JPH10289422A - 磁気検出装置及びその製造方法 - Google Patents
磁気検出装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10289422A JPH10289422A JP9099955A JP9995597A JPH10289422A JP H10289422 A JPH10289422 A JP H10289422A JP 9099955 A JP9099955 A JP 9099955A JP 9995597 A JP9995597 A JP 9995597A JP H10289422 A JPH10289422 A JP H10289422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- glass substrate
- protective film
- magnetic sensing
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 45
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板と保護被膜との密着性を向上さ
せ、耐水性効果を向上させた磁気検出装置及びその製造
方法を得る。 【解決手段】 強磁性膜からなり、感磁部４と電極部５
とを含む所定形状の導体パターンをガラス基板上に形成
する第１の工程と、前記基板の感磁部４の前面と電極部
５の周辺を覆うＳｉＯ2を主成分とする保護膜６を形成
する第２の工程と、電極部５を露出させる第３の工程
と、ハードコート層７を施す第４の工程と、第４の工程
を経た電極部５に半田材８を塗布して磁気検出素子１１
を得る第５の工程と、回路基板１０上に形成された端子
部と前記磁気検出素子１１の電極部５とを対向させて接
合すると共に配線基板１０と磁気検出素子１１との間に
防湿剤９を充填する第６の工程とを備える。
せ、耐水性効果を向上させた磁気検出装置及びその製造
方法を得る。 【解決手段】 強磁性膜からなり、感磁部４と電極部５
とを含む所定形状の導体パターンをガラス基板上に形成
する第１の工程と、前記基板の感磁部４の前面と電極部
５の周辺を覆うＳｉＯ2を主成分とする保護膜６を形成
する第２の工程と、電極部５を露出させる第３の工程
と、ハードコート層７を施す第４の工程と、第４の工程
を経た電極部５に半田材８を塗布して磁気検出素子１１
を得る第５の工程と、回路基板１０上に形成された端子
部と前記磁気検出素子１１の電極部５とを対向させて接
合すると共に配線基板１０と磁気検出素子１１との間に
防湿剤９を充填する第６の工程とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗素子（以
下「ＭＲ素子」という）等からなる磁気検出装置及びそ
の製造方法に関するものである。
下「ＭＲ素子」という）等からなる磁気検出装置及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】被検出物の回転位置などを磁気的に検出
するセンサユニットの例としてＭＲ素子がある。ＭＲ素
子は、一般にガラス基板とこのガラス基板上に形成され
強磁性膜からなる感磁部と電極部とを含む導体パターン
とを有してなる。また、ＭＲ素子は、一般に回路基板に
フリップチップ接続される。そして、感磁部上はＳｉＯ
2保護膜で覆われており、さらに、電極部以外の部分を
除いてエポキシ系ハードコート材で覆われている。図７
は従来型のＭＲ素子の例を示す平面図であり、図８はそ
のＡ−Ａ断面図を示したものである。符号１はガラス基
板、４は感磁部、５は電極部、６はＳｉＯ2保護膜、７
はハードコート層、８は半田材をそれぞれ示している。
ガラス基板をウエハの状態からダイシングカットする際
に、上記ハードコート材がガラス基板から剥離し易く、
また、図８のＢの部分はガラス基板上に直接ハードコー
トが塗布されているため、密着性不足により水分が浸入
し易いという問題があった。さらに、ハードコート材の
塗布はスクリーン印刷により行うため、印刷時のマスク
のズレやペーストのダレにより電極部周辺がハードコー
トから露出してしまうといった問題があった。このよう
に、ハードコート材が剥離したり電極部周辺が露出した
りすると、完成品の磁気検出装置の耐湿負荷試験を行っ
たとき、電極部周辺にＭＲ素子端面から早期に水分が浸
入し、電極部周辺が腐食するという問題が生じていた。
するセンサユニットの例としてＭＲ素子がある。ＭＲ素
子は、一般にガラス基板とこのガラス基板上に形成され
強磁性膜からなる感磁部と電極部とを含む導体パターン
とを有してなる。また、ＭＲ素子は、一般に回路基板に
フリップチップ接続される。そして、感磁部上はＳｉＯ
2保護膜で覆われており、さらに、電極部以外の部分を
除いてエポキシ系ハードコート材で覆われている。図７
は従来型のＭＲ素子の例を示す平面図であり、図８はそ
のＡ−Ａ断面図を示したものである。符号１はガラス基
板、４は感磁部、５は電極部、６はＳｉＯ2保護膜、７
はハードコート層、８は半田材をそれぞれ示している。
ガラス基板をウエハの状態からダイシングカットする際
に、上記ハードコート材がガラス基板から剥離し易く、
また、図８のＢの部分はガラス基板上に直接ハードコー
トが塗布されているため、密着性不足により水分が浸入
し易いという問題があった。さらに、ハードコート材の
塗布はスクリーン印刷により行うため、印刷時のマスク
のズレやペーストのダレにより電極部周辺がハードコー
トから露出してしまうといった問題があった。このよう
に、ハードコート材が剥離したり電極部周辺が露出した
