JPH10270374A

JPH10270374A - イオン打ち込み方法および半導体集積回路装置の製造方法

Info

Publication number: JPH10270374A
Application number: JP6880097A
Authority: JP
Inventors: Hisako Sato; 久子佐藤; Makoto Ogasawara; 誠小笠原; Katsumi Tsuneno; 克己常野; Jinko Aoyama; 仁子青山; Hiroo Masuda; 弘生増田; Tadashi Kamata; 正鎌田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-03-21
Filing date: 1997-03-21
Publication date: 1998-10-09

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体集積回路装置の素子特性のばらつきを
抑制する。【解決手段】斜めイオン打ち込みに先立って、イオン
打ち込み角度と半導体基板の結晶軸との関係からチャネ
リングが生じるか否かを判定する工程（１０３）と、そ
の判定結果とデバイス条件とからそのイオン打ち込み角
度がそのデバイスの形成に最適か否かを判定する工程
（１０４）とを有し、これによりそのデバイスの形成に
最適なイオン打ち込み角度を決定する（１０５）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、イオン打ち込み方
法および半導体集積回路装置の製造技術に関し、特に、
半導体素子の半導体領域を形成するための不純物のイオ
ン打ち込み方法に適用して有効な技術に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の半導体領域を形成するため
の不純物の導入方法として、イオン打ち込み方法が一般
的になってきている。特に、ＭＯＳ・ＦＥＴを構成する
ソース、ドレインの形成には、例えば固溶限以上の高濃
度の不純物を打ち込みした後、炉アニール処理を施す方
法が一般的に行われている。

【０００３】また、半導体素子の微細化要求に伴う浅い
接合の形成方法として、例えばランプ加熱方式等を用い
た短時間アニール技術（ＲＴＡ；Rapid Thermal Annea
l）が検討されている。また、デバイス性能の向上のた
めに大きい角度の傾斜イオン打ち込みが行われるように
なってきた。

【０００４】このような状況においては、不純物の濃度
分布を正確に予測することがデバイス特性を予測する上
で極めて重要な技術となってきている。

【０００５】なお、イオン注入技術については、例えば
株式会社工業調査会、１９９２年３月２６日発行、「イ
オン工学技術の基礎と応用」Ｐ６７〜Ｐ１０３に記載が
ある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したイ
オン注入技術においては、以下の問題があることを本発
明者は見出した。

【０００７】すなわち、半導体基板に不純物を打ち込む
際に、半導体基板の結晶軸に対するイオンの打ち込み角
度を充分に考慮しておらず、不純物がその打ち込み角度
によって、あまりエネルギーの損失を受けずに半導体基
板の深い位置まで打ち込まれてしまう、いわゆるチャネ
リング現象が生じ、不純物の濃度分布が設計値と異なる
ようになり、素子特性のばらつきや劣化が生じるという
問題である。

【０００８】本発明の目的は、半導体集積回路装置の素
子特性のばらつきを抑制することのできる技術を提供す
ることにある。

【０００９】本発明の目的は、半導体集積回路装置の素
子特性を向上させることのできる技術を提供することに
ある。

【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。

【００１２】本発明のイオン打ち込み方法は、所定のイ
オンを被処理物の主面に対して斜め方向から打ち込む斜
めイオン打ち込み処理に先立って、（ａ）前記所定のイ
オンの打ち込み角度と被処理物の結晶軸との関係からチ
ャネリングが生じるか否かを判定する工程と、（ｂ）前
記チャネリングが生じるか否かの判断結果とイオン打ち
込みにより形成される領域の形成条件とから前記所定の
イオンの打ち込み角度が最適か否かを判定する工程と、
（ｃ）前記所定のイオンの打ち込み角度が最適となるま
で、前記チャネリングが生じるか否かを判定する工程お
よび前記所定のイオンの打ち込み角度が最適か否かを判
定する工程を繰り返す工程とを有し、前記所定のイオン
の打ち込み角度の最適値の結果に従って、前記所定のイ
オンを被処理物の主面に対して斜め方向から打ち込むも
のである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する（なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、その繰り返しの説明は省略する）。

