JPH10270608A

JPH10270608A - 樹脂封止型パワー半導体装置

Info

Publication number: JPH10270608A
Application number: JP9077157A
Authority: JP
Inventors: Tadao Kushima; 忠雄九嶋; Akira Tanaka; 明田中; Kazuhiro Suzuki; 和弘鈴木; Ryuichi Saito; 隆一斎藤; Yoshihiko Koike; 義彦小池; Hideo Shimizu; 英雄清水; Takashi Saito; 高斉藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-03-28
Filing date: 1997-03-28
Publication date: 1998-10-09

Abstract

(57)【要約】【課題】複数枚の絶縁基板上に、複数本の平板導電主リ
ード端子や外周部に配置した複数の補助リード端子と支
持ブロック柱を、２層のシリコーン樹脂で覆った構造
で、補助リード端子と支持ブロック柱が拘束するシリコ
ーン樹脂への内部応力がもたらす、絶縁基板周辺のクラ
ックやボイド欠陥の発生を抑制する構造とする。【解決手段】樹脂封止型パワー半導体装置で、金属ベー
ス（例えばＭｏ金属ベース）１，絶縁基板（例えばＡｌ
Ｎ絶縁基板）２ａ，端子ブロック５ａに固定された複数
の補助リード端子７ａ，７ｂと支持ブロック柱５ｃ，金
属ベースに接着された絶縁樹脂ケース１０，シリコーン
樹脂１２ａ，１２ｂ，アルミ細線又はフレキシブル導電
リード構造体２２からなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基板上で複数
の補助リード端子並びに支持ブロック柱を有し、シリコ
ーン系絶縁樹脂で覆った構造の樹脂封止型パワー半導体
装置における内部絶縁高耐圧構造並びに製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の装置は、特開平4−321259 号公報
に記載のように、半導体装置で、絶縁基板上に複数本の
導電リード端子が配置され、絶縁耐圧を確保するため周
囲を１層のゲル状樹脂（例えばシリコーン樹脂、以後シ
リコーン樹脂と明記する）で充填して硬化させた構造と
なっていた。この場合、一般的にはシリコーン樹脂の硬
化前に、絶縁基板の接合部や絶縁基板上の内部導電リー
ド接合部など周辺部の空洞欠陥を排出するため、シリコ
ーン樹脂の脱泡処理が行われる。しかし、半導体装置内
の複数本の導電リード端子を覆うにはそれなりのシリコ
ーン樹脂の量が必要である。このため、シリコーン樹脂
の脱泡処理では、脱泡処理時にシリコーン樹脂が突沸し
て、半導体装置上部の端子ブロック下部面に付着するこ
とがある（図３）。この状態では、シリコーン樹脂の硬
化時はもとよりモジュール完成後の温度サイクルなど
で、シリコーン樹脂１２ａの膨張・収縮に拘束１４，１
６が生じ、絶縁基板上２ａのシリコーン樹脂中にクラッ
ク１５やボイド１７を発生させ、引いては絶縁耐圧を低
下させるばかりでなくモジュールをも破壊に至らしめて
しまう懸念がある。

【０００３】そこで、半導体装置内の複数本の導電リー
ド端子を覆うシリコーン樹脂の総量を同量とし、その量
を２層に分割して注入・硬化させる方法を本発明と同じ
出願人より特開平8−316373 号として提案されている。
この場合、第１層目のシリコーン樹脂１２ａの量を、絶
縁基板２ａ上の内部補助リード端子７ａを覆う位置まで
とし（図４）、ゲル状樹脂１２ａの脱泡処理をして硬化
させ、ついで第２層目のシリコーン樹脂１２ｂを注入
し、脱泡処理をしないで硬化させるものである。この方
法では、半導体装置上部の端子ブロック５ａの下部面５
ｂへのシリコーン樹脂の付着がなく、従ってこれまでの
ような大きな拘束が避けられ、シリコーン樹脂層中のボ
イド発生の抑制に対する効果が大きい。しかしながら、
絶縁基板２ａ周辺部には依然として、シリコーン樹脂層
中に小型サイズのボイド１７が発生するなどの問題があ
った。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、半
導体装置内の複数本の平板導電主リード端子６や補助リ
ード端子７ａを覆うシリコーン樹脂の総量を同量とし、
その量を２層に分割して注入・硬化させる方法である。
第１層目のシリコーン樹脂１２ａの量を、絶縁基板上の
補助リード端子７ａを覆う位置までとし（図４）、シリ
コーン樹脂１２ａの脱泡処理をして硬化させ、ついで第
２層目のシリコーン樹脂１２ｂを注入し、脱泡処理をし
ないで硬化させるものである。この方法では、半導体装
置上部の端子ブロック５ａ，下部面５ｂへのシリコーン
樹脂付着がなく、従ってこれまでのような大きな拘束は
なく効果が大きい。しかしながら、絶縁基板２ａ周辺部
には依然としてシリコーン樹脂層中にボイド１７が発生
するなどの問題があった。この現象は、いまだにシリコ
ーン樹脂１２ａを拘束する部分が残されているかあるい
は絶縁基板や端子接合部に何らかの欠陥が介在している
ためと判断される。絶縁高耐圧半導体装置を確保するた
めには、この問題の解決が必須である。

