JPH10281721A - 変位測定装置 - Google Patents

変位測定装置

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JPH10281721A
JPH10281721A JP9102799A JP10279997A JPH10281721A JP H10281721 A JPH10281721 A JP H10281721A JP 9102799 A JP9102799 A JP 9102799A JP 10279997 A JP10279997 A JP 10279997A JP H10281721 A JPH10281721 A JP H10281721A
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light beam
objective lens
reflected
measured
bump
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JP9102799A
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English (en)
Inventor
Yukio Nishikawa
幸男 西川
Yoshiyuki Yamada
義行 山田
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DAINIPPON KAKEN KK
Original Assignee
DAINIPPON KAKEN KK
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 被測定物の変位を被測定物全域に亘り高速に
測定することのできる変位測定装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】 変位測定装置は、バンプ2が形成された
パッケージ3を支持して移動する支持テーブル11と、
レーザビームを照射する半導体レーザ12と、コリメー
タレンズ13と、ガルバノミラー14と、対物レンズ1
5と、一対の反射ミラー16、17と、結像レンズ18
と、一次元のPSD19とを備える。対物レンズ15お
よびミラー17を介してバンプ2に照射された入射光ビ
ームB1は、バンプ2の表面で反射して反射光ビームB
2となり、ミラー16および対物レンズ15を介してガ
ルバノミラー14に入射する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は被測定物表面の変
位を測定する変位測定装置に関し、特に、半導体チップ
を装着したパッケージや基板に形成されたバンプ(金属
突起状電極)の検査装置に好適な変位測定装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】このようなバンプの検査装置において
は、バンプの高さを測定することにより、その検査を行
っている。そして、バンプの高さを測定する方法として
は、従来、共焦点方式や三角法高低測量方式が利用され
ている。
【0003】共焦点方式は、被測定物の上方に、レンズ
と微小開口と光量センサとをこの順に設け、光量センサ
で検出する被測定物表面からの反射光の光量は、レンズ
と被測定物表面との距離がレンズの焦点距離に一致した
とき最大となることを利用して、バンプの高さの変位を
測定するものである。
【0004】また、三角法高低測量方式は、被測定物の
上方から照射され、被測定物表面において所定の角度を
もって反射する光ビームの位置を光ビーム位置検出手段
で検出することによって、バンプの高さの変位を測定す
るものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記共焦点方式および
三角法高低測量方式のいずれの方式を利用する場合であ
っても、被測定物の全域において変位を測定するには、
長時間を要するという問題がある。
【0006】すなわち、被測定物の全域において変位を
測定するためには、被測定物を検査装置に対してX、Y
方向に移動させて被測定物全域を走査することになるた
め、測定に長時間を要する。変位測定を高い分解能で実
行する場合においては、測定に要する時間は特に長時間
となる。
【0007】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、被測定物の変位を被測定物全域に亘り
高速に測定することのできる変位測定装置を提供するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、被測定物表面の変位を測定する変位測定装置におい
て、光ビームを照射する光照射手段と、前記光照射手段
により照射された光ビームを偏向する偏向手段と、前記
偏向手段とその焦点距離だけ離隔して配置され前記偏向
