JP2970202B2 - リード形状測定装置 - Google Patents
リード形状測定装置Info
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
関し、特にリード形状がJリードタイプの半導体素子の
リード形状を測定するリード形状測定装置に関する。
を参照して説明する。
図、図3(a)は半導体素子の斜視図、図3(b),
(c)は図3(a)の半導体素子のリード部分の部分破
断側面図である。
ように、半導体ペレットを封止したパッケージ22に外
部配線のためのリード21が複数設けられた構造をして
いる。
電極にハンダ付により接続固定されている。その時、図
3(b),(c)に示すように、リード21の一部が折
れ曲ったりして、リード21aに示すように、変形して
高さが不均一になっていたり、リード21bに示すよう
に、変形して最低の高さの位置が横にずれていたりする
と、溶融したハンダが十分に流れ込まず、正常なハンダ
付ができなくなる。
の高さと位置を測定して不良を検出して矯正する必要が
ある。
拡大投影機などを使用して目視作業により上記の測定、
矯正を行っている。特にリードの最下点の位置は、ほと
んど判定できず、リード全体の形状から推定している。
形状の測定は、目視作業となっているので、作業に多く
の時間と労力がかかり、能率が悪く、判断基準にばらつ
きがあるので、測定精度が悪いという欠点がある。
せ、そのレーザ光を投光レンズを通して半導体素子に照
射し、その反射レーザ光を2個のシリンドリカルレンズ
で一次元センサに集光させて検出することにより、上記
の欠点を解消し、半導体素子形状、特にJリードタイプ
の各リードの最下点と最下点の位置を高速高精度に測定
するリード形状測定装置を提供することにある。
装置は、第一のレーザ光を出射するレーザ装置と、第一
のレーザ光を一方向に走査するミラーと、走査された第
一のレーザ光を集光して半導体素子のリードに斜角より
平行に第二のレーザ光を走査する投光レンズと、第二の
レーザ光がリードで反射して得られた第三のレーザ光の
走査方向と凸面の曲率半径の方向を直交して設けられた
第一のシリンドリカルレンズと、第三のレーザ光が第一
のシリンドリカルレンズを通過して得られた第四のレー
ザ光の走査方向と凸面の曲率半径の方向を平行にして設
けられた第二のシリンドリカルレンズと、第四のレーザ
光が第二のシリンドリカルレンズで集光して得られたビ
ームスポットを受光してその位置を検出する一次元セン
サと、一次元センサの出力からリードの高さを求める高
さ検出回路と、第二のレーザ光の走査方向の各位置の高
さ情報を収納する高さラインメモリと、任意の位置にお
ける高さ検出回路からの高さデータが高さラインメモリ
内のデータより低い場合に高さラインメモリ内のデータ
を高さ検出回路からのデータに書き替えるとともにアド
レス情報を収納するアドレスラインメモリにその時の走
査回数のデータを書き込む比較器と、第二のレーザ光の
走査位置と半導体素子とをリードの長手方向に相対的に
移動させる手段とを有している。
て説明する。
装置の斜視図、図2は図1のリード形状測定装置の動作
を説明するための斜視図、図3は半導体素子の斜視図と
部分破断側面図、図3(a)は半導体素子の斜視図、図
3(b),(c)は図3(a)の半導体素子のリード部
分の部分破断側面図である。
光2を出射するレーザ装置1と、第一のレーザ光2を一
方向に走査するガルバノミラー3と、ガルバノミラー3
の走査の中心に一方の焦点を合せて設けられ走査された
レーザ光2をほぼ45°の角度で半導体素子20のリー
ド21にレーザ光2aとして入射させリード21にスポ
ット状に焦点を結ばせる投光レンズ4と、それぞれのリ
ード21から反射したレーザ光2bを入射しレーザ光2
bの走査方向と直角に凸面の曲率半径の方向を向けて設
けられた第一のシリンドリカルレンズ5と、第一のシリ
ンドリカルレンズ5を透過して得られたレーザ光2cの
走査方向と平行に凸面の曲率半径の方向を向けて設けら
れた第二のシリンドリカルレンズ6と、第二のシリンド
リカルレンズ6の焦点位置に設けられ第二のシリンドリ
カルレンズ6を透過して得られたレーザ光2dが結像し
たビームスポット7aの位置を検出する一次元センサ7
と、一次元センサ7の出力からリードの高さを求める高
さ検出回路8と、第二のレーザ光の走査方向の各位置の
高さ情報を収納する高さラインメモリ10と、任意の位
置における高さ検出回路8からの高さデータHが高さラ
インメモリ10内のデータより低い場合に高さラインメ
モリ10内のデータを高さ検出回路8からのデータに書
き替えるとともにアドレスラインメモリ11にその時の
走査回数のデータを書き込む比較器9と、レーザ光2a
の走査位置と半導体素子20とをリード21の長手方向
に相対的に移動させる手段(図示せず)とから構成され
ている。
作について図面を参照して説明する。
から出射されたレーザ光2は、ガルバノミラー3により
一方向に走査され、走査の中心が投光レンズ4の焦点の
位置にあるため、投光レンズ4を通過したレーザ光2a
は収束されて平行に走査される。この収束されて平行に
走査されたレーザ光2aは、投光レンズ4の焦点位置に
設置された半導体素子20のリード21にほぼ45°の
角度で照射され、リード21上に微小スポットに集光
し、リード21の表面で反射する。
は、走査方向と、走査と直角方向に分けて説明する。
と、第二のシリンドリカルレンズ6は、単なるガラス板
と考えることができる。従って、リード21からの反射
光2bは、第一のシリンドリカルレンズ5により一次元
センサ7上に結像される。
ド21aとなると、リード21aからの反射レーザ光1
2bは、第一のシリンドリカルレンズ5により反射レー
ザ光12cとなり一次元センサ7上に結像されるが、そ
の結像されたビームスポット17aの位置は、正規のビ
ームスポット7aの位置と異なる。この変化を一次元セ
ンサ7に配線された高さ検出回路8によりリード高さと
して検出する。
示すように、リード21からの反射光であるレーザ光2