【００１４】（実施の形態１）図１および図２は本発明
の一実施の形態であるイオン打ち込み装置の説明図、図
３は図１のイオン打ち込み装置のイオン打ち込み処理前
段階における設定フロー図、図４はイオン打ち込み角度
を説明するための説明図、図５は分割イオン打ち込み方
法を説明するための説明図、図６はイオン打ち込み角度
と接合深さとの関係を示すグラフ図、図７は所定の回転
角度におけるイオンビームと＜１１０＞軸とのなす角度
および傾斜角度との関係を示すグラフ図、図８および図
９は図１のイオン打ち込み装置を用いた半導体集積回路
装置の製造工程中における要部断面図、図１０〜図１２
は図１のイオン打ち込み装置を用いた半導体集積回路装
置の製造工程中における要部断面図である。

【００１５】以下、本実施の形態１のイオン打ち込み装
置の構造を図１および図２によって説明する。図１は枚
葉タイプの装置であり、図２はバッチ処理タイプの場合
である。

【００１６】本実施の形態１のイオン打ち込み装置１
は、イオン源１ａと、質量分析部１ｂと、後段加速管１
ｃと、ＸＹ走査部１ｄ（バッチタイプには無し）と、ビ
ームコリメータ部１Ｂｃ（バッチタイプには無し）、処
理室１ｅと、全体制御部１ｆと、入力装置１ｇとを有し
ている。

【００１７】イオン源１ａは、目的とするイオンを生成
するための構成部であり、イオン源で生成されたイオン
は、所定の電圧で引き出され、質量分析部１ｂに導入さ
れるようになっている。

【００１８】質量分析部１ｂは、イオン源１ａで生成さ
れた種々のイオンの中から必要とするイオンを選別し、
不必要なイオンを後段に送らないようにするための構成
部であり、分析管、電磁石および分析スリット等を有し
ている。

【００１９】すなわち、電磁石による磁場を適切な強さ
に設定することにより、目的のイオンのみが分析管の中
を通り抜け後段に導かれ、他のイオンは分析管の内壁面
または分析スリットに衝突し後段には導入されないよう
になっている。

【００２０】後段加速管１ｃは、質量分析部１ｂを経た
イオンを加速するための構成部である。ＸＹ走査部１ｄ
は、イオンビームＩＢを半導体ウエハ２上に適当な方法
で走査し、半導体ウエハ２の面内に均一に注入するため
の構成部であり、Ｘ軸走査部１ｄ1 とＹ軸走査部１ｄ2
とを有している。

【００２１】処理室１ｅは、半導体ウエハ２を収容する
ための構成部である。半導体ウエハ２は、処理室１ｅ内
に搬入出可能なウエハ載置台１ｅ1 上に支持されてい
る。このウエハ載置台１ｅ1 は、駆動部１ｅ2 に機械的
に接続され、半導体ウエハ２のビームに対する角度、ノ
ッチの回転角を任意に設定できるようになっている。図
２のバッチタイプの場合はウエハの回転角は半導体ウエ
ハ２のロード時に行い、ビームの入射角はウエハ載置台
１ｅ1 を傾けることで設定する。

【００２２】なお、イオン源１ａ、イオンをイオン源１
ａから処理室１ｅに搬送するイオン搬送系および処理室
１ｅ内においては、全て高真空に保つ必要があり、その
ために真空ポンプによって真空排気することが可能とな
っている。

【００２３】全体制御部１ｆは、イオン打ち込み装置１
の各構成部の動作を制御するための構成部である。全体
制御部１ｆは、所定の処理手順を記憶するための記憶部
を有している。

