JPH10281334A - サックバックバルブ - Google Patents

サックバックバルブ

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JPH10281334A
JPH10281334A JP9088558A JP8855897A JPH10281334A JP H10281334 A JPH10281334 A JP H10281334A JP 9088558 A JP9088558 A JP 9088558A JP 8855897 A JP8855897 A JP 8855897A JP H10281334 A JPH10281334 A JP H10281334A
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suck
diaphragm
fluid
pressure
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Katsuhiko Odajima
勝彦 小田島
Kenichi Kurosawa
賢一 黒澤
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    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K23/00Valves for preventing drip from nozzles
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/005Control of flow characterised by the use of auxiliary non-electric power combined with the use of electric means

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Abstract

(57)【要約】 【課題】パイロット圧並びに吸引される圧力流体の流量
を高精度に制御することにある。 【解決手段】サックバックバルブ20は、メインコント
ローラ108から導出される付勢信号・滅勢信号に基づ
いて、第3ダイヤフラム86によって吸引される圧力流
体の流量を電気的に制御する第2電磁弁106と、第3
ダイヤフラム86の変位量を検出し、その検出信号を前
記メインコントローラ108に導出するエンコーダ93
とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤフラムの変
位作用下に流体通路を流通する所定量の圧力流体を吸引
することにより、例えば、前記圧力流体の供給口の液だ
れを防止することが可能なサックバックバルブに関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来から、例えば、半導体ウェハ等の製
造工程においてサックバックバルブ(suck back valve
)が使用されている。このサックバックバルブは、半
導体ウェハに対するコーティング液の供給を停止した
際、供給口から微量のコーティング液が半導体ウェハに
向かって滴下する、いわゆる液だれを防止する機能を有
する。
【0003】ここで、従来技術に係るサックバックバル
ブを図6に示す(例えば、実公平8−10399号公報
参照)。
【0004】このサックバックバルブ1は、流体導入ポ
ート2と流体導出ポート3とを連通させる流体通路4が
形成された弁本体5と、前記弁本体5の上部に連結され
るボンネット6とを有する。前記流体通路4の中央部に
は、厚肉部および薄肉部から構成されたダイヤフラム7
が設けられている。前記ボンネット6には、図示しない
圧力流体供給源に接続され、切換弁(図示せず)の切換
作用下に前記ダイヤフラム作動用の圧縮空気を供給する
圧力流体供給ポート8が形成される。
【0005】前記ダイヤフラム7にはピストン9が嵌合
され、前記ピストン9には、弁本体5の内壁面を摺動す
るとともにシール機能を営むvパッキン10が装着され
ている。また、弁本体5内には、ピストン9を上方に向
かって常時押圧するスプリング11が設けられている。
【0006】ボンネット6の上部には、ねじ込み量の増
減作用下に、ピストン9に当接して該ピストン9の変位
量を調整することにより、ダイヤフラム7によって吸引
されるコーティング液の流量を調整するねじ部材12が
設けられる。
【0007】前記流体導入ポート2には、コーティング
液が貯留された図示しないコーティング液供給源がチュ
ーブ等の管路を介して接続され、さらに、前記コーティ
ング液供給源と前記流体導入ポート2との間には、サッ
クバックバルブ1と別体で構成されたオン/オフ弁(図
示せず)が接続されている。このオン/オフ弁は、その
付勢・滅勢作用下に該サックバックバルブ1に対するコ
ーティング液の供給状態と供給停止状態とを切り換える
機能を営む。