りすると、完成品の磁気検出装置の耐湿負荷試験を行っ
たとき、電極部周辺にＭＲ素子端面から早期に水分が浸
入し、電極部周辺が腐食するという問題が生じていた。
【０００３】上記のような水分の浸入による電極周辺あ
るいは感磁性薄膜の腐食の問題を解決するためになされ
た従来技術としては、実開平２−８６１５７号公報記載
のものが知られている。これは、絶縁性を有する基板上
に感磁性薄膜を設け、この感磁性薄膜の少なくとも引き
出し電極形成部を除き、他の部分を覆うようにして基板
上に窒化シリコン膜及びポリイミド樹脂を含んだ複合保
護膜を設け、感磁性膜の引き出し電極形成部を覆うよう
にして、ボンディングパッド部を有する引き出し電極を
設けて構成したことを特徴とする磁気抵抗素子に関する
ものである。
るいは感磁性薄膜の腐食の問題を解決するためになされ
た従来技術としては、実開平２−８６１５７号公報記載
のものが知られている。これは、絶縁性を有する基板上
に感磁性薄膜を設け、この感磁性薄膜の少なくとも引き
出し電極形成部を除き、他の部分を覆うようにして基板
上に窒化シリコン膜及びポリイミド樹脂を含んだ複合保
護膜を設け、感磁性膜の引き出し電極形成部を覆うよう
にして、ボンディングパッド部を有する引き出し電極を
設けて構成したことを特徴とする磁気抵抗素子に関する
ものである。
【０００４】しかし、上記従来例においては、基板と感
磁性薄膜との密着強度はある程度向上するものの、まだ
十分とは言えず、また、基板をダイシングによりカット
するときに基板と感磁性薄膜が剥離されてしまうといっ
た問題点が残っている。
磁性薄膜との密着強度はある程度向上するものの、まだ
十分とは言えず、また、基板をダイシングによりカット
するときに基板と感磁性薄膜が剥離されてしまうといっ
た問題点が残っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に 鑑みてなされたもので、ガラス基板と保護被膜との
密着性を向上させ、耐水性効果を向上させた磁気検出装
置及びその製造方法を提供することを目的とする。
に 鑑みてなされたもので、ガラス基板と保護被膜との
密着性を向上させ、耐水性効果を向上させた磁気検出装
置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に請求項１記載の磁気検出装置の製造方法は、強磁性膜
からなり、感磁部と電極部とを含む所定形状の導体パタ
ーンをガラス基板上に形成する第１の工程と、第１の工
程で得たガラス基板の導体パターン形成側の少なくとも
感磁部全面と電極部の周辺にＳｉＯ2を主成分とする保
護膜を被着する第２の工程と、前記導体パターンの電極
部上に形成された上記保護膜を除去して電極部を露出さ
せる第３の工程と、第３の工程で露出させた電極部を除
いた部分にハードコート層を施す第４の工程と、第４の
工程を経た電極部に半田材を塗布して磁気検出素子を得
る第５の工程と、回路基板上に形成された端子部と前記
磁気検出素子の電極部とを対向させて接合すると共に配
線基板と磁気検出素子との間に防湿剤を充填する第６の
工程とを備えたことを特徴とする。
に請求項１記載の磁気検出装置の製造方法は、強磁性膜
からなり、感磁部と電極部とを含む所定形状の導体パタ
ーンをガラス基板上に形成する第１の工程と、第１の工
程で得たガラス基板の導体パターン形成側の少なくとも
感磁部全面と電極部の周辺にＳｉＯ2を主成分とする保
護膜を被着する第２の工程と、前記導体パターンの電極
部上に形成された上記保護膜を除去して電極部を露出さ
せる第３の工程と、第３の工程で露出させた電極部を除
いた部分にハードコート層を施す第４の工程と、第４の
工程を経た電極部に半田材を塗布して磁気検出素子を得
る第５の工程と、回路基板上に形成された端子部と前記
磁気検出素子の電極部とを対向させて接合すると共に配
線基板と磁気検出素子との間に防湿剤を充填する第６の
工程とを備えたことを特徴とする。
【０００７】請求項２記載の発明は、請求項１記載の製
造方法の第３の工程において、保護膜を除去する部分
は、導体パターンの電極部の面積よりも狭い範囲である
ことを特徴とする。
造方法の第３の工程において、保護膜を除去する部分
は、導体パターンの電極部の面積よりも狭い範囲である
ことを特徴とする。
【０００８】前記課題を解決するために請求項３記載の
発明は、請求項１記載の製造方法において、第３の工程
又は第４の工程の後に、電極部に補強電極部材塗布し、
第５の工程においてこの補強電極部材上に半田材を塗布
して磁気検出素子を得ることを特徴とする。
発明は、請求項１記載の製造方法において、第３の工程
又は第４の工程の後に、電極部に補強電極部材塗布し、
第５の工程においてこの補強電極部材上に半田材を塗布
して磁気検出素子を得ることを特徴とする。
【０００９】前記課題を解決するために請求項４記載の
磁気検出装置は、ガラス基板と、このガラス基板上に形
成され強磁性膜からなる感磁部と電極部とを含む導体パ
ターンと、ガラス基板の導体パターン形成側に電極部を
除いて形成されたＳｉＯ2を主成分とする保護膜と、電
極部を除いて保護膜の上に形成されたハードコート層
と、電極部に塗布された半田材とを有してなる磁気検出
素子を用い、この磁気検出素子は、電極部が回路基板上
に形成された端子部と対向して半田により回路基板に接
合されると共に、配線基板と磁気検出素子との間に防湿
剤が充填されていることを特徴とする。
磁気検出装置は、ガラス基板と、このガラス基板上に形
成され強磁性膜からなる感磁部と電極部とを含む導体パ
ターンと、ガラス基板の導体パターン形成側に電極部を
除いて形成されたＳｉＯ2を主成分とする保護膜と、電