【００２４】入力装置１ｇは、作業者が外部からイオン
打ち込み装置１に対して所定の指示を入力するための装
置であり、例えばキーボード等が使用されている。

【００２５】なお、イオン打ち込み装置１には、入力装
置１ｇから入力した内容やイオン打ち込み装置１側から
のメッセージ等を表示するための表示装置も有してい
る。

【００２６】次に、本実施の形態１のイオン打ち込み装
置のイオン打ち込み方法を図３のフロー図に沿って図
１、図２、図４および図５を用いて説明する。

【００２７】本実施の形態１のイオン打ち込み装置のイ
オン打ち込み方法は、そのイオン打ち込み自体は通常の
イオン打ち込み方法と同じである。異なるのは、そのイ
オン打ち込み処理に先立ってイオン打ち込み角度を最適
な値に設定することである。以下、その方法を説明す
る。

【００２８】まず、作業者は、図１に示した入力装置１
ｇからイオンの打ち込み角度を入力する（工程１０
１）。

【００２９】このイオン打ち込み角度には、図４に示す
ように、傾斜角度と回転角度とがある。傾斜角度は、半
導体ウエハ２の主面に垂直な軸Ｚとイオンビームの入射
線とのなす角θを言い、回転角度は、半導体ウエハ２に
水平な軸Ｘと、イオンビーム入射線の正射影線とのなす
角φを言う。

【００３０】続いて、作業者は、入力装置１ｇから半導
体ウエハ２の主面のミラー指数、例えば（１００）面等
を入力する（工程１０２）。なお、工程１０１と工程１
０２との順序は逆でも良い。

【００３１】すると、イオン打ち込み装置１の全体制御
部１ｆにおいては、入力されたイオンの打ち込み角度に
おける結晶軸に対するチャネリングの状態を計算する
（工程１０３）。

【００３２】その後、イオン打ち込み装置１の全体制御
部１ｆにおいては、上記したチャネリングの計算結果お
よびデバイス条件等に基づいてイオンの打ち込み角度が
最適か否か判定する（工程１０４）。

【００３３】この場合のデバイス条件とは、イオン打ち
込みにより形成される半導体領域の形成上の条件、例え
ばイオン打ち込み深さまたは不純物濃度分布の状態等を
言う。

【００３４】判定の結果、不適当とされた場合は、もう
一度、工程１０１に戻ってやり直す一方、最適であると
判定されれば、イオン打ち込み角度が決定される（工程
１０５）。イオン打ち込み装置１では、その設定された
イオン打ち込み角度でイオンを半導体ウエハ２に打ち込
むようにする。

【００３５】また、イオン打ち込みは打ち込み方向を変
えて何回かに分割して行う場合がある。この場合を図５
によって説明する。図５には、例えば９０度ステップで
４分割イオン打ち込みを行う場合が示されている。

【００３６】まず、上述の方法によってイオン打ち込み
角度を設定して１回目のイオン打ち込みを行う。続く、
２回目のイオン打ち込みでは、１回目のイオンビーム入
射線に対して直交する方向からイオン打ち込みを行う。

【００３７】続く、３回目のイオン打ち込みでは、２回
目のイオンビーム入射線に対して直交する方向からイオ
ン打ち込みを行う。すなわち、１回目のイオンビーム入
射線と一直線上になるように、かつ、１回目とは１８０
度反対側からイオン打ち込みを行う。

【００３８】続く、４回目のイオン打ち込みでは、３回
目のイオンビーム入射線に対して直交する方向からイオ
ン打ち込みを行う。すなわち、２回目のイオンビーム入
射線と一直線上になるように、かつ、１回目とは１８０
度反対側からイオン打ち込みを行う。

【００３９】これにより、斜め方向からのイオン打ち込
みを行った場合、１回のイオン打ち込みではイオンが打
ち込まれない領域が生じてしまう場合があるが、そのよ
うな不具合を防止することが可能となっている。

【００４０】図６は接合深さと＜１１０＞軸からのオフ
角度との関係を示している。すなわち、（１００）面の
法線に対する最適なイオン打ち込み角度を示すものであ
る。

【００４１】＜０１１＞軸からのイオンビームの傾斜角
度が＜０１１＞軸から６度オフとなるようにすると、イ
オン打ち込み装置のイオンビームの傾斜角度のばらつき
が±1.５度の場合に、接合深さのばらつきは＜０１１＞
軸の打ち込みと比較して最大0.１７μｍから±0.０１μ
ｍに減少することが判る。

