JPH10284958A - 固体増幅器 - Google Patents
固体増幅器Info
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Abstract
が、過大入力信号によって劣化してしまう場合があっ
た。 【解決手段】 ゲート幅の異なるFETをそれぞれ用い
た2つの単位増幅器と、上記単位増幅器の入力端子間を
接続した等電力分配回路と、出力端子間を接続した等電
力合成回路とからなるバランス型増幅器を固体増幅器の
ドライバ段増幅器として用いた。
Description
ダ等に用いるマイクロ波帯の固体増幅器に関するもので
ある。
ので、図中、2は高出力段増幅器、8はドライバ段増幅
器、9は可変減衰器、10はカップラ、11は検波器、
12はレベル制御回路、13は入力端子、14は出力端
子、15はドライバ段増幅器出力端子である。
9、ドライバ段増幅器8、ドライバ段増幅器出力端子1
5、高出力段増幅器2およびカップラ10を順次縦続接
続し、出力端子14より信号が出力される。また、カッ
プラ10により高出力段増幅器2の出力信号の一部を検
波器11、レベル制御回路12を介して可変減衰器9に
フィードバックする構成のものである。
入射した入力信号は、可変減衰器9を通り、ドライバ段
増幅器8で増幅される。その信号はドライバ段増幅器出
力端子15を経由し、さらに高出力段増幅器2で増幅さ
れ、カップラ10を介して大部分が出力端子に出力され
る。また、カップラ10で結合された出力信号の一部
は、検波器11に入力され、検波器11で検波された信
号をレベル制御回路12に入力される。さらに検波信号
に応じてレベル制御回路12から制御電圧を発生させた
ものを可変減衰器9にフィードバックし、高出力段増幅
器2に過大な入力信号が入射しないようにしてある。
クダウン電圧を超えるような過大な信号が高出力段増幅
器2に入射した場合、FETが劣化する。FETの劣化
を避けるために、従来の固体増幅器では、図5に示すよ
うに高出力段増幅器2の出力信号を検波し、そのレベル
に応じて可変減衰器9の減衰量を適切なレベルに設定す
ることにより、高出力段増幅器2に過大な入力信号が入
射しないようにしてある。
検波し、可変減衰器9が動作するまでに数ミリ秒程度の
時間がかかるため、その間は高出力段増幅器2に過大な
信号が入射される。また、入力信号として短時間のパル
ス状の信号が入射した場合、フィードバック回路が動作
しない場合がある。これらの場合、高出力段増幅器2に
過大な信号が入射し、高出力段増幅器2が劣化してしま
う問題点があった。
幅器は、ゲート幅の異なるFETをそれぞれ用いた2つ
の単位増幅器と、上記単位増幅器の入力端子間を接続し
た等電力分配回路と、出力端子間を接続した等電力合成
回路とからなるバランス型増幅器をドライバ段増幅器と
して用いたものである。
一ゲート幅を有するFETをそれぞれ用いた2つの単位
増幅器と、上記単位増幅器の入力端子間を接続した等電
力分配回路と、出力端子間を接続した等電力合成回路
と、上記一方の単位増幅器の入力側と等電力分配回路間
に接続された減衰器と、上記他方の単位増幅器の出力側
と等電力合成回路間に接続された減衰器とからなるバラ
ンス型増幅器をドライバ段増幅器として用いたものであ
る。
構成図であり、1はバランス型増幅器、2は高出力段増
幅器、13は入力端子、14は出力端子、15はドライ
バ段増幅器出力端子である。この増幅器はバランス型増
幅器1と高出力段増幅器2とを縦続接続した非常に簡単
な構成のものである。図2はドライバ段増幅器として使
用しているバランス型増幅器1の構成を示すものであ
り、3、4はそれぞれ1ないし2段の単位増幅器、5a
は等電力分配回路、5bは等電力合成回路である。この
バランス型増幅器1を構成する単位増幅器3と単位増幅
器4には利得はほぼ同じでゲート幅の異なるFETを用
いており、各単位増幅器3、4の入力端子間および出力
端子間は5aは等電力分配回路、5bは等電力合成回路
によりそれぞれ接続されている。
る利得特性を示すもので、aは単位増幅器3、bは単位
増幅器4の特性である。なお、ここでは単位増幅器4に
比べ、単位増幅器3のFETのゲート幅が広いものを用
いた場合について示している。この図に示すように、入
力信号が小さい場合はほぼ同じ利得を示すが、入力信号
が増加するにしたがって単位増幅器4のほうが先に飽和
するため、入力信号の小さいうちから利得の減少が現わ
れる。
バランス型増幅器1の入力端子13から入力する信号に
対するドライバ段増幅器出力端子15の出力信号特性の
一例である。図中、dはこの発明のバランス型増幅器1
の入力信号に対する出力信号特性の一例である。また、
cは比較のために単位増幅器3、4にゲート幅が同じF
ETを用いた場合についても示している。
れ、単位増幅器3と単位増幅器4の利得差が増加するた
め、合成損失が増加する。従って、図4のdで示すよう
に入力信号が増加しても、ドライバ段増幅器出力端子1
5の出力信号レベルがほぼ一定の出力信号のレベルに抑
えることができる。この出力信号のレベルは、単位増幅
器3、4に使用するFETのゲート幅に依存し、ゲート
幅の差が大きいほど出力信号のレベルを小さく抑えるこ
とができる。これに対して、特性cのように同じゲート
幅のFETを用いた場合には、入力信号の増加とともに
徐々に出力信号が増加する特性を示す。
いるバランス型増幅器1は、入力信号が増加してもドラ
イバ段増幅器出力端子15の出力信号をほぼ一定に抑え
ることができるため、この増幅器を多段増幅器のドライ
バ段として用いることにより、高出力段増幅器2に入射
する過大入力信号を抑えることができ、高出力段増幅器
2の特性劣化を防ぐことができる利点がある。また、フ
ィードバック回路応答速度に依存することなく確実に過
大入力信号を抑えることができるとともに、可変減衰器
9、カップラ10、検波器11、レベル制御回路12等
が不要になり、非常に簡単な回路構成であるため、固体
増幅器を安価に構成できる利点もある。
形態2に用いるバランス型増幅器1の構成を示す図であ
り、6、7は、ぞれぞれ単位増幅器3の出力端子、単位
増幅器4の入力端子に接続された減衰器である。実施の
形態1では、バランス型増幅器1を構成する単位増幅器
3と4にはそれぞれゲート幅の異なるFETを用いた場
合について示したが、この実施例では同じゲート幅のF
ETを用いており、減衰器6、7の減衰量はほぼ同じ値
に選んでいる。
器6を接続することにより、単位増幅器3の出力信号が