極部を除いて保護膜の上に形成されたハードコート層
と、電極部に塗布された半田材とを有してなる磁気検出
素子を用い、この磁気検出素子は、電極部が回路基板上
に形成された端子部と対向して半田により回路基板に接
合されると共に、配線基板と磁気検出素子との間に防湿
剤が充填されていることを特徴とする。
【００１０】請求項５記載の発明は、請求項４記載の発
明において、導体パターンの電極部の周縁部が保護膜で
被覆されていることを特徴とする。
明において、導体パターンの電極部の周縁部が保護膜で
被覆されていることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
にかかる磁気検出装置及びその製造方法の実施の形態に
ついて説明する。図１は、本願発明にかかる磁気検出装
置のウエハ製造工程を示す工程図であり、本願発明にか
かる磁気検出装置の製造方法の第１工程から第５工程ま
でを示したものである。
にかかる磁気検出装置及びその製造方法の実施の形態に
ついて説明する。図１は、本願発明にかかる磁気検出装
置のウエハ製造工程を示す工程図であり、本願発明にか
かる磁気検出装置の製造方法の第１工程から第５工程ま
でを示したものである。
【００１２】図５は本発明にかかる磁気検出装置に用い
られる磁気検出素子の例を示しており、ガラス基板１
と、このガラス基板１の上に形成されたパーマロイなど
の強磁性膜からなる感磁部４と、同じく強磁性膜からな
る電極部５とを有してなる。図５の例では感磁部４が４
つの領域に分けて形成され、四角形のガラス基板１の四
隅にそれぞれ電極部５が形成されている。そして、これ
らの電極部５の上には半田８が塗布されている。互いに
隣接する感磁部４相互が接続され、それぞれの接続点が
電極部５に接続されている。４つの領域に形成された感
磁部４はブリッジ接続されていて、４つの電極部５を介
して外部の電源に接続され、また、検出信号が出力され
るようになっている。図６は、図５に示すＭＲ素子のＡ
−Ａ断面図である。本願発明では、Ｃの部分はガラス基
板上にＳｉＯ2保護膜を塗布した後にハードコートが塗
布されているため密着性が向上し、水分が浸入し難いと
いう特徴がある。図３は、磁気検出装置の第１工程から
第６工程までの経過を、図５におけるＡ−Ａ断面で示し
たものである。
られる磁気検出素子の例を示しており、ガラス基板１
と、このガラス基板１の上に形成されたパーマロイなど
の強磁性膜からなる感磁部４と、同じく強磁性膜からな
る電極部５とを有してなる。図５の例では感磁部４が４
つの領域に分けて形成され、四角形のガラス基板１の四
隅にそれぞれ電極部５が形成されている。そして、これ
らの電極部５の上には半田８が塗布されている。互いに
隣接する感磁部４相互が接続され、それぞれの接続点が
電極部５に接続されている。４つの領域に形成された感
磁部４はブリッジ接続されていて、４つの電極部５を介
して外部の電源に接続され、また、検出信号が出力され
るようになっている。図６は、図５に示すＭＲ素子のＡ
−Ａ断面図である。本願発明では、Ｃの部分はガラス基
板上にＳｉＯ2保護膜を塗布した後にハードコートが塗
布されているため密着性が向上し、水分が浸入し難いと
いう特徴がある。図３は、磁気検出装置の第１工程から
第６工程までの経過を、図５におけるＡ−Ａ断面で示し
たものである。
【００１３】図２は、磁気検出装置の第１工程の経過を
示したものである。図１、図２において、まずガラス基
板１の全面に強磁性材料としてのパーマロイを蒸着させ
パーマロイ層２を形成する。このパーマロイ層２の上に
例えば図５に示すような磁気検出素子のパターンに対し
ネガの関係になるパターンで孔が形成されたフォトマス
ク３を重ね、ドライエッチングにより磁性膜パターン４
及び電極部５を含む導体パターンを形成する。このドラ
イエッチングは、アルゴンガス等の不活性ガスを噴射
し、フォトマスクの孔部分に位置するパーマロイ２を削
り取ることにより行われる。このようにしてガラス基板
１上に感磁部４と電磁部５とを含む所定の導体パターン
に形成されたものの例を図３（ａ）、図５に示す。
示したものである。図１、図２において、まずガラス基
板１の全面に強磁性材料としてのパーマロイを蒸着させ
パーマロイ層２を形成する。このパーマロイ層２の上に
例えば図５に示すような磁気検出素子のパターンに対し
ネガの関係になるパターンで孔が形成されたフォトマス
ク３を重ね、ドライエッチングにより磁性膜パターン４
及び電極部５を含む導体パターンを形成する。このドラ
イエッチングは、アルゴンガス等の不活性ガスを噴射
し、フォトマスクの孔部分に位置するパーマロイ２を削
り取ることにより行われる。このようにしてガラス基板
１上に感磁部４と電磁部５とを含む所定の導体パターン
に形成されたものの例を図３（ａ）、図５に示す。
【００１４】次に、第２工程として、ガラス基板１上に
ＳｉＯ2を全面スパッタリングすることにより、図３
（ｂ）に示すようにガラス基板１上にＳｉＯ2保護膜６
を形成する。ガラス基板１の全面をガラス基板との密着
性が高いＳｉＯ2保護膜６で覆うことにより、ガラス基
板１と保護膜６との密着性が向上し、水分が浸入しにく
い構造とすることができる。
ＳｉＯ2を全面スパッタリングすることにより、図３
（ｂ）に示すようにガラス基板１上にＳｉＯ2保護膜６
を形成する。ガラス基板１の全面をガラス基板との密着
性が高いＳｉＯ2保護膜６で覆うことにより、ガラス基
板１と保護膜６との密着性が向上し、水分が浸入しにく
い構造とすることができる。
【００１５】第３工程として、電極部５の位置に孔が設
けられたマスクで導体パターンの上からマスキングを
