JPH10262188A - ビデオカメラ - Google Patents

ビデオカメラ

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JPH10262188A
JPH10262188A JP9064184A JP6418497A JPH10262188A JP H10262188 A JPH10262188 A JP H10262188A JP 9064184 A JP9064184 A JP 9064184A JP 6418497 A JP6418497 A JP 6418497A JP H10262188 A JPH10262188 A JP H10262188A
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JP
Japan
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voltage
predetermined period
substrate
substrate voltage
video camera
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JP9064184A
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English (en)
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Masahito Ota
雅仁 太田
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 光量の異なる被写体AおよびBに対応する電
荷は、基板電圧の電圧値がVH のときには飽和レベルS
2 で飽和する。しかし、時間t3 で電圧値がVL に切り
換えられると飽和レベルはS1 となり、再び電荷の蓄積
が開始される。その後、垂直同期信号の立ち下がりで蓄
積された電荷は転送される。なお、電圧値VH の期間に
比べて電圧値VL の期間は短く設定されており、飽和レ
ベルS 1 で電荷は飽和しない。このため、光量差に応じ
た電荷が転送される。 【効果】 1フィールド期間内にパルスに忠実に追従す
る基板電圧を与えるようにしたので、固体撮像しに蓄積
される電荷を調整でき、映像信号のダイナミックレンジ
が擬似的に広くされる。したがって、既存のCCDを用
いた簡単な回路で光量差の大きな被写体を撮像できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ビデオカメラに関
し、特にたとえば光量差の大きな被写体を撮像するビデ
オカメラに関する。
【0002】
【従来の技術】通常、CCD(Charge Coupled Device)
の光量変換特性はγ=1であり、入射光量に比例した映
像信号を取り出すことができるが、CCDに蓄積できる
電荷は限られているため、所定レベル以上が飽和してし
まう。すなわち、図6に示すように、たとえば互いに光
量の異なる被写体DとEとを撮影した場合、被写体Dに
対応する電荷は時間t6 で飽和レベルS4 に達し、被写
体Eに対応する電荷は時間t7 で飽和レベルS4 に達す
る。このため、光量が異なっていても、時間t5で垂直
CCDに転送される電荷量は等しくなってしまう。
【0003】このような問題を解決するために、平成1
年8月17日付けで出願公開された特開平1−2045
79号公報[H04N5/335,5/243]に開示
のテレビカメラ装置では、電荷の読み出し線を2系統設
け、それぞれの読み出し線から得られるかつ、2種類の
感度を有する映像信号を加算するようにしている。これ
によって、コントラストの大きな被写体を撮影しても白
レベルが飽和しない映像を得ることができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなテ
レビカメラ装置では、高速シャッタ用および低速シャッ
タ用の2つの信号処理系統を設けるとともに、2つの映
像信号を適切に加算するための種々の回路が必要であ
り、回路構成が複雑になる。また、2つの信号処理系統
を必要とするため、既存ののCCDが使用できない。
【0005】それゆえに、この発明の主たる目的は、既
存のCCDを用いた簡単な回路で光量差の大きな被写体
を撮像できるビデオカメラを提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】第1の発明は、電荷転送
素子が形成された基板を有する固体撮像素子と、基板に
基板電圧を印加する基板電圧発生手段とを備えるビデオ
カメラにおいて、1フィールド期間に含まれる第1所定
期間に基板電圧を第1基板電圧に設定し、1フィールド
期間に含まれ第1所定期間に続く第2所定期間に基板電
