JPS6086980A

JPS6086980A - 固体撮像装置

Info

Publication number: JPS6086980A
Application number: JP58195074A
Authority: JP
Inventors: Yukio Endo; 幸雄遠藤; Nozomi Harada; 望原田; Okio Yoshida; 吉田　興夫
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1983-10-18
Filing date: 1983-10-18
Publication date: 1985-05-16
Also published as: DE3476956D1; US4567525A; EP0140266A1; JPH0135547B2; EP0140266B1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は半導体基板上に感光部を有する固体撮像装置に
係υ、特に基板の結晶欠陥等による画像欠陥を除去して
良質の再生像を得るようにした固体撮像装置の画像欠陥
補正方法に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

第１図は固体撮像素子の１つであるＣＣＤ撮像素子の構
成図である。このＣＣＤ撮像素子はインターライン転送
方式であｊ５、ＰＩＪ　（１＝１．２．・・すＭ、ｊ　
＝　１’、　２　、・・・、Ｎ）は二次元配列された感
光画素、ｃｉは垂直読み出しＣＯＤレジスタ、■は水平
読み出しＣＯＤレゾスタである。この構造はシリコン等
の半導体基板上に集積回路技術を利用して一体形成され
る。そしてこの感光部に入射光を光学的に結像して半導
体基板の各感光画素で光電変換された信号電荷を蓄積し
、この蓄積された信号電荷を各レヅスタに移してクロッ
クパルスを印加することによって順次転送して読み出す
ようになっている。

ところで、このような半導体を用いた固体撮像素子では
、半導体の結晶を一定の面積にわたって均一に形成する
ことが困難であシ、局部的に結晶欠陥が生じる結果、こ
の結晶欠陥がある部分で熱的な原因によって電荷が発生
する。このため暗電流がこの部分で他の部分に比べて大
きくなる。このときの入射光撮像時のＣＯＤ出力信号は
第２図に示すように欠陥画素において暗電流が異常に大
きくなる。したがって再生画像上では欠陥画素の部分が
ノイズとなって現われ、画像劣化となシ、著しく見苦し
いものとなる。

この画像欠陥を回路的た処理によって除去する方法が特
公昭５５−３２２７０号公報に開示されている。この方
法を第２図を用いて説明する。ＣＯＤ出力信号中の第８
番の画素が局部的な結晶欠陥によるノイズでアリ、この
部分が異状に大きい暗電流のためレベルが特に高くなっ
ている。このレベルが高くなっている画像欠陥のうち所
定のレベルを越えるものを検出し、欠陥画素の信号を欠
陥画素の１つ前の画素である第（ｎ−１）番の信号レベ
ルで置き換える方法である。

しかし、この方法では所定レベル以下の画像欠陥の補正
はできない問題があった。またこの方法で補正できるレ
ベルを十分低く設定すると、ＣＯＤを非常に狭い入射光
の範囲で使うことになυい劣化の原因となっていた。ま
た、ＣＣＤを１個用いてカラー画像を得るには第２図に
示すように一般に水平画素配列方向にａ、’ｂ２極類の
色フィルタを用いる。この色フィルタの透過率特性はａ
、ｂで異なる。したがって欠陥画素のレベルがａ、ｂで
異なった値となり、この方法をそのまま用いることは問
題があった。

このカラー化時の問題に対して、欠陥画素の位置を例え
ばＦＲＯＭなどに記憶しておき欠陥画素である第８番の
信号と同一色フィルタである第（ｎ−２）番の画素信号
を欠陥画素信号に補間する方法がある。この方法では欠
陥画素のレベルに関係なく補正できる。しかし、入射光
のコントラストが欠陥画素（第８番）と補間される画素
（第ｎ−２番）で大きく異なった場合は誤差が生ずる。

