JPS63254651A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS63254651A JPS63254651A JP8909787A JP8909787A JPS63254651A JP S63254651 A JPS63254651 A JP S63254651A JP 8909787 A JP8909787 A JP 8909787A JP 8909787 A JP8909787 A JP 8909787A JP S63254651 A JPS63254651 A JP S63254651A
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- Japan
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- ion implantation
- angle
- ion
- wafer
- silicon wafer
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シリコンウェハのイオン注入角度を最適化
できる半導体製造装置に関するものである。
できる半導体製造装置に関するものである。
第４図（、）は、一般的なイオン注入装置を示す概略構
成図であり、図において、（１）はイオン源、（２）は
加速器、（３）は質量分析ｉ、（４）は中性ビーム分離
器、（５）はビーム偏向Ｎ極、（６）はターゲット部で
ある。また、第４図（ｂ）は、第４図（ａ）におけるタ
ーゲット部（６）の拡大図である。
成図であり、図において、（１）はイオン源、（２）は
加速器、（３）は質量分析ｉ、（４）は中性ビーム分離
器、（５）はビーム偏向Ｎ極、（６）はターゲット部で
ある。また、第４図（ｂ）は、第４図（ａ）におけるタ
ーゲット部（６）の拡大図である。
次に動作について説明する。上記従来のイオン注入装置
では、イオン源（１）で発生した不純物イオンを加速器
（２）で加速した後、質量分析器（３）で目的のイオン
種のみを取り出し、中性ビーム分離器（４）によって中
性不純物ビームを除去して、ビーム偏向電極（５）によ
ってウエノ・内に、均一に注入されるように、イオンビ
ームを走査した後に、チャネル効果を避けるために一般
的には７〜１０°傾けたシリコンウェハに注入する。
では、イオン源（１）で発生した不純物イオンを加速器
（２）で加速した後、質量分析器（３）で目的のイオン
種のみを取り出し、中性ビーム分離器（４）によって中
性不純物ビームを除去して、ビーム偏向電極（５）によ
ってウエノ・内に、均一に注入されるように、イオンビ
ームを走査した後に、チャネル効果を避けるために一般
的には７〜１０°傾けたシリコンウェハに注入する。
ここでチャネル効果とは、ターゲット結晶の特定の面方
位とイオンビームの方向とが一致した場合に特に強い注
入現象が起き、この結果注入イオンが、ターゲット内部
に比較的深く分布する効果のことである。
位とイオンビームの方向とが一致した場合に特に強い注
入現象が起き、この結果注入イオンが、ターゲット内部
に比較的深く分布する効果のことである。
近年のＬＳＩの微細化に伴い、チャネル効果を避けるだ
めに、シリコンウェハを７〜１００傾けてイオン注入を
行なう時に、笛３図のようなシャドウ効果が問題となっ
てきた。このシャドウ効果は、イオン注入角が大きいほ
ど顕著に見られるため、イオン注入方向がチャネル方向
にならない範囲でこのイオン注入角をできる限り小さく
してやる必要がある。
めに、シリコンウェハを７〜１００傾けてイオン注入を
行なう時に、笛３図のようなシャドウ効果が問題となっ
てきた。このシャドウ効果は、イオン注入角が大きいほ
ど顕著に見られるため、イオン注入方向がチャネル方向
にならない範囲でこのイオン注入角をできる限り小さく
してやる必要がある。
従来のイオン注入器では、このイオン注入角は、ターゲ
ット部（６）を機械的に角度を持たせるように設定する
だけであシ、実際のウェハが、最適なイオン注入角にな
っているかどうか、わからないという問題があった。こ
こで図中のα〔はＳ１ウエハ、（２）は未注入領域、（
至）はレジストである。
ット部（６）を機械的に角度を持たせるように設定する
だけであシ、実際のウェハが、最適なイオン注入角にな
っているかどうか、わからないという問題があった。こ
こで図中のα〔はＳ１ウエハ、（２）は未注入領域、（
至）はレジストである。
この発明は、上記従来のものの欠点を鑑みなされたもの
で、ウェハのイオン注入角を正確に検知し、それを制御
することによって、常に最適なイオン注入角で、イオン
注入できる半導体装置を提供することを目的としている
。
で、ウェハのイオン注入角を正確に検知し、それを制御
することによって、常に最適なイオン注入角で、イオン
注入できる半導体装置を提供することを目的としている
。
この発明て係るイオン注入器は、検知部てよってシリコ
ンウェハのイオン注入角を検知して、制御部駆動部によ
って、そのイオン注入角を変化させ、それを最適な角度
に設定できるようにしたものである。
ンウェハのイオン注入角を検知して、制御部駆動部によ
って、そのイオン注入角を変化させ、それを最適な角度
に設定できるようにしたものである。
この発明における駆動部は、検知部からのイオン注入角
度を制御部により最適値に制御して、シリコンウェハの
角度を変化させる。
度を制御部により最適値に制御して、シリコンウェハの
角度を変化させる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）〜（６）は従来のイオン注入器と同
様な構成になっている。この実施例において、従来例と
異なっている所は、図のように、Ｘ線回折装置（（力は
Ｘ線源、（８）は検知部（Ｘ線検出器））及びイオン注
入角を変えるだめの駆動部（９）、そしてその駆動量を
制御する制御部（′１４）を設けたところである。
図において、（１）〜（６）は従来のイオン注入器と同
様な構成になっている。この実施例において、従来例と
異なっている所は、図のように、Ｘ線回折装置（（力は
Ｘ線源、（８）は検知部（Ｘ線検出器））及びイオン注
