JPH054801A - 高純度金属フツ化物の製造方法 - Google Patents
高純度金属フツ化物の製造方法Info
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- JPH054801A JPH054801A JP3178813A JP17881391A JPH054801A JP H054801 A JPH054801 A JP H054801A JP 3178813 A JP3178813 A JP 3178813A JP 17881391 A JP17881391 A JP 17881391A JP H054801 A JPH054801 A JP H054801A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 蒸気圧の小さな金属フッ化物を高純度で製造
する。 【構成】 高純度金属フッ化物を製造する方法におい
て、当該金属を溶液の状態で湿式精製し、フッ素化剤を
用いてフッ化物沈殿を作製し、当該沈殿を脱水乾燥後、
焼成工程で乾燥フッ化物を焼成し、酸溶解工程を行なっ
た後、脱水処理工程により金属フッ化物とすることを特
徴とする。 【効果】 湿式精製法による高純度化、乾式精製法によ
る有機試薬残留物の排除、フッ化水素酸、塩酸、硝酸の
各溶液内での溶解処理による酸化物不純物の除去によ
り、遷移金属不純物、炭素不純物、酸素不純物の全てが
少ない高純度フッ化物が得られる。
する。 【構成】 高純度金属フッ化物を製造する方法におい
て、当該金属を溶液の状態で湿式精製し、フッ素化剤を
用いてフッ化物沈殿を作製し、当該沈殿を脱水乾燥後、
焼成工程で乾燥フッ化物を焼成し、酸溶解工程を行なっ
た後、脱水処理工程により金属フッ化物とすることを特
徴とする。 【効果】 湿式精製法による高純度化、乾式精製法によ
る有機試薬残留物の排除、フッ化水素酸、塩酸、硝酸の
各溶液内での溶解処理による酸化物不純物の除去によ
り、遷移金属不純物、炭素不純物、酸素不純物の全てが
少ない高純度フッ化物が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高純度金属フッ化物
の製造方法、さらに詳細にはフッ化物光ファイバ用高純
度フッ化物原料の製造方法に関するものである。
の製造方法、さらに詳細にはフッ化物光ファイバ用高純
度フッ化物原料の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フッ化物光ファイバの超低損失の研究が
行なわれているが、これまでに報告されている伝送損失
は１ｄＢ／ｋｍ前後である。超低損失化を阻害する要因
としてＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕなどの遷移金属不
純物による吸収損失および酸化物不純物による散乱損失
がある。これらの不純物はフッ化物原料中に含まれるた
め、遷移金属不純物、酸化物不純物の少ない高純度フッ
化物原料の作製が望まれている。フッ化物光ファイバの
構成原料としては、ＺｒＦ4、ＢａＦ2、ＬａＦ3、Ｙ
Ｆ3、ＡｌＦ3、ＬｉＦ、ＮａＦを使用する。従来の金属
フッ化物精製法には昇華法やゾーン精製法などの乾式法
と溶媒抽出法やイオン交換法による湿式法がある。Ｚｒ
Ｆ4、ＡｌＦ3については昇華精製でＺｒＦ4、ＡｌＦ3が
昇華され、同時に遷移金属および酸化物の除去が行なわ
れる。 しかし、ＢａＦ2、ＬａＦ3、ＹＦ3については
昇華法では遷移金属の昇華除去はできるが、ＢａＦ2、
ＬａＦ3、ＹＦ3の蒸気圧が低いため高温で昇華すると酸
化物が残留し、フッ化物光ファイバ原料としては適さな
い欠点があった。
行なわれているが、これまでに報告されている伝送損失
は１ｄＢ／ｋｍ前後である。超低損失化を阻害する要因
としてＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕなどの遷移金属不
純物による吸収損失および酸化物不純物による散乱損失
がある。これらの不純物はフッ化物原料中に含まれるた
め、遷移金属不純物、酸化物不純物の少ない高純度フッ
化物原料の作製が望まれている。フッ化物光ファイバの
構成原料としては、ＺｒＦ4、ＢａＦ2、ＬａＦ3、Ｙ
Ｆ3、ＡｌＦ3、ＬｉＦ、ＮａＦを使用する。従来の金属
フッ化物精製法には昇華法やゾーン精製法などの乾式法
と溶媒抽出法やイオン交換法による湿式法がある。Ｚｒ
Ｆ4、ＡｌＦ3については昇華精製でＺｒＦ4、ＡｌＦ3が
