までの信号伝播遅延時間であり、ＴＢは、時点ｔ０
から駆動回路３１２の出力端での反射波Ｖ１Ｂの立ち上
がり時点ｔ２までの信号伝播遅延時間である。時点ｔ０
からブランキングアパーチャアレイ１４の電極Ｅ１の立
ち上がり時点ｔｍまでの信号伝播遅延時間Ｔは、Ｔ＝Ｔ
Ａ＋（ＴＢ−ＴＡ）／２となる。
１の入力端での信号Ｓ１の立ち上がり時点ｔ０から駆動
回路３１２の出力端での進行波Ｖ１Ｆの立ち上がり時点
ｔ１までの信号伝播遅延時間であり、ＴＢは、時点ｔ０
から駆動回路３１２の出力端での反射波Ｖ１Ｂの立ち上
がり時点ｔ２までの信号伝播遅延時間である。時点ｔ０
からブランキングアパーチャアレイ１４の電極Ｅ１の立
ち上がり時点ｔｍまでの信号伝播遅延時間Ｔは、Ｔ＝Ｔ
Ａ＋（ＴＢ−ＴＡ）／２となる。
【００２９】ブランキングアパーチャアレイ１４の電極
Ｅ１又はドライバ３１から電極Ｅ１までの配線がグラン
ド線と短絡している場合には、短絡点で進行波Ｖ１Ｆの
符号が反転し反射波Ｖ１Ｂとしてドライバ３１の出力端
に戻ってくるので、駆動電位Ｖ１の波形は図４（Ｃ）に
示す如くなる。可変遅延回路５０の出力の立ち上がり時
点での比較器５２の出力が判定値Ｃ１として、Ｄフリッ
プフロップ５１に保持される。
Ｅ１又はドライバ３１から電極Ｅ１までの配線がグラン
ド線と短絡している場合には、短絡点で進行波Ｖ１Ｆの
符号が反転し反射波Ｖ１Ｂとしてドライバ３１の出力端
に戻ってくるので、駆動電位Ｖ１の波形は図４（Ｃ）に
示す如くなる。可変遅延回路５０の出力の立ち上がり時
点での比較器５２の出力が判定値Ｃ１として、Ｄフリッ
プフロップ５１に保持される。
【００３０】（１０３）Ｃ１＝‘１’であればステップ
１０６へ進み、そうでなければステップ１０４へ進む。 （１０４）Ｄ１＝ＴＢmaxであればステップ１０７へ進
み、そうでなければステップ１０５へ進む。ＴＢmax
は、図４に示す如く、信号Ｓ１の立ち上がりから駆動電
位Ｖ１が最大値Ｖｂになるまでの時間の推定最大値より
も長い時間である。
１０６へ進み、そうでなければステップ１０４へ進む。 （１０４）Ｄ１＝ＴＢmaxであればステップ１０７へ進
み、そうでなければステップ１０５へ進む。ＴＢmax
は、図４に示す如く、信号Ｓ１の立ち上がりから駆動電
位Ｖ１が最大値Ｖｂになるまでの時間の推定最大値より
も長い時間である。
【００３１】（１０５）Ｄ１を１だけインクリメントし
て可変遅延回路５０のレジスタＲ１に保持させ、次いで
ステップ１０１へ戻る。ステップ１０１〜１０５の処理
を繰り返すと、正常な場合にはステップ１０３でＣ１＝
‘１’と判定される。 （１０６）Ｄ１を遅延時間ＴＡとして内部メモリに記憶
し、図３の処理を終了する。
て可変遅延回路５０のレジスタＲ１に保持させ、次いで
ステップ１０１へ戻る。ステップ１０１〜１０５の処理
を繰り返すと、正常な場合にはステップ１０３でＣ１＝
‘１’と判定される。 （１０６）Ｄ１を遅延時間ＴＡとして内部メモリに記憶
し、図３の処理を終了する。
【００３２】（１０７）Ｄ１＝ＴＢmaxとなってもＣ１
＝‘０’である場合には、すなわち図４（Ｃ）に示すよ
うな場合には、上記短絡と判定する。遅延時間検出調整
装置４０は、図３の処理により遅延時間ＴＡを求めた
後、遅延時間検出回路３１４に対し図３と同様の処理を
行って遅延時間ＴＢを求める。この場合、ステップ１０
０、１０４、１０５及び１０６でのＤ１がＤ２で置き換
えられ、ステップ１００での１がＴＡ＋１で置き換えら
れ、ステップ１０３でのＣ１がＣ２で置き換えられ、ス
テップ１０６でのＴＡがＴＢで置き換えられる。
＝‘０’である場合には、すなわち図４（Ｃ）に示すよ
うな場合には、上記短絡と判定する。遅延時間検出調整
装置４０は、図３の処理により遅延時間ＴＡを求めた
後、遅延時間検出回路３１４に対し図３と同様の処理を
行って遅延時間ＴＢを求める。この場合、ステップ１０
０、１０４、１０５及び１０６でのＤ１がＤ２で置き換
えられ、ステップ１００での１がＴＡ＋１で置き換えら
れ、ステップ１０３でのＣ１がＣ２で置き換えられ、ス
テップ１０６でのＴＡがＴＢで置き換えられる。
【００３３】遅延時間ＴＡ及びＴＢの測定精度を向上さ
せるため、以上の処理を多数回行って、図５に示すよう
な信号伝播遅延時間Ｔ＝ＴＡ＋（ＴＢ−ＴＡ）／２のヒ
ストグラムを得る。そして、Ｔの代表値、例えばＴの頻
度が最大であるＴ１又はＴの平均値等を求める。ドライ
バ３１についての以上の処理を、ドライバ３２〜３ｎに