し、ドライエッチングにより電極部周辺を覆っているＳ
ｉＯ2保護膜６を除去し、電極部５を露出させる。第３
工程を経たものの例を図３（ｃ）に示す。この第３の工
程において、ＳｉＯ2保護膜６を除去する部分であるマ
スクの孔を電極部５の面積よりも狭い範囲としておく
と、マスクがずれてドライエッチング領域がズレた場合
でも、ガラス基板上の電極部５以外の部分の保護膜６が
剥離されるという不具合を防止することができる。
けられたマスクで導体パターンの上からマスキングを
し、ドライエッチングにより電極部周辺を覆っているＳ
ｉＯ2保護膜６を除去し、電極部５を露出させる。第３
工程を経たものの例を図３（ｃ）に示す。この第３の工
程において、ＳｉＯ2保護膜６を除去する部分であるマ
スクの孔を電極部５の面積よりも狭い範囲としておく
と、マスクがずれてドライエッチング領域がズレた場合
でも、ガラス基板上の電極部５以外の部分の保護膜６が
剥離されるという不具合を防止することができる。
【００１６】第４工程として、ＳｉＯ2保護膜６に重ね
てハードコート層７を形成する。ハードコート材として
例えばエポキシ樹脂を用いる。このハードコート形成工
程は、電極部５をマスキングした状態で、スクリーン印
刷などの手法により行う。図３（ｄ）は第４工程でハー
ドコートが形成されたものの例を示している。ハードコ
ート層７はＳｉＯ2保護膜６に重ねて形成され、電極部
５の周辺には形成されていない。
てハードコート層７を形成する。ハードコート材として
例えばエポキシ樹脂を用いる。このハードコート形成工
程は、電極部５をマスキングした状態で、スクリーン印
刷などの手法により行う。図３（ｄ）は第４工程でハー
ドコートが形成されたものの例を示している。ハードコ
ート層７はＳｉＯ2保護膜６に重ねて形成され、電極部
５の周辺には形成されていない。
【００１７】第５工程として、電極部に半田材８を塗布
する。半田材として例えばペースト状半田を用い、これ
を印刷等の手法で塗布する。図２、図３には、一つの磁
気検出素子チップとして示されているが、これまでの工
程はウェハの状態で進められ、一つのウェハに多数の磁
気検出素子チップが形成されている。そこで次に、ウェ
ハをダイシング工程に付し、磁気検出素子チップごとに
切り出す。このようにして磁気検出素子１１を得ること
ができる。第５工程で形成された磁気検出素子１１の例
を図３（ｅ）に示す。
する。半田材として例えばペースト状半田を用い、これ
を印刷等の手法で塗布する。図２、図３には、一つの磁
気検出素子チップとして示されているが、これまでの工
程はウェハの状態で進められ、一つのウェハに多数の磁
気検出素子チップが形成されている。そこで次に、ウェ
ハをダイシング工程に付し、磁気検出素子チップごとに
切り出す。このようにして磁気検出素子１１を得ること
ができる。第５工程で形成された磁気検出素子１１の例
を図３（ｅ）に示す。
【００１８】図４は、第６工程として本願発明にかかる
磁気検出装置の基板組工程の例を示す。基板組工程とし
ての第６工程では、回路基板１０上に形成された端子部
と前記磁気検出素子１１の電極部５とを対向させて炉の
中に入れる。これにより前記半田材８が溶融し、炉から
取り出すことによって、磁気検出素子１１が回路基板１
０に半田材８により接合される。配線基板１０と磁気検
出素子１１のハードコート層７との間には空隙が存在す
るので、図３（ｆ）に示すように、上記空隙に防湿剤と
してエポキシ材９を注射器のような射出装置により射出
し充填する。このように、第６工程を経ることによって
磁気検出装置が完成する。
磁気検出装置の基板組工程の例を示す。基板組工程とし
ての第６工程では、回路基板１０上に形成された端子部
と前記磁気検出素子１１の電極部５とを対向させて炉の
中に入れる。これにより前記半田材８が溶融し、炉から
取り出すことによって、磁気検出素子１１が回路基板１
０に半田材８により接合される。配線基板１０と磁気検
出素子１１のハードコート層７との間には空隙が存在す
るので、図３（ｆ）に示すように、上記空隙に防湿剤と
してエポキシ材９を注射器のような射出装置により射出
し充填する。このように、第６工程を経ることによって
磁気検出装置が完成する。
【００１９】上記のように、耐湿性の良好なエポキシ材
９を磁気検出素子１１と基板１０との間に充填すること
で、エポキシ材９はシール材としての役目を果たし、上
記空隙および磁気検出素子１１内への水分の浸入を防止
することができる。また、ガラス基板１と回路基板１０
は熱膨張係数が異なるため、磁気検出素子１１が回路基
板１０に半田材８のみによって接合されているものとす
れば、温度変化による応力が半田材８のみに集中するこ
とになるが、上記の工程を経て完成した磁気検出装置に
よれば、エポキシ材９が磁気検出素子１１と基板１０と
の間に充填されていて、エポキシ材９に応力が分散する
ため、熱膨張による応力集中が緩和される利点がある。
９を磁気検出素子１１と基板１０との間に充填すること
で、エポキシ材９はシール材としての役目を果たし、上
記空隙および磁気検出素子１１内への水分の浸入を防止
することができる。また、ガラス基板１と回路基板１０
は熱膨張係数が異なるため、磁気検出素子１１が回路基
板１０に半田材８のみによって接合されているものとす
れば、温度変化による応力が半田材８のみに集中するこ
とになるが、上記の工程を経て完成した磁気検出装置に
よれば、エポキシ材９が磁気検出素子１１と基板１０と
の間に充填されていて、エポキシ材９に応力が分散する
ため、熱膨張による応力集中が緩和される利点がある。
【００２０】以上の工程を経て製造される磁気検出装置
は、ガラス基板１と、このガラス基板１上に形成され強