【０００５】本発明の目的は、半導体装置内に複数本の
平板導電主リード端子や補助リード端子を有し、それら
がシリコーン樹脂で覆われた樹脂封止型パワー半導体装
置で、絶縁耐圧を低下させモジュール破壊に至らしめる
主要因であるシリコーン樹脂への拘束要因を排除する構
造に関するものである。シリコーン樹脂への内部応力が
最小限に留まりかつシリコーン樹脂中のボイド発生がな
い構造とすることを主目的としており、シリコーン樹脂
注入量の最適配分とシリコーン樹脂拘束を解除するため
の補助リード端子配置および端子構造などにより、高絶
縁耐圧性が確保でき、安価な半導体装置とその製造方法
を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、複数枚の絶縁基板上で、複数本の平板導電主リード
端子や外周部に配置された複数の補助リード端子並びに
支持ブロック柱を２層のシリコーン絶縁樹脂で覆う場
合、まず第１層目のシリコーン絶縁樹脂を、外周部の複
数の補助リード端子並びに支持ブロック柱の下部に接触
しない位置まで注入し、真空脱泡させた後に加熱硬化さ
せる。ついで、第２層目のシリコーン絶縁樹脂を、平板
導電主リード端子部を覆う位置まで注入し、真空脱泡さ
せずに加熱硬化させる方法で、シリコーン絶縁樹脂２層
構造とした。

【０００７】また、複数の絶縁基板最外周部の上部に配
置された複数の補助リード端子とその支持ブロック柱を
排除し、その代替構造として複数の絶縁基板間をアルミ
細線またはフレキシブル導電リード構造体で接続するよ
うにした。

【０００８】また、複数の絶縁基板上に半田接合した最
外周部の補助リード端子とその支持ブロック柱並びに複
数の絶縁基板そのものが、金属ベース板に固定された絶
縁性樹脂ケースの内壁からそれぞれを３mm以上離した位
置に配置させた。

【０００９】また、絶縁基板上で補助リード端子と支持
ブロック柱を覆う２層のシリコーン絶縁樹脂が、第１層
目がより強度の大きい樹脂とし第２層目と材質が異なる
組成からなるようにした。

【００１０】また、前記ベース板を、Ｍｏ，Ｃｕまたは
ＡｌーＳｉＣなどからなる金属板あるいは複合材のベー
ス板のいずれかとし、さらに、前記ベース板の全部又は
一部に少なくともＮｉ，Ｓｎ，Ａｕのいずれかのメタラ
イズ層を形成させた。

【００１１】また、前記ベース板上に搭載された絶縁基
板が、窒化アルミ（ＡｌＮ）あるいはアルミナ（Ａｌ₂
Ｏ₃）等の基板からなるようにした。

【００１２】また、絶縁基板間を接続するフレキシブル
導電リード構造体が、Ｓベンド構造形成の薄Ｃｕ板また
はポリイミド系樹脂シートを貼付けたＣｕ薄膜構造から
なり、その表面にＮｉ，Ｓｎ，Ａｕのいずれかのメタラ
イズ層を形成した構造体からなるようにした。