例えば補間される画素（第ｎ−２番）が黒で欠陥画素（
＠ｔＩ番）が白である入射光を撮像すると欠陥画素は黒
に補正される。

これは白の中に黒点が現われることになシ再生画像上で
は見苦しいものとなる。

この問題を解決できる方法として、ＣＯＤ出力信号を処
理する回路中に減算回路を設け、欠陥画素信号中の欠陥
暗電流成分のみＣＯＤ出力信号中から減算するものがあ
る。ここで減算に用いる信号は例えばＦ　ＲＯＭなどに
記憶された欠陥画素位置の補正ノ（ルスであシ、このパ
ルスには欠陥画素の振幅情報を持たせておく。この方法
によれば上記従来例で問題となった補正誤差は現われな
い。しかし、ここで用いる補正パルスは欠陥画素信号と
波形の整合性が強く要求される。

すなわち補正パルスの振幅、位相、形状などが１画素単
位で打ち消し合う条件でなければならない。これは回路
設計上極めて困難でおる。また、ＣＯＤ出力信号は入射
光の強さに応じて位相特性が変化する。この変化に応じ
て補正パルスの位相を調整しなければならないという問
題がちった。

以上、３つの例を挙げて従来のＣＯＤの画像欠陥補正方
式を説明したが、いずれの方法においても確実に欠陥画
素を補正することができず、良好な再生像が得られない
問題があった。

〔発明の目的〕

本発明は上記の点に鑑みなされたもので、半導体基板の
結晶欠陥などに起因して発生する画像欠陥を簡単かつ効
果的に除去し良質の再生像を得ることを可能とした固体
撮像装置の画像欠陥補正方法を提供することを目的とす
る。

〔発明の概要〕

本発明は一次元もしくは二次元的に感光画素が配列され
た感光部、信号電荷の転送部、フローティング拡散層を
もつ検出部、および検出部の信号電荷をリセットパルス
によって排出するリセット部を有する固体撮像装置にお
いて、欠陥画素位置を記憶するメモリを備えこのメモリ
からのアドレスパルスによって固体撮像装置出力信号中
に含まれる１画素周期のリセットパルスの混入量を制御
することによシ画像欠陥を補正するものである。

その第１の方法は、固体撮像装置のリセットゲート電極
へ印加するリセットパルスのドライバのパルス振幅制御
端子へ欠陥画素位置のみ発生するアドレス／４’ルスを
加え、欠陥画素位置のみリセットパルスの振幅を制御す
ることによって、出力信号中に含まれるリセット・９ル
スの混入量を画像欠陥の信号量に応じて変化させる。

第２の方法は、固体撮像装置の出力ダート電極へ欠陥画
素位置に限ってリセット・臂ルスと逆極性のアドレスパ
ルスを加え、出力信号中に含まれるリセットパルスの混
入量を画像欠陥の信号量に応じて変化させる。

すなわち、本発明は、固体撮像装置の画像欠陥の多くは
通常画素に比べて局部的な暗電流によってオフセットを
もち、入射光に対し、て感度を有することと、固体撮像
装置の出力信号中に含まれるリセットパルスの混入量は
このパルス振幅に比例することに着目し、欠陥画素位置
に限ってリセットパルスの混入量を制御して画像欠陥の
補正をはかるものである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、従来の補正方式で問題となっていた点
が大幅に改善され、確実に画像欠陥の補正ができる。以
下に本発明の具体的な効果を列記する。

