JPH10284472A

JPH10284472A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH10284472A
Application number: JP9839597A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Hiroki; 勤廣木
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1997-04-01
Filing date: 1997-04-01
Publication date: 1998-10-23

Abstract

(57)【要約】【課題】多面取り用板状基板と載置台とを密着させて
その基板の冷却効率を向上させることが可能なプラズマ
処理装置を提供する。【解決手段】押圧部材１５２は支持部材１５４と先端
部材１５６とから成り，開口部１５４ａ内に先端部材１
５６が挿入される。開口部１５４ａ内には，セラミック
スバネ１５８が設けられる。押圧点１５６ａは，切りし
ろ領域Ｌ１よりも実質的に小さい面積を押圧する。押圧
部材１５２は切りしろ領域Ｌ１が形成されたＬＣＤ用ガ
ラス基板Ｌの略中央と対向する上部電極支持部材１２４
に取り付けられ，先端部材１５６はクランプ１２０より
も下方に配置される。サセプタ１１０が上昇することに
より，切りしろ領域Ｌ１が押圧点１５６ａにより押圧さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，プラズマ処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より，気密な処理容器内に形成され
た処理室内に，例えば上部電極と下部電極となるサセプ
タとを対向配置したエッチング装置が提案されている。
かかる装置においては，サセプタの載置面に被処理基
板，例えばＬＣＤ用ガラス基板を載置すると共に，処理
室内に所定の処理ガスを導入し，かつ処理室内を真空引
きすることにより，処理室内を所定の減圧雰囲気に調整
する。しかる後，上部電極に対してプラズマ生成用高周
波電力を印加し，処理室内に導入された処理ガスを解離
させてプラズマ化すると共に，サセプタに対してバイア
ス用高周波電力を印加して，励起したプラズマをＬＣＤ
用ガラス基板の被処理面に引き込むことにより，ＬＣＤ
用ガラス基板に対して所望のエッチング処理を施してい
る。

【０００３】ところで，サセプタの載置面に載置された
ＬＣＤ用ガラス基板の固定には，機械的クランプが使用
される。このクランプは，略枠状の形状で，ＬＣＤ用ガ
ラス基板の外縁部と対応する位置に固定配置されてい
る。そして，処理時には，上下方向に相対移動可能に構
成されたサセプタが上昇することにより，その載置面に
載置されているＬＣＤ用ガラス基板の外縁部がクランプ
に押圧され，ＬＣＤ用ガラス基板が固定される構成とな
っている。

【０００４】また，サセプタの内部には，温度調節機構
が備えられており，サセプタ上に載置されたＬＣＤ用ガ
ラス基板の温度を，処理時においても所望の状態に維持
する構成となっている。さらに，サセプタの載置面に
は，ガス供給孔が備えられており，サセプタ上にＬＣＤ
用ガラス基板が載置された際に，載置面とＬＣＤ用ガラ
ス基板との間に形成される微小空間に伝熱ガスを供給す
ることによって，伝熱効率を高める構成となっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで，最近，より
大型かつ薄型のＬＣＤ基板の需要が高まっていると共
に，このＬＣＤ基板を複数枚同時に生産可能な，いわゆ
る多面取りの技術が導入され，それに伴ってＬＣＤ用ガ
ラス基板の更なる大型化及び薄型化が進んでいる。しか
しながら，処理時には，上述の如くＬＣＤ用ガラス基板
裏面に供給される伝熱ガスにより，ＬＣＤ用ガラス基板
を挟んで処理室側と載置面側との間に圧力差が生じるた
め，ＬＣＤ用ガラス基板が上部電極方向に凸に湾曲し，
特にＬＣＤ用ガラス基板の略中央部での伝熱効率が低下
することがある。そして，その湾曲は，ＬＣＤ用ガラス
基板の大型化及び薄型化に伴って，より一層顕著なもの
となる傾向にある。