【００１３】本発明では、樹脂封止型パワー半導体装置
の複数枚の内部絶縁基板上で、複数本の平板導電主リー
ド端子や外周部に配置された複数の補助リード端子並び
に支持ブロック柱を２層のシリコーン絶縁樹脂で覆う場
合、まず第１層目のシリコーン絶縁樹脂を、外周部の複
数の補助リード端子と支持ブロック柱の下部に接触しな
い位置まで注入し、真空脱泡させた後に加熱硬化させた
構造とした。この注入時の状態で、真空脱泡させても半
導体装置上部の端子ブロック下部面へのシリコーン樹脂
付着がなく、従ってこれまでのような大きな拘束はな
い。しかも、加熱・硬化時に、シリコーン絶縁樹脂が外
周部の複数の補助リード端子と支持ブロック柱の下部に
接触しない位置であるため、それらによるシリコーン絶
縁樹脂への拘束は発生しない。ついで、第２層目のシリ
コーン絶縁樹脂を、平板導電主リード端子部を覆う位置
まで注入し、真空脱泡させずに加熱硬化させることで端
子ブロック下部面へのシリコーン樹脂付着がなく、これ
までのような大きな拘束は発生しない。

【００１４】また、複数の絶縁基板最外周部の上部に配
置された複数の補助リード端子とその支持ブロック柱を
排除し、その代替構造として複数の絶縁基板間をアルミ
細線またはフレキシブル導電リード構造体で接続するこ
とにより、これまでのようなシリコーン絶縁樹脂層内部
に負荷される端子の拘束を減少させることができる。ま
た、複数の絶縁基板上に半田接合した最外周部の補助リ
ード端子とその支持ブロック柱並びに複数の絶縁基板そ
のものが、金属ベース板に固定された絶縁性樹脂ケース
の内壁からそれぞれを３mm以上離れた位置に配置させる
ことで、内部応力（メニスカス）を避けることができ
る。

【００１５】また、絶縁基板上で補助リード端子と支持
ブロック柱を覆う２層のシリコーン絶縁樹脂が、第１層
目がより強度の大きい樹脂とすることで拘束内部応力に
対処でき、クラックやボイドの発生を抑制できるもので
ある。２層目と材質が異なる組成からなることも効果が
大である。

【００１６】また、ベース板を、絶縁基板との組合せを
考慮し、熱膨張係数の近似する材質とすることや低コス
ト化のため、Ｍｏ，ＣｕまたはＡｌ−ＳｉＣなどからな
る金属板あるいは複合材のベース板のいずれかとし、さ
らに半田接合性を考慮して、ベース板の全部又は一部に
少なくともＮｉ，Ｓｎ，Ａｕのいずれかのメタライズ層
を形成させることが有効である。

【００１７】また、ベース板上に搭載された絶縁基板
を、ベース板との組合せを考慮し、窒化アルミ（Ａｌ
Ｎ）あるいはアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の基板からなるこ
とが必要である。

【００１８】また、絶縁基板間を接続するフレキシブル
導電リード構造体が、接合部の応力を緩和するため、Ｓ
型ベンド構造を形成した薄Ｃｕ板またはポリイミド系樹
脂シートを貼付けたＣｕ薄膜構造とすることで目的が達
成され、さらにその表面にＮｉ，Ｓｎ，Ａｕのいずれか
のメタライズ層を形成することで半田接合性を確実にで
きるものである。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１〜
図７により説明する。

【００２０】図１は、本発明の一実施例の樹脂封止型パ
ワー半導体装置の断面構造図で、図２は図１の平板導電
主リード端子や外周部の補助リード端子と支持ブロック
柱の平面図である。