（、）　欠陥画素自身のオフセット成分を補正する方式
であるので、白黒カメラはもちろんのことあらゆるカラ
ー撮像方式に適合できる。

（ｂ）　欠陥画素は隣接画素との補間は行なってないの
で水平画素配列方向にコントラスト比の大きい入射光に
対しても補正誤差が生じない。

（ｃ）　固体撮像装置の出力信号中に含まれるリセット
パルスの混入量を制御するので、出力信号波形の整合性
が極めて良好である。

（ｄ）　固体撮像装置内の信号電荷から信号電圧に変換
する段階で補正するので、プリアンプなどの信号処理回
路の特性に影響を与えない。

（、）　アドレスパルスは固体撮像装置に加えるリセッ
トパルスと位相合わせが容易にできるのでタイミングの
余裕が大きくとれる。

（ｆ）　信号処理回路中にアドレス・母ルスを混合する
回路が不要となるのでアナログ回路が簡易化されるー。

〔発明の実施例〕

本発明の詳細な説明に先立ち、本発明の方式を適用する
ＣＯＤの欠陥画素の特徴とリセットパルスの混入量の特
性について説明する。第３図は発明者らが実験した画素
の光入力量に対する出力電圧の特性すなわち光電変換特
性を示すものである。欠陥のない通常画素の特性は図の
Ａに示すようにγ（ガンマ）値がほぼ１であシ所定以上
の入力光＋は出力電圧は飽和する。実際に使用する入力
光範囲はこの飽和点の１／３付近とし、不自然な画像に
ならないようにしている。一方、ＣＯＤの局部的な結晶
欠陥など、による欠陥画素の特性は図のＢに示すように
通常画素の場合に対して結晶欠陥による暗電流分だけオ
フセットされた状態になる。す々わち欠陥画素において
も光入力に対して感度を有することがわかる。したがっ
てこれを補正するには欠陥画素に限って局部的な暗電流
分のオフセット成分を減算して通常画素と同一線上の図
のＣの一点鎖線で示す特性にすれば良いことがわかる。

ここでＣの特性は飽和電圧がオフセット分だけ減少する
が、使用する入力光範囲は前記したように１／３付近で
あシ実用上問題はない。

第４図はＣＯＤを駆動するりセットダ′Ｖト電極に印加
するリセットパルス振＋１１１１１とＣＯＤ　出方（１
中に含まれるリセットパルスの混入量の関係を示したも
のである。両者の関係は比例している。

そして欠陥画素のγ（ガンマ）値はほぼ１であることか
らリセット・母ルスの混入量を欠陥画素のオフセット分
に相当した量りを減算すれば、ＣＣＤ出力信号は第３図
で説明し九〇の特性を得ることができる。リセットパル
ス振幅とその混入量の割合は約１／２ｏ程度であシ、例
えば１０■ｐ−ｐのリセットパルスを印加したときＣＣ
Ｄ出力信号中には５００・・ｍＶｐ−ｐの混入量がある
。一方ＣＯＤの飽和電圧は約１０００　ｍｖ、□ｐであ
シ、その使用最大電圧は前記したように飽オ・１１電圧
の１／３である３　００　Ｉ’ｍＶ、−、になる。した
がって欠陥画素のオフセット成分は使用最大電圧値まで
十分補正できることがわかる。本発明の特徴は欠陥画素
においても入力光に対して感度を有するととに着目し、
そのオフセット量に応じてＣＣＤ出力信号中に含まれる
リセットパルスの混入量を減算するものである。この減
算手段はＣＯＤ出力部にあるリセットゲート電極、リセ
ットドレイン電極、出力ダート電極、リセットゲート電
極に隣接して別途設けた電極、フローテング拡散層に隣
接した電極などに加える・ぐルス振幅を制御することに
よって達成される。

次に本発明の具体的実施例を１−次説明する。

第５図は本発明の画像欠陥補正回路の一実施例の構成図
、第６図はその信号波形図であ、る。

ＣＣＤ撮像素子１は第１図で説明したインターライン転
送方式ＣＯＤであシ、図ではその出力部のみ示している
。出力部はフローテング拡散型として周知のものである
。即ち出力部は基板２上に形成された出力ダート電極Ｏ
Ｇとフローティング拡散層ＦＤとからなる検出部、拡散
ＮＦＤの信号電荷を排出するためのリセットゲート電極
Ｒ８とドレイン領域ＲＤとからなるリセット部）そして
ＭＯＳ　トランジスタによる出力アンプ３で構成されて
いる。光電変換された信号電荷は出力ダート電極ＯＧへ
印加した電圧Ｖ。。によって基板に形成した障壁電位を
越えて検知用ダイオードを構成している拡散層ＦＤに流
れ込む。一方拡散層ＦＤの電位はリセットゲート電極Ｒ
８へ印加したリセットパルスの周期でドレイン電圧■Ｉ
ＬＤにリセットされる。拡散層ＦＤへ流れ込んだ信号電
荷はこの拡散層ＦＤと出力アンプ３の入力ｒ−ト容量の
合計で決まる容量Ｃ１によって信号電圧に変換される。