【０００６】また，ＬＣＤ基板の生産性向上のため，最
近では上述したような高密度プラズマ源を用いたエッチ
ング装置が多く使用されている。このエッチング装置を
用いてＬＣＤ用ガラス基板にエッチング処理を施す場合
には，高選択比及び高エッチングレートで均一な処理が
可能となる反面，ＬＣＤ用ガラス基板が高温状態とな
り，被処理面が損傷して歩留りの低下を招くことがあ
る。従って，ＬＣＤ用ガラス基板に生じた熱を，いかに
効率的に放熱させるかという問題が，克服すべき技術的
要求項目の１つとして挙げられている。

【０００７】本発明は，従来のプラズマ処理装置が有す
る上記のような問題点に鑑みて成されたものであり，多
面取り用板状基板に形成された切りしろ領域を，押圧手
段の１又は２以上の点で押圧し，その基板と載置台とを
密着させることにより，伝熱効率の向上を図り，かつ基
板の全面に渡って均一な処理を施すことが可能な，新規
かつ改良されたプラズマ処理装置を提供することを目的
としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め，請求項１に記載の発明によれば，気密な処理室内に
おいて，多面取り用板状基板を，その外縁部をクランプ
することにより，載置台上に固定して，その被処理面に
対して所定のプラズマ処理を施す如く構成されたプラズ
マ処理装置において，基板の被処理面の切りしろ領域を
１又は２以上の点で押圧する押圧手段を備えたことを特
徴としている。

【０００９】かかる構成によれば，多面取り用板状基板
の被処理面に形成された切りしろ領域を，押圧手段の１
又は２以上の点で押圧するするため，基板の被処理面に
施される処理に影響を及ぼすことなく，基板を載置台の
載置面に密着，固定することができる。従って，基板と
載置台との間の伝熱効率が向上し，処理時においても基
板を所望の温度に維持することが可能となり，さらに基
板にいわゆるたわみが生じないため，基板の被処理面全
面に渡って均一な処理を施すことができる。なお，本明
細書において，多面取り用板状基板の被処理面の切りし
ろ領域とは，所定の処理後に製品となる基板部間に形成
されている領域で，かつその処理後に切断される被切断
領域をいう。

【００１０】また，押圧手段を，絶縁性材料，例えばセ
ラミックスから形成することにより，異常放電の発生や
いわゆるパーティクルの発生などを伴うことなく，処理
室内に配置し，かつ基板を効果的に押圧することができ
る。なお，押圧手段は，特にセラミックスから形成され
ることに限定されず，絶縁性素材で，かつ耐プラズマ性
の材料であれば良く，例えば各種樹脂を用いて形成する
ことによっても同様の効果を奏することができる。さら
に，押圧手段を，基板と載置台の載置面との間に供給さ
れる伝熱ガスの供給圧力よりも，実質的に強い力で基板
を押圧し，基板をその載置面に密着させることが可能な
最低限の大きさに形成することにより，処理室内のプラ
ズマ流を乱すことなく，所望の状態で基板を載置台の載
置面に密着させることができる。

【００１１】また，請求項２に記載の発明によれば，押
圧手段は，多面取り用板状基板の被処理面の略中央点を
押圧するものであることを特徴としている。従って，例
えば１枚の多面取り用板状基板から，略同一形状及び略
同一面積の４枚の被処理基板を得る場合のように，基板
の被処理面の略中心点に切りしろ領域が形成されている
場合は，その被処理面の略中心点，すなわち，いわゆる
たわみが最も生じやすい部分を効果的に押圧し，基板を
載置台の載置面に密着させることができる。

【００１２】さらに，請求項３に記載の発明によれば，
押圧手段は，基板の被処理面を略同心円状に略等間隔に
配置された複数の点で押圧するものであることを特徴と
している。従って，例えば１枚の多面取り用板状基板か
ら，略同一形状及び略同一面積の９枚の被処理基板を得
る場合のように，基板の被処理面の略中心点に切りしろ
領域が形成されない場合，またはさらに複数の被処理基
板を得る場合であっても，均一かつ効果的に基板を載置
台の載置面に密着させることができる。なお，当該発明
の構成に加えて，さらに請求項２に記載の発明の構成を
同時に実施することも可能であることは言うまでもな
い。

