JPH10287402A - 金属フッ化物の製造方法 - Google Patents
金属フッ化物の製造方法Info
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- JPH10287402A JPH10287402A JP9100820A JP10082097A JPH10287402A JP H10287402 A JPH10287402 A JP H10287402A JP 9100820 A JP9100820 A JP 9100820A JP 10082097 A JP10082097 A JP 10082097A JP H10287402 A JPH10287402 A JP H10287402A
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- metal fluoride
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 出発物質にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕなどの遷移金属
の不純物及び酸素不純物を除去した金属を使用すること
により、金属フッ化物、特に高純度の金属フッ化物を製
造する方法を提供する。 【解決手段】 金属フッ化物を製造する方法において、
金属を、酸化剤を含むフッ化水素酸溶液内で加熱し、溶
解させた後、金属フッ化物沈殿を作製し、更に該沈殿物
を脱水、乾燥処理する金属フッ化物の製造方法。 【効果】 増幅度の高い光ファイバアンプを製造できる
利点がある。
の不純物及び酸素不純物を除去した金属を使用すること
により、金属フッ化物、特に高純度の金属フッ化物を製
造する方法を提供する。 【解決手段】 金属フッ化物を製造する方法において、
金属を、酸化剤を含むフッ化水素酸溶液内で加熱し、溶
解させた後、金属フッ化物沈殿を作製し、更に該沈殿物
を脱水、乾燥処理する金属フッ化物の製造方法。 【効果】 増幅度の高い光ファイバアンプを製造できる
利点がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属フッ化物、特
に高純度金属フッ化物の製造方法、更に詳細には光増幅
器用高純度フッ化物原料の製造方法に関する。
に高純度金属フッ化物の製造方法、更に詳細には光増幅
器用高純度フッ化物原料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＺｒＦ4 、ＨｆＦ4 、ＬａＦ3 、Ｙ
Ｆ3 、ＺｎＦ2 、ＣｄＦ2 、ＩｎＦ3 は光増幅器用フッ
化物光ファイバの構成原料である。フッ化物光ファイバ
による光増幅を阻害する要因として光ファイバ中に混入
しているＦｅ、Ｃｕ、Ｎｉなどの遷移金属の不純物及び
酸素不純物が挙げられる。これらの遷移金属及び酸素は
構成原料中に不純物として存在しており、フッ化物光フ
ァイバの光増幅には遷移金属の不純物濃度が１ｐｐｂ以
下、酸素の不純物濃度が１ｐｐｍ以下の高純度金属フッ
化物の作製が不可欠である。従来、これらのフッ化物光
ファイバ原料の製造方法については、金属、酸化物、炭
酸塩などを出発物質とし、金属や酸化物については、該
金属や該酸化物をＦ2 ガスあるいはＨＦガスと直接反応
させ、金属フッ化物とする製造方法、炭酸塩について
は、該炭酸塩にフッ化水素酸を添加し、金属フッ化物の
水和物を製造する方法などがある。例えば、金属、酸化
物を出発物質とする例としては、ＺｒにＦ2 ガスを１９
０℃で反応させ、ＺｒＦ4 を製造する方法、ＺｒＯ2 に
Ｆ2 ガスを５２５℃で反応させ、ＺｒＦ4 を製造する方
法、ＺｒＯ2 にＨＦガスを５５０℃で反応させ、ＺｒＦ
4 を製造する方法、又は、Ｉｎを容器に入れた後、減圧
し、ＨＦガスを容器に送入し、２００℃で反応させ、Ｉ
ｎＦ3 を製造する方法などがある。これらの方法で製造
したＺｒＦ4 又はＩｎＦ3 については、Ｆ2 ガス又はＨ
Ｆガスを高温で取り扱う危険が伴うことが欠点である。
次に、炭酸塩を出発物質とする例としては、試薬特級品
のＺｎＣＯ3 に熱フッ化水素酸を添加し、蒸発、濃縮
後、ＺｎＦ2 ・４Ｈ2 Ｏとし、乾燥フッ化水素ガスによ
り、３００℃で加熱脱水し、ＺｎＦ2 とする製造方法が
ある。この方法で作製したＺｎＦ2 については、出発物
質のＺｎＣＯ3 が未溶解のためにＣＯ2 が残留したり、
３００℃で脱水・乾燥することによって酸化物が発生
し、ＣＯ2 や酸化物がフッ化物光ファイバの損失増の要
因となり、更には光増幅を阻害する欠点がある。また、
出発物質の炭酸塩の純度については、せいぜい５Ｎ（９
９．９９９％）程度であり、フッ化水素酸との反応工程
では精製は行われないため、製造したＺｎＦ2 中の遷移
金属の不純物濃度は１ｐｐｍ以上、酸素の不純物濃度は
１０ｐｐｍ以上と推定され、これについてもフッ化物光
ファイバの損失増となる。更に、高純度フッ化亜鉛の製
造方法として、亜鉛の水溶性塩を出発物質としてｐＨを
調整した後、金属不純物の抽出有機試薬としてβ−ジケ
トンを使用して金属不純物を除去する精製法が提案され
ている（特願平５−４９８９９号）が、この方法では酸
素不純物の除去ができないことに問題がある。
Ｆ3 、ＺｎＦ2 、ＣｄＦ2 、ＩｎＦ3 は光増幅器用フッ
化物光ファイバの構成原料である。フッ化物光ファイバ
による光増幅を阻害する要因として光ファイバ中に混入
しているＦｅ、Ｃｕ、Ｎｉなどの遷移金属の不純物及び
酸素不純物が挙げられる。これらの遷移金属及び酸素は
構成原料中に不純物として存在しており、フッ化物光フ
ァイバの光増幅には遷移金属の不純物濃度が１ｐｐｂ以
下、酸素の不純物濃度が１ｐｐｍ以下の高純度金属フッ
化物の作製が不可欠である。従来、これらのフッ化物光
ファイバ原料の製造方法については、金属、酸化物、炭
酸塩などを出発物質とし、金属や酸化物については、該
金属や該酸化物をＦ2 ガスあるいはＨＦガスと直接反応