【0008】このサックバックバルブ1の概略動作を説
明すると、流体導入ポート2から流体導出ポート3に向
かってコーティング液が供給されている通常の状態で
は、圧力流体供給ポート8から供給された圧縮空気の作
用下にピストン9およびダイヤフラム7が下方向に向か
って一体的に変位し、ピストン9に連結されたダイヤフ
ラム7が、図6中、二点鎖線で示すように流体通路4内
に突出している。
【0009】そこで、図示しないオン/オフ弁の切換作
用下に流体通路4内のコーティング液の流通を停止した
場合、圧力流体供給ポート8からの圧縮空気の供給を停
止させることにより、スプリング11の弾発力の作用下
にピストン9およびダイヤフラム7が一体的に上昇し、
前記ダイヤフラム7の負圧作用下に流体通路4内に残存
する所定量のコーティング液が吸引され、図示しない供
給口における液だれが防止される。
【0010】この場合、コーティング液の吸引量はピス
トン9の変位量に対応し、前記ピストン9はねじ部材1
2によってその変位量が調整されている。
【0011】ところで、前記の従来技術に係るサックバ
ックバルブ1では、圧力流体供給ポート8に供給される
圧縮空気の流量を高精度に調整するために、チューブ等
の管体を通じて図示しない流体圧制御装置が圧力流体供
給ポート8に接続される。この流体圧制御装置は、サッ
クバックバルブ1とは別体で形成され、電気信号を空気
圧に変換するバイモル圧電素子(bimorph cell)が配設
される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
従来技術に係るサックバックバルブでは、コーティング
液の吸引量の調整を、手動によってねじ部材のねじ込み
量の増減作用下に行っているため、前記コーティング液
の吸引量を高精度に制御することができないという不都
合がある。この場合、一旦設定されたねじ部材のねじ込
み量を、コーティング液の供給量に対応してその都度調
整しなければならず、煩雑でもある。
【0013】また、従来技術に係るサックバックバルブ
では、流体圧制御装置に設けられたバイモル圧電素子が
有するヒステリシスの作用下に印加される電圧に対する
変位量の再現性に若干難点があるため、圧力流体供給ポ
ートに供給される圧縮空気の流量を高精度に制御するこ
とが困難となり、コーティング液を吸引する際のピスト
ンの変位速度を高精度に制御することができないという
不都合がある。
【0014】さらに、従来技術に係るサックバックバル
ブを用いた場合、該サックバックバルブと流体制御装置
との間、並びに該サックバックバルブとオン/オフ弁と
の間の配管接続作業が必要となって煩雑であるととも
に、サックバックバルブ以外に流体圧制御装置とオン/
オフ弁とをそれぞれ付設するための占有スペースが必要
となり、設置スペースが増大するという不都合がある。
【0015】さらにまた、サックバックバルブと流体圧
制御装置との間に接続される配管によって流路抵抗が増
大し、ダイヤフラムの応答精度が劣化するという不都合
がある。
【0016】またさらに、オン/オフ弁のオン状態とオ
フ状態とを切り換えるための駆動装置が別途必要とな
り、前記オン/オフ弁と駆動装置との配管接続作業が煩
雑であるとともに、コストが高騰するという不都合があ
る。
【0017】本発明は、前記の種々の不都合を悉く克服
するためになされたものであり、配管接続作業を不要と
するとともに設置スペースの縮小化を図り、ダイヤフラ
ムの応答精度を向上させ、しかもパイロット圧並びに吸
引される圧力流体の流量を高精度に制御することが可能
なサックバックバルブを提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明は、流体通路を有し、一端部に第1ポート
が形成され他端部に第2ポートが形成された継手部と、
パイロット圧によって変位する可撓性部材の負圧作用に
よって前記流体通路内の圧力流体を吸引するサックバッ
ク機構と、前記パイロット圧の作用下に前記流体通路を
開閉するオン/オフ弁と、前記サックバック機構によっ
て吸引される圧力流体の流量を電気的に制御する吸引量
制御手段が設けられた制御部と、前記可撓性部材の変位
量を検出し、その検出信号を前記制御部に導出する変位
量検出手段と、を備えることを特徴とする。
【0019】本発明によれば、変位量検出手段から導出
される検出信号に基づいて、吸引量制御手段は、可撓性
部材によって吸引される圧力流体の流量を電気的に且つ
高精度に制御する。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明に係るサックバックバルブ
について好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照し
ながら以下詳細に説明する。
【0021】図1において参照数字20は、本発明の実
施の形態に係るサックバックバルブを示す。このサック
バックバルブ20は、一組のチューブ22a、22bが
着脱自在に所定間隔離間して接続される継手部24と、