磁性膜からなる感磁部４と電極部５とを含む導体パター
ンと、ガラス基板１の導体パターン形成側に電極部５を
除いて形成されたＳｉＯ2を主成分とする保護膜６と、
電極部５を除いて保護膜６の上に形成されたハードコー
ト層７と、電極部５に塗布された半田材８とを有してな
る磁気検出素子１１を用いたものであって、この磁気検
出素子１１は、上記電極部５が回路基板１０上に形成さ
れた端子部と対向して半田８により回路基板１０に接合
されると共に、回路基板１０と磁気検出素子１１との間
に防湿剤としてのエポキシ材９が充填されていることを
構成上の特徴とする。
は、ガラス基板１と、このガラス基板１上に形成され強
磁性膜からなる感磁部４と電極部５とを含む導体パター
ンと、ガラス基板１の導体パターン形成側に電極部５を
除いて形成されたＳｉＯ2を主成分とする保護膜６と、
電極部５を除いて保護膜６の上に形成されたハードコー
ト層７と、電極部５に塗布された半田材８とを有してな
る磁気検出素子１１を用いたものであって、この磁気検
出素子１１は、上記電極部５が回路基板１０上に形成さ
れた端子部と対向して半田８により回路基板１０に接合
されると共に、回路基板１０と磁気検出素子１１との間
に防湿剤としてのエポキシ材９が充填されていることを
構成上の特徴とする。
【００２１】以上説明した実施の形態によれば、ガラス
基板１との密着性が良好であるＳｉＯ2保護膜６をガラ
ス基板１に塗布し、その後にハードコート層７を形成す
るので、電極部５を除きＳｉＯ2保護膜６とハードコー
ト層７の積層構造に形成することができる。その結果、
ガラス基板１とＳｉＯ2保護膜６とは密着性が高いの
で、ガラス基板１に直接ハードコートした場合に比べて
耐水効果が向上し、ガラス基板１とコート層との間に浸
水することによる電極部周辺その他の導体パターンの腐
食が生じにくくなっている。また、フリップチップ接続
したＭＲ素子と回路基板１０との間にエポキシ材９を充
填させるアンダーフィルコートを行いＭＲ素子全体を覆
うことにより、さらに防水効果を向上させている。
基板１との密着性が良好であるＳｉＯ2保護膜６をガラ
ス基板１に塗布し、その後にハードコート層７を形成す
るので、電極部５を除きＳｉＯ2保護膜６とハードコー
ト層７の積層構造に形成することができる。その結果、
ガラス基板１とＳｉＯ2保護膜６とは密着性が高いの
で、ガラス基板１に直接ハードコートした場合に比べて
耐水効果が向上し、ガラス基板１とコート層との間に浸
水することによる電極部周辺その他の導体パターンの腐
食が生じにくくなっている。また、フリップチップ接続
したＭＲ素子と回路基板１０との間にエポキシ材９を充
填させるアンダーフィルコートを行いＭＲ素子全体を覆
うことにより、さらに防水効果を向上させている。
【００２２】なお、第３の工程又は第４工程の後に、電
極部に補強電極部材を塗布し、第５の工程においてこの
補強電極部材上に半田材を塗布して電極部を積層構造に
するとよい。こうすれば、ハードコート印刷によるハー
ドコートの塗布がズレた場合でも、電極部が露出しない
ようにすることができる。
極部に補強電極部材を塗布し、第５の工程においてこの
補強電極部材上に半田材を塗布して電極部を積層構造に
するとよい。こうすれば、ハードコート印刷によるハー
ドコートの塗布がズレた場合でも、電極部が露出しない
ようにすることができる。
【００２３】また、前記実施の形態では、第４工程とし
てハードコート印刷によりハードコート層７を形成する
ものとしていたが、フォトレジスト法によってハードコ
ート層７を形成してもよい。この方法によれば、ハード
コート印刷のズレによる電極の露出をなくすことができ
るという利点がある。
てハードコート印刷によりハードコート層７を形成する
ものとしていたが、フォトレジスト法によってハードコ
ート層７を形成してもよい。この方法によれば、ハード
コート印刷のズレによる電極の露出をなくすことができ
るという利点がある。
【００２４】さらに別の応用例として、第４工程でハー
ドコート印刷をし、第５工程で電極部５に半田材８を塗
布後、電極部周辺にハードコート材７を再塗布してもよ
い。これにより、ガラス基板１と保護膜６およびハード
コート材７との密着性が増し、ダイシング時の保護膜の
剥離をより確実に防止することができる。
ドコート印刷をし、第５工程で電極部５に半田材８を塗
布後、電極部周辺にハードコート材７を再塗布してもよ
い。これにより、ガラス基板１と保護膜６およびハード
コート材７との密着性が増し、ダイシング時の保護膜の
剥離をより確実に防止することができる。
【００２５】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、強磁性膜
からなり、感磁部と電極部とを含む所定形状の導体パタ
ーンをガラス基板上に形成する第１の工程と、第１の工
程で得たガラス基板の導体パターン形成側の少なくとも
感磁部全面と電極部の周辺にＳｉＯ2を主成分とする保
護膜を被着する第２の工程と、前記導体パターンの電極
部上に形成された上記保護膜を除去して電極部を露出さ
せる第３の工程と、第３の工程で露出させた電極部を除
いた部分にハードコート層を施す第４の工程と、第４の
工程を経た電極部に半田材を塗布して磁気検出素子を得
る第５の工程と、回路基板上に形成された端子部と前記
磁気検出素子の電極部とを対向させて接合すると共に配
線基板と磁気検出素子との間に防湿剤を充填する第６の
工程とを備えたため、かかる工程を経て製造される磁気
検出装置は、ガラス基板とＳｉＯ2を主成分とする保護
膜との密着性が向上し、耐水性を向上させることができ
る。加えて、耐湿性が良好でシール材としての役目を果