させ、金属フッ化物とする製造方法、炭酸塩について
は、該炭酸塩にフッ化水素酸を添加し、金属フッ化物の
水和物を製造する方法などがある。例えば、金属、酸化
物を出発物質とする例としては、ＺｒにＦ2 ガスを１９
０℃で反応させ、ＺｒＦ4 を製造する方法、ＺｒＯ2 に
Ｆ2 ガスを５２５℃で反応させ、ＺｒＦ4 を製造する方
法、ＺｒＯ2 にＨＦガスを５５０℃で反応させ、ＺｒＦ
4 を製造する方法、又は、Ｉｎを容器に入れた後、減圧
し、ＨＦガスを容器に送入し、２００℃で反応させ、Ｉ
ｎＦ3 を製造する方法などがある。これらの方法で製造
したＺｒＦ4 又はＩｎＦ3 については、Ｆ2 ガス又はＨ
Ｆガスを高温で取り扱う危険が伴うことが欠点である。
次に、炭酸塩を出発物質とする例としては、試薬特級品
のＺｎＣＯ3 に熱フッ化水素酸を添加し、蒸発、濃縮
後、ＺｎＦ2 ・４Ｈ2 Ｏとし、乾燥フッ化水素ガスによ
り、３００℃で加熱脱水し、ＺｎＦ2 とする製造方法が
ある。この方法で作製したＺｎＦ2 については、出発物
質のＺｎＣＯ3 が未溶解のためにＣＯ2 が残留したり、
３００℃で脱水・乾燥することによって酸化物が発生
し、ＣＯ2 や酸化物がフッ化物光ファイバの損失増の要
因となり、更には光増幅を阻害する欠点がある。また、
出発物質の炭酸塩の純度については、せいぜい５Ｎ（９
９．９９９％）程度であり、フッ化水素酸との反応工程
では精製は行われないため、製造したＺｎＦ2 中の遷移
金属の不純物濃度は１ｐｐｍ以上、酸素の不純物濃度は
１０ｐｐｍ以上と推定され、これについてもフッ化物光
ファイバの損失増となる。更に、高純度フッ化亜鉛の製
造方法として、亜鉛の水溶性塩を出発物質としてｐＨを
調整した後、金属不純物の抽出有機試薬としてβ−ジケ
トンを使用して金属不純物を除去する精製法が提案され
ている（特願平５−４９８９９号）が、この方法では酸
素不純物の除去ができないことに問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、出発
物質にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕなどの遷移金属の不純物及び酸
素不純物を除去した金属を使用することにより、上述の
欠点を解決し、金属フッ化物、特に高純度の金属フッ化
物を製造する方法を提供することにある。
物質にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕなどの遷移金属の不純物及び酸
素不純物を除去した金属を使用することにより、上述の
欠点を解決し、金属フッ化物、特に高純度の金属フッ化
物を製造する方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明は金属フッ化物の製造方法に関する発明であって、
金属フッ化物を製造する方法において、金属を、酸化剤
を含むフッ化水素酸溶液内で加熱し、溶解させた後、金
属フッ化物沈殿を作製し、更に該沈殿物を脱水、乾燥処
理することを特徴とする。
発明は金属フッ化物の製造方法に関する発明であって、
金属フッ化物を製造する方法において、金属を、酸化剤
を含むフッ化水素酸溶液内で加熱し、溶解させた後、金
属フッ化物沈殿を作製し、更に該沈殿物を脱水、乾燥処
理することを特徴とする。
【０００５】本発明は、従来技術のＺｒにＦ2 ガスを１
９０℃で反応させＺｒＦ4 を製造する方法、ＺｒＯ2 に
Ｆ2 ガスを５２５℃で反応させＺｒＦ4 を製造する方
法、ＺｒＯ2 にＨＦガスを５５０℃で反応させＺｒＦ4
を製造する方法、Ｉｎを容器に入れた後、ＨＦガスで反
応させ、ＩｎＦ3 を製造する方法、ＺｎＣＯ3 に熱フッ
化水素酸を添加し、ＺｎＦ2 ・４Ｈ2 Ｏとし、乾燥ＨＦ
ガスにより、ＺｎＦ2 とする製造方法、亜鉛塩の水溶液
にＮａＦ水溶液を添加し、ＺｎＦ2 ・４Ｈ2 Ｏを生成
後、脱水・加熱乾燥後、フッ化亜鉛を製造する方法、抽
出有機試薬としてβ−ジケトンを添加して亜鉛を含む水
溶液中の遷移金属不純物を抽出除去する精製法などの問
題点を解決するために、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕなどの遷移金
属不純物、及び酸素不純物の少ない高純度金属を出発物
質に使用し、酸化剤を含むフッ化水素酸で溶解後、金属
フッ化物の沈殿を作製し、沈殿物の脱水・乾燥を行い、
遷移金属不純物及び酸素不純物の少ない金属フッ化物、
特に高純度の金属フッ化物を製造するものである。
９０℃で反応させＺｒＦ4 を製造する方法、ＺｒＯ2 に
Ｆ2 ガスを５２５℃で反応させＺｒＦ4 を製造する方
法、ＺｒＯ2 にＨＦガスを５５０℃で反応させＺｒＦ4
を製造する方法、Ｉｎを容器に入れた後、ＨＦガスで反
応させ、ＩｎＦ3 を製造する方法、ＺｎＣＯ3 に熱フッ
化水素酸を添加し、ＺｎＦ2 ・４Ｈ2 Ｏとし、乾燥ＨＦ
ガスにより、ＺｎＦ2 とする製造方法、亜鉛塩の水溶液
にＮａＦ水溶液を添加し、ＺｎＦ2 ・４Ｈ2 Ｏを生成
後、脱水・加熱乾燥後、フッ化亜鉛を製造する方法、抽
出有機試薬としてβ−ジケトンを添加して亜鉛を含む水
溶液中の遷移金属不純物を抽出除去する精製法などの問
題点を解決するために、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕなどの遷移金
属不純物、及び酸素不純物の少ない高純度金属を出発物
質に使用し、酸化剤を含むフッ化水素酸で溶解後、金属
フッ化物の沈殿を作製し、沈殿物の脱水・乾燥を行い、
遷移金属不純物及び酸素不純物の少ない金属フッ化物、
特に高純度の金属フッ化物を製造するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的に説明す
る。本発明方法において原料として使用する金属の例と
しては、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｙ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ等が
挙げられるが、中でもその用途上、高純度のＺｒ、Ｈ
ｆ、又はＬａが有用である。高純度の程度は、６Ｎ〜７
Ｎが好ましい。
る。本発明方法において原料として使用する金属の例と
しては、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｙ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ等が
挙げられるが、中でもその用途上、高純度のＺｒ、Ｈ
ｆ、又はＬａが有用である。高純度の程度は、６Ｎ〜７
Ｎが好ましい。
【０００７】次に、本発明方法において、フッ化水素酸
に含有させる酸化剤の例としては通常の各種の酸化剤が
挙げられるが、中でも、過酸化水素水、硝酸、又は過塩
素酸が好適なものである。加熱溶解は特殊な条件を必要
とせず、当該金属を加熱により溶液中に溶解できる条件
であればよい。したがって、従来法におけるような高温
加熱を必要としない。次に、脱水も常用の方法でよく、
操作上、吸引ろ過が好適である。最後に、乾燥も常用の
方法でよく、操作上、真空乾燥が好適である。
に含有させる酸化剤の例としては通常の各種の酸化剤が
挙げられるが、中でも、過酸化水素水、硝酸、又は過塩
素酸が好適なものである。加熱溶解は特殊な条件を必要
とせず、当該金属を加熱により溶液中に溶解できる条件
であればよい。したがって、従来法におけるような高温
加熱を必要としない。次に、脱水も常用の方法でよく、
操作上、吸引ろ過が好適である。最後に、乾燥も常用の
方法でよく、操作上、真空乾燥が好適である。
【０００８】以上具体的に説明したように、本発明方法
において、特に高純度の金属フッ化物を製造する方法の
場合には、従来技術の金属の酸化物、炭酸塩、金属塩の
水溶液などを出発物質とする高純度フッ化物の製造方法
とは、高純度金属を出発物質とし、酸化剤とフッ素化剤
を加え、高純度の金属フッ化物を製造する点で異なる。
また、抽出有機試薬としてβ−ジケトンを添加して金属
不純物を除去する精製法とは製造方法に精製工程がない
点が異なる。
において、特に高純度の金属フッ化物を製造する方法の
場合には、従来技術の金属の酸化物、炭酸塩、金属塩の
水溶液などを出発物質とする高純度フッ化物の製造方法
とは、高純度金属を出発物質とし、酸化剤とフッ素化剤
を加え、高純度の金属フッ化物を製造する点で異なる。
また、抽出有機試薬としてβ−ジケトンを添加して金属
不純物を除去する精製法とは製造方法に精製工程がない
点が異なる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【００１０】実施例１ 純度：７Ｎ（９９．９９９９９％）の金属亜鉛を出発物
質とする高純度無水フッ化亜鉛の製造方法について、図
１に示す工程図によって説明する。高純度金属亜鉛５０
ｇを秤量し、電子工業用の３０％過酸化水素水５０ｍｌ
とフッ化水素酸２００ｍｌと超純水２００ｍｌを加え、
加熱し、溶解する。溶解後、冷却し、フッ化亜鉛沈殿物
を得る。フッ化亜鉛沈殿物は、吸引ろ過で脱水し、真空
乾燥を行う。図２は、フッ化亜鉛沈殿物を脱水・乾燥し
た物質、すなわち、ＺｎＦ2 のＴＧ（熱重量分析）−Ｄ
ＴＡ（示差熱分析）曲線である。また、図３は、市販品
の純度９９．９％のＺｎＦ2 ・４Ｈ2 ＯのＴＧ−ＤＴＡ
曲線である。なお、図２及び図３において、横軸は温度
（℃）、左縦軸はＴＧにおける重量減少率（％）、右縦
軸はＤＴＡにおける熱容量（μＶ）を意味する。図３か
ら、１１０℃付近の脱水による吸熱ピーク、８７２℃の
ＺｎＦ2 の融点による吸熱ピークは観察されたが、図２
には、８７２℃のＺｎＦ2 の融点による吸熱ピーク以外
に吸熱ピークは観察されかった。すなわち、Ｘ線回折
（ＸＲＤ）及び熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）での解析結果よ
り、作製した物質は、無水のＺｎＦ2 である。
質とする高純度無水フッ化亜鉛の製造方法について、図
１に示す工程図によって説明する。高純度金属亜鉛５０
ｇを秤量し、電子工業用の３０％過酸化水素水５０ｍｌ
とフッ化水素酸２００ｍｌと超純水２００ｍｌを加え、
加熱し、溶解する。溶解後、冷却し、フッ化亜鉛沈殿物
を得る。フッ化亜鉛沈殿物は、吸引ろ過で脱水し、真空
乾燥を行う。図２は、フッ化亜鉛沈殿物を脱水・乾燥し
た物質、すなわち、ＺｎＦ2 のＴＧ（熱重量分析）−Ｄ
ＴＡ（示差熱分析）曲線である。また、図３は、市販品
の純度９９．９％のＺｎＦ2 ・４Ｈ2 ＯのＴＧ−ＤＴＡ
曲線である。なお、図２及び図３において、横軸は温度
（℃）、左縦軸はＴＧにおける重量減少率（％）、右縦
軸はＤＴＡにおける熱容量（μＶ）を意味する。図３か
ら、１１０℃付近の脱水による吸熱ピーク、８７２℃の
ＺｎＦ2 の融点による吸熱ピークは観察されたが、図２
には、８７２℃のＺｎＦ2 の融点による吸熱ピーク以外
に吸熱ピークは観察されかった。すなわち、Ｘ線回折
（ＸＲＤ）及び熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）での解析結果よ
り、作製した物質は、無水のＺｎＦ2 である。
【００１１】また、作製した無水のフッ化亜鉛のＦｅ、
Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｕについて１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの分析結果
が得られ、従来、行われていたフッ化亜鉛についてのＦ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値よりも３桁、酸素不
純物濃度の定量値よりも１桁ほど高純度の無水のフッ化
亜鉛が作製できた。
Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｕについて１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの分析結果
が得られ、従来、行われていたフッ化亜鉛についてのＦ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値よりも３桁、酸素不
純物濃度の定量値よりも１桁ほど高純度の無水のフッ化
亜鉛が作製できた。
【００１２】実施例２ 純度：７Ｎ（９９．９９９９９％）の金属亜鉛を出発物
質とする高純度の無水フッ化亜鉛の製造方法について、
図４に示す工程図によって説明する。高純度金属亜鉛５
０ｇを秤量し、電子工業用の６１％硝酸１００ｍｌとフ
ッ化水素酸２００ｍｌと超純水２００ｍｌを加え、加熱
し、溶解する。溶解後、冷却し、フッ化亜鉛沈殿物を得
る。フッ化亜鉛沈殿物は、吸引ろ過で脱水し、真空乾燥
を行う。乾燥後のフッ化亜鉛沈殿物のＴＧ−ＤＴＡ曲線
及び赤外吸収（ＩＲ）スペクトルの解析結果には、何
ら、ＮＯｘに相当するピークは観察されなかった。Ｚｎ
Ｆ2作製物のＴＧ−ＤＴＡ曲線は図２に示すものと同じ
であり、ＸＲＤの結果から、無水のＺｎＦ2 が作製でき
ていることが明らかになった。また、作製した無水のフ
ッ化亜鉛中のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行
い、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素について
１ｐｐｍの分析結果が得られ、従来、行われていたフッ
化亜鉛についてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値
よりも３桁、酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど高
純度の無水のフッ化亜鉛が作製できた。
質とする高純度の無水フッ化亜鉛の製造方法について、
図４に示す工程図によって説明する。高純度金属亜鉛５
０ｇを秤量し、電子工業用の６１％硝酸１００ｍｌとフ
ッ化水素酸２００ｍｌと超純水２００ｍｌを加え、加熱
し、溶解する。溶解後、冷却し、フッ化亜鉛沈殿物を得
る。フッ化亜鉛沈殿物は、吸引ろ過で脱水し、真空乾燥
を行う。乾燥後のフッ化亜鉛沈殿物のＴＧ−ＤＴＡ曲線
及び赤外吸収（ＩＲ）スペクトルの解析結果には、何
ら、ＮＯｘに相当するピークは観察されなかった。Ｚｎ
Ｆ2作製物のＴＧ−ＤＴＡ曲線は図２に示すものと同じ
であり、ＸＲＤの結果から、無水のＺｎＦ2 が作製でき
ていることが明らかになった。また、作製した無水のフ
ッ化亜鉛中のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行
い、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素について
１ｐｐｍの分析結果が得られ、従来、行われていたフッ
化亜鉛についてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値
よりも３桁、酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど高
純度の無水のフッ化亜鉛が作製できた。
【００１３】実施例３ 純度：７Ｎ（９９．９９９９９％）の金属亜鉛を出発物
質とする高純度の無水フッ化亜鉛の製造方法について、
図５に示す工程図によって説明する。高純度金属亜鉛５
０ｇを秤量し、高純度の精密分析用の６０％過塩素酸
（ＨＣｌＯ4 ）２００ｍｌとフッ化水素酸２００ｍｌと
超純水２００ｍｌを加え、加熱し、溶解する。溶解後、
冷却し、フッ化亜鉛沈殿物を得る。フッ化亜鉛沈殿物
は、吸引ろ過で脱水し、真空乾燥を行う。乾燥後のフッ
化亜鉛沈殿物のＴＧ−ＤＴＡ曲線及びＩＲスペクトルの
解析結果には、何ら、Ｈ2 Ｏ、ＣｌあるいはＣｌＯ4 に
相当するピークは観察されなかった。また、ＸＲＤによ
る解析より、乾燥後のフッ化亜鉛沈殿物はＺｎＦ2 であ
ることがわかった。また、ＺｎＦ2 作製物のＴＧ−ＤＴ
Ａ曲線は図２に示すものと同じである。作製した無水の
フッ化亜鉛中のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を
行い、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素につい
て１ｐｐｍの分析結果が得られ、従来、行われていたフ
ッ化亜鉛についてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量
値よりも３桁、酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど
高純度の無水のフッ化亜鉛が作製できた。
質とする高純度の無水フッ化亜鉛の製造方法について、
図５に示す工程図によって説明する。高純度金属亜鉛５
０ｇを秤量し、高純度の精密分析用の６０％過塩素酸
（ＨＣｌＯ4 ）２００ｍｌとフッ化水素酸２００ｍｌと
超純水２００ｍｌを加え、加熱し、溶解する。溶解後、
冷却し、フッ化亜鉛沈殿物を得る。フッ化亜鉛沈殿物
は、吸引ろ過で脱水し、真空乾燥を行う。乾燥後のフッ
化亜鉛沈殿物のＴＧ−ＤＴＡ曲線及びＩＲスペクトルの
解析結果には、何ら、Ｈ2 Ｏ、ＣｌあるいはＣｌＯ4 に
相当するピークは観察されなかった。また、ＸＲＤによ
る解析より、乾燥後のフッ化亜鉛沈殿物はＺｎＦ2 であ
ることがわかった。また、ＺｎＦ2 作製物のＴＧ−ＤＴ
Ａ曲線は図２に示すものと同じである。作製した無水の
フッ化亜鉛中のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を
行い、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素につい
て１ｐｐｍの分析結果が得られ、従来、行われていたフ
ッ化亜鉛についてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量