前記継手部24の上部に設けられ内部にオン/オフ弁2
6およびサックバック機構28(図2参照)を有する弁
駆動部30と、前記オン/オフ弁26およびサックバッ
ク機構28にそれぞれ供給される圧力流体を切り換え制
御するとともに、前記オン/オフ弁26およびサックバ
ック機構28に供給される圧力流体の圧力(パイロット
圧)を制御する制御部32とから構成される。なお、前
記継手部24、弁駆動部30および制御部32は、図1
に示されるように一体的に組み付けられる。
【0022】図2に示されるように、継手部24には、
一端部に第1ポート34が、他端部に第2ポート36が
形成されるとともに、前記第1ポート34と第2ポート
36とを連通させる流体通路38が設けられた継手ボデ
イ40と、前記第1ポート34および第2ポート36に
それぞれ係合し、且つチューブ22a、22bの開口部
に挿入されるインナ部材42と、前記継手ボデイ40の
端部に刻設されたねじ溝に螺入することによりチューブ
22a、22bの接続部位の液密性を保持するロックナ
ット44とを有する。
【0023】第1ポート34に近接する継手部24の上
部にはオン/オフ弁26が配設され、前記オン/オフ弁
26は、継手ボデイ40と一体的に連結された第1弁ボ
デイ46と、前記第1弁ボデイ46の内部に形成された
シリンダ室48に沿って矢印X1 またはX2 方向に変位
するピストン50と、前記シリンダ室48を気密に閉塞
するカバー部材52とを有する。なお、前記カバー部材
52は、サックバック機構28まで延在している。
【0024】前記ピストン50とカバー部材52との間
には、ばね部材54が介装され、前記ばね部材54の弾
発力によって該ピストン50が、常時、下方側(矢印X
2 方向)に向かって付勢された状態にある。
【0025】前記ピストン50の下端部には、第1ダイ
ヤフラム56によって閉塞された第1ダイヤフラム室5
8が形成され、前記第1ダイヤフラム56は、ピストン
50の下端部に連結されて該ピストン50と一体的に変
位するように設けられる。この場合、前記第1ダイヤフ
ラム56は、継手ボデイ40に形成された着座部59か
ら離間し、または前記着座部59に着座することにより
流体通路38を開閉する機能を営む。従って、オン/オ
フ弁26の開閉作用下に、流体通路38を流通する圧力
流体(例えば、コーティング液)の供給状態またはその
供給停止状態が切り換えられる。
【0026】また、第1ダイヤフラム56の上面部に
は、該第1ダイヤフラム56の薄肉部を保護するリング
状の緩衝部材60が設けられ、前記緩衝部材60はピス
トン50の下端部に連結された断面L字状の保持部材6
2によって保持される。
【0027】前記第1弁ボデイ46には、後述する流量
制御手段とオン/オフ弁26のシリンダ室48とを連通
させる第1パイロット通路64が形成される。この場
合、流量制御手段の制御作用下に前記第1パイロット通
路64を介してシリンダ室48内に圧力流体(パイロッ
ト圧)を供給することにより、ばね部材54の弾発力に
抗してピストン50が上昇する。従って、第1ダイヤフ
ラム56が着座部59から所定間隔離間することにより
流体通路38が開成し、第1ポート34から第2ポート
36側に向かってコーティング液が流通する。
【0028】また、第1弁ボデイ46には、第1ダイヤ
フラム室58を大気に連通させる通路66が形成され、
前記通路66を介して第1ダイヤフラム室58内のエア
ーを給排気することにより第1ダイヤフラム56を円滑
に作動させることができる。なお、参照数字68は、シ
リンダ室48の気密性を保持するためのシール部材を示
し、参照数字70は、ピストン50に当接して緩衝機能
を営む緩衝部材を示す。
【0029】第2ポート36に近接する継手部24の上
部にはサックバック機構28が設けられ、前記サックバ
ック機構28は、継手ボデイ40および第1弁ボデイ4
6と一体的に連結された第2弁ボデイ72と、前記第2
弁ボデイ72の内部に形成された室74に沿って矢印X
1 またはX2 方向に変位するステム76とを有する。前
記室74内には、ステム76のフランジに係着されその
弾発力によって該ステム76を、常時、上方側(矢印X
1 方向)に向かって付勢するばね部材78が配設されて
いる。
【0030】前記ステム76の上部には該ステム76の
上面部に係合する第2ダイヤフラム80が張設され、前
記第2ダイヤフラム80の上方にはパイロット圧が供給
されることにより該第2ダイヤフラム80を作動させる
第2ダイヤフラム室(パイロット室)82が形成され
る。前記ステム76の上面部には、第2ダイヤフラム8
0を貫通して連結されたシャフト83が設けられ、前記
シャフト83はステム76と一体的に変位するように形
成される。この場合、第2ダイヤフラム80の薄肉部と
ステム76との間には、例えば、ゴム材料等によって形
成された緩衝部材84が介装される。
【0031】一方、ステム76の下端部には第3ダイヤ
フラム86によって閉塞される第3ダイヤフラム室88
が形成され、前記第3ダイヤフラム86は、ステム76
に連結されて該ステム76と一体的に変位するように設
けられる。
【0032】前記第3ダイヤフラム86の上面部には、
該第3ダイヤフラム86の薄肉部を保護するリング状の
緩衝部材90が設けられ、前記緩衝部材90はステム7
6の下端部に連結された断面L字状の保持部材92によ
って保持される。
【0033】前記第2弁ボデイ72には、第3ダイヤフ
ラム室88を大気に連通させる通路98が形成され、一
方、カバー部材52には、前記第2ダイヤフラム室82
にパイロット圧を供給する第2パイロット通路100が
形成されている。
【0034】前記カバー部材52の凹部91には、シャ
フト83を介して第2ダイヤフラム80の変位量を検出
するエンコーダ93が固設される。このエンコーダ93
は、実質的にアブソリュートタイプからなり、エンコー
ダ本体95側に固定された図示しないフォトセンサと、
ガラス基板に一定の間隔でスケール値が形成されシャフ
ト83側に固着された図示しないガラススケールとを有
する。
【0035】この場合、第2ダイヤフラム80と一体的
に変位するシャフト83の変位量がガラススケールを介
して図示しないフォトセンサによって検出され、前記フ
ォトセンサから導出される検出信号は、図示しないリー
ド線を介してメインコントロールユニット108に入力
される。
【0036】制御部32は、弁駆動部30を構成する第
1弁ボデイ46および第2弁ボデイ72と一体的に組み
付けられたボンネット102を有し、前記ボンネット1
02には、圧力流体供給ポート103aおよび圧力流体
排出ポート103bが形成されている。
【0037】前記ボンネット102の内部には、実質的
に2ポート弁用3方弁として機能し、前記オン/オフ弁
26のシリンダ室48に供給されるパイロット圧を制御
する第1電磁弁104と、実質的に2ポート弁用3方弁
として機能し、前記サックバック機構28の第2ダイヤ
フラム室82に供給されるパイロット圧を制御する第2
電磁弁106とが配設されている。
【0038】前記第1電磁弁104および第2電磁弁1
06は、それぞれノーマルクローズタイプからなり、メ
インコントロールユニット108からそれぞれ第1電磁
弁104、第2電磁弁106の電磁コイル112に対し
て電流信号を導出することにより、図示しない弁体が矢
印X1 方向に吸引されてオン状態となる。
【0039】さらに、前記ボンネット102の内部に
は、第1電磁弁104並びに第2電磁弁106から導出
された圧力流体の流量をそれぞれ制御し、所定の圧力値
に制御された圧力流体(パイロット圧)をオン/オフ弁
26のシリンダ室48並びにサックバック機構28の第
2ダイヤフラム室82に供給する第1流量制御手段11
5aおよび第2流量制御手段115bがそれぞれ設けら
れる。
【0040】この第1流量制御手段115aおよび第2
流量制御手段115bは、同一の構成要素からなり、図
4に示されるように、例えば、パイレックスガラスで形
成された第1ウェハ117と、前記第1ウェハ117の
上面部に固着され、例えば、シリコンサブストレートか
らなる第2ウェハ119と、前記第2ウェハ119の上
面部に固着され、例えば、パイレックスガラスで形成さ
れた第3ウェハ121とが一体的に積層されて形成され
る。
【0041】前記第1ウェハ117と第2ウェハ119
との間には、所定間隔離間する一組の導入ポート123
a、123bが形成され、前記導入ポート123a、1
23bは後述する第2通路並びに第3通路を介して第1
電磁弁104並びに第2電磁弁106にそれぞれ連通す
るように形成される。
【0042】前記一組の導入ポート123a、123b
の間には、ノズル孔127が形成されたノズル部129
が設けられ、前記ノズル孔127は、前記第1ウェハ1
17の底面部に開口する導出ポート131と連通するよ
うに形成される。
【0043】前記第2ウェハ119の内部には断面台形
状の室133が形成され、前記室133内には、例え
ば、シリコン液のように加熱されることにより膨張する
流体135が封入される。前記室133の底部は薄膜1
39状に形成され、この薄膜139は、前記ノズル部1
29の先端から所定間隔離間し、前記流体135の膨張
作用下に該ノズル部129側に向かって撓曲自在に形成
される(図4中、二点鎖線参照)。
【0044】前記室133の上面を構成する第3ウェハ
121の下部にはパターン化された電気抵抗体141が
設けられ、前記電気抵抗体141は一組の電極143
a、143bおよびリード線145を介して前記メイン
コントロールユニット108と電気的に接続されてい
る。
【0045】コネクタ118を介して図示しないキー入
力装置により設定した設定圧力値は、LED表示器11
6に表示される。なお、前記メインコントロールユニッ
ト108には、制御・判断・処理・演算・記憶の各手段
として機能する図示しないMPU(マイクロプロセッサ
ユニット)が設けられ、該MPUから導出される制御信
号によって第1電磁弁104および/または第2電磁弁
106を付勢・滅勢することにより、オン/オフ弁26
のシリンダ室48とサックバック機構28の第2ダイヤ
フラム室82にそれぞれ供給されるパイロット圧(流
量)が制御される。
【0046】また、前記ボンネット102の内部には、
図3に示されるように、圧力流体供給ポート103aか
ら導入された圧力流体を第1電磁弁104および第2電
磁弁106にそれぞれ供給する第1通路120と、第1
電磁弁104と第1流体制御手段115aとを連通させ
る第2通路122と、第2電磁弁106と第2流体制御
手段115bとを連通させる第3通路124とが形成さ
れている。
【0047】さらに、ボンネット102の内部には、前
記第1流量制御手段115aの導出ポート131に接続
されオン/オフ弁26のシリンダ室48にパイロット圧
を供給する第1パイロット通路64と、前記第2流量制
御手段115bの導出ポート131に接続されサックバ
ック機構28の第2ダイヤフラム室82にパイロット圧
を供給する第2パイロット通路100と、第1電磁弁1
04および第2電磁弁106と圧力流体排出ポート10
3bとを連通させる第4通路126(図2参照)とが設
けられている。
【0048】この場合、メインコントロールユニット1
08から第1電磁弁104の電磁コイル112に電流信
号が供給されると、図示しない弁体が変位して該第1電
磁弁104がオン状態となり、第1通路120および第
2通路122が相互に連通する。従って、圧力流体供給
ポート103aから供給された圧力流体(パイロット
圧)は、第1通路120および第2通路122を介して
第1流量制御手段115aに供給される。
【0049】一方、メインコントロールユニット108
から第2電磁弁106の電磁コイル112に電流信号が
供給されると、図示しない弁体が変位して第2電磁弁1
06がオン状態となり、第1通路120と第3通路12
4とが連通する。従って、圧力流体供給ポート103a
から供給された圧力流体(パイロット圧)は、第1通路
120および第3通路124を介して第2流量制御手段
115bに供給される。
【0050】本実施の形態に係るサックバックバルブ2
0は、基本的には以上のように構成されるものであり、
次にその動作並びに作用効果について、図3に示す回路
構成図に沿って説明する。
【0051】まず、サックバックバルブ20の第1ポー
ト34に連通するチューブ22aには、コーティング液
が貯留されたコーティング液供給源130を接続し、一
方、第2ポート36に連通するチューブ22bには、図
示しない半導体ウェハに向かってコーティング液を滴下
するノズル(図示せず)が設けられたコーティング液滴
下装置132を接続する。また、圧力流体供給ポート1
03aには、圧力流体供給源134を接続しておく。
【0052】このような準備作業を経た後、圧力流体供
給源134を付勢し、圧力流体供給ポート103aに対
し圧力流体を導入するとともに、図示しない入力手段を
介してメインコントロールユニット108に入力信号お
よび電源信号を導入する。
【0053】メインコントロールユニット108は、前
記入力信号に基づいて第1電磁弁104および第2電磁
弁106に付勢信号を導出し、前記第1電磁弁104お
よび第2電磁弁106をそれぞれオン状態とする。
【0054】圧力流体供給ポート103aから導入され
た圧力流体(パイロット圧)は、相互に連通する第1通
路120および第3通路124を介して第2流量制御手
段115bに導入される。前記第2流量制御手段115
bは、後述するように、薄膜139の撓曲作用下に前記
圧力流体を所定のパイロット圧に絞った後、第2パイロ
ット通路100を経由して第2ダイヤフラム室82に前
記圧力流体を供給する。前記第2ダイヤフラム室82に
供給されたパイロット圧の作用下に第2ダイヤフラム8
0が撓曲または変形してステム76を矢印X2 方向に押
圧する。この結果、ステム76の下端部に連結された第
3ダイヤフラム86が変位して図2に示す状態となる。
【0055】このように第2ダイヤフラム室82に供給
されたパイロット圧の作用下に第2ダイヤフラム80が
矢印X2 方向に押圧された状態において、メインコント
ロールユニット108は、第1流量制御手段115aに
電気信号を導出する。前記流量制御手段115aでは電
極143a、143bを介して電気抵抗体141に電流
が流れ、該電気抵抗体141が発熱する。
【0056】このため、室133内に充填された流体1
35が加熱されて膨張し、図4中、二点鎖線で示される
ように、薄膜139が押圧されて下方側に向かって撓曲
し、前記薄膜139とノズル部129との離間間隔が所
定量に設定される。従って、ノズル孔127から導出ポ
ート131に向かって流通する圧力流体の流量は、前記
薄膜139とノズル部129との離間間隔によって絞ら
れることにより制御される。この結果、第1流量制御手
段115aの導出ポート131から排出される圧力流体
の流量が調整されることにより、オン/オフ弁26のシ
リンダ室48に供給されるパイロット圧が所定値に制御
される。
【0057】なお、第2流量制御手段115bの動作
は、前述した第1流量制御手段115aと同様であるた
めに、第2ダイヤフラム室82に供給されるパイロット
圧は所定値に制御される。
【0058】前記シリンダ室48に導入された圧力流体
(パイロット圧)は、ばね部材54a、54bの弾発力
に抗してピストン50を矢印X1 方向に変位させる。従
って、ピストン50に連結された第1ダイヤフラム56
が着座部59から離間してオン/オフ弁26がオン状態
となる。その際、コーティング液供給源130から供給
されたコーティング液は、流体通路38に沿って流通
し、コーティング液滴下装置132を介してコーティン
グ液が半導体ウェハに滴下される。この結果、半導体ウ
ェハには、所望の膜厚を有するコーティング被膜(図示
せず)が形成される。
【0059】コーティング液滴下装置132を介して所
定量のコーティング液が図示しない半導体ウェハに塗布
された後、メインコントロールユニット108は、第1
電磁弁104に滅勢信号を導出し、前記第1電磁弁10
4をオフ状態とする。従って、第2通路122が圧力流
体排出ポート103bと連通することにより、シリンダ
室48内の圧力流体が前記圧力流体排出ポート103b
を介して大気中に排気される。この結果、ばね部材54
a、54bの弾発力の作用下にピストン50が矢印X2
方向に変位し、第1ダイヤフラム56が着座部59に着
座してオン/オフ弁26がオフ状態となる。
【0060】オン/オフ弁26がオフ状態となって流体
通路38が遮断されることにより半導体ウェハに対する
コーティング液の供給が停止し、コーティング液滴下装
置132のノズル(図示せず)からの半導体ウェハに対
するコーティング液の滴下状態が停止する。この場合、
コーティング液滴下装置132のノズル内には、半導体
ウェハに滴下される直前のコーティング液が残存してい
るため、液だれが生ずるおそれがある。
【0061】そこで、前記メインコントロールユニット
108は、第2電磁弁106に滅勢信号を導出して該第
2電磁弁106をオフ状態とする。
【0062】従って、第2電磁弁106がオフ状態とな
ることにより、第3通路124と圧力流体排出ポート1
03bとが連通した状態となり、第2ダイヤフラム室8
2内に残存する圧力流体(パイロット圧)は、相互に連
通する第2パイロット通路100および第3通路124
を経由して圧力流体排出ポート103bから大気中に排
出される。この結果、第2ダイヤフラム80は、ばね部
材78の弾発力の作用下に矢印X1 方向に上昇し、図5
に示す状態に至る。
【0063】すなわち、第2ダイヤフラム80が上昇
し、ステム76を介して第3ダイヤフラム86が矢印X
1 方向に向かって一体的に変位することにより負圧作用
が発生する。その際、流体通路38内の所定量のコーテ
ィング液が、図5中、矢印方向に沿って吸引される。こ
の結果、コーティング液滴下装置132のノズル内に残
存する所定量のコーティング液がサックバックバルブ2
0側に向かって戻されることにより、半導体ウェハに対
する液だれを防止することができる。
【0064】この場合、第3ダイヤフラム86と一体的
に上昇する第2ダイヤフラム80の変位量はシャフト8
3を介してエンコーダ93によって検出され、前記エン
コーダ93から導出される検出信号に基づいて、メイン
コントロールユニット108は、予め設定された位置で
第2ダイヤフラム80が停止するように、第2ダイヤフ
ラム室82内の圧力を調圧する。
【0065】すなわち、第2ダイヤフラム80は、第2
ダイヤフラム室82内の圧力とばね部材78の弾発力と
が平衡する所定位置で停止するように形成されている。
そこで、メインコントロールユニット108は、エンコ
ーダ93から導出される検出信号に基づいて前記第2ダ
イヤフラム80の変位量を判断し、第2電磁弁106に
付勢信号および滅勢信号を導出してオン状態とオフ状態
とを適宜切り換えて第2ダイヤフラム室82内の圧力を
調圧し前記ばね部材78の弾発力と平衡させることによ
り、コーティング液の吸引量に対応する位置で該第2ダ
イヤフラム80を停止させる。
【0066】この場合、メインコントローラ108は、
第2電磁弁106および第2流量制御手段105bのそ
れぞれに付勢信号および滅勢信号を導出し、前記第2電
磁弁106および第2流量制御手段105bとを併用し
て第2ダイヤフラム室82内の圧力を調圧してもよい。
【0067】なお、再び、メインコントロールユニット
108から第1電磁弁104および第2電磁弁106に
それぞれ付勢信号を導出してオン状態とすることにより
図2に示す状態に至り、半導体ウェハに対するコーティ
ング液の滴下が開始される。
【0068】このように、本実施の形態では、第2ダイ
ヤフラム室82内の圧力とばね部材78の弾発力とが平
衡する所定位置で第2ダイヤフラム80を停止させ、第
2電磁弁106に対するオン・オフ制御を介して第2ダ
イヤフラム室82内の圧力を調圧することにより、第3
ダイヤフラム86によって吸引されるコーティング液の
吸引量を高精度に制御することが可能となる。
【0069】また、本実施の形態では、第1流量制御手
段115aおよび第2流量制御手段115bに供給され
る電流を増減させて電気抵抗体141の発熱量を増減さ
せることにより薄膜139をノズル129側に向かって
撓曲させることができる。従って、前記薄膜139の撓
曲作用下にノズル部129と該薄膜139との離間間隔
を自在に調整することにより、ノズル孔127を流通す
る圧力流体の流量を調整することができる。この場合、
薄膜139の撓曲作用下にノズル孔127を前記薄膜1
39によって閉塞することにより、圧力流体の流通を遮
断することも可能である。
【0070】従って、前記第1流量制御手段115a並
びに第2流量制御手段115bを介して、オン/オフ弁
26に供給されるパイロット圧並びに第2ダイヤフラム
室82に供給されるパイロット圧をそれぞれ高精度に制
御するとともに、前記オン/オフ弁26の応答精度をよ
り一層向上させることができる。
【0071】具体的には、第1流量制御手段115a並
びに第2流量制御手段115bによってオン/オフ弁2
6に供給されるパイロット圧を制御することにより、従
来技術と比較して、前記オン/オフ弁26の駆動速度を
向上させるとともに駆動レンジを大幅に拡大することが
できる。また、前記オン/オフ弁26のオン状態とオフ
状態との切換速度が上昇することにより、半導体ウェハ
に対して滴下されるコーティング液の流量を高精度に設
定することが可能となる。さらに、ノズル部129に臨
む薄膜139をシリコンの単結晶、またはこれに類似す
るガラス等で形成しているため、頻度の高い撓曲作用に
十分に耐えることができ、且つクリープが減少されて再
現性も高くなる。この結果、駆動部分である薄膜139
の疲労が少なく、耐久性に優れ、経年変化もほとんどな
い。なお、この第1流量制御手段115a並びに第2流
量制御手段115bは、半導体製造技術を用いて製造す
ることができるため、高精度にしかも大量生産すること
ができる利点がある。
【0072】また、本実施の形態では、継手部24、オ
ン/オフ弁26、サックバック機構28および制御部3
2をそれぞれ一体的に組み付けることにより、前述した
従来技術と異なり、サックバックバルブ20と流体圧制
御装置との間、並びに該サックバックバルブ20とオン
/オフ弁26との間の配管接続作業を不要とし、流体圧
制御装置並びにオン/オフ弁26を付設するための占有
スペースを設ける必要がないことから、設置スペースの
有効利用を図ることができる。
【0073】さらに、本実施の形態では、オン/オフ弁
26および制御部32等がサックバック機構28と一体
的に形成されているため、従来技術においてそれぞれ別
体で構成されたものを一体的に結合したものと比較し
て、装置の小型化を達成することができる。
【0074】さらにまた、本実施の形態では、サックバ
ックバルブ20と流体圧制御装置との間に配管を設ける
必要がないため、流路抵抗が増大することを回避するこ
とができる。
【0075】またさらに、サックバック機構28とオン
/オフ弁26にそれぞれ供給される圧力流体(パイロッ
ト圧)を共通化し、第1流量制御手段115a並びに第
2流量制御手段115bを介して流量制御することによ
り、従来技術と異なり、オン/オフ弁26を駆動させる
駆動装置が不要となる。この結果、装置全体をさらに小
型化することができるとともに、コストダウンを図るこ
とができる。
【0076】なお、本実施の形態では、メインコントロ
ールユニット108によって電気的に制御される第1流
量制御手段115a並びに第2流量制御手段115bを
介してオン/オフ弁26およびサックバック機構28に
供給されるパイロット圧を制御している。この場合、パ
イロット圧によって作動する第2ダイヤフラム80の応
答精度を高めることが可能となり、流体通路38内に残
存するコーティング液をより一層迅速に吸引することが
できる。
【0077】
【発明の効果】本発明によれば、以下の効果が得られ
る。
【0078】すなわち、吸引量制御手段を介して、可撓
性部材によって吸引される圧力流体の流量を電気的に且
つ高精度に制御することができる。
【0079】また、流量制御手段によってパイロット圧
を高精度に制御するとともに、前記オン/オフ弁並びに
サックバック機構の応答精度をより一層向上させること
ができる。
【0080】さらに、パイロット圧を高精度に制御する
ことができるため、パイロット圧によって作動する可撓
性部材の応答精度を高めることが可能となり、流体通路
内に残存する圧力流体を迅速に吸引することができる。
【0081】さらにまた、従来技術と異なり、サックバ
ックバルブと流体制御装置との間、並びに該サックバッ
クバルブとオン/オフ弁との間の配管接続作業が不要と
なり、しかもサックバックバルブ以外に流体制御装置、
オン/オフ弁を駆動させる駆動装置等を付設するための
占有スペースが不要となることから、設置スペースの有
効利用を図ることができる。
【0082】またさらに、サックバックバルブと流体制
御装置との間、並びに該サックバックバルブとオン/オ
フ弁との間に配管を設ける必要がないため、流路抵抗が
増大することを回避することができる。
【0083】さらにまた、従来技術と異なって、オン/
オフ弁を駆動させる駆動装置が不要となることから、装
置全体の小型化を達成することができるとともに、コス
トダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るサックバックバルブ
の斜視図である。
【図2】図1に示すサックバックバルブの縦断面図であ
る。
【図3】図1に示すサックバックバルブの回路構成図で
ある。
【図4】図1に示すサックバックバルブを構成する流量
制御手段の縦断面図である。
【図5】図1に示すサックバックバルブの動作説明図で
ある。
【図6】従来技術に係るサックバックバルブの縦断面図
である。
【符号の説明】
20…サックバックバルブ 24…継手部 26…オン/オフ弁 28…サックバ
ック機構 30…弁駆動部 32…制御部 34、36…ポート 38…流体通路 50…ピストン 52…カバー部
材 56、80、86…ダイヤフラム 58、82、8
8…ダイヤフラム室 64、100…パイロット通路 104、106
…電磁弁 108…メインコントロールユニット 103a…圧力
流体供給ポート 103b…圧力流体排出ポート 115a、11
5b…流量制御手段 120、122、124…通路

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】流体通路を有し、一端部に第1ポートが形
    成され他端部に第2ポートが形成された継手部と、 パイロット圧によって変位する可撓性部材の負圧作用に
    よって前記流体通路内の圧力流体を吸引するサックバッ
    ク機構と、 前記パイロット圧の作用下に前記流体通路を開閉するオ
    ン/オフ弁と、 前記サックバック機構によって吸引される圧力流体の流
    量を電気的に制御する吸引量制御手段が設けられた制御
    部と、 前記可撓性部材の変位量を検出し、その検出信号を前記
    制御部に導出する変位量検出手段と、 を備えることを特徴とするサックバックバルブ。
  2. 【請求項2】請求項1記載のサックバックバルブにおい
    て、吸引量制御手段は、弾発力の作用下に可撓性部材を
    押圧するばね部材と、制御部から導出される付勢信号・
    滅勢信号によってサックバック機構に供給されるパイロ
    ット圧を調圧する電磁弁を有し、前記ばね部材の押圧力
    と前記パイロット圧とを平衡させることにより、可撓性
    部材の変位が規制されることを特徴とするサックバック
    バルブ。
  3. 【請求項3】請求項1または2記載のサックバックバル
    ブにおいて、制御部には、サックバック機構および/ま
    たはオン/オフ弁に供給されるパイロット圧を加減する
    流量制御手段を有することを特徴とするサックバックバ
    ルブ。
  4. 【請求項4】請求項1乃至3のいずれか1項に記載のサ
    ックバックバルブにおいて、流量制御手段は、熱によっ
    て膨張・収縮する流体が封入され、且つ一部が薄膜状に
    形成された容器と、 前記容器の薄膜に臨むノズル部と、 前記容器内の流体を加熱制御する発熱手段と、 を有することを特徴とするサックバックバルブ。
  5. 【請求項5】請求項1乃至4のいずれか1項に記載のサ
    ックバックバルブにおいて、継手部、サックバック機
    構、オン/オフ弁および制御部は、それぞれ一体的に組
    み付けられて設けられることを特徴とするサックバック
    バルブ。
  6. 【請求項6】請求項1乃至5のいずれか1項に記載のサ
    ックバックバルブにおいて、可撓性部材は、ダイヤフラ
    ムからなることを特徴とするサックバックバルブ。
  7. 【請求項7】請求項1乃至6のいずれか1項に記載のサ
    ックバックバルブにおいて、サックバック機構は、圧力
    流体供給ポートから供給されるパイロット圧の作用下に
    変位するダイヤフラムと、弁ボデイ内に変位自在に設け
    られ前記ダイヤフラムと一体的に変位するステムと、前
    記ステムの一端部に連結され該ステムとともに変位する
    ことにより負圧作用を営む他のダイヤフラムと、前記ス
    テムを所定方向に付勢するばね部材とを有することを特
    徴とするサックバックバルブ。
  8. 【請求項8】請求項1乃至7のいずれか1項に記載のサ
    ックバックバルブにおいて、制御部には、電磁弁および
    流量制御手段をそれぞれ電気的に制御するメインコント
    ロールユニットが設けられることを特徴とするサックバ
    ックバルブ。
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