手段により偏向された光ビームを入射される対物レンズ
と、前記対物レンズに対し前記偏向手段の逆側の位置に
おいて前記被測定物を支持する支持手段と、前記光照射
手段により照射され前記偏向手段および前記対物レンズ
を介して前記被測定物に照射される入射光ビームと前記
被測定物の表面で反射される反射光ビームとの間に所定
の角度を形成した状態で前記反射光ビームを前記対物レ
ンズに入射させるため前記対物レンズと前記被測定物と
の間に配設された反射鏡と、前記被測定物の表面で反射
され前記対物レンズを通過して前記偏向手段により偏向
された後の反射光ビームの位置を検出する光ビーム位置
検出手段と、前記支持手段を前記対物レンズに対して相
対的に一方向に移動させる移動手段とを備えたことを特
徴とする。
【0009】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、前記光ビーム位置検出手段は、一次元
の位置検出素子を使用している。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図1はこの発明に係る変位測定
装置の実施形態を示す正面図であり、図2はその右側面
図、また、図3はその平面図である。
【0011】この変位測定装置は、その表面に多数のバ
ンプ2が形成されたCSP(チップスケールパッケー
ジ、以下「パッケージ」という)3におけるバンプ高さ
の検査を行うものであり、パッケージ3を支持する支持
テーブル11と、レーザビームを照射する半導体レーザ
12と、コリメータレンズ13と、ガルバノミラー14
と、対物レンズ15と、一対の反射ミラー16、17
と、結像レンズ18と、一次元のPSD(位置検出素
子)19とを備える。
【0012】前記支持テーブル11の下面には、車輪2
2が配設されている。そして、支持テーブル11は、図
示しない駆動手段により、図1における紙面に垂直な方
向(図2における左右方向)に、一定の速度で往復移動
するように構成されている。
【0013】前記半導体レーザ12は、変位測定に使用
する入射光ビームB1としてのレーザビームを照射する
ものである。この半導体レーザ12から照射された入射
光ビームB1は、コリメータレンズ13により、平行光
に変換される。従って、上記半導体レーザ12とコリメ
ータレンズ13とは、平行光を照射する光照射手段とし
て機能する。なお、図1および図2において各々のレー
ザビームはその主光線のみを図示している。
【0014】前記ガルバノミラー14は、図示しないガ
ルバノメータに接続され、水平方向(図1における紙面
に垂直な方向)を向く軸を中心に高速で揺動可能に構成
されている。
【0015】前記対物レンズ15は、その光軸が鉛直方
向を向く状態で設置されている。そして、この対物レン
ズ15の焦点距離はfとなっている。また、この対物レ
ンズ15は、ガルバノミラー14における入射光ビーム
B1の主光線の反射位置と距離fだけ離隔した位置に配
置されている。このため、半導体レーザ12から照射さ
れ、ガルバノミラー14で反射された入射光ビームB1
は、ガルバノミラー14が図1におけるθ方向に揺動し
た場合においても、対物レンズ15を通過後は常に鉛直
方向を向く。
【0016】なお、図1および図2においては、説明の
便宜上、対物レンズ15を単一の凸レンズとして図示し
ているが、実際には複数のレンズを組み合わせたレンズ
群が採用される。
【0017】一方、図3に示すように、平面視におい
て、ガルバノミラー14に入射する入射光ビームB1の
主光線とガルバノミラー14の反射面における法線とが
なす角度はαとなっている。これにより、図2に示すよ
うに、側面視において、ガルバノミラー14で反射され
た入射光ビームB1の主光線とガルバノミラー14の反
射面における法線とがなす角度もαとなる。そして、上
述したように、ガルバノミラー14における入射光ビー
ムB1の主光線の反射位置と対物レンズ15とは、対物
レンズ15の焦点距離fだけ離隔して配置されている。
従って、ガルバノミラー14で反射された入射光ビーム
B1は、上記角度αの有無にかかわらず、対物レンズ1
5を通過後は常に鉛直方向を向く。
【0018】対物レンズ15と支持テーブル11上に載
置されたパッケージ3との間には、一対のミラー16、
17が、図2に示す側面視において左右対称な状態で配
設されている。対物レンズ15を通過した入射光ビーム
B1は、図2に示すように、ミラー17を介して支持テ
ーブル11上に載置されたパッケージ3に照射される。
そして、この入射光ビームB1は、パッケージ3におけ
るバンプ2上で反射され、図1〜3において破線で示す
反射光ビームB2となる。
【0019】なお、これらの入射光ビームB1と反射光
ビームB2とがなす角度は、図2に示す側面視において
βとなっている。また、この対物レンズ15と支持テー
ブル11上に載置されたパッケージ3におけるバンプ2
の上端との間の光路長は、入射光ビームB1および反射
光ビームB2のいずれの場合であっても、焦点距離fと