昇華され、同時に遷移金属および酸化物の除去が行なわ
れる。 しかし、ＢａＦ2、ＬａＦ3、ＹＦ3については
昇華法では遷移金属の昇華除去はできるが、ＢａＦ2、
ＬａＦ3、ＹＦ3の蒸気圧が低いため高温で昇華すると酸
化物が残留し、フッ化物光ファイバ原料としては適さな
い欠点があった。
【０００３】フッ化物の蒸気圧の低い金属、例えばＢ
ａ、Ｌａ、Ｙ、Ｌｉ、Ｎａの各々の水溶液中の遷移金属
不純物除去については湿式法が知られているが、水溶液
のフッ素化処理および乾燥において、水酸基の残留、有
機試薬の残留、最終的には酸素および炭素不純物の残留
があり、フッ化物光ファイバ用原料としては適さない欠
点があった。例えば、Ｂａ（ＮＯ3）2、ＬｉＮＯ3水溶
液を用いて湿式精製した後、フッ素化処理および乾燥し
たフッ化物を使用してフッ化物ファイバを作製したが、
水酸基、有機物の残留による散乱損失、ＣＯ2ピークの
増大があり、フッ化物光ファイバ原料としては適さない
欠点があった。
ａ、Ｌａ、Ｙ、Ｌｉ、Ｎａの各々の水溶液中の遷移金属
不純物除去については湿式法が知られているが、水溶液
のフッ素化処理および乾燥において、水酸基の残留、有
機試薬の残留、最終的には酸素および炭素不純物の残留
があり、フッ化物光ファイバ用原料としては適さない欠
点があった。例えば、Ｂａ（ＮＯ3）2、ＬｉＮＯ3水溶
液を用いて湿式精製した後、フッ素化処理および乾燥し
たフッ化物を使用してフッ化物ファイバを作製したが、
水酸基、有機物の残留による散乱損失、ＣＯ2ピークの
増大があり、フッ化物光ファイバ原料としては適さない
欠点があった。
【０００４】
【発明の目的】本発明の目的は、高純度金属フッ化物の
製造において、湿式および乾式精製法を適用して遷移金
属不純物、酸化物不純物の低減を可能とするもので、フ
ッ化物光ファイバ用高純度金属フッ化物を提供すること
にある。
製造において、湿式および乾式精製法を適用して遷移金
属不純物、酸化物不純物の低減を可能とするもので、フ
ッ化物光ファイバ用高純度金属フッ化物を提供すること
にある。
【０００５】
【発明の構成】上記問題点を解決するために、本発明は
フッ化物を生成しようとする金属を溶液の状態で湿式精
製し、その後、フッ素化剤を用いて当該金属のフッ化物
沈殿を作製し、沈殿物を脱水乾燥後、焼成工程で乾燥フ
ッ化物とした後、酸溶解工程、脱水処理工程で当該金属
のフッ化物とすることを特徴とする。
フッ化物を生成しようとする金属を溶液の状態で湿式精
製し、その後、フッ素化剤を用いて当該金属のフッ化物
沈殿を作製し、沈殿物を脱水乾燥後、焼成工程で乾燥フ
ッ化物とした後、酸溶解工程、脱水処理工程で当該金属
のフッ化物とすることを特徴とする。
【０００６】本発明によれば、湿式精製による遷移金属
不純物除去、乾式精製による遷移金属不純物除去、有機
物不純物除去の長所を活かしつつ、乾式精製後の当該金
属フッ化物を酸溶解工程により、酸溶解し、当該金属フ
ッ化物中の酸化物不純物を溶解した後、脱水処理し、当
該金属フッ化物あるいは当該酸性金属フッ化物とするこ
とを最も主要な特徴とする。
不純物除去、乾式精製による遷移金属不純物除去、有機
物不純物除去の長所を活かしつつ、乾式精製後の当該金
属フッ化物を酸溶解工程により、酸溶解し、当該金属フ
ッ化物中の酸化物不純物を溶解した後、脱水処理し、当
該金属フッ化物あるいは当該酸性金属フッ化物とするこ
とを最も主要な特徴とする。
【０００７】従来の、この種の蒸気圧が低い金属フッ化
物の昇華法だけによる精製においては、金属フッ化物中
の酸化物不純物が残存する欠点があったが、本発明では
乾式精製後、酸溶解し、酸化物不純物を溶解除去する点
が異なる。したがって、得られる高純度金属フッ化物は
酸化物不純物が大幅に低減されるという特徴がある。
物の昇華法だけによる精製においては、金属フッ化物中
の酸化物不純物が残存する欠点があったが、本発明では
乾式精製後、酸溶解し、酸化物不純物を溶解除去する点
が異なる。したがって、得られる高純度金属フッ化物は
酸化物不純物が大幅に低減されるという特徴がある。
【０００８】本発明によれば、製造する金属フッ化物の
当該金属の水溶液の状態で湿式精製するが、この湿式精
製の方法は本発明において基本的に限定されるものでは
なく、例えば溶媒抽出でＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ
などの遷移金属不純物を除去してもよく、イオン交換法
によって不純物を除去してもよい。
当該金属の水溶液の状態で湿式精製するが、この湿式精
