JP2007520885A - 半導体処理におけるウエハの結晶切断誤差のための補正方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の例示的な実施形態の上記および他の目的、利点、および特徴が、添付する図面にとともに詳細に説明される。
更に、下位の素子性能による不純物は、材料の原子構造において、より不規則性をもたらすが、結晶構造の規則性は、非常に適切な素子性能および歩留まりを与える。
508の部分(たとえば、コーナー部)によってブロックされるいくつかのイオンを有する。このように、基板領域520,522,524内の領域550,552,554は、ドーパントイオンの意図した量より少ない量を受け取る。特徴部502,504,506,
508が密接して配置され、それぞれの間隔510,512,514が狭く作られているので、少なくドープされて領域550,552,554が基板領域520,522,524の部分の中でより多くなる。したがって、シャドーイングに関連した逆の作用が、誇張され、チャネリング作用を考慮に入れながら、収納密度を増加させる。
注入角度は、たとえば、製造される半導体素子のタイプ、その素子に対する性能仕様及び受け入れ可能な故障率等に基づいた、いくつかの予め規定された許容差または範囲内に、シャドーイングの程度をもたらすように調整することができる。
Claims (32)
- イオン注入システムにおける結晶切断誤差を計算するための方法であって、
ウエハの選択位置内にイオンを注入するために前記ウエハの表面に向けてイオンビームに対する前記ウエハの機械的表面の方向に関するデータを取得し、
前記ウエハの表面上に形成される特徴部に関係し、該特徴部間に存在するそれぞれの間隔を含むデータを取得し、
所定の方向データと前記特徴部のデータに基づき、イオン注入中に生じるシャドーイングのそれぞれの大きさを決定し、
シャドーイングを十分に軽減するために、イオンビームと前記ウエハの表面との間の相対的方向をどのように調整すべきかを決定し、
前記ウエハの実際の格子構造に対する前記ウエハの機械的表面の方向に関係する結晶切断誤差データを取得し、
所定の方向データと切断データに基づき、イオン注入により生じるチャネリングの重要度を決定し、
所望のチャネリングを達成するために、イオンビームとウエハ表面との間の相対的方向をどのように調整すべきかを決定し、
シャドーイングを軽減するために提案された調整と、チャネリングの提案された調整とが一致しているかどうかを決定する、各工程を含むことを特徴とする方法。 - 前記結晶切断誤差データは、ウエハサプライヤー、独立のツール、および同一または異なる注入システムの少なくとも1つから得られることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記結晶切断誤差データは、ラザフォードのバックスキャタリング、X構成の回折、および結晶学の少なくとも1つを用いて得られることを特徴とする請求項2記載の方法。
- 製造される半導体素子のタイプ、性能仕様、及び半導体素子に対する受け入れ可能な故障率に基づく、少なくとも1つの予め規定されたシャドーイングの許容差を考慮するシャドーイングの大きさを十分に軽減するために、どのような調整が必要であるかを決定するステップを有することを特徴とする請求項1記載の方法。
- シャドーイングの大きさを十分に軽減するために、製造される半導体素子のタイプ、性能仕様、及び半導体素子に対する受け入れ可能な故障率に基づく、少なくとも1つの予め規定されたチャネリングの許容差を考慮して、どのような調整が必要であるかを決定するステップを有することを特徴とする請求項1記載の方法。
- チャネリングとシャドーイングを十分に軽減するための受け入れ可能な再方向付けを決定する工程は、さらに、
予め規定された性能基準を有する、異なる大きさのチャネリング及びシャドーイングのそれぞれの作用を考慮し、
前記それぞれの作用を予め規定された受け入れ可能レベルと比較し、さらに、
前記それぞれの作用及び前記受け入れ可能レベルの重要度に基づいてチャネリング及びシャドーイングを、重み付けされた異なる大きさに割り当てる、各ステップを有することを特徴とする請求項1記載の方法。 - 前記特徴部のデータが、前記特徴部の1つ以上の幅を含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 1つ以上のイオン注入システムにおいて、結晶切断誤差を計算する方法であって、