【００１３】さらにまた，請求項４に記載の発明によれ
ば，押圧手段の１又は２以上の押圧点は，弾性力を有す
るものであることを特徴としている。従って，押圧手段
の押圧点が有する弾性力により，押圧点が基板の被処理
面の切りしろ領域に当接した際に生じる衝撃を吸収し，
かつ押圧手段によって基板へ加えられる押圧力の急激な
変化を緩衝することができるため，基板に過度の負担が
かからず，損傷を与えることがない。なお，押圧手段の
押圧点の弾性力は，例えば押圧手段に弾性体，例えば金
属又はセラミックスから成るバネ手段，ゴム，または弾
性樹脂などを備えた構成としても良く，または例えば押
圧点に耐プラズマ性の弾性体，例えば弾性樹脂などを備
えた構成としても良い。

【００１４】そして，請求項５に記載の発明によれば，
押圧手段と載置台とは，上下方向に相対移動可能に構成
されていることを特徴としている。従って，押圧手段に
よって基板と載置台の載置面とを密着させる場合には，
基板を載置した載置台を上昇させることにより，所定の
位置に固定された押圧手段の押圧点に基板の切りしろ領
域を押圧する構成とすることができる。この場合には，
例えば基板の外縁部をクランプにより固定する工程と同
時に行うことができる。その結果，基板の切りしろ領域
の固定のために，特に押圧手段に駆動手段を備える必要
がなく，かかる発明を容易に実施することができる。ま
た，逆に，所定の位置に配置された載置台上の基板の切
りしろ領域に，押圧手段の押圧点を降下させて押圧する
構成としても良い。この場合には，例えば押圧手段を所
望の押圧力が生じるように，この押圧手段，特に押圧点
を上方又は下方に適宜移動させて微調整することが可能
となり，基板の切りしろ領域を所望の押圧力で押圧する
ことができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しなが
ら，本発明にかかるプラズマ処理装置をエッチング装置
に適用した，実施の形態について詳細に説明する。な
お，以下の説明において，略同一の機能及び構成を有す
る構成要素については，同一符号を付することにより，
重複説明を省略することとする。

【００１６】まず，第１の実施の形態について説明す
る。図１は，本実施の形態にかかるエッチング装置１０
０の概略的な断面を示している。このエッチング装置１
００の処理室１０２は，気密に閉塞自在な，例えば表面
が陽極酸化処理されたアルミニウムから成る略円筒形状
の処理容器１０４内に形成され，この処理容器１０４
は，接地線１０６を介して接地されている。また，処理
室１０２内の底部には，例えばセラミックなどの絶縁支
持板１０８が設けられている。さらに，この絶縁支持板
１０８の上部には，多面取り用板状基板，例えば４枚の
ＬＣＤ基板を同時に生産することが可能なＬＣＤ用ガラ
ス基板Ｌを載置するための下部電極を構成するサセプタ
１１０が配置されている。

【００１７】このサセプタ１１０は，絶縁支持板１０８
及び処理容器１０４の底部を遊貫する昇降軸１１２によ
って支持されており，この昇降軸１１２は，処理容器１
０４外部に設置されている不図示の駆動機構に接続され
ている。従って，この駆動機構の作動によりサセプタ１
１０は，図１中の往復矢印に示したように，上下移動自
在となっている。なお，処理室１０２の気密性を確保す
るため，サセプタ１１０と絶縁支持板１０８との間に
は，昇降軸１１２の外方を囲むように伸縮自在な気密部
材，例えばベローズ１１４が設けられている。

【００１８】また，サセプタ１１０は，例えば表面が陽
極酸化処理されたアルミニウムから成り，その内部には
冷媒循環路１１６が設けられている。この冷媒循環路１
１６は，冷媒導入管１１６ａ及び冷媒排出管１１６ｂを
介して，外部に設けられた不図示の冷媒源に接続されて
おり，冷媒循環路１１６と冷媒源との間で冷媒，例えば
エチレングリコールが循環する構成となっている。さら
に，サセプタ１１０の内部には，不図示の加熱機構，例
えばセラミックヒータ及び不図示の温度センサが設けら
れており，冷媒循環路１１６と併せて，ＬＣＤ用ガラス
基板Ｌの温度を自動的に所望の温度に維持可能な構成と
なっている。