減衰される。これに対して、単位増幅器4の入力端子に
減衰器7を接続することにより、単位増幅器4の出力信
号は減衰されることなく大きな値が得られる。したがっ
て、減衰器6を含む単位増幅器3の特性と、減衰器7を
含む単位増幅器4の入力信号に対する利得はほぼ図3と
同じ特性を示す。このように、単位増幅器3の出力端子
に減衰器6、また単位増幅器4の入力端子に減衰器7を
接続することにより、等価的に単位増幅器3、4に用い
るFETのゲート幅が異なったものと等しくなる。
したような効果が得られる。実施の形態1では、ゲート
幅の異なるFETを用いるため、FETの入手性から設
定出力信号レベルが制限される場合がある。これに対し
て実施の形態2では、バランス型増幅器1の出力信号の
レベルは減衰器6、7の減衰量で設定できるため、高出
力段増幅器2に入射する入力信号のレベルの微調がより
可能である。
FETをそれぞれ用いた2つの単位増幅器と、上記単位
増幅器の入力端子間を接続した等電力分配回路と、出力
端子間を接続した等電力合成回路とからなるバランス型
増幅器1を用いることにより、フィードバック回路の応
答速度に関係なく常に高出力段増幅器2に入力される過
大入力信号を抑えることができ、高出力段増幅器2を保
護することができる。
射する過大入力信号のレベルの微調を行うことができる
ため、より確実に高出力段増幅器2を保護することがで
きる。
構成を示す図である。
用いるバランス型増幅器の構成を示す図である。
用いるバランス型増幅器を構成する単位増幅器の利得特
性を示す図である。
用いるバランス型増幅器の入力信号に対する出力信号特
性を示す図である。
用いるバランス型増幅器の構成を示す図である。
増幅器、4 単位増幅器、5a 等電力分配回路、5b
等電力合成回路、6 減衰器、7 減衰器、8 ドラ
イバ段増幅器、9 可変減衰器、10 カップラ、11
検波器、12レベル制御回路、13 入力端子、14
出力端子、15 ドライバ段増幅器出力端子。
Claims (2)
- 【請求項1】 ドライバ段増幅器と、高出力段増幅器と
からなる固体増幅器において、ゲート幅の異なるFET
をそれぞれ用いた2つの単位増幅器と、上記単位増幅器
の入力端子間を接続した等電力分配回路と、出力端子間
を接続した等電力合成回路とからなるバランス型増幅器
を上記ドライバ段増幅器として用いたことを特徴とする
固体増幅器。 - 【請求項2】 ドライバ段増幅器と、高出力段増幅器と
からなる固体増幅器において、同一ゲート幅を有するF
ETをそれぞれ用いた2つの単位増幅器と、上記単位増
幅器の入力端子間を接続した等電力分配回路と、出力端
子間を接続した等電力合成回路と、上記一方の単位増幅
器の入力側と等電力分配回路間に接続された減衰器と、
上記他方の単位増幅器の出力側と等電力合成回路間に接
続された減衰器とからなるバランス型増幅器を上記ドラ
イバ段増幅器として用いたことを特徴とする固体増幅
器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08924197A JP3852499B2 (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | 固体増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10284958A true JPH10284958A (ja) | 1998-10-23 |
JP3852499B2 JP3852499B2 (ja) | 2006-11-29 |
Family
ID=13965261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08924197A Expired - Fee Related JP3852499B2 (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | 固体増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3852499B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012222490A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Hitachi Metals Ltd | 高周波回路 |
JP2014225791A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 株式会社東芝 | 半導体電力増幅器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01137710A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 広帯域増幅器 |
JPH01176105A (ja) * | 1987-12-30 | 1989-07-12 | Nec Corp | 非直線歪補償回路 |
-
1997
- 1997-04-08 JP JP08924197A patent/JP3852499B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH01137710A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 広帯域増幅器 |
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Cited By (3)
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JP2014225791A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 株式会社東芝 | 半導体電力増幅器 |
US9112454B2 (en) | 2013-05-16 | 2015-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor power amplifier |
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---|---|
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