【００４２】図７はイオンビームの回転角度が、例えば
４５度〜３１５度の打ち込みの場合（４分割）における
イオンビームと＜１１０＞軸とのなす角度および傾斜角
度との関係である。チャネリングの臨界角を６度とする
と、傾斜角度は３５〜５５度以外の角度で打ち込むこと
が好ましい。

【００４３】次に、本実施の形態１のイオン打ち込み技
術を用いた半導体集積回路装置の製造方法を図８〜図１
２によって説明する。なお、ここではチャネリングを防
止する例を記載する。

【００４４】まず、本実施の形態１のイオン打ち込み方
法をＭＯＳ・ＦＥＴのホットキャリア防止用の半導体領
域を形成する方法に適用した場合を図８〜図９によって
説明する。

【００４５】図８は半導体集積回路装置の製造工程中に
おける要部断面図である。半導体基板２ｓは、例えばｐ
形のシリコン（Ｓｉ）単結晶からなる。半導体基板２ｓ
の裏面には、基板電位を供給するための電極Ｓｕｂが設
けられている。

【００４６】半導体基板２ｓの上部にはｐウエル２ｐｗ
が形成されている。そして、そのｐウエル２ｐｗ上に、
例えばｎチャネル形のＭＯＳ・ＦＥＴ３が形成されてい
る。このＭＯＳ・ＦＥＴ３は、ｐウエル２ｐｗの上層部
に互いに離間して形成された一対の半導体領域３ｎｌ1,
３ｎｌ1 と、その半導体領域３ｎｌ1,３ｎｌ1 間上に設
けられたゲート絶縁膜３ｎｉと、ゲート絶縁膜３ｎｉ上
に形成されたゲート電極３ｎｇとを有している。

【００４７】半導体領域３ｎｌ1,３ｎｌ1 は、ソース・
ドレイン領域を形成するための領域であり、例えばｎ形
不純物のリンまたはＡｓが導入されて構成されている。
この半導体領域３ｎｌ1,３ｎｌ1 は、半導体基板２ｓ上
に設けられた引き出し電極４Ｄ, ４Ｓと電気的に接続さ
れている。この引き出し電極４Ｄ, ４Ｓは、例えば低抵
抗ポリシリコンからなる。

【００４８】ゲート絶縁膜３ｎｉは、例えば二酸化シリ
コン（ＳｉＯ₂)等からなる。ゲート電極３ｎｇは、例え
ば低抵抗ポリシリコンからなる。このゲート電極３ｎｇ
の側面には、サイドウォール５が形成されている。サイ
ドウォール５は、例えばＳｉＯ₂等からなる。

【００４９】このような半導体基板２ｓに対して半導体
領域３ｎｌ1,３ｎｌ1 のゲート電極３ｎｇ側の端部にそ
の半導体領域３ｎｌ1,３ｎｌ1 における不純物濃度より
も低濃度の不純物を含有する半導体領域を形成するため
に、次のようにイオン打ち込みを行う。

【００５０】まず、本実施の形態１においては、上記し
たように、その不純物のイオン打ち込み処理に先立って
その不純物のイオンの打ち込み角度を、そのデバイス条
件に応じた不純物導入となるように決める。ここでは、
チャネリングが生じ難いようにイオン打ち込み角度を設
定する。

【００５１】続いて、その決定したイオン打ち込み角度
に従って、例えばｎ形不純物を半導体基板２ｓの主面に
対して斜め方向からイオン注入する。これにより、不純
物をサイドウォール５の下方にも打ち込む。

【００５２】その後、半導体基板２ｓに対して熱処理を
施すことにより、図９に示すように、半導体領域３ｎｌ
1,３ｎｌ1 の端部に低不純物濃度で、浅く、かつ不純物
濃度分布のなだらかな半導体領域３ｎｌ2,３ｎｌ2 を形
成する。

【００５３】次に、本実施の形態１のイオン打ち込み方
法を素子分離部の形成方法に適用した場合を図１０〜図
１２によって説明する。なお、ここではチャネリングを
利用する例を記載する。