入角を変えるだめの駆動部（９）、そしてその駆動量を
制御する制御部（′１４）を設けたところである。
前にも述べたように、シャドウ効果を避けるためにはイ
オン注入角は、イオン注入方向がランダム方向、つまり
、チャネル方向以外の方向であり、さらに、そのイオン
注入角が最小である必要がある０ 第２図は、本発明の動作のフローチャートである。簡単
て説明すると、イオン注入を行なう前にＸ線回折によっ
て、イオン注入方向が、ランダム方向になるようにｍ４
部（９）によってシリコンウェハの角度を変える。次に
、その角度が最小になるように、この行程を、くり返し
行なう。このようにして、最適なイオン注入方向を決定
した後に、イオン注入を行なう。
オン注入角は、イオン注入方向がランダム方向、つまり
、チャネル方向以外の方向であり、さらに、そのイオン
注入角が最小である必要がある０ 第２図は、本発明の動作のフローチャートである。簡単
て説明すると、イオン注入を行なう前にＸ線回折によっ
て、イオン注入方向が、ランダム方向になるようにｍ４
部（９）によってシリコンウェハの角度を変える。次に
、その角度が最小になるように、この行程を、くり返し
行なう。このようにして、最適なイオン注入方向を決定
した後に、イオン注入を行なう。
以下、ウェハごとに、スタートからストップまでの行程
を、その都度性なうことによって、再現性のよい、最適
なイオン注入を行なうことができる０ 本発明では、Ｘ線源（７）及びＸ線検出器（８）を、Ｘ
線回折装置として用いたが、Ｘ線の波長とＸ線検出器（
８）の種類を取シ換えることによって、Ｘ線照射時のウ
ェハ表面からの特性Ｘ線を測定して、表面の定性分析が
可能となる。
を、その都度性なうことによって、再現性のよい、最適
なイオン注入を行なうことができる０ 本発明では、Ｘ線源（７）及びＸ線検出器（８）を、Ｘ
線回折装置として用いたが、Ｘ線の波長とＸ線検出器（
８）の種類を取シ換えることによって、Ｘ線照射時のウ
ェハ表面からの特性Ｘ線を測定して、表面の定性分析が
可能となる。
以上のように、この発明によれば、従来のイオン注入器
においてウェハのＸ線回折機構を設けることによって、
ランダム方向で、かつ、シャドウ効果が最小であるイオ
ン注入を行なうことができる０
においてウェハのＸ線回折機構を設けることによって、
ランダム方向で、かつ、シャドウ効果が最小であるイオ
ン注入を行なうことができる０
第１図は、この発明の一実施例による全体イコ成図、第
２図はその動作の７０−チャート、第３図は、シャドウ
効果の説明図、第４図は、従来のイオン注入器の全体構
成図である。 また、図中のｔｌ）はイオン源、（２）は加速器、（３
）は質量分析器、【４）は中性ビーム分離ｉ！Ｌｆ５）
はビーム偏向電極、＋６１ ？まターゲット部、（７）
はＸ線源、（８）は検知部（Ｘ線検出器”） 、（９）
は駆動部、ＦｌＯはシリコンウェハ、（旬はイオン注入
角、０■は未注入領域、（至）はフォトレジスト、α４
）は制御部である。 なお、図中同一符号は同−又は相嶺部分を示す。
２図はその動作の７０−チャート、第３図は、シャドウ
効果の説明図、第４図は、従来のイオン注入器の全体構
成図である。 また、図中のｔｌ）はイオン源、（２）は加速器、（３
）は質量分析器、【４）は中性ビーム分離ｉ！Ｌｆ５）
はビーム偏向電極、＋６１ ？まターゲット部、（７）
はＸ線源、（８）は検知部（Ｘ線検出器”） 、（９）
は駆動部、ＦｌＯはシリコンウェハ、（旬はイオン注入
角、０■は未注入領域、（至）はフォトレジスト、α４
）は制御部である。 なお、図中同一符号は同−又は相嶺部分を示す。
Claims (2)
- （１）不純物を添加するためのイオン注入路において、
シリコンウェハのイオン注入角度を変化させるウェハ駆
動部とその角度を制御する制御部と駆動すべき角度を決
定する検知部を備えた半導体製造装置。 - （２）検知部を、Ｘ線回折装置を用いて、注入角度を決
定する構成にし、各部の機能を、マイクロコンピュータ
で制御することを特徴とした特許請求の範囲第１項記載
の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8909787A JPS63254651A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8909787A JPS63254651A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254651A true JPS63254651A (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=13961378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8909787A Pending JPS63254651A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63254651A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007520885A (ja) * | 2004-01-22 | 2007-07-26 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | 半導体処理におけるウエハの結晶切断誤差のための補正方法 |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP8909787A patent/JPS63254651A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007520885A (ja) * | 2004-01-22 | 2007-07-26 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | 半導体処理におけるウエハの結晶切断誤差のための補正方法 |
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