圧を第1電圧値よりも低い第2基板電圧に設定する電圧
切換手段を備えることを特徴とする、ビデオカメラであ
る。
【0007】第2の発明は、電荷転送素子が形成された
基板を有する固体撮像素子を備えるビデオカメラにおい
て、1フィールド期間に含まれる第1所定期間に基板の
基板電圧を第1電圧に設定する第1設定手段、および1
フィールド期間に含まれるかつ第1所定期間に続く第2
所定期間に基板電圧を第1電圧よりも低い第2電圧に設
定する第2設定手段を備えることを特徴とする、ビデオ
カメラである。
【0008】
【作用】基板電圧発生回路は、第1所定期間にハイレベ
ルとなり第2所定期間にローレベルとなる基板電圧パル
スを発生する。固体撮像素子の飽和レベルは基板電圧に
よって規定され、第2所定期間の飽和レベルは第1所定
期間の飽和レベルよりも高くなる。したがって、たとえ
ば光量の異なる2種類の被写体が撮影されると、それぞ
れの被写体の電荷は第1所定期間に一旦飽和し、その後
第2所定期間に再び電荷の蓄積が行われる。このため、
第2所定期間の経過時に固体撮像素子に蓄積されている
電荷の量は互いに異なる。
【0009】なお、基板電圧発生回路の出力インピーダ
ンスを低くすれば、その出力インピーダンスと固体撮像
素子がもつ容量(キャパシタンス)とによって規定され
る時定数が短くなるので、基板電圧パルスの歪みが抑制
される。
【0010】
【発明の効果】この発明によれば、第1所定期間におけ
る基板電圧を第2所定期間よりも高くするようにしたの
で、第2所定期間が経過したときに被写体の光量に応じ
た量の電荷を得ることができる。したがって、従来技術
のような特殊なCCDを用いる必要もなく、既存のCC
Dを用いた簡単な回路で白レベルの飽和していない映像
を得ることができる。
【0011】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【0012】
【実施例】図1に示すこの実施例のビデオカメラ10
は、電荷転送素子が形成された基板を有するCCD(Ch
arge Coupled Device)12を含む。CCD12では、照
射された被写体の光量に応じた電荷をもつカメラ信号が
生成される。このカメラ信号は、CDS(Correlation D
ouble Sampling) 回路14で相関2重サンプリングされ
ることによって映像信号となり、その映像信号が、信号
処理回路16でクランプおよびクリップなどの処理を施
され、出力端子18から出力される。
【0013】一方、図示しないタイミングジェネレータ
から出力された垂直同期信号および水平同期信号が、基
板電圧発生回路20に含まれるパルス発生回路22に与
えられる。パルス発生回路22は、その垂直同期信号お
よび水平同期信号に基づいて、CCD12の基板電圧の
切り換えタイミングを制御する制御パルスを生成する。
この制御パルスがレベル調整回路24でレベル調整さ
れ、レベル調整されたパルスがクランプ回路26でクラ
ンプされ、そしてクランプされたパルスがアンプ28で
増幅されることによって、基板電圧パルスが生成され
る。すなわち、制御パルスと同じタイミングでレベルが
変化する基板電圧パルスが得られる。この基板電圧パル
スが、バッファ30を介してCCD12に与えられる。
CCD12では、基板電圧が大きいほど電位井戸は浅く
なり、基板電圧が小さいほど電位井戸は深くなる。すな
わち、基板電圧が大きい場合には飽和レベルは低く、基
板電圧が小さい場合には飽和レベルは高くなる。この実
施例では、所定タイミングで基板電圧の電圧値を切り換
えることによって、光量差の大きな被写体を撮影したと
きでも白レベルが飽和しない映像を得るようにしてい
る。
【0014】基板電圧発生回路20は、図5(a)に示
す垂直同期信号に基づいて、図5(b)に示す基板電圧
パルスを生成する。この基板電圧パルスは、垂直同期信
号が入力されてから時間t3 が経過するまでの第1所定
期間に電圧値VH をもち、時間t3 が経過してから次の
垂直同期信号が入力されるまでの第2所定期間に、電圧
値VH よりも低い電圧値VL をもつ。つまり、1フィー
ルド期間に2種類の基板電圧がCCD12に与えられ
る。
【0015】パルス発生回路22は図2に示すように構
成される。垂直同期信号を受ける入力端子40は、NO
T回路42の入力端に接続され、NOT回路42の出力
端は、コンデンサC1を介して抵抗R1およびR2の一
方端に接続される。抵抗R1の他方端は接地され、抵抗
R2の他方端は、トランジスタT1のベースに接続され
る。すなわち、コンデンサC1および抵抗R1により微
分回路が形成される。トランジスタT1のエミッタは接
地され、コレクタは抵抗R3を介してバイアスに接続さ
れる。トランジスタT1のコレクタと抵抗R3との接続
点には、NOT回路44の入力端が接続される。NOT