【００１９】また，サセプタ１１０の載置面には，伝熱
ガス供給孔１１８が複数設けられていると共に，この伝
熱ガス供給孔１１８は，伝熱ガス導入管１１８ａを介し
て，外部に設けられた不図示の伝熱ガス供給源に接続さ
れている。従って，この伝熱ガス供給源から伝熱ガス，
例えばＨｅが，伝熱ガス供給孔１１８を介してサセプタ
１１０の載置面とＬＣＤ用ガラス基板Ｌとの間に形成さ
れる微小空間に供給される構成となっている。

【００２０】また，サセプタ１１０の上方で，かつこの
サセプタ１１０の載置面の載置されたＬＣＤ用ガラス基
板Ｌの外縁部に対応する位置には，絶縁性材料，例えば
セラミックスから成る，略枠状の機械的クランプ１２０
が配置されている。また，このクランプ１２０は，例え
ばクランプ１２０と略同一の材料から成る，略棒状の支
持部材１２０ａによって支持されている。この支持部材
１２０ａは，例えばクランプ１２０の角部の裏面と，絶
縁支持部材１０８の上面とに接続されており，それら角
部に対応して４本設けられている。従って，ＬＣＤ用ガ
ラス基板Ｌを載置したサセプタ１１０が，不図示の駆動
機構の作動によって上昇することにより，ＬＣＤ用ガラ
ス基板Ｌの外縁部は，サセプタ１１０の載置面とクラン
プ１２０裏面とにより挟持され，固定される構成となっ
ている。

【００２１】また，サセプタ１１０の載置面と対向する
位置には，導電性材料，例えばアルミニウムから成る上
部電極１２２が配置されている。さらに，この上部電極
１２２には，複数の貫通孔１２２ａが設けられている。
また，上部電極１２２の上方には，上部電極支持部材１
２４が設けられており，この上部電極支持部材１２４
は，上部電極１２２と略同形で，かつ略同一材料から構
成されている。さらに，この上部電極支持部材１２４
は，絶縁性材料，例えばセラミックスから成る略環状の
絶縁リング１２６を介して，処理容器１０４の天井部１
０４ａに取り付けられている。

【００２２】また，上部電極１２２が上部電極支持部材
１２４に取り付けられた際には，上部電極１２２と上部
電極支持部材１２４との間に，空間部１２８が形成され
る構成となっている。さらに，この空間部１２８の上部
略中央には，ガス導入管１３０が接続されていると共
に，このガス導入管１３０には，バルブ１３２及び流量
調節器ＭＦＣ１３４を介して，ガス供給源１３６に接続
されている。従って，このガス供給源１３６から所定の
処理ガス，例えば酸化膜処理の場合にはＣＦ₄，アルミ
ニウム膜処理の場合にはＢＣｌ₃＋Ｃｌ₂の混合ガスが，
流量調節器１３４及びバルブ１３２を介して，一旦空間
部１２８に導入された後，上部電極１２２の貫通孔１２
２ａからＬＣＤ用ガラス基板Ｌの被処理面に向かって，
均一に吐出される構成となっている。

【００２３】一方，処理容器１０４の下部側壁には，排
気管１３８が接続されており，この排気管１３８は，真
空引き機構，例えばターボ分子ポンプから成る真空ポン
プＰ１４０に接続されている。従って，この真空ポンプ
Ｐ１４０の作動により，処理室１０２内を所定の減圧雰
囲気，例えば数ｍＴｏｒｒ〜数１００ｍＴｏｒｒまでの
任意の真空度にまで真空引きし，これを維持することが
可能なように構成されている。また，排気管１３８の処
理室１０２側開口部付近には，例えばスリット形状の排
気板１４２が取り付けられており，この排気板１４２に
よって処理室１０２内で生じた付着物が，排気管１３８
内に進入し，例えば真空ポンプＰ１４０に付着すること
を防止するように構成されている。