製の方法は本発明において基本的に限定されるものでは
なく、例えば溶媒抽出でＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ
などの遷移金属不純物を除去してもよく、イオン交換法
によって不純物を除去してもよい。
【０００９】このように本発明において製造する金属フ
ッ化物は、例えば１５００ｍｍＨｇ以下の蒸気圧を有す
るものであるのがよい。１５００ｍｍＨｇを越えた金属
フッ化物の場合、金属フッ化物の昇華法だけで高純度金
属フッ化物を生成できる可能性があるからである。前述
のようなフッ化物を形成する金属としては例えば、Ｂ
ａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｌａ、Ｙを挙げることができる。
ッ化物は、例えば１５００ｍｍＨｇ以下の蒸気圧を有す
るものであるのがよい。１５００ｍｍＨｇを越えた金属
フッ化物の場合、金属フッ化物の昇華法だけで高純度金
属フッ化物を生成できる可能性があるからである。前述
のようなフッ化物を形成する金属としては例えば、Ｂ
ａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｌａ、Ｙを挙げることができる。
【００１０】このように湿式精製した後、フッ素化剤を
添加し、金属フッ化物を生じる。このフッ素化剤は本発
明において基本的に限定されるものではなく、フッ化物
を形成するものであればいかなるものでもよい。たとえ
ばフッ化水素酸、フッ化水素ガスのいずれかであってよ
い。
添加し、金属フッ化物を生じる。このフッ素化剤は本発
明において基本的に限定されるものではなく、フッ化物
を形成するものであればいかなるものでもよい。たとえ
ばフッ化水素酸、フッ化水素ガスのいずれかであってよ
い。
【００１１】上述のように、フッ素化剤によって金属フ
ッ化物沈殿を生じた後、前記沈殿を室温において真空乾
燥する。
ッ化物沈殿を生じた後、前記沈殿を室温において真空乾
燥する。
【００１２】真空乾燥後の当該金属フッ化物は、８００
℃〜１１００℃の温度で、清浄不活性雰囲気、清浄酸素
雰囲気、１ｍｍＨｇ以下の減圧のいずれか１つの条件で
焼成し、有機物を除去する。温度が８００℃未満である
と、有機物を充分除去できない恐れがあり、一方１１０
０℃を越えた温度で焼成してもそれ以上効果が上がらな
い恐れがある。
℃〜１１００℃の温度で、清浄不活性雰囲気、清浄酸素
雰囲気、１ｍｍＨｇ以下の減圧のいずれか１つの条件で
焼成し、有機物を除去する。温度が８００℃未満である
と、有機物を充分除去できない恐れがあり、一方１１０
０℃を越えた温度で焼成してもそれ以上効果が上がらな
い恐れがある。
【００１３】さらに、前記焼成金属フッ化物の中でアル
カリ金属、アルカリ土類金属などはフッ化水素酸に入
れ、酸性フッ化物とし、希土類、Ｙなどは塩酸、硝酸の
いずれか１つに入れ、酸化物不純物を溶解する。
カリ金属、アルカリ土類金属などはフッ化水素酸に入
れ、酸性フッ化物とし、希土類、Ｙなどは塩酸、硝酸の
いずれか１つに入れ、酸化物不純物を溶解する。
【００１４】このように酸溶解工程によって酸化物不純
物を除去した後、前記金属フッ化物を脱水、乾燥させ
る。脱水、乾燥工程は温度３０℃〜１５０℃で、真空乾
燥またはフッ素ガス雰囲気のいずれか、または両者を組
み合わせて行なうことができる。前記脱水、乾燥工程の
温度が３０℃未満であると、充分に脱水、乾燥できない
恐れがあり、一方１５０℃を越えて加熱しても効果がそ
れ以上、上がらない恐れがあり、さらに酸化物などの生
成が生じる恐れがあるからである。
物を除去した後、前記金属フッ化物を脱水、乾燥させ
る。脱水、乾燥工程は温度３０℃〜１５０℃で、真空乾
燥またはフッ素ガス雰囲気のいずれか、または両者を組
み合わせて行なうことができる。前記脱水、乾燥工程の
温度が３０℃未満であると、充分に脱水、乾燥できない
恐れがあり、一方１５０℃を越えて加熱しても効果がそ
れ以上、上がらない恐れがあり、さらに酸化物などの生
成が生じる恐れがあるからである。
【００１５】以下、実施例によって本発明を詳細に説明
する。
する。
【００１６】
【実施例１】Ｂａ（ＣＨ3ＣＯＯ）2を出発とするＢａＦ
2・ＨＦ、ＢａＦ2の製造方法について以下に説明する。
2・ＨＦ、ＢａＦ2の製造方法について以下に説明する。
【００１７】Ｂａ（ＣＨ3ＣＯＯ）2を純粋二様開始、溶
媒抽出によりＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの遷移金属