回路44の出力端は、抵抗R4を介してNOT回路46
の入力端に接続され、NOT回路46の出力端はカウン
タ回路32のLOAD/(/は反転を意味する)端子に
接続される。
【0016】抵抗R4とNOT回路46との接続点に
は、一方端が接地されたコンデンサC2の他方端が接続
される。すなわち、抵抗R4およびコンデンサC2によ
り積分回路が形成される。また、NOT回路44の出力
端は、NOT回路48の入力端およびカウンタ回路32
のCLEAR(CLR)端子に接続される。さらに、N
OT回路48の出力端は、JKフリップフロップ回路5
0のCLEAR/(CLR/)端子に接続される。
【0017】水平同期信号が入力される入力端子52
は、カウンタ回路32のクロック(CLK)端子に接続
される。また、入力端子56a〜56hには、8ビット
のパラレルデータが入力される。なお、このデータの値
は、図示しない手動によるスイッチやコントローラによ
って切り換えることができる。カウンタ回路32のBO
RROW/端子は、JKフリップフロップ回路50のC
LK端子に接続される。JKフリップフロップ回路50
のJ端子にはバイアスが接続され、K端子は接地され
る。JKフリップフロップ回路50のQ/端子は、出力
端子54に接続され、出力端子54から制御パルスが出
力される。
【0018】図3(a)に示すような垂直同期信号が入
力されると、その立ち上がりに同期して、図3(b)に
示すように所定期間立ち上がるパルスが、NOT回路4
4から出力される。また、図3(b)に示すパルスに基
づいて、図3(c)に示すパルスがNOT回路46から
出力され、図3(d)に示すパルスがNOT回路48か
ら出力される。そして、図3(a)〜(c)に示すパル
スのそれぞれが、カウンタ回路32のCLR端子,LO
AD/端子およびカウンタ回路42のCLR/端子に与
えられる。なお、NOT回路44および46の間に抵抗
R4およびコンデンサC2からなる積分回路が介挿され
るので、LOAD/端子に与えられるパルスは、CLR
/端子に与えられるパルスよりも僅かに遅延する。
【0019】また、図3(e)に示す水平同期信号は、
カウンタ回路32のクロックとして与えられる。入力端
子56a〜56hから入力される8ビットのデータは、
NOT回路46の出力が立ち下がった時点で、8ビット
のカウンタ32aにロードされ、図3(e)に示すよう
な水平同期信号のパルスの立ち上がりに応答してカウン
タ32aのカウント値がディクリメントされる。カウン
タ32aがアップすると、図3(f)に示すようにBO
RROW/端子の出力が一瞬立ち下がる。そして、図3
(b)に示すようなCLR端子入力の立ち上がりでカウ
ンタ回路32がクリアされる。なお、カウンタ32aの
カウント値は、最大“11111111”に設定でき、これは1
フィールド期間における水平同期信号の立ち下がりパル
スの数“256 ”に相当する。たとえば、カウント値が
“11101001”に設定されると、水平同期信号(パルス)
が“241 ”個入力された時点で、カウンタ32aがアッ
プする。
【0020】JKフリップフロップ回路50は、図3
(f)に示すBORROW/端子の出力の立ち下がりに
応じて図3(g)に示すようにQ/端子の出力をローレ
ベルにし、図3(d)に示すCLR/端子の入力の立ち
下がりに応じてクリアされる。したがって、Q/端子の
出力は、BORROW/端子の出力の立ち下がりからC
LR/端子の入力の立ち下がりの期間にのみローレベル
となる。このようなQ/端子の出力が、制御パルスとし
てレベル調整回路24に出力される。
【0021】レベル調整回路24,クランプ回路26,
アンプ28およびバッファ回路30は、図4に示すよう
に構成される。制御パルスを受ける入力端子60は、可
変抵抗R5を介してトランジスタT2のベースに接続さ
れる。可変抵抗R5とトランジスタT2との接続点に
は、抵抗R6の一方端が接続され、その他方端は接地さ
れる。トランジスタT2のエミッタは抵抗R7を介して
接地され、そのエミッタと抵抗R7との接続点は、コン
デンサC3を介してトランジスタT4のベースに接続さ
れる。また、トランジスタT2のコレクタには、バイア
スが接続される。コンデンサC3とトランジスタT4と
の接続点には、ダイオードD1のカソードが接続され
る。一方、ダイオードD1のアノードは、コンデンサC
4を介して接地される。ダイオードD1とコンデンサC
4との接続点は、抵抗R8を介して接続されるととも
に、トランジスタT3のエミッタに接続される。トラン
ジスタT3のベースは、接続点Pで可変抵抗R9と接続
される。トランジスタT3のコレクタは、バイアスおよ
び可変抵抗R9の一方端に接続される。可変抵抗R9の
他方端は、ダイオードD2のアノードに接続され、ダイ
オードD2のカソードは接地される。
【0022】トランジスタT4のエミッタは、抵抗R1