たすエポキシ材を磁気検出素子と回路基板との間に充填
したため、磁気検出素子と回路基板との間に水分が浸入
することをより確実に防止することができる。また、ガ
ラス基板と回路基板との熱膨張係数の相違による応力が
磁気検出素子と基板との間に充填されているエポキシ材
によって応力が分散するため、熱膨張による応力集中が
緩和される利点がある。
からなり、感磁部と電極部とを含む所定形状の導体パタ
ーンをガラス基板上に形成する第１の工程と、第１の工
程で得たガラス基板の導体パターン形成側の少なくとも
感磁部全面と電極部の周辺にＳｉＯ2を主成分とする保
護膜を被着する第２の工程と、前記導体パターンの電極
部上に形成された上記保護膜を除去して電極部を露出さ
せる第３の工程と、第３の工程で露出させた電極部を除
いた部分にハードコート層を施す第４の工程と、第４の
工程を経た電極部に半田材を塗布して磁気検出素子を得
る第５の工程と、回路基板上に形成された端子部と前記
磁気検出素子の電極部とを対向させて接合すると共に配
線基板と磁気検出素子との間に防湿剤を充填する第６の
工程とを備えたため、かかる工程を経て製造される磁気
検出装置は、ガラス基板とＳｉＯ2を主成分とする保護
膜との密着性が向上し、耐水性を向上させることができ
る。加えて、耐湿性が良好でシール材としての役目を果
たすエポキシ材を磁気検出素子と回路基板との間に充填
したため、磁気検出素子と回路基板との間に水分が浸入
することをより確実に防止することができる。また、ガ
ラス基板と回路基板との熱膨張係数の相違による応力が
磁気検出素子と基板との間に充填されているエポキシ材
によって応力が分散するため、熱膨張による応力集中が
緩和される利点がある。
【００２６】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の製造方法の第３の工程において、保護膜を除去する
部分は、導体パターンの電極部の面積よりも狭い範囲と
したため、ドライエッチング等による保護膜の除去位置
がズレたとしても、ガラス基板上の電極部以外の部分の
保護膜が剥離されるという不具合を生じることはなくな
る。
載の製造方法の第３の工程において、保護膜を除去する
部分は、導体パターンの電極部の面積よりも狭い範囲と
したため、ドライエッチング等による保護膜の除去位置
がズレたとしても、ガラス基板上の電極部以外の部分の
保護膜が剥離されるという不具合を生じることはなくな
る。
【００２７】請求項３記載の発明によれば、請求項１記
載の製造方法において、第３の工程又は第４の工程の後
に、電極部に補強電極部材を塗布し、第５の工程におい
てこの補強電極部材上に半田材を塗布するようにしたた
め、ドライエッチング等による保護膜の除去位置がズレ
又は印刷等によるハードコート形成位置がズレた場合で
も、電極部が露出しない磁気検出装置を得ることができ
る。
載の製造方法において、第３の工程又は第４の工程の後
に、電極部に補強電極部材を塗布し、第５の工程におい
てこの補強電極部材上に半田材を塗布するようにしたた
め、ドライエッチング等による保護膜の除去位置がズレ
又は印刷等によるハードコート形成位置がズレた場合で
も、電極部が露出しない磁気検出装置を得ることができ
る。
【００２８】請求項４記載の発明によれば、ガラス基板
と、このガラス基板上に形成され強磁性膜からなる感磁
部と電極部とを含む導体パターンと、ガラス基板の導体
パターン形成側に電極部を除いて形成されたＳｉＯ2を
主成分とする保護膜と、電極部を除いて保護膜の上に形
成されたハードコート層と、電極部に塗布された半田材
とを有してなる磁気検出素子を用い、この磁気検出素子
は、電極部が回路基板上に形成された端子部と対向して
半田により回路基板に接合されると共に、配線基板と磁
気検出素子との間に防湿剤が充填されてなる磁気検出装
置としたため、ガラス基板とＳｉＯ2を主成分とする保
護膜との密着性が向上し、耐水性を向上させることがで
きる。加えて、耐湿性が良好でシール材としての役目を
果たすエポキシ材を磁気検出素子と回路基板との間に充
填したため、磁気検出素子と回路基板との間に水分が浸
入することをより確実に防止することができる。また、
ガラス基板と回路基板との熱膨張係数の相違による応力
が磁気検出素子と基板との間に充填されているエポキシ
材によって応力が分散するため、熱膨張による応力集中
が緩和される利点がある。
と、このガラス基板上に形成され強磁性膜からなる感磁
部と電極部とを含む導体パターンと、ガラス基板の導体
パターン形成側に電極部を除いて形成されたＳｉＯ2を
主成分とする保護膜と、電極部を除いて保護膜の上に形
成されたハードコート層と、電極部に塗布された半田材
とを有してなる磁気検出素子を用い、この磁気検出素子
は、電極部が回路基板上に形成された端子部と対向して
半田により回路基板に接合されると共に、配線基板と磁
気検出素子との間に防湿剤が充填されてなる磁気検出装
置としたため、ガラス基板とＳｉＯ2を主成分とする保
護膜との密着性が向上し、耐水性を向上させることがで
きる。加えて、耐湿性が良好でシール材としての役目を
果たすエポキシ材を磁気検出素子と回路基板との間に充
填したため、磁気検出素子と回路基板との間に水分が浸
入することをより確実に防止することができる。また、
ガラス基板と回路基板との熱膨張係数の相違による応力
が磁気検出素子と基板との間に充填されているエポキシ
材によって応力が分散するため、熱膨張による応力集中
が緩和される利点がある。
【図１】本願発明にかかる磁気検出装置のウエハ製造工
程の例を示す工程図である。
程の例を示す工程図である。