ほぼ一致している。
【0020】パッケージ3におけるバンプ2上で反射さ
れた反射光ビームB2は、ミラー16でさらに反射さ
れ、対物レンズ15の光軸に平行な鉛直方向を向く反射
光ビームB2となる。そして、ミラー16で反射された
反射光ビームB2は、対物レンズ15を通過した後、ガ
ルバノミラー14に入射する。このとき、上述したよう
に、一対のミラー16、17は左右対称な状態で配設さ
れていることから、反射光ビームB2の主光線とガルバ
ノミラー14の反射面における法線とがなす角度はαと
なる。
【0021】このため、図3に示す平面視において、ガ
ルバノミラー14から反射する反射光ビームB2の主光
線とガルバノミラー14の反射面における法線とがなす
角度もαとなる。そして、この反射光ビームB2の主光
線と光軸が一致する状態で、上記結像レンズ18とPS
D19とが配設されている。
【0022】上述した光学系において、ガルバノミラー
14が揺動した場合には、ガルバノミラー14で反射し
た入射光ビームB1は、図1に示す正面視において、符
号B11で示す位置から符号B12で示す位置までの間
を順次移動する。この間においても、対物レンズ15を
通過後の入射光ビームB1は、常に鉛直方向を向いてい
る。そして、この入射光ビームB1は、ミラー17によ
り反射された後、常に一定の角度をもって、パッケージ
3におけるバンプ2上に照射される。
【0023】従って、ガルバノミラー14の揺動に伴
い、パッケージ3の表面は、常に一定の入射角度を有す
る入射光ビームB1により一方向に走査される。そし
て、支持テーブル11がパッケージ3を支持した状態
で、入射光ビームB1の走査方向と直交する方向(図2
における左右方向)に移動することにより、パッケージ
3の表面全域が入射光ビームB1により走査されること
になる。
【0024】上述したように、このような構成の光学系
においては、半導体レーザ12から照射されコリメータ
レンズ13により平行光とされた入射光ビームB1は、
ガルバノミラー14で反射されて対物レンズ15に入射
する。そして、この入射光ビームB1は、その方向を鉛
直方向に向けられた後、ミラー17により所定の角度を
もってパッケージ3におけるバンプ2上に照射される。
【0025】一方、パッケージ3におけるバンプ2上で
反射した反射光ビームB2は、ミラー16により鉛直方
向に向けられた後、対物レンズ15を介してガルバノミ
ラー14に入射する。そして、ガルバノミラー14で反
射された反射光ビームB2は、結像レンズ18によりP
SD19上に結像される。
【0026】なお、対物レンズ15と支持テーブル11
上に載置されたパッケージ3におけるバンプ2の上端と
の間の光路長は、入射光ビームB1および反射光ビーム
B2のいずれの場合であっても焦点距離fとほぼ一致す
るように、対物レンズ15、支持テーブル11およびミ
ラー16、17が配置されている。
【0027】すなわち、支持テーブル11は、対物レン
ズ15に対しガルバノミラー14の逆側の位置におい
て、パッケージ3のバンプ2が対物レンズ15からその
焦点距離と略等しい光路長だけ離隔する状態でパッケー
ジ3を支持する支持手段として機能する。このため、例
えば入射光ビームB1はパッケージ3におけるバンプ2
の上端で焦点を結ぶ。
【0028】但し、この光学系はテレセントリック光学
系となっていることから、対物レンズ15と支持テーブ
ル11上に載置されたパッケージ3におけるバンプ2の
上端との間の光路長が焦点距離fから多少ずれたとして
も、像が若干ぼける以外には、特に問題は生じない。
【0029】このような構成において、図4に誇張して
示すように、パッケージ3におけるバンプ2の上端の高
さが変わり、入射光ビームB1の反射位置の高さがHだ
け変化した場合には、反射光ビームB2の主光線とガル
バノミラー14の反射面における法線とがなす角度αは
α2に変化する。これに伴い、図3に示す平面視におい
て、ガルバノミラー14により反射された反射光ビーム
B2の主光線とガルバノミラー14の反射面における法
線とがなす角度αもα2となる。そして、PSD19は
集光レンズ18の焦点位置に配置されている。このた
め、バンプ2の高さが変化した場合には、ガルバノミラ
ー14で反射された反射光ビームB2は、水平方向にの
みその位置が変化する。従って、この反射光ビームB2
の位置をPSD19により検出することで、バンプ2の
高さの変位を測定することができる。
【0030】すなわち、被測定物たるバンプ2の表面で
反射され対物レンズ15を通過してガルバノミラー14
により偏向された後の反射光ビームB2の位置の変化量
をPDS19により測定することで、バンプ2の高さの
変位量を測定しうることになる。そして、上述した条件
は、ガルバノミラー14が揺動することにより入射光ビ
ームB1が、図1に示す正面視において、符号B11で
示す位置から符号B12で示す位置までの間を順次移動
した場合においても変化しない。このため、上述したよ