0を介してバイアスされ、トランジスタT4のコレクタ
は直接接地される。トランジスタT4のエミッタと抵抗
R10との接続点は、オペアンプ62のプラス入力端に
接続される。オペアンプ62の出力端は、抵抗R11お
よび抵抗R12を介して接地されるとともに、抵抗R1
1と抵抗R12との接続点はオペアンプ62のマイナス
入力端に接続される。
【0023】また、オペアンプ62の出力端は、並列接
続されたコンデンサC5および抵抗R13を介して、エ
ミッタ接地されたトランジスタT5のベースに接続され
る。トランジスタT5のコレクタはダイオードD3,D
4および抵抗R14を介してバイアスに接続される。ト
ランジスタT5とダイオードD3との接続点には、コレ
クタ接地されたトランジスタT6のベースが接続され
る。また、抵抗R14とダイオードD4との接続点に
は、トランジスタT7のベースが接続される。トランジ
スタT6およびT7のエミッタは、互いに接続され、そ
の接続点には出力端子64が接続される。
【0024】入力端子60に与えられた制御パルスは、
可変抵抗R5および抵抗R6からなるレベル調整回路2
4によってレベル調整される。一方、クランプ回路26
に含まれるトランジスタT3のベースと可変抵抗R9と
の接続点Pは、所望の位置に調整される。このため、接
続点Pの調整位置によってトランジスタT3のベース電
位が規定され、ひいてはトランジスタT3のエミッタ電
位が規定される。したがって、レベル調整回路24から
出力されエミッタフォロア(バッファ)としてのトラン
ジスタT2を経たパルスは、トランジスタT3のエミッ
タ電位でクランプされる。すなわち、レベル調整回路2
4およびクランプ回路26によって、クランプ回路26
の出力パルスのハイレベルの電圧値およびローレベルの
電圧値が具体的に規定される。
【0025】クランプされたパルスは、アンプ28を構
成するトランジスタT4を介してオペアンプ62のプラ
ス入力端に与えられる。オペアンプ62は、抵抗R11
によって帰還制御されるので、クランプ回路26の出力
は非反転され、これによってパルスと同じデューティ比
をもつ基板電圧パルスが生成される。この基板電圧パル
スは、コンデンサC5および抵抗R13からなる並列回
路を介してトランジスタT5のベースに与えられる。し
たがって、トランジスタT5のベース電位の変化に応じ
てトランジスタT6のベース電位も変化し、さらにはト
ランジスタT6のエミッタ電位も変化する。したがっ
て、出力端子64からは、基板電圧パルスと同じ波形を
もつパルスが出力される。つまり、トランジスタT5お
よびT6は、出力インピーダンスを下げるためのもので
あり、アンプ28で生成された基板電圧パルスがそのま
ま出力端子64から出力される。このようなバッファ3
0を設けることによって、CCD12がもつキャパシタ
ンスと出力インピーダンスとで規定される時定数が短く
なり、基板電圧パルスの波形の歪みを防止できる。
【0026】なお、トランジスタT6およびT7のベー
ス間に介挿されたダイオードD3およびD4は、出力波
形の歪みを防止するために設けられている。また、コン
デンサC5は、トランジスタT5にチャージされたキャ
リヤを基板電圧パルスの立ち下がり時に素早く吸収し
て、基板電圧パルスのデューティ比の僅かなずれを防止
するために設けられており、スピードアップコンデンサ
と呼ばれる。一方、トランジスタT6のベースには、こ
のようなコンデンサが設けられていないが、トランジス
タT6およびT7によってプッシュプル回路が形成され
ており、基板電圧パルスの立ち下がり時にトランジスタ
T7に残っている不要なキャリヤがトランジスタT6に
よって吸収されるので、出力端子64から出力される基
板電圧パルスのデューティ比がずれることはない。
【0027】出力端子64からは、図5(b)に示すよ
うな基板電圧パルスが出力される。すなわち、基板電圧
は、図5(a)に示す垂直同期信号の立ち下がりでハイ
レベルすなわち電圧値VH となり、時間t3 が経過した
とき、ローレベル(電圧値V L )となる。したがって、
図5(c)に示すように、光量の異なる被写体Aおよび
Bの電荷は、それぞれ時間t1 およびt2 が経過する
と、一旦飽和レベルS2で飽和するが、時間t3 が経過
するとすなわち電圧値がVL になると、飽和レベルがS
1 まで上昇するため、電荷の蓄積が再び開始され、結果
的に被写体AおよびBの光量に応じた差が電荷に現れ
る。一方、光量の小さい被写体Cについては、電荷が飽
和することはない。そして、次の垂直同期信号の入力時
に、これらの電荷が転送される。なお、図5(b)に示
す基板電圧パルスのデューティ比は、基板電圧値の差す
なわち飽和レベルの差が小さいほど、大きくする必要が
ある。なぜならば、デューティ比が小さければ、つまり
第2所定期間が長ければ、再蓄積される電荷が飽和レベ