基準の結晶格子構造、実際の結晶格子構造、およびウエハの機械的表面の間の変化に関係する、前記ウエハに関連した結晶格子誤差データを、ウエハが配置されている1つ以上のイオン注入システムの各ステージに対して周期的に供給し、
前記結晶切断誤差データに照らして所望のイオン注入を達成するために、前記ウエハの機械的表面とイオンビームとの間の相対的な方向付けを調整する仕方を決定する、各工程を含んでいることを特徴とする方法。 - イオンビームからのイオンを用いて、ウエハ又はその一部分をまさに注入しようとするとき、前記結晶切断誤差データが、1つ以上のステージまたはシステムに供給されることを特徴とする請求項8記載の方法。
- 前記1つ以上のステージまたはシステムを介してそれぞれのウエハの第1通路上に、特定の複数のウエハに関連した各結晶切断誤差データが、前記ステージまたはシステムに対して一回供給され、
前記1つ以上のステージまたはシステムが、特定のウエハに関連したそれぞれの結晶切断誤差データを保持し、前記ウエハを前記ステージまたはシステムの中に複数回供給し、前記ステージまたはシステムの中に、それぞれのウエハを再度供給するとき、前記ステージまたはシステムは、特定のウエハを再処理する際に、対応するウエハデータを再利用することを特徴とする請求項9記載の方法。 - 前記結晶切断誤差データが、複数のウエハに関連しかつ1つ以上のステージまたはシステムに一回供給されて、複数のウエハを1回以上処理し、前記ステージまたはシステムは、複数のウエハに関連した結晶切断誤差データを保持しており、複数のウエハが、前記ステージまたはシステムの中にそれぞれ供給及び再供給されるとき、前記ステージまたはシステムが、前記結晶切断誤差データを使用及び再使用して、前記複数のウエハをそれぞれ処理及び再処理することを特徴とする請求項10記載の方法。
- 単一の結晶切断誤差データが、複数のウエハに関連し、単一のブールから同一の方向にウエハが切断されることを特徴とする請求項11記載の方法。
- それぞれの結晶切断誤差データが、異なるブールから切断された一群のウエハに関連していることを特徴とする請求項12記載の方法。
- それぞれの結晶切断誤差データが、同一のブールから連続して切断された、異なる群のウエハに関連していることを特徴とする請求項13記載の方法。
- イオンビームを用いてウエハ内にイオンを注入する方法であって、
基準の結晶格子構造、実際の結晶格子構造、およびウエハの機械的表面の間の変化に関する結晶切断誤差データを取得し、
前記ウエハの表面上に形成された特徴部に関係し、この特徴部間に存在するそれぞれの間隔を含むデータを取得し、
シャドーイング作用を十分に軽減し、かつ前記結晶切断誤差データと前記特徴部のデータに照らして所望のチャネリングを達成するために、前記イオンビームとウエハの表面との間の相対的方向を調整する、各工程を含むことを特徴とする方法。 - 単一の結晶切断誤差データが、複数のウエハに関連し、単一のブールから同一の方向にウエハが切断されることを特徴とする請求項15記載の方法。
- それぞれの結晶切断誤差データが、異なるブールから切断された一群のウエハに関連していることを特徴とする請求項16記載の方法。
- それぞれの結晶切断誤差データが、同一のブールから連続して切断された、異なる群のウエハに関連していることを特徴とする請求項17記載の方法。
- 加工物内にイオンを注入する方法であって、
注入されるべき複数のイオンを含むイオンビームと、イオンが注入される前記加工物の表面との間の相対的方向を決定するのに関係するイオン注入データを取得し、
前記イオン注入データに基づいて前記イオンビームと前記加工物の表面との相対的方向をどのように調整すべきかを決定し、
この調整の決定に基づいて、前記イオンビームと加工物の表面との相対的方向を選択的に調整する、各工程を含むことを特徴とするイオン注入方法。 - 前記イオン注入データは、前記加工物の選択位置内でイオンを注入するために、前記加工物の表面に向けられたイオンビームに対して前記加工物の機械的表面の方向に関係するデータを含んでいることを特徴とする請求項19記載の方法。
- 前記イオン注入データは、前記加工物の表面上に形成された1つ以上の特徴部に関するデータと、前記特徴部間に存在するそれぞれの間隔とを含み、
前記調整の決定が、所定の方向データと特徴部のデータに基づき、イオン注入中に、生じるシャドーイングのそれぞれの大きさを考慮して、シャドーイングを軽減するように前記決定が行われることを特徴とする請求項20記載の方法。 - 前記イオン注入データは、前記加工物の表面と前記加工物の格子構造との相対的方向に関係する切断誤差データを含み、
前記調整の決定が、所定の方向データと切断データに基づき、イオン注入により生じるチャネリングの重要度を考慮して、チャネリングを軽減するように前記決定が行われることを特徴とする請求項20記載の方法。 - 前記イオン注入データは、さらに、前記加工物の表面と前記加工物の格子構造との相対的方向に関係する切断誤差データを含み、
前記調整の決定が、所定の方向データと切断データに基づき、イオン注入により生じるチャネリングの重要度を考慮して、チャネリングを軽減するように前記決定が行われることを特徴とする請求項21記載の方法。 - 前記特徴部のデータは、前記特徴部の1つ以上の幅を含むことを特徴とする請求項21記載の方法。
- イオンを発生させるイオン源と、
前記イオン源によって発生したイオンからイオンビームを生じさせて、軌道経路に沿ってイオンを向かわせるためのビームラインアセンブリと、
前記軌道経路に対して加工物を位置決め、イオンビーム内を移動するイオンが、選択された位置にある加工物に衝突するようにするエンドステーションと、
加工物の表面と、これに衝突するイオンビームとの相対的な方向を決定することに関連するイオン注入データを得るために作動するプロセッサと、
を含むことを特徴とするイオン注入システム。 - 前記イオン注入データは、前記加工物の選択位置内でイオンを注入するために、前記加工物の表面に向けられたイオンビームに対して、前記加工物の機械的表面の方向に関するデータを含むことを特徴とする請求項25記載のイオン注入システム。
- 前記イオン注入データは、前記加工物の表面上に形成された1つ以上の特徴部に関係し、前記特徴部間に存在するそれぞれの間隔を含んでいるデータを含み、
前記プロセッサは、所定の方向データと特徴部のデータに基づき、イオン注入中に生じるシャドーイングのそれぞれの大きさを決定し、シャドーイングを十分に軽減するために、イオンビームと前記加工物の表面との間の相対的方向をどのように調整すべきかを決定することを特徴とする請求項26記載のイオン注入システム。 - 前記イオン注入データは、前記加工物の表面と前記加工物の格子構造との相対的方向に関係する切断誤差データを含み、
前記プロセッサは、所定の方向データと切断データに基づき、イオン注入により生じるチャネリングの重要度を決定し、チャネリングを十分に軽減するために、イオンビームと前記加工物の表面との間の相対的方向をどのように調整すべきかを決定することを特徴とする請求項26記載のイオン注入システム。 - 前記イオン注入データは、さらに、前記加工物の表面と前記加工物の格子構造との相対的方向に関する切断誤差データを含み、
前記プロセッサは、所定の方向データと切断データに基づき、イオン注入により生じるチャネリングの重要度を決定し、チャネリングを十分に軽減するために、イオンビームと前記加工物の表面との間の相対的方向をどのように調整すべきかを決定することを特徴とする請求項27記載のイオン注入システム。 - 前記イオンビームと前記加工物の表面との間の相対的方向どのように調整すべきかを決定して、シャドーイングとチャネリングを十分に軽減するために、前記プロセッサは、
予め規定された性能基準を有する、異なる大きさのチャネリング及びシャドーイングのそれぞれの作用を考慮し、
前記それぞれの作用を予め規定された受け入れ可能レベルと比較し、さらに、
前記それぞれの作用及び前記受け入れ可能レベルの重要度に基づいてチャネリング及びシャドーイングを、異なる大きさに重み付けして割り当てる、各ステップを有することを特徴とする請求項29記載のイオン注入システム。 - 前記特徴部のデータが、前記特徴部の1つ以上の幅を含んでいることを特徴とする請求項27記載のイオン注入システム。
- 前記切断誤差データは、ラザフォードのバックスキャタリング、X構成の回折、および結晶学の少なくとも1つを用いて得られることを特徴とする請求項28記載のイオン注入システム。
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