ついても同様に順次行う。信号Ｓｉ及び駆動電位Ｖｉに
ついての信号伝播遅延時間Ｔの最頻値をＴｉと記す。
せるため、以上の処理を多数回行って、図５に示すよう
な信号伝播遅延時間Ｔ＝ＴＡ＋（ＴＢ−ＴＡ）／２のヒ
ストグラムを得る。そして、Ｔの代表値、例えばＴの頻
度が最大であるＴ１又はＴの平均値等を求める。ドライ
バ３１についての以上の処理を、ドライバ３２〜３ｎに
ついても同様に順次行う。信号Ｓｉ及び駆動電位Ｖｉに
ついての信号伝播遅延時間Ｔの最頻値をＴｉと記す。
【００３４】信号伝播遅延時間Ｔ１〜Ｔｎの最大値Ｔma
xを求め、Ｔmax−Ｔｉをドライバ３ｉのレジスタＲ０に
設定する。これにより、ドライバ３１〜３ｎの入力端か
らブランキングアパーチャアレイ１４の対応する電極ま
での信号伝播遅延時間がいずれもＴmaxに略等しくな
り、結果として、ウェーハやマスクなどの試料上に縮小
投影される露光パターンの精度が向上する。
xを求め、Ｔmax−Ｔｉをドライバ３ｉのレジスタＲ０に
設定する。これにより、ドライバ３１〜３ｎの入力端か
らブランキングアパーチャアレイ１４の対応する電極ま
での信号伝播遅延時間がいずれもＴmaxに略等しくな
り、結果として、ウェーハやマスクなどの試料上に縮小
投影される露光パターンの精度が向上する。
【００３５】また、図９に示すようなファラデーカップ
２３でビーム電流を検出する必要がないので、この場合
よりもＳＮ比が大きくなり、さらに、図９に示すような
ファラデーカップ２３から遅延時間検出回路２４までの
信号伝送路が不要となるので、信号の鈍りがこの場合よ
りも少なくなる。このようなことから、従来よりも正確
に信号伝播遅延時間を測定することができる。
２３でビーム電流を検出する必要がないので、この場合
よりもＳＮ比が大きくなり、さらに、図９に示すような
ファラデーカップ２３から遅延時間検出回路２４までの
信号伝送路が不要となるので、信号の鈍りがこの場合よ
りも少なくなる。このようなことから、従来よりも正確
に信号伝播遅延時間を測定することができる。
【００３６】さらに、信号伝播遅延時間の調整が自動的
に行われるので、調整所用時間が短縮されて、露光のス
ループットが向上する。また、信号伝播遅延時間Ｔが他
のドライバについてのそれと大きく異なる場合には、駆
動回路出力端以降の伝送線路上で開放故障が存在すると
考えられ、信号伝播遅延時間Ｔからその位置をある程度
の精度で特定することができる。
に行われるので、調整所用時間が短縮されて、露光のス
ループットが向上する。また、信号伝播遅延時間Ｔが他
のドライバについてのそれと大きく異なる場合には、駆
動回路出力端以降の伝送線路上で開放故障が存在すると
考えられ、信号伝播遅延時間Ｔからその位置をある程度
の精度で特定することができる。
【００３７】［第２実施形態］図６は、本発明の第２実
施形態のドライバ回路を示す。この回路では、可変遅延
回路と駆動回路とを４組備えた回路７０に対し、遅延時
間検出回路３１３及び３１４を１組備えており、これら
４組で遅延時間検出回路３１３及び３１４を共用してい
る。回路７０は、可変遅延回路３１１、３２１、３３１
及び３４１の出力端がそれぞれ駆動回路３１２、３２
２、３３２及び３４２の入力端に接続されている。可変
遅延回路３１１、３２１、３３１及び３４１の入力端に
それぞれ供給される信号Ｓ１〜Ｓ４は、セレクタ７１の
入力端にも供給される。セレクタ７１は、図１の遅延時
間検出調整装置４０からの選択信号ＳＥＬにより信号Ｓ
１〜Ｓ４の１つを選択して可変遅延回路５０及び６０に
供給する。同様に、駆動回路３１２、３２２、３３２及
び３４２から出力される駆動電位Ｖ１〜Ｖ４は、セレク
タ７２にも供給され、選択信号ＳＥＬにより駆動電位Ｖ
１〜Ｖ４の１つが選択されて比較器５２及び６２の非反
転入力端に供給される。セレクタ７１及び７２は、波形
歪みを少なくするため高精度のリレーで構成した方が好
ましい。
施形態のドライバ回路を示す。この回路では、可変遅延
回路と駆動回路とを４組備えた回路７０に対し、遅延時
間検出回路３１３及び３１４を１組備えており、これら
４組で遅延時間検出回路３１３及び３１４を共用してい
る。回路７０は、可変遅延回路３１１、３２１、３３１
及び３４１の出力端がそれぞれ駆動回路３１２、３２
２、３３２及び３４２の入力端に接続されている。可変
遅延回路３１１、３２１、３３１及び３４１の入力端に