ルS1 で飽和してしまうからである。
【0028】この実施例によれば、電荷が蓄積され始め
てから電荷が転送されるまでにパルスに忠実に追従する
基板電圧を与えることにより、固体撮像素子に蓄積され
る電荷を調整するようにしたので、映像信号のダイナミ
ックレンジを擬似的に広げることができる。したがっ
て、既存のCCDを用いた簡単な回路で光量差の大きな
被写体を撮像できる。すなわち、白レベルの飽和してい
ない映像を得ることができる。
【0029】また、カウンタ回路のカウント値は自由に
設定できるので、撮影状況や被写体に応じて最も適した
値に設定にすれば、最適な映像が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例を示すブロック図である。
【図2】図1実施例におけるパルス発生回路を示す回路
図である。
【図3】(a)は垂直同期信号を示す波形図であり、
(b)はカウンタ回路のクリアのタイミングパルスを示
す波形図であり、(c)はカウンタ回路のロードのタイ
ミングパルスを示す波形図であり、(d)はJKフリッ
プフロップ回路のクリアのタイミングパルスを示す波形
図であり、(e)は水平同期信号を示す波形図であり、
(f)はカウンタ回路の出力パルスを示す波形図であ
り、(g)はJKフリップフロップ回路の出力パルスを
示す波形図である。
【図4】図1実施例のクランプ回路,アンプ回路および
ドライブ回路を示す回路図である。
【図5】(a)は垂直同期信号を示す波形図であり、
(b)は基板電圧発生回路からの基板電圧パルスを示す
波形図であり、(c)は光量差のある映像信号に対応す
る電荷が図1実施例のCCDに蓄積される蓄積量の時間
による変化を示すグラフである。
【図6】CCDに電荷が蓄積される蓄積量の時間による
変化を示すグラフである。
【符号の説明】
10 …ビデオカメラ 12 …CCD 14 …CDS 16 …信号処理回路 20 …基板電圧発生回路 22 …パルス発生回路 24 …レベル調整回路 26 …クランプ回路 28 …アンプ 30 …バッファ 32 …カウンタ回路

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電荷転送素子が形成された基板を有する固
    体撮像素子と、前記基板に基板電圧を印加する基板電圧
    発生手段とを備えるビデオカメラにおいて、 1フィールド期間に含まれる第1所定期間に前記基板電
    圧を第1基板電圧に設定し、前記1フィールド期間に含
    まれ前記第1所定期間に続く第2所定期間に前記基板電
    圧を前記第1電圧値よりも低い第2基板電圧に設定する
    電圧切換手段を備えることを特徴とする、ビデオカメ
    ラ。
  2. 【請求項2】前記基板電圧発生手段は、入力信号をクラ
    ンプするクランプ手段、前記クランプ手段の出力を増幅
    する増幅手段、および前記増幅手段の出力に応じて基板
    電圧を出力する出力手段を含み、 前記電圧切換手段は前記第1所定期間および前記第2所
    定期間で異なるレベルを有する前記入力信号を発生する
    信号発生手段を含む、請求項1記載のビデオカメラ。
  3. 【請求項3】前記信号発生手段は、1フィールド毎に水
    平同期信号をカウントするカウンタを含み、前記カウン
    タのカウント値に従って、前記第1所定期間に前記入力
    信号を第1レベルとし、前記第2所定期間に前記入力信
    号を第2レベルとする、請求項2記載のビデオカメラ。
  4. 【請求項4】前記出力手段はインピーダンス変換手段を
    含む、請求項2または3記載のビデオカメラ。
  5. 【請求項5】前記インピーダンス変換手段は第1トラン
    ジスタおよび前記第1トランジスタのベースに接続され
    たスピードアップコンデンサを含む、請求項4記載のビ
    デオカメラ。
  6. 【請求項6】前記インピーダンス変換手段は、前記第1
    トランジスタにダーリントン接続された第2トランジス
    タ、および前記第2トランジスタとともにプッシュプル
    回路を形成する第3トランジスタをさらに含む、請求項
    5記載のビデオカメラ。
  7. 【請求項7】電荷転送素子が形成された基板を有する固
    体撮像素子を備えるビデオカメラにおいて、 1フィールド期間に含まれる第1所定期間に前記基板の
    基板電圧を第1電圧に設定する第1設定手段、および前
    記1フィールド期間に含まれるかつ前記第1所定期間に
    続く第2所定期間に前記基板電圧を前記第1電圧よりも
    低い第2電圧に設定する第2設定手段を備えることを特
    徴とする、ビデオカメラ。
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