【００２４】また，エッチング装置１００の高周波電力
の供給系について説明すると，上部電極１２２には，上
部電極支持部材１２４，整合回路から成る第１整合器１
４４を介して第１高周波電源１４６が接続されている。
一方，サセプタ１１０には，整合回路から成る第２整合
器１４８を介して第２高周波電源１５０が接続されてい
る。そして，処理時には，上部電極１２２に対して，第
１高周波電源１４６から所定のプラズマ生成用高周波電
力，例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が印加される
ことにより，処理室１０２内に導入された処理ガスが解
離し，プラズマが励起される。また同時に，サセプタ１
１０に対して，第２高周波電源１５０から所定のバイア
ス用高周波電力，例えば３８０ｋＨｚの高周波電力が印
加されることにより，励起されたプラズマがＬＣＤ用ガ
ラス基板Ｌの被処理面に効果的に引き込まれる構成とな
っている。

【００２５】次に，本実施の形態に係る押圧部材１５２
の構成について説明する。この押圧部材１５２は，図２
に示したように，絶縁性材料，例えばセラミックスから
成る略円筒形状の支持部材１５４と，同材料から成り，
支持部材１５４の開口部１５４ａ内に挿入される略棒状
の先端部材１５６とから構成されている。また，開口部
１５４ａ内には，弾性体，例えばセラミックスバネ１５
８が内装されている。このセラミックスバネ１５８の弾
性力は，伝熱ガス供給孔１１８からＬＣＤ用ガラス基板
Ｌ裏面に供給される伝熱ガスの供給圧力よりも，実質的
に高い押圧力が得られるように設定されている。従っ
て，先端部材１５６は，このセラミックスバネ１５８の
弾性力の影響を受けると共に，開口部１５４ａ内を摺動
自在なように構成されている。また，先端部材１５６
は，この先端に向かうにつれて実質的に径が小さくなる
ように構成されており，その最先端にＬＣＤ用ガラス基
板Ｌの切りしろ領域Ｌ１を押圧するための押圧点１５６
ａが形成されている。この押圧点１５６ａは，切りしろ
領域Ｌ１よりも実質的に小さい面積を押圧するように構
成されている。なお，押圧部材１５２は，切りしろ領域
Ｌ１を押圧可能な最小限度の大きさに構成されているた
め，プラズマの流れを乱すことはない。

【００２６】そして，上記の如く構成された押圧部材１
５２は，図１及び図３に示したように，上部電極支持部
材１２４に取り付けられると共に，サセプタ１１０に載
置されたＬＣＤ用ガラス基板Ｌの略中央の切りしろ領域
Ｌ１と対向する位置に配置される構成となっている。ま
た，少なくとも先端部材１５６は，クランプ１２０より
も下方に配置される構成となっている。

【００２７】次に，本実施の形態に係る押圧部材１５２
により，切りしろ領域Ｌ１を押圧する構成について図１
及び図３を参照しながら説明する。まず，クランプ１２
０よりも下方の載置位置にあるサセプタ１１０の載置面
に，不図示の搬送アームにより処理室１０２内に搬送さ
れたＬＣＤ用ガラス基板Ｌが載置された後，不図示の駆
動機構の作動によりサセプタ１１０が所定の処理位置に
まで上昇する。次いで，このサセプタ１１０の上昇によ
り，ＬＣＤ用ガラス基板Ｌの外縁部は，サセプタ１１０
の載置面とクランプ１２０との間で挟持され固定され
る。そして，同時に，ＬＣＤ用ガラス基板Ｌの略中央，
すなわち略十字状の切りしろ領域Ｌ１の交差部分が，先
端部材１５６の押圧点１５６ａにより押圧され，サセプ
タ１１０の載置面に密着，固定される構成となってい
る。