不純物を抽出除去した後、フッ素化剤としてフッ化水素
酸を加え、フッ化バリウム沈殿とする。
媒抽出によりＣｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの遷移金属
不純物を抽出除去した後、フッ素化剤としてフッ化水素
酸を加え、フッ化バリウム沈殿とする。
【００１８】フッ化バリウム沈殿はフッ化水素酸で洗浄
後、室温にて真空脱水乾燥を行なった。真空脱水乾燥後
のフッ化バリウム沈殿を１ｍｍＨｇ以下の減圧条件で１
０５０℃において有機物を除去すると同時に、遷移金属
不純物を昇華精製した。１０５０℃で焼成したフッ化バ
リウムをフッ化水素酸に入れ、撹拌を行ない、温度３０
℃で真空脱水乾燥を行なった。得られた乾燥物の電子顕
微鏡写真から結晶小面のはっきりした単結晶であった。
後、室温にて真空脱水乾燥を行なった。真空脱水乾燥後
のフッ化バリウム沈殿を１ｍｍＨｇ以下の減圧条件で１
０５０℃において有機物を除去すると同時に、遷移金属
不純物を昇華精製した。１０５０℃で焼成したフッ化バ
リウムをフッ化水素酸に入れ、撹拌を行ない、温度３０
℃で真空脱水乾燥を行なった。得られた乾燥物の電子顕
微鏡写真から結晶小面のはっきりした単結晶であった。
【００１９】図１は真空脱水乾燥後のフッ化物のＴＧ−
ＤＴＡ曲線であり、１２０℃から減量し、２４０℃で完
了し、重量減少率は１０．２％である。ＤＴＡ曲線は２
３２℃、１３５３℃に吸熱ピークがある。２３２℃の吸
熱ピークはＨＦ離脱に伴う単一ピークであり、脱水縮合
による吸熱ピークは見られない。１３５３℃の吸熱ピー
クはＢａＦ2の融点に相当するものである。
ＤＴＡ曲線であり、１２０℃から減量し、２４０℃で完
了し、重量減少率は１０．２％である。ＤＴＡ曲線は２
３２℃、１３５３℃に吸熱ピークがある。２３２℃の吸
熱ピークはＨＦ離脱に伴う単一ピークであり、脱水縮合
による吸熱ピークは見られない。１３５３℃の吸熱ピー
クはＢａＦ2の融点に相当するものである。
【００２０】真空脱水乾燥後のフッ化物はＢａＦ2・Ｈ
ＦであることをＸ線回折で確認した。また、前記フッ化
物を３００℃で真空乾燥し、これについてＸ線回折を行
ない、立方晶のＢａＦ2が作製されていることを確認し
た。
ＦであることをＸ線回折で確認した。また、前記フッ化
物を３００℃で真空乾燥し、これについてＸ線回折を行
ない、立方晶のＢａＦ2が作製されていることを確認し
た。
【００２１】表１は本発明で製造したＢａＦ2・ＨＦの
中性子放射化分析による遷移金属不純物、前記ＢａＦ2
・ＨＦを組成とするフッ化物ガラスの酸素、炭素不純物
の定量結果であり、酸素１ｐｐｍ未満、炭素１０ｐｐｂ
未満、クロム、鉄いずれも１ｐｐｂ未満、コバルト、ニ
ッケル０．１ｐｐｂ未満、銅０．０１ｐｐｂ未満の値が
得られた。放射化分析によるフッ化物ガラスの酸素の検
出下限は１ｐｐｍ、炭素の検出下限は１０ｐｐｂ、クロ
ム、鉄の検出下限は１ｐｐｂ、ニッケルの検出下限は
０．１ｐｐｂ、銅の検出下限は０．０１ｐｐｂであり、
酸素、炭素、クロム、鉄、ニッケル、銅について検出下
限値まで高純度化できている。
中性子放射化分析による遷移金属不純物、前記ＢａＦ2
・ＨＦを組成とするフッ化物ガラスの酸素、炭素不純物
の定量結果であり、酸素１ｐｐｍ未満、炭素１０ｐｐｂ
未満、クロム、鉄いずれも１ｐｐｂ未満、コバルト、ニ
ッケル０．１ｐｐｂ未満、銅０．０１ｐｐｂ未満の値が
得られた。放射化分析によるフッ化物ガラスの酸素の検
出下限は１ｐｐｍ、炭素の検出下限は１０ｐｐｂ、クロ
ム、鉄の検出下限は１ｐｐｂ、ニッケルの検出下限は
０．１ｐｐｂ、銅の検出下限は０．０１ｐｐｂであり、
酸素、炭素、クロム、鉄、ニッケル、銅について検出下
限値まで高純度化できている。
【００２２】本発明で作製したＢａＦ2・ＨＦをフッ化
物光ファイバ原料成分として使用し、その効果としては
散乱損失が小さく、２．６９μｍのＣＯ2のピークが低
減した良好な光ファイバが製造できた。３００℃で真空
乾燥後のＢａＦ2を原料に使用しても同様に良好な光フ
ァイバが製造できた。
物光ファイバ原料成分として使用し、その効果としては
散乱損失が小さく、２．６９μｍのＣＯ2のピークが低
減した良好な光ファイバが製造できた。３００℃で真空
乾燥後のＢａＦ2を原料に使用しても同様に良好な光フ
ァイバが製造できた。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【実施例２】ＬｉＣｌを出発とするＬｉＦ・ＨＦ、Ｌｉ