値よりも３桁、酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど
高純度の無水のフッ化亜鉛が作製できた。
【００１４】実施例４ 純度：６Ｎ（９９．９９９９％）の金属ジルコニウム
（以下Ｚｒと記す）を出発物質とする高純度の無水フッ
化ジルコニウム（ＺｒＦ4 ）の製造方法について、図６
に示す工程図によって説明する。高純度Ｚｒ５０ｇを秤
量し、高純度の精密分析用の６０％過塩素酸（ＨＣｌＯ
4 ）２００ｍｌとフッ化水素酸２００ｍｌと超純水２０
０ｍｌを加え、加熱し、溶解する。溶解後、冷却し、フ
ッ化ジルコニウム沈殿物を得る。フッ化ジルコニウム沈
殿物は、吸引ろ過で脱水後、高真空で乾燥を行う。ま
た、ＸＲＤによる解析より、乾燥後のフッ化ジルコニウ
ム沈殿物は無水のＺｒＦ4 であることがわかった。ま
た、６Ｎ（９９．９９９９％）の金属ハフニウム（Ｈ
ｆ）を出発物質とする高純度の無水のフッ化ハフニウム
（ＨｆＦ4 ）の製造方法についても無水のＺｒＦ4 製造
と同じ方法で作製できる。更に、酸化剤として硝酸又は
過酸化水素水を用いても同一の無水ＺｒＦ4 又は無水Ｈ
ｆＦ4 が作製できる。作製したＺｒＦ4 及びＨｆＦ4 中
のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの
分析結果が得られ、従来、行われていたＺｒＦ4 及びＨ
ｆＦ4 についてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値
よりも３桁、酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど高
純度の無水ＺｒＦ4 及び無水ＨｆＦ4 が作製できた。
（以下Ｚｒと記す）を出発物質とする高純度の無水フッ
化ジルコニウム（ＺｒＦ4 ）の製造方法について、図６
に示す工程図によって説明する。高純度Ｚｒ５０ｇを秤
量し、高純度の精密分析用の６０％過塩素酸（ＨＣｌＯ
4 ）２００ｍｌとフッ化水素酸２００ｍｌと超純水２０
０ｍｌを加え、加熱し、溶解する。溶解後、冷却し、フ
ッ化ジルコニウム沈殿物を得る。フッ化ジルコニウム沈
殿物は、吸引ろ過で脱水後、高真空で乾燥を行う。ま
た、ＸＲＤによる解析より、乾燥後のフッ化ジルコニウ
ム沈殿物は無水のＺｒＦ4 であることがわかった。ま
た、６Ｎ（９９．９９９９％）の金属ハフニウム（Ｈ
ｆ）を出発物質とする高純度の無水のフッ化ハフニウム
（ＨｆＦ4 ）の製造方法についても無水のＺｒＦ4 製造
と同じ方法で作製できる。更に、酸化剤として硝酸又は
過酸化水素水を用いても同一の無水ＺｒＦ4 又は無水Ｈ
ｆＦ4 が作製できる。作製したＺｒＦ4 及びＨｆＦ4 中
のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの
分析結果が得られ、従来、行われていたＺｒＦ4 及びＨ
ｆＦ4 についてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値
よりも３桁、酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど高
純度の無水ＺｒＦ4 及び無水ＨｆＦ4 が作製できた。
【００１５】実施例５ 純度：６Ｎ（９９．９９９９％）の金属ランタン（Ｌ
ａ）を出発物質とする高純度の無水フッ化ランタンの製
造方法について、図７に示す工程図によって説明する。
高純度金属ランタン５０ｇを秤量し、電子工業用の３０
％過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）５０ｍｌとフッ化水素酸２
００ｍｌと超純水２００ｍｌを加え、加熱し、溶解す
る。溶解後、冷却した後、フッ化ランタン沈殿物は吸引
ろ過で脱水し、真空乾燥を行う。また、ＬａＦ3 のＴＧ
−ＤＴＡ曲線からは、何ら、Ｈ2 Ｏに相当するピークは
観察されなかった。また、ＸＲＤでの解析結果より、真
空乾燥後に作製した物質は無水のＬａＦ3 であることが
わかった。また、６Ｎ（９９．９９９９％）の金属イッ
トリウム（Ｙ）を出発物質とする高純度の無水フッ化イ
ットリウム（ＹＦ3 ）の製造方法についてもＬａＦ3 製
造と同じ方法で作製できる。更に、酸化剤として硝酸又
は過塩素酸を用いても同一の無水ＬａＦ3 又は無水ＹＦ
3 が作製できる。作製したフッ化ランタン（ＬａＦ3 ）
とフッ化イットリウム（ＹＦ3 ）中のＦｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕについ
て１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの分析結果が得ら
れ、従来、行われていたＬａＦ3 、ＹＦ3 についてのＦ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値よりも３桁、酸素不
純物濃度の定量値よりも１桁ほど高純度の無水Ｌａ
Ｆ3 、無水ＹＦ3 が作製できた。
ａ）を出発物質とする高純度の無水フッ化ランタンの製
造方法について、図７に示す工程図によって説明する。
高純度金属ランタン５０ｇを秤量し、電子工業用の３０
％過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）５０ｍｌとフッ化水素酸２
００ｍｌと超純水２００ｍｌを加え、加熱し、溶解す
る。溶解後、冷却した後、フッ化ランタン沈殿物は吸引
ろ過で脱水し、真空乾燥を行う。また、ＬａＦ3 のＴＧ
−ＤＴＡ曲線からは、何ら、Ｈ2 Ｏに相当するピークは
観察されなかった。また、ＸＲＤでの解析結果より、真
空乾燥後に作製した物質は無水のＬａＦ3 であることが
わかった。また、６Ｎ（９９．９９９９％）の金属イッ
トリウム（Ｙ）を出発物質とする高純度の無水フッ化イ
ットリウム（ＹＦ3 ）の製造方法についてもＬａＦ3 製