この信号電圧の中にはリセットダート電極Ｒ８と拡散層
ＲＤ間の容ｉＣｒによってリセットゲート電極Ｒ８へ印
加するリセットパルスが混入する。この信号電圧は出力
アンｆ３で電流増幅され出力端子から取シ出し、プリア
ンプ４を通し、リセットパルスの混入の除去やインピー
ダンス変換などを行ない、色分離回路５によって輝度（
Ｙ）、赤（Ｒ）、青（Ｂ）などに分離し各信号をプロセ
ス処理後カラーエンコーダ６によりてＮＴＳＣカラー信
号に形成して出力する。画像欠陥のあるＣＣＤ出力信号
は第６図に示すように欠陥画素部分で暗電流が異状に大
きいためレベルが特に高くなっている（図では下の方向
）。この欠陥画素の位置に限ってア１’　ｖスｔ’ルス
ヲ発生ｆ７：ｒ。このアドレスパルスはアドレスメモリ
２によってあらかじめＣＣＤＣＣ撮像素子１欠陥画素の
位置を記憶しておく。

これには例えばＦ　ＲＯＭを使う。アドレスメモリ２の
出力はインターフェース回路８によってＣＣＤ撮像素子
素子クロック周期の・ぐルスに変換してテ：７−７　ｇ
によシ欠陥画素位置のアドレス・ぐルスを発生する。ア
ドレスパルスはりセッ、ト・９ルスがオンの期間に切換
えるタイミングにしておく。そして振幅制御回路１０に
よって欠陥画素のオフセット相当分になるパルス振幅を
発生させる。このオフセット相当分は温度便化によって
その量が変わるのでＣＯＤの温度変化検知をＣＣＤ内も
しくはＣＣＤ近傍に設けた温度検出菓子ＴＤによって行
なう構成としている。振幅制御回路１０によって得たア
ドレスパルスはリセットパルスドライバ１ノの低レベル
電圧制御端子へ印加する。この結果、欠陥画素位置に限
ってリセットパルスの振幅が低下する。したがってＣＣ
Ｄ出力信号中に混入するリセットパルスの混入量は減少
し、欠陥画素の画像信号分と通常画素の画像信号分は同
一になる。ここで重袂なことは欠陥画素のオフセット分
とリセッ）　／ＩＰ　ルスの混入量の加算量が通常画素
のリセットパルスの混入量と同一にすることである。タ
イミング発生回路ノ２はＣＯＤ駆動に必要なノ４ルスと
キズ補正方式に必要なノ（ルスを同期して発生する。

このように本実施例によればＣＣＤの出力信号中に含ま
れる局部的な結晶欠陥などによる異状暗電流にもとすく
ノイズは確実に除去でき、良好なカラー画像が得られる
。

次に本発明の別の実施例を第７図、第８図に示す。この
実施例は本発明を確実に行なうものであシ発明者が設計
、実験を行ない簡単な回路構成で極めて良好な補正が得
られたものである。