それぞれ供給される信号Ｓ１〜Ｓ４は、セレクタ７１の
入力端にも供給される。セレクタ７１は、図１の遅延時
間検出調整装置４０からの選択信号ＳＥＬにより信号Ｓ
１〜Ｓ４の１つを選択して可変遅延回路５０及び６０に
供給する。同様に、駆動回路３１２、３２２、３３２及
び３４２から出力される駆動電位Ｖ１〜Ｖ４は、セレク
タ７２にも供給され、選択信号ＳＥＬにより駆動電位Ｖ
１〜Ｖ４の１つが選択されて比較器５２及び６２の非反
転入力端に供給される。セレクタ７１及び７２は、波形
歪みを少なくするため高精度のリレーで構成した方が好
ましい。
【００３８】上記構成において、最初、信号Ｓ１及び駆
動電位Ｖ１がそれぞれセレクタ７１及び７２により選択
されて図２のドライバ３１と実質的に同一構成となり、
ドライバ３１と同じ動作が行われる。次に、セレクタ７
１及び７２によりそれぞれ信号Ｓ２及び駆動電位Ｖ２が
選択され、以下同様の処理が繰り返される。本第２実施
形態によれば、遅延時間検出回路３１３及び３１４の数
を第１実施形態の場合の１／４にすることができるの
で、第１実施形態よりも回路ボードの実装面積が狭くな
る。
動電位Ｖ１がそれぞれセレクタ７１及び７２により選択
されて図２のドライバ３１と実質的に同一構成となり、
ドライバ３１と同じ動作が行われる。次に、セレクタ７
１及び７２によりそれぞれ信号Ｓ２及び駆動電位Ｖ２が
選択され、以下同様の処理が繰り返される。本第２実施
形態によれば、遅延時間検出回路３１３及び３１４の数
を第１実施形態の場合の１／４にすることができるの
で、第１実施形態よりも回路ボードの実装面積が狭くな
る。
【００３９】［第３実施形態］図７は、本発明の第３実
施形態のドライバ３１Ａを示す。このドライバ３１Ａで
は、信号Ｓ１が、固定遅延時間Ｔdの遅延回路６４を介
して可変遅延回路６０に供給される。遅延時間Ｔdは、
例えば図４に示す上限値ＴＢmaxの３／５である。他の
点は、図２のドライバ３１と同一である。
施形態のドライバ３１Ａを示す。このドライバ３１Ａで
は、信号Ｓ１が、固定遅延時間Ｔdの遅延回路６４を介
して可変遅延回路６０に供給される。遅延時間Ｔdは、
例えば図４に示す上限値ＴＢmaxの３／５である。他の
点は、図２のドライバ３１と同一である。
【００４０】本第３実施形態によれば、可変遅延回路６
０の遅延時間の１ステップを図２の場合よりも短くして
より高精度で比較器６２の出力の立ち上がり時点を検出
することができ、又は、可変遅延回路６０を１個のＩＣ
で構成することができる。 ［第４実施形態］図８は、本発明の第４実施形態のドラ
イバ３１Ｂを示す。
０の遅延時間の１ステップを図２の場合よりも短くして
より高精度で比較器６２の出力の立ち上がり時点を検出
することができ、又は、可変遅延回路６０を１個のＩＣ
で構成することができる。 ［第４実施形態］図８は、本発明の第４実施形態のドラ
イバ３１Ｂを示す。
【００４１】このドライバ３１Ｂでは、可変遅延回路５
０の入力端が可変遅延回路３１１の出力端に接続され、
遅延回路６４の入力端が可変遅延回路５０の出力端に接
続されている。遅延回路６４の遅延時間Ｔdは、例えば
上限値ＴＢmaxの２／５である。他の点は、図７のドラ
イバ３１Ａと同一である。本第４実施形態によれば、可
変遅延回路３１１のレジスタＲ０に適当な初期値Ｄ０１
を設定することにより、可変遅延回路５０について上記
第３実施形態の効果と同じ効果が得られる。
０の入力端が可変遅延回路３１１の出力端に接続され、
遅延回路６４の入力端が可変遅延回路５０の出力端に接
続されている。遅延回路６４の遅延時間Ｔdは、例えば
上限値ＴＢmaxの２／５である。他の点は、図７のドラ
イバ３１Ａと同一である。本第４実施形態によれば、可
変遅延回路３１１のレジスタＲ０に適当な初期値Ｄ０１
を設定することにより、可変遅延回路５０について上記
第３実施形態の効果と同じ効果が得られる。
【００４２】なお、本発明には外にも種々の変形例が含
まれる。例えば図２において、第１検出回路としての可
変遅延回路５０及びＤフリップフロップ５１の替わり
に、信号Ｓ１の立ち上がりでＲＳフリップフロップをセ
ットし、比較器５２の出力の立ち上がりでこのＲＳフリ
ップフロップをリセットし、このＲＳフリップフロップ
がセットされている間、高周波クロックを計数し、その
計数値を遅延時間ＴＡとして求める構成であってもよ
い。第２検出回路としての可変遅延回路６０及びＤフリ