【図２】本願発明にかかる磁気検出装置の第１工程の例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本願発明にかかる磁気検出装置の製造工程ごと
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本願発明にかかる磁気検出装置の基板組工程の
例を示す工程図である。
例を示す工程図である。
【図５】本願発明にかかる磁気検出装置の一例を示す平
面図である。
面図である。
【図６】本願発明にかかる磁気検出装置の一例を示す断
面図である。
面図である。
【図７】従来の磁気検出装置の一例を示す平面図であ
る。
る。
【図８】従来の磁気検出装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ４ 感磁部 ５ 電極部 ６ ＳｉＯ2保護膜 ７ ハードコート層 ８ 半田材 ９ 防湿剤
Claims (5)
- 【請求項１】 強磁性膜からなり、感磁部と電極部とを
含む所定形状の導体パターンをガラス基板上に形成する
第１の工程と、第１の工程で得たガラス基板の導体パタ
ーン形成側の少なくとも感磁部全面と電極部の周辺にＳ
ｉＯ2を主成分とする保護膜を被着する第２の工程と、
前記導体パターンの電極部上に形成された上記保護膜を
除去して電極部を露出させる第３の工程と、第３の工程
で露出させた電極部を除いた部分にハードコート層を施
す第４の工程と、第４の工程を経た電極部に半田材を塗
布して磁気検出素子を得る第５の工程と、回路基板上に
形成された端子部と前記磁気検出素子の電極部とを対向
させて接合すると共に配線基板と磁気検出素子との間に
防湿剤を充填する第６の工程とを備えたことを特徴とす
る磁気検出装置の製造方法。 - 【請求項２】 第３の工程において、保護膜を除去する
部分は、導体パターンの電極部の面積よりも狭い範囲で
あることを特徴とする請求項１記載の磁気検出装置の製
造方法。 - 【請求項３】 第３の工程又は第４の工程の後に、電極
部に補強電極部材塗布し、第５の工程においてこの補強
電極部材上に半田材を塗布して磁気検出素子を得ること
を特徴とする請求項１記載の磁気検出装置の製造方法。 - 【請求項４】 ガラス基板と、このガラス基板上に形成
され強磁性膜からなる感磁部と電極部とを含む導体パタ
ーンと、上記ガラス基板の導体パターン形成側に電極部
を除いて形成されたＳｉＯ2を主成分とする保護膜と、
上記電極部を除いて上記保護膜の上に形成されたハード
コート層と、上記電極部に塗布された半田材とを有して
なる磁気検出素子を用い、この磁気検出素子は、上記電
極部が回路基板上に形成された端子部と対向して半田に
より回路基板に接合されると共に、配線基板と磁気検出
素子との間に防湿剤が充填されていることを特徴とする
磁気検出装置。 - 【請求項５】 導体パターンの電極部の周縁部が保護膜
で被覆されている請求項４記載の磁気検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09995597A JP3820300B2 (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 磁気検出装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09995597A JP3820300B2 (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 磁気検出装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289422A true JPH10289422A (ja) | 1998-10-27 |
| JP3820300B2 JP3820300B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=14261126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09995597A Expired - Fee Related JP3820300B2 (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 磁気検出装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3820300B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7207100B2 (en) | 2001-10-10 | 2007-04-24 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
| JP2007309694A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Tokai Rika Co Ltd | センサ装置 |
| JP2007333587A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Tokai Rika Co Ltd | センサ装置 |
| JP2015523145A (ja) * | 2012-06-29 | 2015-08-13 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 医療的位置および方向追跡で使用するためのセンサアセンブリ |
| WO2022131060A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気センサ |
-
1997