【００２１】図１は、本発明により樹脂封止型パワー半
導体装置の複数の内部絶縁基板２ａ上で、複数本の平板
導電主リード端子６や外周部に配置された（図２）複数
の補助リード端子７ａ並びに支持ブロック柱５ｃを２層
のシリコーン絶縁樹脂１２ａ，１２ｂで覆い半導体装置
として組み立てた断面図である。ベース板（例えばＭｏ
金属ベース）１上に、Ｃｕパターン２ｂ，２ｃを形成さ
せた絶縁基板２ａをベース接合半田（例えばＮｉ粉入り
のＳｎ，Ｐｂの２元系半田）６で接合し、さらに端子ブ
ロック５ａや支持ブロック柱５ｃに固定された平板導電
主リード端子６や補助リード端子７ａ，７ｂを絶縁基板
２ａ上にＳｎ／Ｐｂ半田で接合する。ついで絶縁性樹脂
（例えばＰＰＳ系樹脂剤）ケース１０をベース板にシリ
コーン系接着剤１１で接合し、端子ブロックとケースの
クランク部をハードレジン９で硬化させる。そして注入
穴からシリコーン絶縁樹脂を注入する。この場合、まず
第１層目のシリコーン絶縁樹脂１２ａを、外周部の複数
の補助リード端子７ａと支持ブロック柱５ｃの下部に接
触しない位置まで注入し、真空脱泡させた後に加熱硬化
させる。この注入時の状態では、真空脱泡させても半導
体装置上部の端子ブロック下部面５ｂへのシリコーン樹
脂の付着がない。従ってシリコーン樹脂付着時のような
大きな拘束は発生しない。しかも、加熱・硬化時に、シ
リコーン絶縁樹脂１２ａが外周部の複数の補助リード端
子７ａと支持ブロック柱５ｃの下部に接触しない位置で
あるため、それらによるシリコーン絶縁樹脂１２ａへの
拘束も発生しない。ついで、第２層目のシリコーン絶縁
樹脂１２ｂを、平板導電主リード端子部６を覆う位置ま
で注入し、真空脱泡させずに加熱硬化させることで端子
ブロック下部面５ｂへのシリコーン樹脂付着がなく、大
きな拘束は発生しない。さらに、絶縁基板２ａや補助リ
ード端子７ａ，７ｂを、絶縁性樹脂ケース１０のメニス
カスの影響のない位置Ａ，Ｂに、予め離して配置させる
ことにより、ケースからの内部応力が緩和されるもので
ある。従って、絶縁耐圧を低下させかつモジュール破壊
に至らしめる問題が解決される。

【００２２】以下に、シリコーン樹脂層に拘束が発生し
ない本発明に至った経過とその現象について、図３から
図７を用いその詳細を説明する。

【００２３】図３は、本発明と比較する従来のシリコー
ン樹脂注入構造と内部応力による欠陥状態を示す断面図
である。

【００２４】従来の半導体装置では、絶縁基板２ａ上に
複数本の導電リード端子６，７ａ，７ｂが配置され、絶
縁耐圧を確保するため周囲を１層のゲル状樹脂（例えば
シリコーン樹脂、以後シリコーン樹脂と明記する）１２
ａで充填して硬化させた構造となっていた。この構造で
は、前述したように、拘束によって過大な内部応力が発
生し、クラックやボイドなどの欠陥を形成させていた。
また、ベースとケースの接合コーナー部でも、微小なが
らも内部応力が発生し、クラックやボイドなどの欠陥を
形成に加担していた。

【００２５】そこで、これらの欠陥発生の問題を排除す
るため、シリコーン樹脂の注入・硬化方法を検討した。

【００２６】図４は、従来方式の改良発明を示す断面図
である。半導体装置内の複数本の導電リード端子を覆う
シリコーン樹脂の総量を同量とし、その量を２層に分割
して注入・硬化させる方法である。第１層目のシリコー
ン樹脂１２ａの量を、絶縁基板２ａ上の内部補助リード
端子７ａを覆う位置までとしたが、絶縁基板２ａ周辺部
のシリコーン樹脂層中には依然として小型サイズのボイ
ド１７が発生するなどの問題が残った。そこで、ベース
とケースを接着した構造で、シリコーン樹脂を注入した
場合の、内部応力の発生状態をシミュレーションしてみ
た。

【００２７】図５は、シリコーン樹脂１２ａを１層注入
し硬化させたときの内部応力すなわちメニスカス領域を
表わしたモデル図で、図６は、改良方法として、補助リ
ード端子７ａと支持ブロック柱５ｃを配置させ、シリコ
ーン樹脂を２層注入・硬化させた場合の、内部応力の発
生状態をシミュレーションした結果である。

【００２８】図５で、シリコーン樹脂１２ａを１層注入
・硬化させた場合だけでも、ケース側１０に大・小の内
部応力が発生する。ケース側のシリコーン樹脂１２ａ上
部では過大な内部応力１２ｅが、またベースとケースの
接合コーナー部では、微小ながらも内部応力１２ｃ，１
２ｄが発生している。これらは、シリコーン樹脂12ａの
注入量にも関係し、その量が少なくなればそれなりに内
部応力も小さくなる。特にコーナー部では、絶縁基板に
影響するためその配置に考慮する必要がある。金属ベー
ス板に固定された絶縁性樹脂ケースの内壁からそれぞれ
を３mm以上離れた位置に配置させることで、内部応力
（メニスカス）を避けることができる。

【００２９】図６で、補助リード端子７ａと支持ブロッ
ク柱５ｃを配置させ、それらに第１層目のシリコーン樹
脂１２ａが接触した場合、加熱して硬化するときに、第
１層目では支持ブロック柱５ｃの拘束による内部応力２
０とケース側１０からの内部応力１８が発生する。これ
らは過大応力である。さらに第２層目のシリコーン樹脂
１２ｂを注入し加熱・硬化すると、第２層目ではケース
側１０からの内部応力１９が発生する。このように、第
１層目のシリコーン樹脂１２ａが補助リード端子７ａと
支持ブロック柱５ｃに接触することは避けなければなら
ない。

【００３０】図７は、本発明による、補助リード端子７
ａと支持ブロック柱５ｃを配置し、シリコーン樹脂を２
層注入・硬化させる場合、第１層目のシリコーン樹脂１
２ａが補助リード端子７ａと支持ブロック柱５ｃに接触
しないようにした場合、さらに第２層目のシリコーン樹
脂１２ｂを注入・硬化させた場合の内部応力の発生状態
をシミュレーションした結果である。

【００３１】図７で、第１層目のシリコーン樹脂１２ａ
が補助リード端子７ａと支持ブロック柱５ｃに接触しな
いため、絶縁基板２ａへの影響はなく、ケース側のシリ
コーン樹脂１２ａ上部にだけ内部応力１８が発生してい
る。この内部応力は、第１層目のシリコーン樹脂１２ａ
の量が少ない分だけ小さい値となる。第２層目のシリコ
ーン樹脂１２ｂを注入・硬化させた場合の内部応力は、
補助リード端子７ａと支持ブロック柱５ｃにより拘束さ
れた内部応力２０とケース側のシリコーン樹脂１２ａ上
部の内部応力１９である。この場合、補助リード端子７
ａと支持ブロック柱５ｃにより拘束された内部応力２０
は、第１層目のシリコーン樹脂１２ａ層内で小さい内部
応力２１として分散して緩和され、絶縁基板２ａ周辺部
への影響はない。

【００３２】図８で、本発明の他の実施例を説明する。

【００３３】図８は、本発明の他の実施例の樹脂封止型
パワー半導体装置の内部平面配置構成図である。

【００３４】図８は、複数の絶縁基板最外周部の上部に
配置された複数の補助リード端子とその支持ブロック柱
を排除し、その代替構造として複数の絶縁基板間をアル
ミ細線またはフレキシブル導電リード構造体２２で接続
した場合の内部平面配置構成図である。最外周部の補助
リード端子とその支持ブロック柱を排除し、その代りの
接続構造体で接続することにより、絶縁性樹脂ケース１
０からのメニスカスの影響が低減される。従って、これ
までのようなシリコーン絶縁樹脂層内部に負荷される端
子の拘束を減少させることができる。また、絶縁基板間
を接続するフレキシブル導電リード構造体２２が、接合
部の応力を緩和するため、Ｓ型ベンド構造を形成した薄
Ｃｕ板またはポリイミド系樹脂シートを貼付けたＣｕ薄
膜構造とすることで目的が達成され、さらにその表面に
Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｕのいずれかのメタライズ層を形成する
ことで半田接合性を確実にできる。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、複数枚の絶縁基板上
で、複数本の平板導電主リード端子や外周部に配置され
た複数の補助リード端子と支持ブロック柱を２層のシリ
コーン樹脂で覆った構造、しかも、第１層目のシリコー
ン樹脂を、外周部の複数の補助リード端子と支持ブロッ
ク柱の下部に接触しない構造と方法により、端子などの
拘束による内部応力を緩和し、クラックやボイド欠陥の
発生のないすなわち絶縁高耐圧の半導体装置を製造する
ことができる。

【００３６】

【符号の説明】

１…Ｍｏ金属ベース、２ａ…ＡｌＮ絶縁基板、２ｂ，２
ｃ…Ｃｕパターン、２ｄ…ＴｉＡｇろう、３…Ｎｉ粉入
り６／４半田、４…６／４半田、５ａ…端子ブロック、
５ｂ…クランク部、５ｃ…支持ブロック柱、６…平板導
電主リード端子、７ａ…補助リード端子、７ｂ…補助リ
ードＳベンド部、８…リード固定樹脂、９…ハードレジ
ン樹脂、１０…絶縁樹脂ケース、１１…接着剤、１２
ａ，12ｂ…シリコーン樹脂、１２ｃ…ケースとベース間
強応力領域、１２ｄ…ケースとベース間小応力領域、１
２ｅ…メニスカス領域、１３…中空部、Ａ…絶縁基板と
ケース間距離、Ｂ…支持ブロック柱とケース間距離、１
４，１６…内部応力、１５，１７…クラック・ボイド、
１８，１９…内部応力矢図、２０…拘束応力矢図、２１
…拘束分散応力矢図、２２…アルミ細線又はフレキシブ
ル導電リード構造体。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の樹脂封止型パワー半導体装
置の断面図。

【図２】図１の平板導電主リード端子と補助リード端子
およびその支持ブロック柱の配置を示す平面図。

【図３】本発明と比較する従来のシリコーン樹脂注入構
造と内部応力による欠陥状態を示す断面図。

【図４】本発明と比較する従来方式の改良発明を示す断
面図。

【図５】半導体装置内のシリコーン樹脂に負荷されるメ
ニスカスを示す断面図。

【図６】本発明と比較する従来方式の改良発明における
内部応力負荷状態を模擬した断面図。

【図７】本発明における内部応力負荷状態を模擬した断
面図。

【図８】本発明の他の一実施例の樹脂封止型パワー半導
体装置の平板導電主リード端子と補助リード端子および
その支持ブロック柱の配置を示す平面図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斎藤隆一茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者小池義彦茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者清水英雄茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者斉藤高茨城県日立市幸町三丁目１番１号株式会社日立製作所日立工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数枚の絶縁基板上に、複数の内部平板導
電主リード端子とその外周部に配置された複数の補助リ
ード端子並びに支持ブロック柱を有し、該補助リード端
子と支持ブロック柱が２層のシリコーン系絶縁樹脂で覆
われた構造の樹脂封止型パワー半導体装置において、２
層のシリコーン系絶縁樹脂の第１層目の樹脂が、少なく
とも外周部に配置された複数の補助リード端子並びに支
持ブロック柱の下部に接触しない位置で注入・硬化させ
た構造とすることを特徴とする樹脂封止型パワー半導体
装置。
【請求項２】複数の絶縁基板上で２層のシリコーン系絶
縁樹脂で覆われた複数の補助リード端子並びに支持ブロ
ック柱を有する構造の半導体装置において、該絶縁基板
の最外周部の上部に配置された複数の補助リード端子並
びに支持ブロック柱の代替構造として、絶縁基板間をア
ルミ細線またはフレキシブル導電リード構造体で接続し
た請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体装置。
【請求項３】複数の絶縁基板上に半田接合した最外周部
の補助リード端子及びその支持ブロック柱並びに複数の
絶縁基板そのものが、金属ベース板に固定された絶縁性
樹脂ケース内壁から３mm以上の距離に配置された請求項
１または２に記載の樹脂封止型パワー半導体装置。
【請求項４】絶縁基板上で２層のシリコーン系絶縁樹脂
で覆われた複数の補助リード端子並びに支持ブロック柱
を有する構造の半導体装置において、２層のシリコーン
系絶縁樹脂が、第１層目と第２層目で材質が異なる組成
からなる請求項１，２または３に記載の樹脂封止型パワ
ー半導体装置。