ップフロップ６１についても第１検出回路の場合と同様
である。
まれる。例えば図２において、第１検出回路としての可
変遅延回路５０及びＤフリップフロップ５１の替わり
に、信号Ｓ１の立ち上がりでＲＳフリップフロップをセ
ットし、比較器５２の出力の立ち上がりでこのＲＳフリ
ップフロップをリセットし、このＲＳフリップフロップ
がセットされている間、高周波クロックを計数し、その
計数値を遅延時間ＴＡとして求める構成であってもよ
い。第２検出回路としての可変遅延回路６０及びＤフリ
ップフロップ６１についても第１検出回路の場合と同様
である。
【００４３】また、可変遅延回路３１１はドライバ３１
の前段の回路（不図示）内に接続してもよい。図２及び
図４（Ｂ）において、基準電位ＶＡは、駆動回路３１２
の出力電位Ｖ１の進行波Ｖ１Ｆの最大電位Ｖａと最小電
位０Ｖとの間の電位であればよい。基準電位ＶＢは、駆
動回路３１２の出力電位Ｖ１の進行波Ｖ１Ｆと反射波Ｖ
１Ｂとの和の最大電位Ｖｂと最小電位Ｖａとの間の電位
であればよい。
の前段の回路（不図示）内に接続してもよい。図２及び
図４（Ｂ）において、基準電位ＶＡは、駆動回路３１２
の出力電位Ｖ１の進行波Ｖ１Ｆの最大電位Ｖａと最小電
位０Ｖとの間の電位であればよい。基準電位ＶＢは、駆
動回路３１２の出力電位Ｖ１の進行波Ｖ１Ｆと反射波Ｖ
１Ｂとの和の最大電位Ｖｂと最小電位Ｖａとの間の電位
であればよい。
【００４４】信号伝播遅延時間ＴＡのビット間ばらつき
が信号伝播遅延時間ＴＢのビット間ばらつきよりも小さ
くて無視できる場合には、上記実施形態において、信号
伝播遅延時間Ｔ＝ＴＡ＋（ＴＢ−ＴＡ）／２の替わりに
Ｔ＝（ＴＢ−ＴＡ）／２を用いてもよい。この場合、図
４（Ｂ）のＴＢmaxの開始時点はｔ１であってもよい。
が信号伝播遅延時間ＴＢのビット間ばらつきよりも小さ
くて無視できる場合には、上記実施形態において、信号
伝播遅延時間Ｔ＝ＴＡ＋（ＴＢ−ＴＡ）／２の替わりに
Ｔ＝（ＴＢ−ＴＡ）／２を用いてもよい。この場合、図
４（Ｂ）のＴＢmaxの開始時点はｔ１であってもよい。
【００４５】さらに、図２の駆動回路３１２は、インバ
ータを奇数段接続して入力の２値と出力の２値とが逆に
なる構成又は増幅回路であってもよい。
ータを奇数段接続して入力の２値と出力の２値とが逆に
なる構成又は増幅回路であってもよい。
【図１】本発明の第１実施形態の、ブランキングアパー
チャアレイ１４に対する回路のブロック図である。
チャアレイ１４に対する回路のブロック図である。
【図２】図１中のドライバの構成例を示す回路図であ
る。
る。
【図３】遅延時間検出調整装置による遅延時間検出処理
の一部を示すフローチャートである。
の一部を示すフローチャートである。
【図４】図２の回路の動作を示す波形図である。
【図５】遅延時間Ｔ＝ＴＡ＋（ＴＢ−ＴＡ）／２を多数
回測定したときのヒストグラムを示す線図である。
回測定したときのヒストグラムを示す線図である。
【図６】本発明の第２実施形態のドライバの回路図であ
る。
る。
【図７】本発明の第３実施形態のドライバの回路図であ
る。
る。
【図８】本発明の第４実施形態のドライバの回路図であ
る。
る。
【図９】従来の電子ビーム露光装置の概略構成図であ
る。
る。
【図１０】図９のブランキングアパーチャアレイの動作
説明図である。
説明図である。
【図１１】電子ビーム電流検出値の変化を示す線図であ
る。
る。
１２、１５ 絞り １３ 電磁レンズ １４ ブランキングアパーチャアレイ １４１〜１４ｎ アパーチャ １６ ブランキング偏向器 １７ 対物レンズ １８ 可動ステージ ２１ パターン発生装置 ２２、３０ ＢＡＡドライバ ３１〜３ｎ、３１Ａ、３１Ｂ ドライバ ３１１、３２１、３３１、３４１、５０、６０ 可変遅
延回路 ３１２、３２２、３３２、３４２ 駆動回路 ３１３、３１４ 遅延時間検出回路 ４０ 遅延時間検出調整装置 ５１、６１ Ｄフリップフロップ ５２、６２ 比較器 ５３、６３ Ｄ／Ａ変換器 ６４ 遅延回路 ７１、７２ セレクタ ＥＢ０〜ＥＢ２ 電子ビーム
延回路 ３１２、３２２、３３２、３４２ 駆動回路 ３１３、３１４ 遅延時間検出回路 ４０ 遅延時間検出調整装置 ５１、６１ Ｄフリップフロップ ５２、６２ 比較器 ５３、６３ Ｄ／Ａ変換器 ６４ 遅延回路 ７１、７２ セレクタ ＥＢ０〜ＥＢ２ 電子ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮沢 憲一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 矢原 秀文 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 安田 洋 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 中谷 隆之 東京都練馬区旭町１丁目32番１号 株式会 社アドバンテスト内
Claims (12)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームをブランキングアパーチ
ャアレイのアパーチャに通してマルチビームにし、各ア
パーチャの縁部に形成された偏向電極に駆動回路の出力
電位を供給して、全偏向電極に印加される電位のパター
ンに対応したパターンを対象物上に縮小投影する荷電粒
子ビーム露光方法において、 該駆動回路の入力側に調整用可変遅延回路を接続してお
き、 該駆動回路の出力電位がその進行波の最大電位と最小電
位との間の第１基準電位を横切る時点を第１時点として
検出し、 該駆動回路の出力電位がその進行波と反射波との和の最
大電位と最小電位との間の第２基準電位を横切る時点を
第２時点として検出し、 該第１時点と該第２時点とに基づいて該調整用可変遅延
回路の遅延時間を設定する、 ことを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方
法。 - 【請求項２】 上記遅延時間の設定は、上記第１時点を
ｔ１とし上記第２時点をｔ２としたとき、値｛ｔ１＋
（ｔ２−ｔ１）／２｝が各電極について互いに略同一に
なるようにする、 ことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方
法。 - 【請求項３】 上記第１時点ｔ１の検出と上記第２時点
ｔ２の検出とを複数回行い、上記値｛ｔ１＋（ｔ２−ｔ
１）／２｝の代表値が各電極について互いに略同一にな
るようにする、 ことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム露光方
法。 - 【請求項４】 上記遅延時間の設定は、上記第１時点を
ｔ１とし上記第２時点をｔ２としたとき、値（ｔ２−ｔ
１）／２が各電極について互いに略同一になるようにす
る、 ことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方
法。 - 【請求項５】 上記第１時点ｔ１の検出と上記第２時点
ｔ２の検出とを複数回行い、上記値（ｔ２−ｔ１）／２
の代表値が各電極について互いに略同一になるようにす
る、 ことを特徴とする請求項４記載の荷電粒子ビーム露光方
法。 - 【請求項６】 設定時間経過しても上記第２時点を検出
することができなかったとき、上記駆動回路の出力側が
短絡していると判定する、 ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載
の荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項７】 荷電粒子ビームをブランキングアパーチ
ャアレイのアパーチャに通してマルチビームにし、各ア
パーチャの縁部に形成された偏向電極に駆動回路の出力
電位を供給して、全偏向電極に印加される電位のパター
ンに対応したパターンを対象物上に縮小投影する荷電粒
子ビーム露光装置において、 該駆動回路の入力側に接続された調整用可変遅延回路
と、 該駆動回路の出力電位をその進行波の最大電位と最小電
位との間の第１基準電位と比較する第１比較回路と、 該駆動回路の出力電位をその進行波と反射波との和の最
大電位と最小電位との間の第２基準電位と比較する第２
比較回路と、 該第１比較回路の出力反転時点を第１時点として検出す
る第１検出回路と、 該第２比較回路の出力反転時点を第２時点として検出す
る第２検出回路と、 該第１時点と該第２時点とに基づいて該調整用可変遅延
回路の遅延時間を設定する調整手段と、 を有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。 - 【請求項８】 上記第１検出回路は、 上記駆動回路の入力側の信号を設定時間遅延させて出力
する検出用第１可変遅延回路と、 該第１可変遅延回路の出力に同期して上記第１比較回路
の出力レベルを判定する第１判定回路と、 を有し、上記第２検出回路は、 該駆動回路の入力側の信号を設定時間遅延させて出力す
る検出用２可変遅延回路と、 該第２可変遅延回路の出力に同期して上記第２比較回路
の出力レベルを判定する第２判定回路と、 を有することを特徴とする請求項７記載の荷電粒子ビー
ム露光装置。 - 【請求項９】 上記第１判定回路は、上記第１比較回路
の出力がデータ入力端に供給され、上記第１可変遅延回
路の出力がクロック入力端に供給される第１Ｄフリップ
フロップであり、 上記第２判定回路は、上記第２比較回路の出力がデータ
入力端に供給され、上記第２可変遅延回路の出力がクロ
ック入力端に供給される第２Ｄフリップフロップであ
る、 ことを特徴とする請求項８記載の荷電粒子ビーム露光装
置。 - 【請求項１０】 上記調整手段は、上記第１時点をｔ１
とし、上記第２時点をｔ２としたとき、値｛ｔ１＋（ｔ
２−ｔ１）／２｝が各電極について互いに略同一になる
ように上記調整用可変遅延回路の遅延時間を調整する、 ことを特徴とする請求項９記載の荷電粒子ビーム露光装
置。 - 【請求項１１】 上記調整手段は、複数回検出された上
記第１時点ｔ１及び上記第２時点ｔ２に基づいて、上記
値｛ｔ１＋（ｔ２−ｔ１）／２｝の代表値を求め、該代
表値が各電極について互いに略同一になるようにする、 ことを特徴とする請求項１０記載の荷電粒子ビーム露光
装置。 - 【請求項１２】 上記調整用可変遅延回路と上記駆動回
路との複数組に対し、上記第１比較回路と上記第２比較
回路と上記第１検出回路と上記第２検出回路との１組を
備え、さらに、 該複数組の該駆動回路の１つの出力を選択して該１組の
該第１比較回路及び該第２比較回路に供給する第１選択
回路と、 該複数組の該調整用可変遅延回路の１つの入力を選択し
て該１組の該第１検出回路及び該第２検出回路に供給す
る第２選択回路と、 を有し、上記調整手段は、該第１選択回路と該第２選択
回路とに対し該複数組の１つを選択させる、 ことを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１つに記
載の荷電粒子ビーム露光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9094199A JPH10289843A (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
| US09/027,470 US5910658A (en) | 1997-04-11 | 1998-02-20 | Method and system for changed particle beam exposure |
| TW087102992A TW376546B (en) | 1997-04-11 | 1998-03-02 | Method and system for charged particle beam exposure |
| KR1019980008106A KR100273655B1 (ko) | 1997-04-11 | 1998-03-11 | 하전입자 빔 노광방법 및 장치 |
| DE19814245A DE19814245C2 (de) | 1997-04-11 | 1998-03-31 | Verfahren und System zur Belichtung mittels eines Strahls geladener Teilchen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9094199A JPH10289843A (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289843A true JPH10289843A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14103636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9094199A Withdrawn JPH10289843A (ja) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5910658A (ja) |
| JP (1) | JPH10289843A (ja) |
| KR (1) | KR100273655B1 (ja) |
| DE (1) | DE19814245C2 (ja) |
| TW (1) | TW376546B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004119876A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、偏向装置、及び電子ビーム露光方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990062942A (ko) * | 1997-12-10 | 1999-07-26 | 히로시 오우라 | 전하 입자 빔 노출 장치 |
| JPH11219679A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光システム |
| US6803582B2 (en) * | 2002-11-29 | 2004-10-12 | Oregon Health & Science University | One dimensional beam blanker array |
| DE10319154B4 (de) * | 2003-04-29 | 2012-12-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Maskenloses Lithographiesystem |
| EP2575159B1 (en) * | 2011-09-30 | 2016-04-20 | Carl Zeiss Microscopy GmbH | Particle beam system and method for operating the same |
| TWI578364B (zh) * | 2014-09-03 | 2017-04-11 | Nuflare Technology Inc | Inspection method of masking device with multiple charged particle beam |
| JP2017063101A (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | 株式会社アドバンテスト | 露光装置および露光方法 |
| JP6587994B2 (ja) * | 2016-09-09 | 2019-10-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ブランキングアパーチャアレイ装置、荷電粒子ビーム描画装置、および電極テスト方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5369282A (en) * | 1992-08-03 | 1994-11-29 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure method and system for exposing a pattern on a substrate with an improved accuracy and throughput |
| US5528048A (en) * | 1994-03-15 | 1996-06-18 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and method |
-
1997
- 1997-04-11 JP JP9094199A patent/JPH10289843A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-02-20 US US09/027,470 patent/US5910658A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-02 TW TW087102992A patent/TW376546B/zh active
- 1998-03-11 KR KR1019980008106A patent/KR100273655B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-31 DE DE19814245A patent/DE19814245C2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004119876A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置、偏向装置、及び電子ビーム露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100273655B1 (ko) | 2001-01-15 |
| KR19980080136A (ko) | 1998-11-25 |
| DE19814245A1 (de) | 1998-10-22 |
| US5910658A (en) | 1999-06-08 |
| DE19814245C2 (de) | 2002-09-12 |
| TW376546B (en) | 1999-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0136203B1 (en) | Apparatus for dynamically controlling the timing of signals in automatic test systems | |
| JP2688941B2 (ja) | 位相補正装置 | |
| JPH10289843A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| US5935744A (en) | Method of drawing patterns through electron beam exposure utilizing target subpatterns and varied exposure quantity | |
| US4839520A (en) | Production of pulsed electron beams | |
| US4105932A (en) | "Slewed pulse" scope sweep calibrator | |
| US5744810A (en) | Method and system for exposing pattern on object by charged particle beam | |
| JPH0582606A (ja) | 半導体集積回路試験装置 | |
| JPH04245900A (ja) | 表示装置を校正する方法及び装置 | |
| JPH01231251A (ja) | 電子顕微鏡の焦点合わせ装置 | |
| JP2002071330A (ja) | パターン欠陥検査方法及び装置 | |
| JP3611012B2 (ja) | タイミング・デスキュー装置及びタイミング・デスキュー方法 | |
| JP3155050B2 (ja) | 荷電粒子ビームを用いた露光方法 | |
| JPH04303918A (ja) | 荷電ビーム描画装置 | |
| JPS6054152A (ja) | 電子線装置における自動焦点調節法 | |
| JP3136890B2 (ja) | プログラマブル遅延発生装置 | |
| JPH07264248A (ja) | アイ開口の測定方法及び装置 | |
| JP2001228214A (ja) | 半導体試験装置 | |
| JPH03200081A (ja) | ジッタを含んだ波形のスキュー調整回路 | |
| SU788011A1 (ru) | Способ регистрации момента компенсации измер емого напр жени переменного тока и устройство дл его осуществлени | |
| JPH10289841A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| JPH07193474A (ja) | 波形成形回路 | |
| JPH0845807A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| JPS60244025A (ja) | 電子線描画装置 | |
| CN116825596A (zh) | 扫描电子束成像装置、方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040706 |