【００５４】まず、図１０に示すように、半導体基板２
ｓの上部にドライエッチング方法等によって溝６を形成
した後、図１１に示すように、半導体基板２ｓ上に、例
えばＳｉＯ₂等からなる絶縁膜７をＣＶＤ法等によって
堆積する。

【００５５】続いて、この絶縁膜７を、図１２に示すよ
うに、絶縁膜７の上面が半導体基板２ｓの主面と一致す
る程度までエッチバックすることにより、溝６内に埋め
込む。

【００５６】その後、素子分離用の溝６の周囲に素子分
離用の半導体領域を形成すべく、次のように不純物イオ
ンを打ち込む。

【００５７】まず、本実施の形態１においては、上記し
たように、その不純物のイオン打ち込みに先立ってその
不純物のイオンの打ち込み角度を、そのデバイス条件に
応じた不純物導入となるように決める。ここでは、チャ
ネリングが生じ易いようにイオン打ち込み角度を設定し
ており、例えば傾斜角度が４５度程度とする。

【００５８】続いて、その決定したイオン打ち込み角度
に従って、半導体基板２ｓの主面に対して斜め方向か
ら、例えばｐ形不純物のリンイオンを打ち込む。

【００５９】その後、半導体基板２ｓに対して熱処理を
施すことにより、素子分離用の溝６の周囲に素子分離用
の高不純物濃度の半導体領域を形成する。

【００６０】このような本実施の形態１によれば、以下
の効果を得ることが可能となる。

【００６１】(1).イオン打ち込み処理に際して、デバイ
スに最適なイオン打ち込み角度でイオン打ち込み処理を
行うことができるので、イオン打ち込み時におけるチャ
ネリングによるデバイス特性のばらつきを抑制すること
が可能となる。

【００６２】(2).イオン打ち込み処理に際して、デバイ
スに最適なイオン打ち込み角度でイオン打ち込み処理を
行うことができるので、不純物を高濃度に含有する半導
体領域を形成することができ、デバイス特性を向上させ
ることが可能となる。

【００６３】(3).上記(1),(2) により、半導体集積回路
装置の信頼性を向上させることが可能となる。

【００６４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００６５】例えば前記実施の形態においては、イオン
打ち込み装置のＸＹ走査部によってイオンビームを半導
体基板の主面に対して斜め方向から入射した場合につい
て説明したが、これに限定されるものではなく、例えば
半導体ウエハを載置する載置台を斜めに傾斜させること
でイオンビームの入射角度を斜めにするようにしても良
い。

【００６６】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＭＯＳ
・ＦＥＴの形成のためのイオン打ち込み技術に適用した
場合について説明したが、それに限定されるものではな
く、例えばバイポーラトランジスタの形成のためのイオ
ン打ち込み技術等に適用できる。

【００６７】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。

【００６８】(1).本発明のイオン打ち込み方法によれ
ば、チャネリングを考慮した斜めイオン打ち込みが可能
となるので、被処理物におけるイオンの打ち込み深さ、
分布等の精度を向上させることができる。したがって、
例えば半導体集積回路装置の素子形成に適用することに
より、素子特性のばらつきを抑え、素子特性の向上を図
ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態であるイオン打ち込み装
置（枚葉タイプ）の説明図である。