- 1997-04-17 JP JP09995597A patent/JP3820300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7207100B2 (en) | 2001-10-10 | 2007-04-24 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
| JP2007309694A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Tokai Rika Co Ltd | センサ装置 |
| JP2007333587A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Tokai Rika Co Ltd | センサ装置 |
| JP2015523145A (ja) * | 2012-06-29 | 2015-08-13 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 医療的位置および方向追跡で使用するためのセンサアセンブリ |
| WO2022131060A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3820300B2 (ja) | 2006-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5852320A (en) | Semiconductor sensor with protective cap covering exposed conductive through-holes | |
| JP3400877B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR101016531B1 (ko) | 소자 실장 기판 및 그 제조 방법 | |
| TWI474447B (zh) | 半導體封裝結構及其封裝方法 | |
| JPH10289422A (ja) | 磁気検出装置及びその製造方法 | |
| KR100547354B1 (ko) | 에지 본딩용 메탈 패턴이 형성된 반도체 칩을 구비한ｂｇａ 패키지 및 그 제조 방법 | |
| JPS60220317A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH0955597A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02113533A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0298154A (ja) | キヤリアテープ | |
| JP2906756B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JP2002208602A (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| JPH07120758B2 (ja) | カラー固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS5917810B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| KR100386635B1 (ko) | 반도체 패키지용 기판의 제조방법 | |
| JPH04290252A (ja) | 混成集積回路 | |
| JP3220524B2 (ja) | ベアチップ | |
| JPH02113544A (ja) | キャリアテープ | |
| JPH02125622A (ja) | 集積回路 | |
| JPH05166967A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02183600A (ja) | 端子接続部へのシール材の塗布方法 | |
| JPH03159125A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003273293A (ja) | 電子部品の搭載構造 | |
| JPS5814746B2 (ja) | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ | |
| JPH07326709A (ja) | マルチチップ半導体パッケージ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040405 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040427 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040609 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040705 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040723 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060619 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130623 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |