JPS6332315B2 - - Google Patents
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- JPS6332315B2 JPS6332315B2 JP55013709A JP1370980A JPS6332315B2 JP S6332315 B2 JPS6332315 B2 JP S6332315B2 JP 55013709 A JP55013709 A JP 55013709A JP 1370980 A JP1370980 A JP 1370980A JP S6332315 B2 JPS6332315 B2 JP S6332315B2
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体基板表面に一次元又は二次元
的に配置した複数個のホトダイオードに蓄積され
た光情報を読み出す固体撮像装置に関するもので
ある。
的に配置した複数個のホトダイオードに蓄積され
た光情報を読み出す固体撮像装置に関するもので
ある。
従来の固体撮像装置では、固定パターンノイズ
を防ぐために、水平スイツチパルスが「歯抜け」
状パルス（不連続パルス）になつているシフトレ
ジスタが内蔵されている装置の信号処理回路で
は、その「歯抜け」状パルスによるセンサの出力
のパルスの変位電流によるノイズ７０を積分し
て、キヤンセルし、微少信号７１のみをとり出
す。この方式は「積分方式」と呼ばれ、特願昭54
−12248、実願昭53−52105に具体的な積分回路が
紹介してある。以下この積分回路の従来例を説明
し、問題点を明らかにする。
を防ぐために、水平スイツチパルスが「歯抜け」
状パルス（不連続パルス）になつているシフトレ
ジスタが内蔵されている装置の信号処理回路で
は、その「歯抜け」状パルスによるセンサの出力
のパルスの変位電流によるノイズ７０を積分し
て、キヤンセルし、微少信号７１のみをとり出
す。この方式は「積分方式」と呼ばれ、特願昭54
−12248、実願昭53−52105に具体的な積分回路が
紹介してある。以下この積分回路の従来例を説明
し、問題点を明らかにする。
第１図は「積分方式」の一従来例である。第１
図Ｂは信号処理回路前半のブロツク図で、センサ
６１の出力をプリアンプ６２で増幅し、積分回路
６３で「積分方式」信号処理を施すまでを示して
いる。この後、白黒カメラの場合は、ローパスフ
イルタ、メインアンプを通した後クランプ、ブラ
ンキング処理、同期信号付加、さらにはガンマ補
正などの処理を行ない、またカラーカメラの場合
は白黒カメラでの処理に加えカラーエンコーダー
を通してNTSC信号を作る必要があるが、このよ
うな後段の信号処理回路は本発明とは関係が薄い
ので第１図Ｂからは除いた。
図Ｂは信号処理回路前半のブロツク図で、センサ
６１の出力をプリアンプ６２で増幅し、積分回路
６３で「積分方式」信号処理を施すまでを示して
いる。この後、白黒カメラの場合は、ローパスフ
イルタ、メインアンプを通した後クランプ、ブラ
ンキング処理、同期信号付加、さらにはガンマ補
正などの処理を行ない、またカラーカメラの場合
は白黒カメラでの処理に加えカラーエンコーダー
を通してNTSC信号を作る必要があるが、このよ
うな後段の信号処理回路は本発明とは関係が薄い
ので第１図Ｂからは除いた。
第１図Ａは積分回路６３の一従来例で、６５は
スイツチで、例えばMOSトランジスタなどが用
いられる。６８はプリアンプの出力端子とつなが
る信号入力端子、６９は信号出力端子である。第
２図は第１図Ａの各部の波形を示すタイミングチ
ヤートで、信号７１と水平スイツチ（以下Htr５
と略す）のゲートパルスが微分されて信号線に混
入するノイズ７０のみに着目したものである。リ
セツトパルスφRは、そのハイレベル状態でスイ
ツチ６５をONさせるパルスである。トランジス
タ６４と抵抗REはエミツタフオロワ回路を構成
している。エミツタの電位V2はベース電位V1と、 V3＝V2−VBE (1) の関係にある。ここでVBEはベース・エミツタ間
電圧。
スイツチで、例えばMOSトランジスタなどが用
いられる。６８はプリアンプの出力端子とつなが
る信号入力端子、６９は信号出力端子である。第
２図は第１図Ａの各部の波形を示すタイミングチ
ヤートで、信号７１と水平スイツチ（以下Htr５
と略す）のゲートパルスが微分されて信号線に混
入するノイズ７０のみに着目したものである。リ
セツトパルスφRは、そのハイレベル状態でスイ
ツチ６５をONさせるパルスである。トランジス
タ６４と抵抗REはエミツタフオロワ回路を構成
している。エミツタの電位V2はベース電位V1と、 V3＝V2−VBE (1) の関係にある。ここでVBEはベース・エミツタ間
電圧。
抵抗REを流れる電流ｉは、
ｉ＝V2／RE＝V1−VBE／RE (2)
で表わされ、この電流で容量CCを放電し、信号
を積分する。スイツチ６５がOFFしている期間
をt1とすると、スイツチ６５がONする直前のコ
レクタ電圧V3は、 V3＝V3（０）−１／CCRE∫t1 0（V1−VBE）dt (3) となり、入力電圧V1が積分される。ここにV3
（０）はスイツチ６５がOFFした瞬間のコレクタ
電圧。Htrのゲートに印加される「歯抜け」状パ
ルスが、ゲート、ドレイン間容量、ゲート、ソー
ス間容量を通して信号線に微分された形で飛込ん
で生じるノイズ７０は、ほぼ上下対称であり、(3)
式のV3に影響を及ぼさない。すなわち(3)式のV3
は、Htrのゲート、ドレイン間容量、ゲート、ソ
ース間容量、スレツシヨルド電圧にバラツキがあ
つて、ノイズ７０の大きさが１絵素ごとに異なつ
ていても関係なく、信号７１にのみ関係した量で
ある。スイツチ６５がONすると電源６７より抵
抗RLを通して容量CCが充電される。この充電時
に(3)式のV3に関係した電圧が出力電圧V4として
発生する。抵抗RLとスイツチ６５のON抵抗との
和と、容量CCの積で決まる充電時定数をスイツ
チ６５がONしている時間に比べて充分小さく設
定できればそれでよいし、利得などの制約で充電
時定数が大きくなり、スイツチ６５がONしてい
る間に容量CCが充分充電できず前の絵素の影響
を受け解像度が劣化する場合には後段で周波数特
性を補正してやればよい。
を積分する。スイツチ６５がOFFしている期間
をt1とすると、スイツチ６５がONする直前のコ
レクタ電圧V3は、 V3＝V3（０）−１／CCRE∫t1 0（V1−VBE）dt (3) となり、入力電圧V1が積分される。ここにV3
（０）はスイツチ６５がOFFした瞬間のコレクタ
電圧。Htrのゲートに印加される「歯抜け」状パ
ルスが、ゲート、ドレイン間容量、ゲート、ソー
ス間容量を通して信号線に微分された形で飛込ん
で生じるノイズ７０は、ほぼ上下対称であり、(3)
式のV3に影響を及ぼさない。すなわち(3)式のV3
は、Htrのゲート、ドレイン間容量、ゲート、ソ
ース間容量、スレツシヨルド電圧にバラツキがあ
つて、ノイズ７０の大きさが１絵素ごとに異なつ
ていても関係なく、信号７１にのみ関係した量で
ある。スイツチ６５がONすると電源６７より抵
抗RLを通して容量CCが充電される。この充電時
に(3)式のV3に関係した電圧が出力電圧V4として
発生する。抵抗RLとスイツチ６５のON抵抗との
和と、容量CCの積で決まる充電時定数をスイツ
チ６５がONしている時間に比べて充分小さく設
定できればそれでよいし、利得などの制約で充電
時定数が大きくなり、スイツチ６５がONしてい
る間に容量CCが充分充電できず前の絵素の影響
を受け解像度が劣化する場合には後段で周波数特
性を補正してやればよい。
以上積分回路６３による、ノイズ７０の絵素ご
とのバラツキ低減の効果を説明した。第２図では
簡単のため積分回路６３に入力される信号とし
て、信号７１とノイズ７０のみを示した。しかし
実際には、Htrのゲートパルスが微分されてビデ
オ出力線に混入するノイズ７０の他に、クロツク
パルスが１次微分または２次微分されてビデオ出
力線に混入するノイズ７２が存在する。この混入
経路としては、 １ クロツクパルス線と基板間の容量と基板内の
抵抗と、基板とビデオ出力線４間の容量とを直
列に介する。
とのバラツキ低減の効果を説明した。第２図では
簡単のため積分回路６３に入力される信号とし
て、信号７１とノイズ７０のみを示した。しかし
実際には、Htrのゲートパルスが微分されてビデ
オ出力線に混入するノイズ７０の他に、クロツク
パルスが１次微分または２次微分されてビデオ出
力線に混入するノイズ７２が存在する。この混入
経路としては、 １ クロツクパルス線と基板間の容量と基板内の
抵抗と、基板とビデオ出力線４間の容量とを直
列に介する。
２ 走査回路の論理を通りHtrのゲート電極９と
ビデオ出力線間の容量を介する。
ビデオ出力線間の容量を介する。
３ クロツクパルス線とビデオ出力線間の容量を
介する。
介する。
などが考えられる。このノイズ７２は、ノイズ７
０、信号７１に比べ充分大きい。例えば上記の経
路２を考えても、Htrのゲート電極９とビデオ出
力線間の容易は、数百個のHtrのゲート、ドレイ
ン間容量を含んでいるのに対し、ノイズ７０の混
入経路は１個のHtrのゲート、ドレイン間容量を
含んでいるに過ぎない。このことからもノイズ７
２がノイズ７０より充分大きいことが理解願えよ
う。ただしノイズ７０が絵素ごとにばらつき、固
定パターンノイズの一要因を成しているのに対
し、ノイズ７２はどの絵素に対しても同じであ
り、固定パターンノイズの原因とはならない。
０、信号７１に比べ充分大きい。例えば上記の経
路２を考えても、Htrのゲート電極９とビデオ出
力線間の容易は、数百個のHtrのゲート、ドレイ
ン間容量を含んでいるのに対し、ノイズ７０の混
入経路は１個のHtrのゲート、ドレイン間容量を
含んでいるに過ぎない。このことからもノイズ７
２がノイズ７０より充分大きいことが理解願えよ
う。ただしノイズ７０が絵素ごとにばらつき、固
定パターンノイズの一要因を成しているのに対
し、ノイズ７２はどの絵素に対しても同じであ
り、固定パターンノイズの原因とはならない。
第３図は上記のノイズ７２に着目した第１図Ａ
の積分回路の各部の波形を示すタイミングチヤー
トである。上述したようにノイズ７０、信号７１
はノイズ７２に比べ充分小さいので第３図では無
視する。以下第３図を用いて従来の積分回路の問
題点、 １ 大電源電圧を必要とする。
の積分回路の各部の波形を示すタイミングチヤー
トである。上述したようにノイズ７０、信号７１
はノイズ７２に比べ充分小さいので第３図では無
視する。以下第３図を用いて従来の積分回路の問
題点、 １ 大電源電圧を必要とする。
２ リセツトパルスφRに重畳したランダムノイ
ズが信号に大きく影響する。
ズが信号に大きく影響する。
を説明する。
入力信号V1を2Vp-pでその最高電圧V1H、平均
電圧V1A、最低電圧V1Lの間に、 V1H−V1A＝V1A−V1L＝1V (4) の関係があるとし、リセツトパルスφRへ、スイ
ツチ６５をONする期間t2、OFFする期間t1が、 t2＝24ns、t1＝120ns (5) とし、この積分回路のゲインＧを、 Ｇ＝RL／RE＝１ (6) とし、この積分回路による解像度劣化は、前の絵
素から影響を受ける度合を10％強として、読出し
リセツト時間t2と、抵抗RLとスイツチ６５のオン
抵抗RONの和と容量CCの積で決まる時定数の関係
を、 t2／（RL＋RON）CC＝２ (7) と設計するとする。
電圧V1A、最低電圧V1Lの間に、 V1H−V1A＝V1A−V1L＝1V (4) の関係があるとし、リセツトパルスφRへ、スイ
ツチ６５をONする期間t2、OFFする期間t1が、 t2＝24ns、t1＝120ns (5) とし、この積分回路のゲインＧを、 Ｇ＝RL／RE＝１ (6) とし、この積分回路による解像度劣化は、前の絵
素から影響を受ける度合を10％強として、読出し
リセツト時間t2と、抵抗RLとスイツチ６５のオン
抵抗RONの和と容量CCの積で決まる時定数の関係
を、 t2／（RL＋RON）CC＝２ (7) と設計するとする。
RL＝400Ω、RON＝100Ω (8)
とすると、(5)式、(7)式より
CC＝12PF (9)
(6)式より、
RE＝400Ω (10)
となる。
またエミツタ電圧V2の最抵電圧V2Lはアース電
位を0Vとして明らかに V2L0V (11) でなければならない。いま仮に V2L＝0V (12) でも(1)式が成立するとして、このとき、V2の平
均電圧V2Aは(4)式より、 V2A＝1V （13） となり、コレクタ電圧V3の変化（V3H−V3L）は、 V3H−V3L＝１／CCRE∫t1 0V2dt＝t1・V2A／CCRE＝25V(14
) となる。一方、 VBE＝0.7V （15） とすると、(1)式、(4)式、(12)式より V1H＝2.7V （16） となる。トランジスタ６４を正常に動作させるた
め、ベース電圧V1とコレクタ電圧V3の関係は、 V3≧V1 （17） でなければならず、したがつて V3L≧2.7V （18） とすると必要があり、（14）式より V3H≧27.7V （19） となる。すなわち(4)式から(10)式までの条件下では
第１図Ａの積分回路例では、少くとも27.7V以上
の電源電圧が必要となる。このような高電源電圧
を用いるのは固体撮像装置には適さず、従来はゲ
インを下げたり、解像度を劣化させたりして、(6)
式、(7)式の条件を援めることにより10V程度の電
源電圧で積分回路を設計していた。
位を0Vとして明らかに V2L0V (11) でなければならない。いま仮に V2L＝0V (12) でも(1)式が成立するとして、このとき、V2の平
均電圧V2Aは(4)式より、 V2A＝1V （13） となり、コレクタ電圧V3の変化（V3H−V3L）は、 V3H−V3L＝１／CCRE∫t1 0V2dt＝t1・V2A／CCRE＝25V(14
) となる。一方、 VBE＝0.7V （15） とすると、(1)式、(4)式、(12)式より V1H＝2.7V （16） となる。トランジスタ６４を正常に動作させるた
め、ベース電圧V1とコレクタ電圧V3の関係は、 V3≧V1 （17） でなければならず、したがつて V3L≧2.7V （18） とすると必要があり、（14）式より V3H≧27.7V （19） となる。すなわち(4)式から(10)式までの条件下では
第１図Ａの積分回路例では、少くとも27.7V以上
の電源電圧が必要となる。このような高電源電圧
を用いるのは固体撮像装置には適さず、従来はゲ
インを下げたり、解像度を劣化させたりして、(6)
式、(7)式の条件を援めることにより10V程度の電
源電圧で積分回路を設計していた。
次にランダムノイズの問題を説明する。リセツ
トパルスφRにランダムノイズが重畳すると、等
価的にリセツトパルスφRが位相変調を受けるこ
とになり、矢印８１で示すようにリセツトパルス
φRの位相がゆらぐ。このゆらぎは明らかに積分
回路出力波形V4を位相変調し、矢印８２に示す
ように出力V4がゆらぐ。出力V4の立下がりのう
ち所望の信号によるものは微少なので出力V4の
矢印８２方向のゆらぎは、出力V4に対しては無
視し得る量であつても、所望の信号に対しては厳
しい量となる場合が多い。
トパルスφRにランダムノイズが重畳すると、等
価的にリセツトパルスφRが位相変調を受けるこ
とになり、矢印８１で示すようにリセツトパルス
φRの位相がゆらぐ。このゆらぎは明らかに積分
回路出力波形V4を位相変調し、矢印８２に示す
ように出力V4がゆらぐ。出力V4の立下がりのう
ち所望の信号によるものは微少なので出力V4の
矢印８２方向のゆらぎは、出力V4に対しては無
視し得る量であつても、所望の信号に対しては厳
しい量となる場合が多い。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、低電圧駆動でＳ／Ｎ比の劣化の少ない、固
体撮像装置の積分回路を提供するにある。
くし、低電圧駆動でＳ／Ｎ比の劣化の少ない、固
体撮像装置の積分回路を提供するにある。
本発明の要点を第４図、第５図を用いて説明す
る。
る。
上記した従来技術の２つの問題点は、主として
信号以外の電流を一方向に積分したことに起因す
る。第５図Ａ，Ｂは入力信号を積分する様子を簡
単に図示したもので第５図Ａが従来例の波形を表
わす。すなわち、従来例においては入力信号V1
を、V1の最低電圧よりも低い電圧を規準電圧VC
とし、V1とVCのを斜線で示すように積分してい
た。この積分の結果を電圧で伝えるため高電源電
圧を必要とし、またこの積分の結果のうち所望の
信号に依る部分が微少であるためＳ／Ｎ比の劣化
が生じる。従つて、第５図Ｂに示すように、入力
信号V1の平均電圧を規準電圧VCとして、V1とVC
の差を積分すれば上記した従来技術の２つの問題
は緩和できる。
信号以外の電流を一方向に積分したことに起因す
る。第５図Ａ，Ｂは入力信号を積分する様子を簡
単に図示したもので第５図Ａが従来例の波形を表
わす。すなわち、従来例においては入力信号V1
を、V1の最低電圧よりも低い電圧を規準電圧VC
とし、V1とVCのを斜線で示すように積分してい
た。この積分の結果を電圧で伝えるため高電源電
圧を必要とし、またこの積分の結果のうち所望の
信号に依る部分が微少であるためＳ／Ｎ比の劣化
が生じる。従つて、第５図Ｂに示すように、入力
信号V1の平均電圧を規準電圧VCとして、V1とVC
の差を積分すれば上記した従来技術の２つの問題
は緩和できる。
この具体的な手段としては、第４図に示すよう
に積分の役割を果たす容量CCに電流源９３を接
続し、トランジスタ６４のコレクタ、エミツタを
流れる電流の平均電流を電流源９３から容量CC
に流し込む。
に積分の役割を果たす容量CCに電流源９３を接
続し、トランジスタ６４のコレクタ、エミツタを
流れる電流の平均電流を電流源９３から容量CC
に流し込む。
第６図に本発明の積分回路の一実施例を示す。
本例は、第４図の積分回路の電流源９３をベース
電圧固定のPNPトランジスタ１０１とエミツタ
抵抗RE′で構成し、スイツチ６５をMOSトラン
ジスタ１０２で構成したものである。
本例は、第４図の積分回路の電流源９３をベース
電圧固定のPNPトランジスタ１０１とエミツタ
抵抗RE′で構成し、スイツチ６５をMOSトラン
ジスタ１０２で構成したものである。
電源１０４と６６は同じ電圧を供給し、エミツ
タ抵抗RE，RE′の抵抗値を等しくする。これによ
りトランジスタ６４のコレクタ電流の平均値と、
トランジスタ１０１のコレクタ電流は等しくなり
容量CCで積分する電流を少なくでき、しかも信
号のゲインは変わらない。
タ抵抗RE，RE′の抵抗値を等しくする。これによ
りトランジスタ６４のコレクタ電流の平均値と、
トランジスタ１０１のコレクタ電流は等しくなり
容量CCで積分する電流を少なくでき、しかも信
号のゲインは変わらない。
第６図に第５図の実施例の各部の波形を示す。
いま第５図の回路の条件を、従来例で必要な電源
電圧を計算したときと同じく、(4)式から(12)式で示
されるとすると、ゲイン及び解像度劣化は第１図
Ａの従来例の場合と同じである。入力波形V1の
ノイズ７２の波形を周期４８nSの正弦波とする
と、コレクタ電圧V3の変化（V3H−V3L）は V3H−V3L＝１／CCRE∫24×10-9 0sinπ／24×10-9
tdt＝１／CCRE×24×10-9／π×２≒3.2V となる。（18）式を満たすため V3H≧5.9V （21） とする。一方トランジスタ１０１のベース電圧
V5は、 V5≧V3H （22） とすればよく、電圧源１０４の両端の電圧は、電
圧源６６の両端の電圧に等しく1.7Vであるから、
本実施例の積分回路の電源電圧は7.6V以上とな
り、従来例の場合に計算した27.7V以上の電源電
圧に比べて大幅に減少する。
いま第５図の回路の条件を、従来例で必要な電源
電圧を計算したときと同じく、(4)式から(12)式で示
されるとすると、ゲイン及び解像度劣化は第１図
Ａの従来例の場合と同じである。入力波形V1の
ノイズ７２の波形を周期４８nSの正弦波とする
と、コレクタ電圧V3の変化（V3H−V3L）は V3H−V3L＝１／CCRE∫24×10-9 0sinπ／24×10-9
tdt＝１／CCRE×24×10-9／π×２≒3.2V となる。（18）式を満たすため V3H≧5.9V （21） とする。一方トランジスタ１０１のベース電圧
V5は、 V5≧V3H （22） とすればよく、電圧源１０４の両端の電圧は、電
圧源６６の両端の電圧に等しく1.7Vであるから、
本実施例の積分回路の電源電圧は7.6V以上とな
り、従来例の場合に計算した27.7V以上の電源電
圧に比べて大幅に減少する。
また第７図に示すように、リセツトパルスφR
の矢印８１方向のゆらぎに影響される出力V4の
ゆらぎも、出力V4がほぼ信号分だけであるため、
出力V4のＳ／Ｎ比も従来例に比べ大幅に改善さ
れる。
の矢印８１方向のゆらぎに影響される出力V4の
ゆらぎも、出力V4がほぼ信号分だけであるため、
出力V4のＳ／Ｎ比も従来例に比べ大幅に改善さ
れる。
以上説明したように本発明の積分回路では、従
来回路に数個、部品を追加するだけで、電源電圧
の大幅な低減、ランダムノイズの大幅な低減を達
成することができる。
来回路に数個、部品を追加するだけで、電源電圧
の大幅な低減、ランダムノイズの大幅な低減を達
成することができる。
第１図は固体撮像装置の従来の信号処理回路を
示す図、第２図は第６図の従来例の効果を説明す
るための波形図、第３図は第６図の従来例の問題
点を説明するための波形図、第４図は本発明の要
点を説明するための回路図、第５図は本発明の要
点を説明するための波形図、第６図は本発明の固
体撮像装置の信号処理回路の一実施例を示す回路
図、第７図は第６図の実施例の効果を説明するた