【００２８】本実施の形態に係る押圧部材１５２は，以
上のように構成されているため，処理時に処理室１０２
内が所定の減圧雰囲気に維持され，かつＬＣＤ用ガラス
基板Ｌの裏面に所定の圧力で伝熱ガスが供給された場合
でも，ＬＣＤ用ガラス基板Ｌをサセプタ１１０の載置面
に密着させることができる。従って，伝熱効率が向上す
るため，処理時にＬＣＤ用ガラス基板Ｌに生じた熱を，
サセプタ１１０に効率よく発散させることができる。

【００２９】次に，第２の実施の形態について説明す
る。上記第１の実施の形態においては，４枚のＬＣＤ基
板を生産可能なＬＣＤ用ガラス基板Ｌ，すなわちその略
中央に切りしろ領域Ｌ１が形成されていたＬＣＤ用ガラ
ス基板Ｌを例に挙げて説明したが，さらに複数枚，例え
ば９枚のＬＣＤ基板を生産可能なＬＣＤ用ガラス基板
Ｌ’の被処理面に形成された切りしろ領域Ｌ１’を押圧
する場合には，次のような構成とすることができる。す
なわち，ＬＣＤ用ガラス基板Ｌ’には，図４に示したよ
うに，この被処理面の略中央に切りしろ領域Ｌ１’は形
成されていない。従って，例えばその被処理面の略中央
に形成されているＬＣＤ基板の４つの角部付近の切りし
ろ領域Ｌ１’を，それぞれに対応する押圧部材２００
ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄによって押圧するこ
とで，第１の実施の形態と同様の効果を得ることができ
る。なお，押圧部材２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２
００ｄの構成は，上部電極支持部材１２４への取り付け
位置以外，第１の実施の形態にかかる押圧部材１５２と
略同一である。

【００３０】次に，第３の実施の形態について説明す
る。本実施の形態においては，図５に示したように，例
えば第１の実施の形態と同様に，切りしろ領域Ｌ１が形
成されているＬＣＤ用ガラス基板Ｌの略中央の略垂直方
向上方に押圧部材３００が配置されている。なお，押圧
部材３００は，押圧部材１５２と略同一の構成となって
いる。この押圧部材３００は，上部電極１２２及び上部
電極支持部材１２４を貫通すると共に，処理容器１０４
外部に設けられている駆動機構３０２に機械的に接続さ
れている。また，駆動機構３０２は，処理容器１０４外
部上方に設けられた気密な容器３０４内に形成される機
械室３０６内に設けられる構成となっている。そして，
駆動機構３０２の作動により，押圧部材３００は上下移
動自在に構成されており，処理時には，駆動機構３０２
の作動によって押圧部材３００が下降し，この押圧部材
３００の先端部材３０８の先端に形成された押圧点３０
８ａが，例えばサセプタ１２０に載置され，クランプ１
２０により固定されたＬＣＤ用ガラス基板Ｌの略中央の
切りしろ領域Ｌ１を押圧し，固定するように構成されて
いる。

【００３１】従って，ＬＣＤ用ガラス基板Ｌが，クラン
プ１２０により固定される工程とは別に，切りしろ領域
Ｌ１を押圧することができる。その結果，ＬＣＤ用ガラ
ス基板Ｌの外縁部に加えられる押圧力と，切りしろ領域
Ｌ１に加えられる押圧力とを容易に変更可能となる共
に，ＬＣＤ用ガラス基板Ｌの状態に合わせて，それら押
圧力の微調整が可能となる。なお，第２の実施の形態の
ように，押圧部材３００をＬＣＤ用ガラス基板Ｌの被処
理面に対して略同心円状に配置して，切りしろ領域Ｌ
１’を押圧する構成とすることができることは言うまで
もない。