うに、ガルバノミラー14を揺動させることにより入射
光ビームB1を一方向に走査させながら、パッケージ3
を入射光ビームB1の走査方向と交差する方向に走行さ
せることで、パッケージ3全面の変位を測定することが
可能となる。
【0031】より具体的には、半導体レーザ12からレ
ーザビームを照射するとともにガルバノミラー14を揺
動させることにより、入射光ビームB1を一方向に走査
させる。また、支持テーブル11上にパッケージ3を支
持した状態で、支持テーブル11を前記走査方向と直交
する方向に走行させる。そして、パッケージ3上に形成
されたバンプ2の表面で反射され対物レンズ15を通過
してガルバノミラー14により偏向された後の反射光ビ
ームB2の水平方向の位置の変化量を、継続してPDS
19により測定する。これにより、パッケージ3上に形
成されたバンプ2の高さの変位をパッケージ3の全面に
おいて測定することができる。
【0032】このとき、PSD19により測定された反
射光ビームB2の位置の変化量と、ガルバノミラー14
の揺動角度位置や支持テーブル11の移動位置等から測
定される入射光ビームB1の走査位置から、パッケージ
3上に形成されたバンプ2の平面的な位置との高さの変
位との関係をパッケージ全面において測定、記憶するよ
うに構成してもよい。
【0033】なお、上述した実施の形態において、バン
プ2表面で反射する時点における入射光ビームB1と反
射光ビームB2とがなす角度β(図2参照)は、80°
〜90°とすることが好ましい。この角度βを過度に小
さくした場合には、バンプ2の高さの変位量に対しガル
バノミラー14により偏向された後の反射光ビームB2
の水平方向の位置の変化量が小さくなることから、測定
精度が劣化する。一方、この角度βを過度に大きくした
場合には、入射光ビームB1によるバンプ2上の照射領
域が変形して一方向に拡大することから、バンプ2の表
面形状等の影響を受けて測定誤差を生じやすい。
【0034】以上のように、上述した実施形態に係る変
位測定装置によれば、パッケージ3の全域に形成された
バンプ2の高さの変位を高速に測定することができる。
【0035】このとき、バンプ2に高さの変化が生じた
場合、ガルバノミラー14により偏向された後の反射光
ビームB2は一方向にのみ移動する。従って、この位置
の変化を一次元のPSD19で検出することが可能とな
る。一般に、一次元のPSD19は2次元のPSDに比
べ、高い応答速度と10〜20倍程度の高い位置分解能
とを有する。このため、バンプ2の高さの変位を高速か
つ高精度で測定することができる。なお、一次元のPS
D19に換えて、一次元のCCDカメラなど、他の一次
元の位置検出手段を使用してもよい。
【0036】また、半導体レーザ12から照射された入
射光ビームB1をガルバノミラー14を利用してパッケ
ージ3の全域に走査させるとともに、パッケージ3から
の反射光ビームB2を同一のガルバノミラー14を利用
してPSD19に入射させるため、装置全体の構成を簡
易化することができる。
【0037】さらに、入射光ビームB1は、ガルバノミ
ラー14の角度位置にかかわらず、常に一定の角度でパ
ッケージ3におけるバンプ2に入射する。このため、パ
ッケージ3の全領域において常に同一の照射条件でバン
プ2の高さを測定することができ、その変位の測定精度
を向上することが可能となる。
【0038】なお、上述した実施の形態においては、被
測定物としてのバンプ2に照射される入射光ビームB1
とバンプ2の表面で反射される反射光ビームB2との間
に角度βを形成した状態で反射光ビームB2を対物レン
ズ15に入射させるための反射鏡として、一対のミラー
16、17を使用しているが、このような反射鏡として
他の形態のものを使用してもよい。
【0039】図5は、このような変形例に係る反射鏡の
構成を示す正面図である。なお、上述した実施の形態と
同一の部材については、同一の符号を付している。
【0040】この実施形態においては、反射鏡として単
一のプリズム23を使用している。そして、このプリズ
ム23の一部表面にアルミニュウム薄膜と黒色塗料とを
この順にコーティングすることにより、4個の反射面2
4、25、26、27を形成している。対物レンズ15
を通過した入射光ビームB1は、プリズム23に入射し
た後、反射面24および27で反射してパッケージ3の
バンプ2に照射される。また、バンプ2で反射された反
射光ビームB2は、反射面25および26で反射し、鉛
直方向を向く反射光ビームB2となって対物レンズ15
に入射する。
【0041】図6は、さらに他の変形例に係る反射鏡の
構成を示す正面図である。なお、上述した実施の形態と
同一の部材については、同一の符号を付している。
【0042】この実施形態においては、反射鏡として単
一のミラー36を使用している。対物レンズ15を通過
した入射光ビームB1は、直接パッケージ3のバンプ2
に照射される。また、バンプ2で反射された反射光ビー