Ｆの製造方法について以下に説明する。
Ｆの製造方法について以下に説明する。
【００２５】ＬｉＣｌを溶解後水溶液とし、溶媒抽出精
製により遷移金属不純物を除去後、フッ素化剤としてフ
ッ化水素ガスを溶液内にバブルさせ、フッ化物沈殿は室
温で真空乾燥した後、温度８００℃のＡｒ乾燥ガス気流
で焼成する。
製により遷移金属不純物を除去後、フッ素化剤としてフ
ッ化水素ガスを溶液内にバブルさせ、フッ化物沈殿は室
温で真空乾燥した後、温度８００℃のＡｒ乾燥ガス気流
で焼成する。
【００２６】焼成した前記フッ化物はフッ化水素酸に入
れ、撹拌を行なった後、温度３０℃で真空脱水乾燥し
た。得られた乾燥物についてＴＧ−ＤＴＡおよび赤外吸
収スペクトル測定を行なった。
れ、撹拌を行なった後、温度３０℃で真空脱水乾燥し
た。得られた乾燥物についてＴＧ−ＤＴＡおよび赤外吸
収スペクトル測定を行なった。
【００２７】図２は前記乾燥物のＴＧ−ＤＴＡ曲線であ
り、５０℃から減量し、１９０℃で完了し、重量減少率
は４３．５％である。ＤＴＡ曲線は１４２℃、８４２℃
に吸熱ピークがある。１４２℃の吸熱ピークはＨＦ離脱
に伴う単一ピークであり、脱水縮合による吸熱ピークは
見られない。８４２℃の吸熱ピークはＬｉＦの融点に相
当するものである。
り、５０℃から減量し、１９０℃で完了し、重量減少率
は４３．５％である。ＤＴＡ曲線は１４２℃、８４２℃
に吸熱ピークがある。１４２℃の吸熱ピークはＨＦ離脱
に伴う単一ピークであり、脱水縮合による吸熱ピークは
見られない。８４２℃の吸熱ピークはＬｉＦの融点に相
当するものである。
【００２８】図３は前記乾燥物の赤外吸収スペクトルで
あり、７４０ｃｍ-1にＦ-に相当する吸収ピーク、１１
４０ｃｍ-1にＨＦ2-に相当する吸収ピークがあった。
あり、７４０ｃｍ-1にＦ-に相当する吸収ピーク、１１
４０ｃｍ-1にＨＦ2-に相当する吸収ピークがあった。
【００２９】また、前記乾燥物はＬｉＦ・ＨＦであるこ
とをＸ線回折で確認した。さらに、前記乾燥物を３００
℃で真空乾燥し、これについてＸ線回折を行ない、立方
晶のＬｉＦが作製されていることを確認した。
とをＸ線回折で確認した。さらに、前記乾燥物を３００
℃で真空乾燥し、これについてＸ線回折を行ない、立方
晶のＬｉＦが作製されていることを確認した。
【００３０】ＬｉＦ・ＨＦ、ＬｉＦの両方について、表
１に示したと同様、酸素１ｐｐｍ未満、炭素１０ｐｐｂ
未満、クロムおよび鉄１ｐｐｂ未満、コバルトおよびニ
ッケル０．１ｐｐｂ未満、銅０．０１ｐｐｂ未満とな
り、本発明は酸素、炭素および遷移金属不純物を減少さ
せる効果があった。
１に示したと同様、酸素１ｐｐｍ未満、炭素１０ｐｐｂ
未満、クロムおよび鉄１ｐｐｂ未満、コバルトおよびニ
ッケル０．１ｐｐｂ未満、銅０．０１ｐｐｂ未満とな
り、本発明は酸素、炭素および遷移金属不純物を減少さ
せる効果があった。
【００３１】本発明で作製したＬｉＦ・ＨＦあるいはＬ
ｉＦをフッ化物光ファイバ原料成分として使用し、その
効果としては散乱損失の小さい良好な光ファイバが製造
できた。
ｉＦをフッ化物光ファイバ原料成分として使用し、その
効果としては散乱損失の小さい良好な光ファイバが製造
できた。
【００３２】
【実施例３】ＮａＮＯ3を出発とするＮａＦ・ＨＦ、Ｎ
ａＦの製造方法について以下に説明する。
ａＦの製造方法について以下に説明する。
【００３３】ＮａＮＯ3の水溶液中の遷移金属不純物を
イオン交換法により精製除去した後、フッ素化剤として
フッ化水素酸を加えフッ化物沈殿とする。フッ化物沈殿
物は、フッ化水素酸で洗浄後、室温で真空脱水乾燥後、
温度９００℃のＡｒ乾燥ガス気流で焼成する。
イオン交換法により精製除去した後、フッ素化剤として
フッ化水素酸を加えフッ化物沈殿とする。フッ化物沈殿
物は、フッ化水素酸で洗浄後、室温で真空脱水乾燥後、
温度９００℃のＡｒ乾燥ガス気流で焼成する。
【００３４】焼成した前記フッ化物はフッ化水素酸に入
れ、撹拌を行なった後、温度１５０℃で真空乾燥した。
れ、撹拌を行なった後、温度１５０℃で真空乾燥した。
【００３５】図４は真空乾燥後のフッ化物のＴＧ−ＤＴ
Ａ曲線であり、１５５℃から減量し、２９５℃で完了
し、重量減少率は３２．３％である。ＤＴＡ曲線は２６
２℃、９９３℃に吸熱ピークがある。２６２℃の吸熱ピ
ークはＨＦ離脱に伴う単一ピークであり、脱水縮合によ
る吸熱ピークは見られない。９９３℃の吸熱ピークはＮ
ａＦの融点に相当するものである。
Ａ曲線であり、１５５℃から減量し、２９５℃で完了
し、重量減少率は３２．３％である。ＤＴＡ曲線は２６