【００３２】次に，第４の実施の形態について説明す
る。本実施の形態にかかる押圧部材４００は，図６に示
したように，切りしろ領域Ｌ１が形成されているＬＣＤ
用ガラス基板Ｌの略中央の略垂直方向上方の上部電極１
２２に直接取り付けられる構成となっている。なお，押
圧部材４００は，押圧部材１５２と略同一の構成となっ
ている。そして，押圧部材４００の先端部材４０２は，
クランプ１２０よりも下方に配置されており，ＬＣＤ用
ガラス基板Ｌを載置したサセプタ１１０が上昇すること
によって，先端部材４０２の押圧点４０２ａに切りしろ
領域Ｌ１が押圧されることにより固定される構成となっ
ている。

【００３３】従って，サセプタ１１０に接続されている
不図示の昇降機構の作動を調整することのみで，ＬＣＤ
用ガラス基板Ｌを所望の押圧力で押圧することができ
る。また，上部電極１２２や上部電極支持部材１２４等
に，押圧部材１５２を貫通させるための貫通口を備える
といった，エッチング装置１００の構成の大幅な変更を
伴うことなく，押圧部材１５２を設けることができる。
さらに，押圧部材１５２は，処理容器１０２内に設けら
れているため，処理室１０２内の気密性を損なうことが
ない。なお，第２の実施の形態のように，押圧部材４０
０をＬＣＤ用ガラス基板Ｌの被処理面に対して略同心円
状に配置して，切りしろ領域Ｌ１’を押圧する構成とす
ることができることは言うまでもない。

【００３４】なお，上記第１〜４の実施の形態におい
て，押圧部材１５２，２００，３００又は４００を，そ
れぞれに対応する支持部材と先端部材とから構成し，さ
らにそれら押圧部材１５２，２００，３００又は４００
の内部に弾性体を設けた構成した例を挙げて説明した
が，押圧部材は次のような構成としても良い。すなわ
ち，図７に示した押圧部材５００は，絶縁性材料，例え
ばセラミックスから成る略棒状の形状であり，この押圧
部材５００のＬＣＤ用ガラス基板Ｌの被処理面方向の先
端に，耐プラズマ性の弾性体，例えば樹脂から成る先端
部材５０２が取り付けられた構成となっている。また，
この先端部材５０２は，ＬＣＤ用ガラス基板Ｌ方向に向
かうにつれて径が小さくなるように構成されており，先
端部材５０２の先端である押圧点５０２ａは，切りしろ
領域Ｌ１よりも実質的に小さい面積を押圧するように構
成されている。さらに，押圧部材５００は，切りしろ領
域Ｌ１を押圧することができる最小限の大きさで形成さ
れている。そして，押圧部材５００を，上記第１〜４の
実施の形態に適用した場合には，押圧部材５００に形成
された先端部材５０２により押圧時の衝撃を吸収するこ
とが可能となり，所望の状態でＬＣＤ用ガラス基板Ｌを
固定することができる。

【００３５】以上，本発明の好適な実施の形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更
例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及
び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと
了解される。

【００３６】例えば，上記実施の形態で説明した押圧部
材１５２，２００ａ〜２００ｄ，３００，４００又は５
００の内部，またはそれらの各々の押圧点の内部に，さ
らに押圧力検出手段を備えた構成としてもよい。この場
合には，ＬＣＤ用ガラス基板Ｌ又はＬ’の切りしろ領域
Ｌ１又はＬ１’にかかる押圧力を検出することが可能と
なる。従って，その検出された押圧力とあらかじめ設定
した圧力とを，例えば演算手段により比較し，その結果
に基づいてサセプタ１１０と押圧部材１５２，２００ａ
〜２００ｄ，３００，４００又は５００とを，適宜上下
方向に相対移動させることにより，所望の押圧力で切り
しろ領域Ｌ１又はＬ１’を押圧することができる。

【００３７】また，上記実施の形態において，押圧部材
１５２，３００，４００又は５００を，ＬＣＤ用ガラス
基板Ｌの略中央，すなわち略十字状の切りしろ領域Ｌ１
の交差部分を押圧可能なように配置した例を挙げて説明
したが，本発明はかかる構成に限定されるものではな
く，本発明を適用する装置に応じて，適宜切りしろ領域
を押圧可能な位置に押圧部材を配置した構成としても良
い。さらに，上記実施の形態において，押圧部材２００
ａ〜２００ｄを，ＬＣＤ用ガラス基板Ｌの略中央に形成
されるＬＣＤ基板の４つの角部付近の切りしろ領域Ｌ
１’を押圧可能なように配置した構成を例に挙げて説明
したが，本発明はかかる構成に限定されるものではな
く，上述したように，本発明を適用する装置に応じて，
適宜切りしろ領域を押圧可能な位置に押圧部材を配置し
た構成としても良い。