【図２】本発明の一実施の形態であるイオン打ち込み装
置（バッチタイプ）の説明図である。

【図３】図１のイオン打ち込み装置のイオン打ち込み処
理前段階における設定フロー図である。

【図４】イオン打ち込み角度を説明するための説明図で
ある。

【図５】分割イオン打ち込み方法を説明するための説明
図である。

【図６】イオン打ち込み角度と接合深さとの関係を示す
グラフ図である。

【図７】所定の回転角度におけるイオンビームと＜１１
０＞軸とのなす角度および傾斜角度との関係を示すグラ
フ図である。

【図８】図１のイオン打ち込み装置を用いた半導体集積
回路装置の製造工程中における要部断面図である。

【図９】図１のイオン打ち込み装置を用いた半導体集積
回路装置の図８に続く製造工程中における要部断面図で
ある。

【図１０】図１のイオン打ち込み装置を用いた半導体集
積回路装置の製造工程中における要部断面図である。

【図１１】図１のイオン打ち込み装置を用いた半導体集
積回路装置の図１０に続く製造工程中における要部断面
図である。

【図１２】図１のイオン打ち込み装置を用いた半導体集
積回路装置の図１１に続く製造工程中における要部断面
図である。

【符号の説明】

１イオン打ち込み装置１ａイオン源１ｂ質量分析部１ｃ後段加速管１ｄＸＹ走査部１ｅ処理室１ｅ1 ウエハ載置台１ｅ2 駆動部１ｆ全体制御部１ｇ入力装置１Ｂｃビームコリメータ部２半導体ウエハ（被処理物）２ｓ半導体基板（被処理物）３ＭＯＳ・ＦＥＴ３ｎ１1 半導体領域３ｎｌ2 半導体領域３ｎｉゲート絶縁膜３ｎｇゲート電極４Ｓ, ４Ｄ電極５サイドウォール６溝７絶縁膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者青山仁子東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者増田弘生東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者鎌田正東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定のイオンを被処理物の主面に対して
斜め方向から打ち込む斜めイオン打ち込み処理に先立っ
て、（ａ）前記所定のイオンの打ち込み角度と被処理物
の結晶軸との関係からチャネリングが生じるか否かを判
定する工程と、（ｂ）前記チャネリングが生じるか否か
の判断結果とイオン打ち込みにより形成される領域の形
成条件とから前記所定のイオンの打ち込み角度が最適か
否かを判定する工程と、（ｃ）前記所定のイオンの打ち
込み角度が最適となるまで、前記チャネリングが生じる
か否かを判定する工程および前記所定のイオンの打ち込
み角度が最適か否かを判定する工程を繰り返す工程とを
有し、前記所定のイオンの打ち込み角度の最適値の結果に従っ
て、前記所定のイオンを被処理物の主面に対して斜め方
向から打ち込むことを特徴とするイオン打ち込み方法。
【請求項２】請求項１記載のイオン打ち込み方法にお
いて、前記被処理物がシリコンからなり、前記所定のイ
オンの打ち込み面が前記シリコンの（１００）面であ
り、前記イオン打ち込み角度において、＜１１０＞軸か
らの傾斜角度が６度オフとなるようにすることを特徴と
するイオン打ち込み方法。
【請求項３】請求項１記載のイオン打ち込み方法にお
いて、前記被処理物がシリコンからなり、前記所定のイ
オンの打ち込み面が前記シリコンの（１００）面であ
り、前記イオン打ち込み角度における傾斜角度が３５〜
５５度以外とすることを特徴とするイオン打ち込み方
法。
【請求項４】半導体基板上にＭＩＳ・ＦＥＴを有する
半導体集積回路装置の製造方法であって、前記ＭＩＳ・ＦＥＴのソース・ドレインを構成する半導
体領域のチャネル側端部に低不純物濃度の半導体領域を
形成するために、所定の不純物イオンを前記半導体基板
の主面に対して斜め方向から打ち込む斜めイオン打ち込
み処理に先立って、（ａ）前記所定の不純物イオンの打
ち込み角度と半導体基板の結晶軸との関係からチャネリ
ングが生じるか否かを判定する工程と、（ｂ）前記チャ
ネリングが生じるか否かの判断結果とイオン打ち込みに
より形成される半導体領域の形成条件とから前記所定の
不純物イオンの打ち込み角度が最適か否かを判定する工
程と、（ｃ）前記所定の不純物イオンの打ち込み角度が
最適となるまで、前記チャネリングが生じるか否かを判
定する工程および前記所定の不純物イオンの打ち込み角
度が最適か否かを判定する工程を繰り返す工程とを有
し、前記所定の不純物イオンの打ち込み角度の最適値の結果
に従って、前記所定の不純物イオンを半導体基板の主面
に対して斜め方向から打ち込む工程とを有することを特
徴とする半導体集積回路装置の製造方法。