２℃、９９３℃に吸熱ピークがある。２６２℃の吸熱ピ
ークはＨＦ離脱に伴う単一ピークであり、脱水縮合によ
る吸熱ピークは見られない。９９３℃の吸熱ピークはＮ
ａＦの融点に相当するものである。
【００３６】図５は前記乾燥物の赤外吸収スペクトルで
あり、２１００ｃｍ-1、１５００〜１７００ｃｍ-1、１
２１０ｃｍ-1にＨＦ2-に相当する吸収ピークがあった。
真空乾燥後のフッ化物はＮａＦ・ＨＦであることをＸ線
回折で確認した。
あり、２１００ｃｍ-1、１５００〜１７００ｃｍ-1、１
２１０ｃｍ-1にＨＦ2-に相当する吸収ピークがあった。
真空乾燥後のフッ化物はＮａＦ・ＨＦであることをＸ線
回折で確認した。
【００３７】また、前記フッ化物を４００℃で真空乾燥
し、これについてＸ線回折を行ない、立方晶のＮａＦが
作製さていることを確認した。
し、これについてＸ線回折を行ない、立方晶のＮａＦが
作製さていることを確認した。
【００３８】ＮａＦ・ＨＦおよびＮａＦについて遷移金
属不純物分析、酸素および炭素不純物分析を行ない、表
１に示したと同様、ＮａＦ・ＨＦ、ＮａＦの両方につい
て酸素１ｐｐｍ未満、炭素１０ｐｐｂ未満、クロムおよ
び鉄１ｐｐｂ未満、コバルトおよびニッケル０．１ｐｐ
ｂ未満、銅０．０１ｐｐｂ未満となり、本発明は酸素、
炭素および遷移金属不純物を減少させる効果があった。
属不純物分析、酸素および炭素不純物分析を行ない、表
１に示したと同様、ＮａＦ・ＨＦ、ＮａＦの両方につい
て酸素１ｐｐｍ未満、炭素１０ｐｐｂ未満、クロムおよ
び鉄１ｐｐｂ未満、コバルトおよびニッケル０．１ｐｐ
ｂ未満、銅０．０１ｐｐｂ未満となり、本発明は酸素、
炭素および遷移金属不純物を減少させる効果があった。
【００３９】本発明で作製したＮａＦ・ＨＦあるいはＮ
ａＦをフッ化物光ファイバ原料成分として使用し、その
効果としては散乱損失の小さい良好な光ファイバが製造
できた。
ａＦをフッ化物光ファイバ原料成分として使用し、その
効果としては散乱損失の小さい良好な光ファイバが製造
できた。
【００４０】
【実施例４】Ｌａ2Ｏ3を出発とするＬａＦ3の製造方法
について以下に説明する。
について以下に説明する。
【００４１】Ｌａ2Ｏ3を硫酸溶液に入れ溶解し、溶媒抽
出精製し、水溶液をフッ化水素酸に入れ、ＬａＦ3沈殿
物を作製する。フッ化水素酸で前記沈殿物を洗浄後、室
温で真空乾燥する。乾燥物は温度１１００℃の清浄Ａｒ
雰囲気で焼成する。焼成したフッ化物は塩酸溶液内で撹
拌し、酸化物を溶解後、塩酸を廃棄し、３０℃で真空乾
燥後フッ素ガスで脱水を行ないＬａＦ3とする。
出精製し、水溶液をフッ化水素酸に入れ、ＬａＦ3沈殿
物を作製する。フッ化水素酸で前記沈殿物を洗浄後、室
温で真空乾燥する。乾燥物は温度１１００℃の清浄Ａｒ
雰囲気で焼成する。焼成したフッ化物は塩酸溶液内で撹
拌し、酸化物を溶解後、塩酸を廃棄し、３０℃で真空乾
燥後フッ素ガスで脱水を行ないＬａＦ3とする。
【００４２】脱水後のＬａＦ3について遷移金属不純
物、酸素および炭素不純物分析を行ない、表１に示した
と同様、酸素１ｐｐｍ未満、炭素１０ｐｐｂ未満、クロ
ムおよび鉄１ｐｐｂ未満、コバルトおよびニッケル０．
１ｐｐｂ未満、銅０．０１ｐｐｂ未満となり、本発明は
酸素、炭素および遷移金属不純物を減少させる効果があ
った。
物、酸素および炭素不純物分析を行ない、表１に示した
と同様、酸素１ｐｐｍ未満、炭素１０ｐｐｂ未満、クロ
ムおよび鉄１ｐｐｂ未満、コバルトおよびニッケル０．
１ｐｐｂ未満、銅０．０１ｐｐｂ未満となり、本発明は
酸素、炭素および遷移金属不純物を減少させる効果があ
った。
【００４３】また、脱水後のＬａＦ3についてＴＧ−Ｄ
ＴＡを実施し、３０℃〜１１００℃で重量の減少もな
く、発熱ピーク、吸熱ピークもなく、乾燥したＬａＦ3
が製造できた。
ＴＡを実施し、３０℃〜１１００℃で重量の減少もな
く、発熱ピーク、吸熱ピークもなく、乾燥したＬａＦ3
が製造できた。
【００４４】本発明で作製したＬａＦ3をフッ化物光フ
ァイバ原料成分として使用し、その効果としては散乱損
失の小さい良好な光ファイバが製造できた。
ァイバ原料成分として使用し、その効果としては散乱損
失の小さい良好な光ファイバが製造できた。
【００４５】
【実施例５】Ｙ2Ｏ3を出発とするＹＦ3の製造方法につ
いて以下に説明する。
いて以下に説明する。
【００４６】Ｙ2Ｏ3を熱硝酸溶液に入れ溶解し、溶媒抽
出精製後、水溶液をフッ化水素酸に入れ、フッ化物沈殿
物を作製する。フッ化水素酸で前記沈殿物を洗浄後、室