造と同じ方法で作製できる。更に、酸化剤として硝酸又
は過塩素酸を用いても同一の無水ＬａＦ3 又は無水ＹＦ
3 が作製できる。作製したフッ化ランタン（ＬａＦ3 ）
とフッ化イットリウム（ＹＦ3 ）中のＦｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕについ
て１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの分析結果が得ら
れ、従来、行われていたＬａＦ3 、ＹＦ3 についてのＦ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値よりも３桁、酸素不
純物濃度の定量値よりも１桁ほど高純度の無水Ｌａ
Ｆ3 、無水ＹＦ3 が作製できた。
【００１６】実施例６ 純度：７Ｎ（９９．９９９９９％）の金属インジウムを
出発物質とする高純度のフッ化インジウム（ＩｎＦ3 ・
３Ｈ2 Ｏ）の製造方法について、図８に示す工程図によ
って説明する。高純度金属インジウム５０ｇを秤量し、
高純度の電子工業用の６１％硝酸（ＨＮＯ3 ）１００ｍ
ｌとフッ化水素酸２００ｍｌと超純水２００ｍｌを加
え、加熱し、溶解する。溶解後、冷却し、フッ化インジ
ウム沈殿物を得る。沈殿物は、吸引ろ過で脱水し、真空
乾燥を行う。乾燥後に作製した物質、すなわち、ＩｎＦ
3 ・３Ｈ2 ＯのＴＧ−ＤＴＡ曲線には、何ら、ＮＯｘに
相当するピークは観察されなかった。また、ＸＲＤによ
る解析より、再結晶後に作製した物質はＩｎＦ3 ・３Ｈ
2 Ｏであることがわかった。更に、酸化剤として過酸化
水素水又は過塩素酸を用いても同一のＩｎＦ3 ・３Ｈ2
Ｏが作製できる。作製したＩｎＦ3 ・３Ｈ2 Ｏ中のＦ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの分
析結果が得られ、従来、行われていたＩｎＦ3 ・３Ｈ2
ＯのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値よりも３桁、
酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど高純度のＩｎＦ
3 ・３Ｈ2 Ｏが作製できた。
出発物質とする高純度のフッ化インジウム（ＩｎＦ3 ・
３Ｈ2 Ｏ）の製造方法について、図８に示す工程図によ
って説明する。高純度金属インジウム５０ｇを秤量し、
高純度の電子工業用の６１％硝酸（ＨＮＯ3 ）１００ｍ
ｌとフッ化水素酸２００ｍｌと超純水２００ｍｌを加
え、加熱し、溶解する。溶解後、冷却し、フッ化インジ
ウム沈殿物を得る。沈殿物は、吸引ろ過で脱水し、真空
乾燥を行う。乾燥後に作製した物質、すなわち、ＩｎＦ
3 ・３Ｈ2 ＯのＴＧ−ＤＴＡ曲線には、何ら、ＮＯｘに
相当するピークは観察されなかった。また、ＸＲＤによ
る解析より、再結晶後に作製した物質はＩｎＦ3 ・３Ｈ
2 Ｏであることがわかった。更に、酸化剤として過酸化
水素水又は過塩素酸を用いても同一のＩｎＦ3 ・３Ｈ2
Ｏが作製できる。作製したＩｎＦ3 ・３Ｈ2 Ｏ中のＦ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの分
析結果が得られ、従来、行われていたＩｎＦ3 ・３Ｈ2
ＯのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値よりも３桁、
酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど高純度のＩｎＦ
3 ・３Ｈ2 Ｏが作製できた。
【００１７】実施例７ 純度：６Ｎ（９９．９９９９％）の金属カドミウムを出
発物質とする高純度の無水フッ化カドミウムの製造方法
について、図９に示す工程図によって説明する。高純度
金属カドミウム５０ｇを秤量し、高純度の精密分析用の
６０％過塩素酸（ＨＣｌＯ4 ）２００ｍｌとフッ化水素
酸２００ｍｌと超純水２００ｍｌを加え、加熱し、溶解
する。溶解後、冷却し、フッ化カドミウム沈殿物を得
る。フッ化カドミウム沈殿物は、吸引ろ過で脱水し、真
空乾燥を行う。乾燥後に作製した物質、すなわち、Ｃｄ
Ｆ2 のＴＧ−ＤＴＡ曲線及びＩＲスペクトルには、何
ら、Ｈ2 Ｏ、ＣｌあるいはＣｌＯ4 に相当するピークは
観察されなかった。また、ＸＲＤによる解析より、乾燥
後に作製した物質はＣｄＦ2 であることがわかった。更
に、酸化剤として硝酸又は過酸化水素水を用いても同一
のＣｄＦ2 が製造できる。作製したフッ化カドミウム中
のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの
分析結果が得られ、従来、行われていたフッ化カドミウ
ムについてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値より
も３桁、酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど高純度
の無水ＣｄＦ2 が作製できた。
発物質とする高純度の無水フッ化カドミウムの製造方法
について、図９に示す工程図によって説明する。高純度
金属カドミウム５０ｇを秤量し、高純度の精密分析用の
６０％過塩素酸（ＨＣｌＯ4 ）２００ｍｌとフッ化水素
酸２００ｍｌと超純水２００ｍｌを加え、加熱し、溶解
する。溶解後、冷却し、フッ化カドミウム沈殿物を得
る。フッ化カドミウム沈殿物は、吸引ろ過で脱水し、真
空乾燥を行う。乾燥後に作製した物質、すなわち、Ｃｄ
Ｆ2 のＴＧ−ＤＴＡ曲線及びＩＲスペクトルには、何
ら、Ｈ2 Ｏ、ＣｌあるいはＣｌＯ4 に相当するピークは
観察されなかった。また、ＸＲＤによる解析より、乾燥
後に作製した物質はＣｄＦ2 であることがわかった。更
に、酸化剤として硝酸又は過酸化水素水を用いても同一
のＣｄＦ2 が製造できる。作製したフッ化カドミウム中
のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、酸素の放射化分析を行い、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｕについて１ｐｐｂ、酸素について１ｐｐｍの
分析結果が得られ、従来、行われていたフッ化カドミウ
ムについてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ不純物濃度の定量値より
も３桁、酸素不純物濃度の定量値よりも１桁ほど高純度
の無水ＣｄＦ2 が作製できた。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、無水あるいは水和物を含む金属フッ化物を作
製できる。特に、無水のＺｎＦ2 、ＺｒＦ4 、Ｈｆ
Ｆ4 、ＬａＦ3 、ＹＦ3 、ＣｄＦ2 は、従来の３００℃
〜６００℃でＨＦガスにより脱水・乾燥し、無水の金属
フッ化物とするものに比べ、極めて簡便に無水の金属フ
ッ化物を作製するものであるから、高温で熱処理するこ
とによって発生する酸化物を抑え、しかも、遷移金属を
極低濃度にした高純度の無水フッ化物を製造することが
できるものである。更に、これをフッ化物光ファイバア
ンプの出発物質として用いることにより、増幅度の高い
光ファイバアンプを製造できる利点がある。
によれば、無水あるいは水和物を含む金属フッ化物を作
製できる。特に、無水のＺｎＦ2 、ＺｒＦ4 、Ｈｆ
Ｆ4 、ＬａＦ3 、ＹＦ3 、ＣｄＦ2 は、従来の３００℃
〜６００℃でＨＦガスにより脱水・乾燥し、無水の金属
フッ化物とするものに比べ、極めて簡便に無水の金属フ
ッ化物を作製するものであるから、高温で熱処理するこ
とによって発生する酸化物を抑え、しかも、遷移金属を
極低濃度にした高純度の無水フッ化物を製造することが
できるものである。更に、これをフッ化物光ファイバア
ンプの出発物質として用いることにより、増幅度の高い
光ファイバアンプを製造できる利点がある。
【図１】本発明の実施例１における高純度の無水フッ化
亜鉛の製造方法を示す工程図でである。
亜鉛の製造方法を示す工程図でである。
【図２】本発明の実施例１により作製したＺｎＦ2 のＴ
Ｇ−ＤＴＡ曲線を示すグラフである。
Ｇ−ＤＴＡ曲線を示すグラフである。
【図３】市販品のＺｎＦ2 ・４Ｈ2 ＯのＴＧ−ＤＴＡ曲
線を示すグラフである。
線を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例２における高純度の無水フッ化
亜鉛の製造方法を示す工程図である。
亜鉛の製造方法を示す工程図である。
【図５】本発明の実施例３における高純度の無水フッ化
亜鉛の製造方法を示す工程図である。
亜鉛の製造方法を示す工程図である。
【図６】本発明の実施例４における高純度の無水フッ化
ジルコニウム（ＺｒＦ4 ）の製造方法を示す工程図であ
る。
ジルコニウム（ＺｒＦ4 ）の製造方法を示す工程図であ
る。
【図７】本発明の実施例５における高純度の無水フッ化
ランタン（ＬａＦ3 ）の製造方法を示す工程図である。
ランタン（ＬａＦ3 ）の製造方法を示す工程図である。
【図８】本発明の実施例６における高純度のフッ化イン
ジウム（ＩｎＦ3 ・３Ｈ2 Ｏ）の製造方法を示す工程図
である。
ジウム（ＩｎＦ3 ・３Ｈ2 Ｏ）の製造方法を示す工程図
である。
【図９】本発明の実施例７における高純度の無水フッ化
カドミウムの製造方法を示す工程図である。
カドミウムの製造方法を示す工程図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 金属フッ化物を製造する方法において、
金属を、酸化剤を含むフッ化水素酸溶液内で加熱し、溶
解させた後、金属フッ化物沈殿を作製し、更に該沈殿物
を脱水、乾燥処理することを特徴とする金属フッ化物の
製造方法。 - 【請求項２】 前記金属が、高純度のＺｒ、Ｈｆ、又は
Ｌａであることを特徴とする請求項１記載の金属フッ化
物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10082097A JP3591756B2 (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 金属フッ化物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10082097A JP3591756B2 (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 金属フッ化物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10287402A true JPH10287402A (ja) | 1998-10-27 |
| JP3591756B2 JP3591756B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=14283986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10082097A Expired - Lifetime JP3591756B2 (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 金属フッ化物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3591756B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004039732A3 (en) * | 2002-10-28 | 2005-03-17 | Platinum Res Organization Llc | Process for the production of metal fluoride materials |
| JPWO2005010220A1 (ja) * | 2003-07-25 | 2006-09-07 | 日鉱金属株式会社 | 高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 |
| US7261872B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-08-28 | Platinum Intellectual Property, Lp | Method for producing metal fluoride materials |
| WO2007118692A1 (de) * | 2006-04-13 | 2007-10-25 | Humboldt-Universität Zu Berlin | Verfahren zur herstellung von metallfluorid-solen und -gelen |
| JPWO2005049882A1 (ja) * | 2003-11-19 | 2008-06-12 | 日鉱金属株式会社 | 高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 |
| JP2008266196A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Nippon Shokubai Co Ltd | ボラジン化合物の製造方法 |
| WO2012067061A1 (ja) * | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 |
| WO2012099092A1 (ja) * | 2011-01-21 | 2012-07-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度ランタンの製造方法、高純度ランタン、高純度ランタンからなるスパッタリングターゲット及び高純度ランタンを主成分とするメタルゲート膜 |
| WO2013005349A1 (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度イットリウム、高純度イットリウムの製造方法、高純度イットリウムスパッタリングターゲット、高純度イットリウムスパッタリングターゲットを用いて成膜したメタルゲート膜並びに該メタルゲート膜を備える半導体素子及びデバイス |
| KR20130135307A (ko) * | 2011-09-28 | 2013-12-10 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 란탄의 제조 방법, 고순도 란탄, 고순도 란탄으로 이루어지는 스퍼터링 타깃 및 고순도 란탄을 주성분으로 하는 메탈 게이트막 |
| US9725669B2 (en) | 2012-05-07 | 2017-08-08 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Synergistic mixtures of ionic liquids with other ionic liquids and/or with ashless thiophosphates for antiwear and/or friction reduction applications |
-
1997
- 1997-04-04 JP JP10082097A patent/JP3591756B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004039732A3 (en) * | 2002-10-28 | 2005-03-17 | Platinum Res Organization Llc | Process for the production of metal fluoride materials |
| US7261872B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-08-28 | Platinum Intellectual Property, Lp | Method for producing metal fluoride materials |
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| JP4519773B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2010-08-04 | 日鉱金属株式会社 | 高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 |
| JP2010180480A (ja) * | 2003-07-25 | 2010-08-19 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 |
| JPWO2005049882A1 (ja) * | 2003-11-19 | 2008-06-12 | 日鉱金属株式会社 | 高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法 |
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| JP5497913B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2014-05-21 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 高純度ランタンの製造方法 |
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| JP3591756B2 (ja) | 2004-11-24 |
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