第７図にその構成図、第８図にその信号波形図を示す。

この実施例は欠陥画素のオフセット分の除去をＣＣＤ撮
像素子）の出力ダート電極ＯＧを制御して行なう画像欠
陥補正回路である。ここで第５図と対応する部分は第５
図と同−何分を付して詳細な説明は省略する。アドレス
メモリ７によって、ＣＣＤの欠陥画素のアドレス位置と
振幅量を記憶しておく。アドレスメモリ７の書き込み、
読み出しはメモリの消費電力を下げるだめ、通常のスピ
ードよシ十分遅い速度で行なっている。この遅い速度の
データを通常の速度に変換するインターフェース回路８
を通し振幅デコーダ９−１、アドレスデコーダ９　、＋
　２１／Ｃよって欠陥画素の振幅量、アドレス位置に対
応した・ぐルスを発生する。ここでリセットパルスは通
常の状態としておく。アドレスデコーダ９−２から得る
アドレスデコーダは、第８図のようにリセットパルスの
オフ期間で立上シ、立下シを行えば良くタイミングの余
裕が約１０　Ｏｎ８ある。ＯＧノぐルス発生回路ノ３で
はアドレスパルスとリセットパルスのオン期間のＡＮＤ
　ＤＺ　分ヲ検出し、欠陥画素位置の直前のリセットパ
ルスがオン期間に限って第８図のようにリセットパルス
と逆極性のＱ　Ｑ　／４’ルスを発生させる。そしてＯ
Ｇパパルドライバノ４ではＣＯＤの欠陥画素の温度変化
の振幅に対応した量を発生する振幅制御回路１０よシ得
た電圧でＯＧパパルの振幅を制御する。そしてＣＣＤ撮
像素子１の出力ブート電極ＯＧへＯＧパパルを印加する
。この結果ＣＣＤ出力信号中に含まれるリセットパルス
の混入量は欠陥画素位置に限って欠陥画素の暗電流分の
オフセットｉに相当する分を減少させることができる。

このことをさらに詳しく説明する。ＣＯＤの出力部に形
成されている出力？”　−ト電極ＯＧはリセットゲート
電極Ｒ８同様にフローテング拡散層ＦＤとの間に容量Ｃ
０を持つ。リセットパルスの混入はリセットゲート電極
Ｒ８と拡散層ＦＤとの間の容量Ｃｒによっであるので、
出力ダート電極Ｏａヘリセットパルスと逆極性の・母ル
スを印加すると、その印加場所に限ってリセットパスの
混入量が減算された形となる。このときＯＧノ４ルスは
リセッ）　Ａ？パルスオン期間に限って加えることでリ
セットパルスの混入レベルがリセット動作で確実に通常
画素の場所とそろえられる。この実施例では出力ダート
電極ＯＧは入力パルスに対して比例すること、出力ダー
ト電極のゾロセスマージンを損なわないこと、／４ルス
の高速性が良いこと、リセットゲート電極側の容量Ｃｒ
（！：ｃｏはほぼ等しいことなどが要求されるが、これ
らの点は発明者の実験結果で２００ｍＶ信号電圧のセッ
トに対して２００　ｍＶオフセット成分を持つ画像欠陥
まで十分に補正で、きることが実証されている。特にプ
ロセスマージンは出力ブート′眠極ＯＧに負側のパルス
を印加しているのでむしろマージンが増加する方向にあ
る。

パルスの高速性と容量Ｃｒはリセットゲート電極Ｒ８と
同様な構造であるから特に問題はない。

次に複数の欠陥画素について温度補償を行なった場合の
別の実施例を説明する。第９図は欠陥画素が３個ある場
合の構成例であり、第１０図はその信号波形図である。

ＣＯＤの欠陥画素は”ｒｂ（ｃの３個である。ＣＣＤ撮
像素子１内に設けられた温度検出素子ＴＤ例えばＰ−。

ダイオードで構成されたものを、定電流回路１５を電圧
ｖ１で駆動して温度変化に対応した電圧を発生する。こ
の電圧を乗算回路１６に通しその出力から温度補正され
た各欠陥ｉｉ！ｊｉ素ａ　１　ｂ　＋　Ｃに対応する直
流電圧ｖｌＬ、　ｔｌｂ、　ｖ、を発生する。、一方基
準電圧ｖｒを発生しバッファアンプ１７を通しアナログ
マルチプレクサ２１のアナログ入力端子へ加える。また
、欠陥画素に対応した直流電圧Ｖ、、　ｖｂ、ν。はそ
れぞれバッファアンプ１８゜１９．２０を通しアナログ
マルチプレクサ２）のアナログ入力端子へ加える。一方
、欠陥画素位置の１？ルスを発生するため、アドレスメ
モリ７からインターフェース回路８を通しアドレスデコ
ーダ９によってアドレスデコーダＰ１１Ｐ２を得る。ア
ドレスパルスＰ１＋ＰｌはＡＮＤ回路２２．２３によっ
てリセット／Ｊ？ルスとのＡＮＤを得て、第１０図に示
すようにリセット・臂ルスがオン期間のみノ４ルスが発
生するアドレス・ぐルスＰ、Ａ、Ｐ２Ａを得る。このパ
ルスをアナログマルチプレクサ２１のコントロール入力
端子へ印加する。アナログマルチプレクサ２１の出力は
ａ。

ｂ、ｃの欠陥画素に応じたオフセット成分を持つＱ　Ｑ
　ノ４ルスが得られる。このＱ　Ｑ　／４ルスをコンデ
ンサ２４を通し、ＯＧバイアス回路２５によって所定の
電圧にセットした状態でＣＣＤ撮像素子素子ＯＧ端子へ
加える。この結果、欠陥画素ａ、ｂ、ｃのＣＣＤ出力信
号中に含まれるリセットノイズ量はそれぞれに応じてオ
フセラ）分だけ減少する。

したがって本実施例では温度変化に応じて複数の欠陥画
素を確実に補正できる。まだＯＧ　／＃ルスを発生する
回路にアナログマルチプレクサを用いることによシ・ク
ルス振幅が変化した場合においてもパルス波形の劣化が
少ない特徴がある。

以上、説明した実施例ではインターライン転送方式ＣＯ
Ｄで行なったが、本発明はこれに限らず、例えばフレー
ム転送方式ＣＯＤを用いた場合も同様な効果が期待でき
る。要するに検出部が７０一テング拡散層で形成され周
期的にリセット動作を行なう固体撮像素子であれば本発
明を適用することが可能である。

また、本発明は固体撮像素子の光電変換特性のγ（ガン
マ）値が１の場合について説明したが、ｒ（ガンマ）値
が１以外の場合にも本発明は適用することができる。こ
の場合は第５図ないし第７図の振幅制御回路１０に固体
撮像素子に合わせたγ（ガンマ）補正係数を持たせれば
良いＯまた、本発明と従来の画素補間方式を組み合わせて、本
発明で感度を有する欠陥画素を補正し、補間方式で感度
を有しない欠陥画素を補正するようにすれば、よシ高い
歩留が期待でき、この結果安価な固体撮像装置が実現で
きる。

また、本発明は黒の画像欠陥の補正にも適用できる。こ
の場合は第３図で説明した欠陥画素のオフセット分が通
常画素に対して負の方向になるので、リセッ）　ノ４ル
スの混入分を欠陥画素に限って増加すれば良い。

また、アドレスノやルスの位相はリセットパルスの位相
に合わせて固定の位置で説明したが、この位置が多少ず
れても効果はそれ程減少しない。

また、アドレス・９ルスの位相は再生画像上で欠陥画素
の暗電流分が最小になるようパルスの位相を調整しても
良い。

また、本発明は一次元の固体撮像素子に適用しても同様
の効果が時期できる。

また、ＣＣＤ内にオンチップされている。出力アンプに
サンプルアン−ホールド回路を設ければ、ＣＯＤ出力信
号にはリセットパルスの混入分が除去されるので後段の
信号処理が容易になる。