温で真空乾燥する。乾燥物は温度１０００℃の清浄酸素
雰囲気で焼成する。焼成したフッ化物は硝酸溶液で撹拌
し、酸化物を溶解後、硝酸を廃棄し、３０℃で真空乾燥
後乾燥フッ化物とする。
出精製後、水溶液をフッ化水素酸に入れ、フッ化物沈殿
物を作製する。フッ化水素酸で前記沈殿物を洗浄後、室
温で真空乾燥する。乾燥物は温度１０００℃の清浄酸素
雰囲気で焼成する。焼成したフッ化物は硝酸溶液で撹拌
し、酸化物を溶解後、硝酸を廃棄し、３０℃で真空乾燥
後乾燥フッ化物とする。
【００４７】乾燥フッ化物についてＹＦ3であることを
Ｘ線回折で確認した。
Ｘ線回折で確認した。
【００４８】また、乾燥フッ化物について、酸素、炭
素、遷移金属不純物分析を行ない、表１に示したと同
様、酸素１ｐｐｍ未満、炭素１０ｐｐｂ未満、クロムお
よび鉄１ｐｐｂ未満、コバルトおよびニッケル０．１ｐ
ｐｂ未満、銅０．０１ｐｐｂ未満となり、本発明は酸
素、炭素、遷移金属不純物を減少させる効果があった。
素、遷移金属不純物分析を行ない、表１に示したと同
様、酸素１ｐｐｍ未満、炭素１０ｐｐｂ未満、クロムお
よび鉄１ｐｐｂ未満、コバルトおよびニッケル０．１ｐ
ｐｂ未満、銅０．０１ｐｐｂ未満となり、本発明は酸
素、炭素、遷移金属不純物を減少させる効果があった。
【００４９】本発明で作製したＹＦ3をフッ化物光ファ
イバ原料成分として使用し、その効果としては散乱損失
の小さい良好な光ファイバが製造できた。
イバ原料成分として使用し、その効果としては散乱損失
の小さい良好な光ファイバが製造できた。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による高純
度金属フッ化物の製造方法は、湿式精製法による高純度
化、乾式精製法による有機試薬残留物の排除、フッ化水
素酸、塩酸、硝酸の各溶液内での溶解処理による酸化物
不純物の除去により、遷移金属不純物、炭素不純物、酸
素不純物の全てが少ない高純度フッ化物が得られる。
度金属フッ化物の製造方法は、湿式精製法による高純度
化、乾式精製法による有機試薬残留物の排除、フッ化水
素酸、塩酸、硝酸の各溶液内での溶解処理による酸化物
不純物の除去により、遷移金属不純物、炭素不純物、酸
素不純物の全てが少ない高純度フッ化物が得られる。
【００５１】これをフッ化物光ファイバ原料として用い
ることにより超低損失のフッ化物光ファイバを製造でき
る利点がある。
ることにより超低損失のフッ化物光ファイバを製造でき
る利点がある。
【図１】ＢａＦ2・ＨＦのＴＧ−ＤＴＡ曲線。
【図２】ＬｉＦ・ＨＦのＴＧ−ＤＴＡ曲線。
【図３】ＬｉＦ・ＨＦの赤外吸収スペクトル。
【図４】ＮａＦ・ＨＦのＴＧ−ＤＴＡ曲線。
【図５】ＮａＦ・ＨＦの赤外吸収スペクトル。
１ ＤＴＡ曲線
２ ＴＧ曲線
３ ＤＴＡ曲線
４ ＴＧ曲線
５ ＤＴＡ曲線
６ ＴＧ曲線
Claims (7)
- 【請求項１】高純度金属フッ化物を製造する方法におい
て、当該金属を溶液の状態で湿式精製し、フッ素化剤を
用いてフッ化物沈殿を作製し、当該沈殿を脱水乾燥後、
焼成工程で乾燥フッ化物を焼成し、酸溶解工程を行なっ
た後、脱水処理工程により金属フッ化物とすることを特
徴とする高純度金属フッ化物の製造方法。 - 【請求項２】フッ化物沈殿作製工程がフッ化水素酸、フ
ッ化水素ガスのいずれかであることを特徴とする請求項
１記載の高純度金属フッ化物の製造方法。 - 【請求項３】沈殿物の脱水乾燥工程における脱水条件が
室温における真空乾燥であることを特徴とする請求項１
〜２記載のいずれかの高純度金属フッ化物の製造方法。 - 【請求項４】乾燥したフッ化物の焼成工程は温度８００
℃〜１１００℃で、清浄不活性雰囲気、清浄酸素雰囲
気、１ｍｍＨｇ以下の減圧条件で焼成することを特徴と
する請求項１〜３記載のいずれかの高純度金属フッ化物
の製造方法。 - 【請求項５】酸溶解工程がフッ化水素酸、塩酸、硝酸の
いずれかの溶液中に焼成フッ化物を入れ、撹拌により溶
解することを特徴とする請求項１〜４記載のいずれかの
高純度金属フッ化物の製造方法。 - 【請求項６】脱水処理工程は温度３０℃〜１５０℃で、
真空乾燥またはフッ素ガス雰囲気のいずれか、または両
者を組み合わせて行なうことを特徴とする請求項１〜５
記載のいずれかの高純度金属フッ化物の製造方法。 - 【請求項７】当該金属フッ化物の蒸気圧が１５００ｍｍ
Ｈｇ以下で、当該金属が、Ｂａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｌａ、Ｙ
であることを特徴とする請求項１〜６記載いずれかの高