【００３８】さらに，上記実施の形態において，押圧部
材１５２，２００ａ〜２００ｄ，３００，４００又は５
００をエッチング装置１００に適用し，ＬＣＤ用ガラス
基板Ｌ又はＬ’の切りしろ領域Ｌ１又はＬ１’を押圧す
る例を挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定さ
れるものではなく，各種プラズマ装置に適用可能である
と共に，各種被処理基板に対しても押圧，固定すること
ができる。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば，押圧手段により，多面
取り用板状基板の被処理面の切りしろ領域を１又は２以
上の点で押圧することができるため，基板と載置台とを
密着させることができる。その結果，基板の冷却効率が
大幅に向上するため，高密度プラズマ源を使用したプラ
ズマ処理においても，基板が損傷を生じさせるような高
温状態にはならず，歩留りが向上し，かつ高選択比及び
高エッチングレートの処理を基板に施すことができる。
さらに，基板に歪みが生じることがないため，均一なプ
ラズマ処理を行うことができる。また，押圧部材によっ
て，基板の略中央又は基板を略同心円状に複数の点で押
圧することができるため，使用する基板に対応させて，
所望の状態で基板を固定することができる。さらに，押
圧手段の押圧点は，弾性力を有しているため，押圧時の
衝撃によって基板が損傷することがない。さらにまた，
押圧手段と載置台とは，上下方向に相対移動可能に構成
されているため，基板を移動させて押圧手段に押圧する
構成，押圧手段を移動させて基板に押圧する構成，また
は押圧手段と基板との双方を移動させて，押圧手段と基
板とを押圧させる構成のいずれによっても，所望の状態
で基板を固定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用可能なエッチング装置の実施の一
形態を示す概略的な断面図である。

【図２】図１に示したエッチング装置の押圧部材を拡大
した概略的な拡大図である。

【図３】図１に示したエッチング装置の押圧部材の押圧
構成を説明するための概略的な説明図である。

【図４】他の実施の形態にかかる押圧部材を説明するた
めの概略的な説明図である。

【図５】他の実施の形態にかかる押圧部材を説明するた
めの概略的な説明図である。

【図６】他の実施の形態にかかる押圧部材を説明するた
めの概略的な説明図である。

【図７】他の実施の形態にかかる押圧部材を説明するた
めの概略的な説明図である。

【符号の説明】

１００エッチング装置１０２処理室１１０サセプタ１２０クランプ１２２上部電極１５２押圧部材１５４支持部材１５６先端部材１５６ａ押圧点１５８セラミックスバネＬＬＣＤ用ガラス基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】気密な処理室内において，多面取り用板
状基板を，その外縁部をクランプすることにより，載置
台上に固定して，その被処理面に対して所定のプラズマ
処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において，
前記基板の被処理面の切りしろ領域を１又は２以上の点
で押圧する押圧手段を備えたことを特徴とする，プラズ
マ処理装置。
【請求項２】前記押圧手段は，前記基板の被処理面の
略中央点を押圧するものであることを特徴とする，請求
項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】前記押圧手段は，前記基板の被処理面を
略同心円状に略等間隔に配置された複数の点で押圧する
ものであることを特徴とする，請求項１又は２に記載の
プラズマ処理装置。
【請求項４】前記押圧手段の１又は２以上の押圧点
は，弾性力を有するものであることを特徴とする，請求
項１，２又は３にいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】前記押圧手段と前記載置台とは，上下方
向に相対移動可能に構成されていることを特徴とする，
請求項１，２，３又は４のいずれかに記載のプラズマ処
理装置。