めの波形図である。 符号の説明、６４……トランジスタ、６６，６
７，９４……電圧源、６８……入力端子、６９…
…出力端子、９３……電流源、１０１……トラン
ジスタ、１０２……MOSトランジスタ、１０４
……電圧源。
示す図、第２図は第６図の従来例の効果を説明す
るための波形図、第３図は第６図の従来例の問題
点を説明するための波形図、第４図は本発明の要
点を説明するための回路図、第５図は本発明の要
点を説明するための波形図、第６図は本発明の固
体撮像装置の信号処理回路の一実施例を示す回路
図、第７図は第６図の実施例の効果を説明するた
めの波形図である。 符号の説明、６４……トランジスタ、６６，６
７，９４……電圧源、６８……入力端子、６９…
…出力端子、９３……電流源、１０１……トラン
ジスタ、１０２……MOSトランジスタ、１０４
……電圧源。
Claims (1)
- １ 絵素となる複数の光電変換素子に蓄積された
光情報を読み出すセンサ部と、該センサ部から出
力されるビデオ信号を増幅する増幅器と、該増幅
器から出力されるビデオ信号の雑音成分を一絵素
ごとに積分して除去する信号処理回路とを有する
固体撮像装置において、上記の信号処理回路は、
入力電圧を第１の電流に変換する手段と、該第１
の電流と逆極性である第２の電流を供給する電流
源と、第１の電流と第２の電流の和を絵素ごとに
積分する手段とを具備することを特徴とする固体
撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1370980A JPS56111382A (en) | 1980-02-08 | 1980-02-08 | Solid image pickup apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1370980A JPS56111382A (en) | 1980-02-08 | 1980-02-08 | Solid image pickup apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56111382A JPS56111382A (en) | 1981-09-03 |
| JPS6332315B2 true JPS6332315B2 (ja) | 1988-06-29 |
Family
ID=11840749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1370980A Granted JPS56111382A (en) | 1980-02-08 | 1980-02-08 | Solid image pickup apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56111382A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2634900B1 (fr) * | 1988-08-01 | 1991-02-15 | Commissariat Energie Atomique | Systeme de detection d'informations sous forme de rayonnement electromagnetique et de lecture des informations detectees |
| GB2222738B (en) * | 1988-09-07 | 1992-09-23 | Secr Defence | Correction circuit for infrared detectors |
| FR2713037B1 (fr) * | 1993-11-23 | 1995-12-29 | Thomson Csf | Circuit d'injection, en imagerie thermique. |
-
1980
- 1980-02-08 JP JP1370980A patent/JPS56111382A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56111382A (en) | 1981-09-03 |
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