純度金属フッ化物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3178813A JP2772302B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 高純度金属フッ化物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3178813A JP2772302B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 高純度金属フッ化物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH054801A true JPH054801A (ja) | 1993-01-14 |
| JP2772302B2 JP2772302B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=16055111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3178813A Expired - Lifetime JP2772302B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 高純度金属フッ化物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2772302B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100349802C (zh) * | 2005-11-30 | 2007-11-21 | 浙江大学 | 微波合成稀土氟化物中空纳米粒子的制备方法 |
| JP2008156190A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Stella Chemifa Corp | フッ化リチウムの製造方法 |
| CN100447086C (zh) * | 2006-11-28 | 2008-12-31 | 中南大学 | 高纯纳米氟化锂的制备方法 |
| WO2009028640A1 (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Stella Chemifa Corporation | フッ素化合物の精製方法 |
| JP2009215138A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Stella Chemifa Corp | 金属フッ化物の精製方法 |
| WO2012050112A1 (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-19 | Hoya株式会社 | フツリン酸塩ガラス、プレス成型用ガラス素材、光学素子それぞれの製造方法。 |
| CN113120926A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-07-16 | 严永生 | 一种去除氟化钠中杂质的方法 |
| CN113120927A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-07-16 | 严永生 | 一种去除氟化钠中铁锈的方法 |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP3178813A patent/JP2772302B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| CN103153898A (zh) * | 2010-10-14 | 2013-06-12 | Hoya株式会社 | 氟磷酸盐玻璃、模压成型用玻璃材料、光学元件及其各自的制造方法 |
| CN113120926A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-07-16 | 严永生 | 一种去除氟化钠中杂质的方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2772302B2 (ja) | 1998-07-02 |
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