ムB2は、ミラー36で反射し、鉛直方向を向く反射光
ビームB2となって対物レンズ15に入射する。
【0043】また、上述した実施の形態においては、入
射光ビームB1および反射光ビームB2を偏向する偏向
手段としてガルバノミラー14を使用しているが、ポリ
ゴンミラー等の他の偏向手段を利用してもよい。
【0044】さらに、上述した実施の形態においては、
被測定物としてのバンプ2が形成されたパッケージ3を
一方向に移動させているが、対物レンズ15を含む光学
系を一方向に移動させてもよい。
【0045】また、上述した実施の形態においては、被
測定物としてバンプ2が形成されたパッケージ3を使用
しているが、その他の各種の被測定物の変位を被測定物
全域に亘り測定することも可能である。
【0046】
【発明の効果】請求項1に記載の発明は、被測定物表面
の変位を測定する変位測定装置において光ビームを照射
する光照射手段と、光照射手段により照射された光ビー
ムを偏向する偏向手段と、偏向手段とその焦点距離だけ
離隔して配置され偏向手段により偏向された光ビームを
入射される対物レンズと、対物レンズに対し偏向手段の
逆側の位置において被測定物を支持する支持手段と、光
照射手段により照射され偏向手段および対物レンズを介
して被測定物に照射される入射光ビームと被測定物の表
面で反射される反射光ビームとの間に所定の角度を形成
した状態で反射光ビームを対物レンズに入射させるため
対物レンズと被測定物との間に配設された反射鏡と、被
測定物の表面で反射され対物レンズを通過して偏向手段
により偏向された後の反射光ビームの位置を検出する光
ビーム位置検出手段と、支持手段を対物レンズに対して
相対的に一方向に移動させる移動手段とを備えることか
ら、被測定物の変位を被測定物全域に亘り高速に測定す
ることができる。このとき、光照射手段により照射され
た光ビームと被測定物の表面で反射された光ビームとを
同一の偏向手段を使用して偏向するため、装置の構成を
簡易なものとすることができる。
【0047】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、光ビーム位置検出手段として一次元の
位置検出素子を使用するため、被測定物の変位を高速か
つ高精度で測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る変位測定装置の実施形態を示す
正面図である。
【図2】この発明に係る変位測定装置の実施形態を示す
右側面図である。
【図3】この発明に係る変位測定装置の実施形態を示す
平面図である。
【図4】反射位置の高さの変化に伴う反射光ビームB2
の変位を示す説明図である。
【図5】反射鏡の変形例を示す正面図である。
【図6】反射鏡の変形例を示す正面図である。
【符号の説明】
2 バンプ 3 パッケージ 11 支持テーブル 12 半導体レーザ 13 コリメータレンズ 14 ガルバノミラー 15 対物レンズ 16 反射ミラー 17 反射ミラー 18 結像レンズ 19 PSD 22 車輪 23 プリズム 24、25、26、27 反射面 B1 入射光ビーム B2 反射光ビーム

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被測定物表面の変位を測定する変位測定
    装置において、 光ビームを照射する光照射手段と、 前記光照射手段により照射された光ビームを偏向する偏
    向手段と、 前記偏向手段とその焦点距離だけ離隔して配置され、前
    記偏向手段により偏向された光ビームを入射される対物
    レンズと、 前記対物レンズに対し前記偏向手段の逆側の位置におい
    て、前記被測定物を支持する支持手段と、 前記光照射手段により照射され前記偏向手段および前記
    対物レンズを介して前記被測定物に照射される入射光ビ
    ームと、前記被測定物の表面で反射される反射光ビーム
    との間に所定の角度を形成した状態で、前記反射光ビー
    ムを前記対物レンズに入射させるため、前記対物レンズ
    と前記被測定物との間に配設された反射鏡と、 前記被測定物の表面で反射され前記対物レンズを通過し
    て前記偏向手段により偏向された後の反射光ビームの位
    置を検出する光ビーム位置検出手段と、 前記支持手段を前記対物レンズに対して相対的に一方向
    に移動させる移動手段と、 を備えたことを特徴とする変位測定装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の変位測定装置におい
    て、 前記光ビーム位置検出手段は、一次元の位置検出素子で
    ある変位測定装置。
JP9102799A 1997-04-03 1997-04-03 変位測定装置 Pending JPH10281721A (ja)

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