【図面の簡単な説明】

第１図はインターライン転送方式〇ＣＤ撮像素子の概略
構成を示す図、第２図は欠陥画素のあるＣＣＤＣＤ倍力
信号波形図３図は画素の入力光に対する出力電圧特性を
示す図、第４図はりセットノ９ルス振幅に対するＣＣＤ
出力信号中に含まれるリセットパルスの混入量の関係を
示す図、第５図は本発明の一実施例の構成図、第６図は
その動作を説明するための信号波形図、第７図は本発明
の別の実施例を説明するだめの構成図、第８図はその信
号波形図、第９図は本発明に温度補償を行なった一実施
例の構成図、第１０図はその信号波形図である。１・・・ＣＣＤ撮像素子、ＯＧ・・・出力ｆ−ト電極、
ＦＤ・・・フローティング拡散層、Ｒ８・・・リセット
ゲート電極、ＲＤ・・・ドレイン、３・・・出力アンプ
、４・・・プリアンプ、５・・・色分前回路、６・・・
カラーエンコーダ、７・・・アドレスメモリ、８・・・
インターフェース回路、９・・・デコーダ、１０・・・
振幅制御回路、１ノ・・・リセットハルスドライバ、１
２・・・タイミング回路、１３・・・Ｑ　Ｇａ母ルス発
生回路・ノ４・・・ＯＧノ母ルスドライバ、１５・・・
定゛醒流回路、１６・・・乗算回路、１７．１Ｂ、１９
．２０・・・バッファアンプ、２ノ・・・アナログマル
チゾレクサ、２２．２３・・・ＡＮＤ回路、２４・・・
コンデンサ、２５・・・バイアス回路。出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦手続補正書昭和　を９．７．．１２日特許庁長官　志　賀　学　殿１、事件の表示特願昭５８−１９５０７４号２、発明の名称固体撮像装置３、補正をする者事件との関係　特許出願人（３０７）株式会社　東芝４、代理人東京都港区虎ノ門１丁目２６番５月　第１７森ビル７、
補正の内容（１、発明の名称を下記の通り訂正する。記固体撮像装置（２、特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。（３）明細書第２頁第１８行の「の画像欠陥補正方法」
を削除りる。（４）同第９頁第５〜６行の［の画像欠陥補正方法」を
削除する。２、特許請求の範囲（１）半導体基板上に、−次元もしくは二次元的に配列
形成された感光画素と、各感光画素で光電変換されて蓄
積された信号電荷を順次転送する転送部と、転送された
信号電荷を読出ずための出力ゲート電極とフローティン
グ拡散層とからなる検出部と、この検出部の信号電荷を
一定周期毎に排出するためのリセットゲート電極とドレ
インとからなるリセット部とを集積して構成される固体
撮像装置Ｗ工エニエ欠陥画素位置を記憶するメモリを設
け、このメモリから読出されたアドレスパルスにより前
記欠陥画素の出力信号への前記リセット電極からのリセ
ットパルス混入量を制御して欠陥画素部分で発生するオ
フセラ１−　・を　するようにしたことを特徴とする固
体撮像【１゜（２）前記リセットパルス混入量の制御は
、前記リセットゲート電極へ印加するリセットパルスの
オフ期間でその振幅を１１することにより行うようにし
た特許請求の範囲第１項記載の固体撮像１」。（３）前記リセットパルス混入量の制御は、前記リセッ
トゲート電極へ印加するリセットパルスのオン期間に前
記出力ゲート電極またはリセットゲート電極に隣接して
設けた別の電極へパルスを印加することにより行うよう
にした特許請求の範囲第１項記載の固体撮像１１５出願人代理人　弁理士　鈴江武彦

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体基板上に、−次元もしくは二次元的に配列
形成された感光画素と、各感光画素で光電変換されて蓄
積された信号電荷を順次転送する転送部と、転送された
信号電荷を読出すだめの出力ｒ−ト電極とフローティン
グ拡散層とからなる検出部と、この検出部の信号電荷を
一定周期毎に排出するためのリセットゲート電極とドレ
インとからなるリセット部とを集積して構成される固体
撮像装置の欠陥画素に基づく画像欠陥を補正する方法で
あって、欠陥画素位置を記憶するメモリを設け、このメ
モリから読出されたアドレスパルスによシ前記欠陥画素
の出力信号への前記リセット電極からのリセットパルス
混入量を制御して欠陥画素部分で発生する雑音を除去す
るようにしたことを特徴とする固体撮像装置の画像欠陥
補正方法。
（２）　前記リセットパルス混入量の制御は、前記リセ
ットゲート電極へ印加するリセットパルスのオフ期間で
その振幅を制御することによシ行うようにした特許請求
の範囲第１項記載の固体撮像装置の画像欠陥補正方法。
（３）前記リセットパルス混入量の制御は、前記リセッ
トゲート電極へ印加するリセットパルスのオン期間に前
記出力ブート電極まだはリセットダート電極に隣接して
設けた別の電極へパルスを印加することにより行うよう
にした特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置の画像
欠陥補正方法。