bは、それ自体拡散光となるが、平行に走査される状態
を保っている。第一のシリンドリカルレンズ5は、レー
ザ光2bの走査方向と凸面の曲率半径が直交しているの
で、レーザ光2bはそのまま通過し、それ自体平行に走
査されたレーザ光2cとなる。続いて、第二のシリンド
リカルレンズ6は、凸面の曲率半径の方向が第四のレー
ザ光2cの走査方向と平行なので、屈折され、第二のシ
リンドリカルレンズ6の焦点に設けられた一次元センサ
7上で走査に関係なく、一点に集められることになる。
すなわち、半導体素子20の各リード21からの反射光
は、一次元センサ7上に結像されるので、図2に示すよ
うに、各リード21の走査された位置のリード高さを測
定することができる。
と、半導体素子20とをリード21の長手方向に相対的
に移動させることにより、各リード21の各走査位置の
高さを測定できる。高さラインメモリ10には、あらか
じめ基準より大きなデータを入れておき、高さ検出回路
8から得られる高さデータHと、その一走査中の位置に
対応するラインメモリ10のデータとを比較器9により
比較し、高さ検出回路8からのデータHのほうがより低
い値ならば、その一走査中の位置に対応するラインメモ
リ10のデータを高さ検出回路からのデータHに書き換
えていく。また、その一走査中の位置に対応するアドレ
スラインメモリ11には、何回目の走査なのか、すなわ
ちどの走査位置かを書き込んでいく。
には高さラインメモリ10には、各リードの最下点の高
さデータが、また、アドレスラインメモリ11には、各
リードの最下点の走査位置、すなわちリード長手方向の
位置が得られる。
査させるものとして、ガルバノミラーを用いて説明した
が、ポリゴンミラー等他の方式を用いても同じに実施す
ることができる。
状測定装置は、目視作業の代りに、レーザ光2をガルバ
ノミラー3により回転走査し、半導体素子20の各リー
ドからの反射光を、2個の互に凸面の曲率半径の方向が
直交して設けた第二のシリンドリカルレンズ5と第二の
シリンドリカルレンズ6で集光して一次元センサ7上に
結像し、また、走査位置をリード21の長手方向に移動
させ、各リードの高さ情報を得るとともに、比較器9と
高さラインメモリ10及びアドレスラインメモリ11を
用いて各リードの最下点の高さと位置を求めるようにす
ることにより、リードの形状測定の能率を向上でき、ま
た、測定精度も高くできるという効果がある。
図である。
めの斜視図である。
図3(a)は半導体素子の斜視図である。図3(b),
(c)は図3(a)の半導体素子のリード部分の部分破
断側面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 第一のレーザ光を出射するレーザ装置
と、前記第一のレーザ光を一方向に走査するミラーと、
前記走査された第一のレーザ光を集光して半導体素子の
リードに斜角より平行に第二のレーザ光を走査する投光
レンズと、前記第二のレーザ光が前記リードで反射して
得られた第三のレーザ光の走査方向と凸面の曲率半径の
方向を直交して設けられた第一のシリンドリカルレンズ
と、前記第三のレーザ光が前記第一のシリンドリカルレ
ンズを通過して得られた第四のレーザ光の走査方向と凸
面の曲率半径の方向を平行にして設けられた第二のシリ
ンドリカルレンズと、前記第四のレーザ光が前記第二の
シリンドリカルレンズで集光して得られたビームスポッ
トを受光してその位置を検出する一次元センサと、前記
一次元センサの出力からリードの高さを求める高さ検出
回路と、前記第二のレーザ光の走査方向の各位置の高さ
情報を収納する高さラインメモリと、任意の位置におけ
る前記高さ検出回路からの高さデータが前記高さライン
メモリ内のデータより低い場合に前記高さラインメモリ
内のデータを前記高さ検出回路からのデータに書き替え
るとともにアドレス情報を収納するアドレスラインメモ
リにその時の走査回数のデータを書き込む比較器と、前
記第二のレーザ光の走査位置と前記半導体素子とをリー
ドの長手方向に相対的に移動させる手段とを有すること
を特徴とするリード形状測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10258892A JP2970202B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | リード形状測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10258892A JP2970202B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | リード形状測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0674718A JPH0674718A (ja) | 1994-03-18 |
JP2970202B2 true JP2970202B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14331395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10258892A Expired - Lifetime JP2970202B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | リード形状測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2970202B2 (ja) |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP10258892A patent/JP2970202B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0674718A (ja) | 1994-03-18 |
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